三極管命名方法ppt課件

1、中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法v半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分場(chǎng)效應(yīng)器件、半半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PINPIN型管、激光器件型管、激光器件的型號(hào)命名只需第三、四、五部分組成。的型號(hào)命名只需第三、四、五部分組成。五個(gè)部分意義如下：五個(gè)部分意義如下： v第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。數(shù)目。2-2-二極管、二極管、3-3-三極管三極管 v第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的資料和極性。表示二極管時(shí)：的資料和極性。表示二極管時(shí)：A-NA-

2、N型鍺資料、型鍺資料、B-PB-P型鍺資料、型鍺資料、C-NC-N型硅資料、型硅資料、D-PD-P型硅資料。型硅資料。表示三極管時(shí)：表示三極管時(shí)：A-PNPA-PNP型鍺資料、型鍺資料、B-NPNB-NPN型鍺型鍺資料、資料、C-PNPC-PNP型硅資料、型硅資料、D-NPND-NPN型硅資料。型硅資料。 v第三部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。第三部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-P-普通管、普通管、V-V-微波管、微波管、W-W-穩(wěn)壓管、穩(wěn)壓管、C-C-參量管、參量管、Z-Z-整整流管、流管、L-L-整流堆、整流堆、S-S-隧道管、隧道管、N-N-阻尼管、阻尼管、 U-

3、U-光電光電器件、器件、K-K-開(kāi)關(guān)管、開(kāi)關(guān)管、X-X-低頻小功率管低頻小功率管(F3MHz,Pc1W)(F3MHz,Pc3MHz,Pc3MHz,Pc1W)、D -D -低頻大功率低頻大功率管管f1W)f1W)、A-A-高頻大功率管高頻大功率管f3MHz,Pc1W)f3MHz,Pc1W)、T-T-半導(dǎo)體晶閘管可控整流半導(dǎo)體晶閘管可控整流器、器、Y-Y-體效應(yīng)器件、體效應(yīng)器件、B-B-雪崩管、雪崩管、J-J-階躍恢復(fù)管、階躍恢復(fù)管、CS-CS-場(chǎng)效應(yīng)管、場(chǎng)效應(yīng)管、BT-BT-半導(dǎo)體特殊器件、半導(dǎo)體特殊器件、FH-FH-復(fù)合管、復(fù)合管、PIN-PINPIN-PIN型管、型管、JG-JG-激光器件。

4、激光器件。 v第四部分：用數(shù)字表示序號(hào)第四部分：用數(shù)字表示序號(hào) v第五部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào)第五部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào) 例如：例如：3DG183DG18表示表示NPNNPN型硅資料高頻三極管型硅資料高頻三極管日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法貼片電容的型號(hào)貼片電容的型號(hào)命名方法及規(guī)那么簡(jiǎn)介命名方法及規(guī)那么簡(jiǎn)介 貼片電容的尺寸表示法有兩種，一種是英寸為單位來(lái)表示，一種是以毫米為單位的公制來(lái)表示。貼片電容系列的型號(hào)有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2019、2

5、225、2512等。04表示長(zhǎng)度是0.04英寸，02表示寬度0.02英寸，其他類同。 英制英寸 公制mm 長(zhǎng)度及公差 寬度及公差 厚度及公差 0402 1005 1.000.05 0.500.05 0.500.05 0603 1608 1.600.10 0.800.10 0.800.10 0805 2019 2.000.20 1.250.20 0.700.20 1206 3216 3.200.30 1.600.20 0.700.20 1210 3225 3.200.30 2.500.30 1.250.30 1808 4520 4.500.40 2.000.20 2.00 1812 4532 4.500.40 3.200.30 2.50 222