開(kāi)關(guān)電源開(kāi)發(fā)流程

1、開(kāi)關(guān)電源開(kāi)發(fā)流程1 目的希望以簡(jiǎn)短的篇幅，將公司目前設(shè)計(jì)的流程做介紹，若有介紹不當(dāng)之處，請(qǐng)不吝指教2設(shè)計(jì)步驟：2.1繪線路圖、PCB Layout.2.2變壓器計(jì)算.2.3零件選用.2.4設(shè)計(jì)驗(yàn)證.3設(shè)計(jì)流程介紹(以DA-14B33 爲(wèi)例):3.1線路圖、PCB Layout請(qǐng)參考資識(shí)庫(kù)中說(shuō)明3.2變壓器計(jì)算：變壓器是整個(gè)電源供應(yīng)器的重要核心，所以變壓器的計(jì)算及驗(yàn)証是很重要的，以下即就DA-14B33變壓器做介紹.3.2.1 決定變壓器的材質(zhì)及尺寸：依據(jù)變壓器計(jì)算公式B(max) =鐵心飽合的磁通密度 (Gauss)Lp=一次側(cè)電感值(uH)Ip =一次側(cè)峰值電流(A)Np=一次側(cè)(主線圈)圈

2、數(shù)Ae=鐵心截面積(cm2)B(max)依鐵心的材質(zhì)及本身的溫度來(lái)決定，以TDK Ferrite Core PC40爲(wèi)例，100 C時(shí)的B(max)爲(wèi)3900 Gauss，設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)考慮零件誤差，所以一般取30003500 Gauss 之間，若所設(shè)計(jì)的power 爲(wèi)Adapter(有外殼)則應(yīng)取3000 Gauss左右，以避免鐵心因高溫而飽合，一般而言鐵心的尺寸越大，Ae越高，所以可以做較大瓦數(shù)的Power。3.2.2 決定一次側(cè)濾波電容：濾波電容的決定，可以決定電容器上的 Vin(min)，濾波電容越大，Vin(win)越高，可以做較大瓦數(shù)的 Power，但相對(duì)價(jià)格亦較高。3.2.3 決定變壓

3、器線徑及線數(shù)：當(dāng)變壓器決定後，變壓器的Bobbin即可決定，依據(jù) Bobbin的槽寬，可決定變壓器的線徑及線數(shù)，亦可計(jì)算出線徑的電流密度，電流密度一 般以6A/mm2 爲(wèi)參考，電流密度對(duì)變壓器的設(shè)計(jì)而言，只能當(dāng)做參考 值，最終應(yīng)以溫昇記錄爲(wèi)準(zhǔn)。3.2.4 決定Duty cycle (工作週期):由以下公式可決定 Duty cycle , Duty cycle 的設(shè)計(jì)一般以50%爲(wèi)基準(zhǔn)，Duty cycle 若超過(guò)50%易導(dǎo)致振盪的發(fā)生。NS =二次側(cè)圈數(shù)NP = 一次側(cè)圈數(shù)Vo =輸出電壓VD=二極體順向電壓Vin (mi n)=濾波電容上的谷點(diǎn)電壓D = 工作週期(Duty cycle)32

4、5 決定Ip值：Ip = 一次側(cè)峰值電流lav = 一次側(cè)平均電流Pout = 輸出瓦數(shù)效率PWM震盪頻率326 決定輔助電源的圈數(shù)：依據(jù)變壓器的圈比關(guān)係，可決定輔助電源的圈數(shù)及電壓。3.2.7 決定MOSFET及二次側(cè)二極體的 Stress（應(yīng)力）:依據(jù)變壓器的圈比關(guān)係，可以初步計(jì)算出變壓器的應(yīng)力 （Stress）是否符合選用零件的規(guī)格，計(jì)算時(shí)以輸入電壓264V（電容器上爲(wèi)380V）爲(wèi)基準(zhǔn)。3.2.8 其它：若輸出電壓爲(wèi)5V以下，且必須使用TL431而非TL432時(shí)，須考慮多一 組繞組提供Photo coupler 及TL431使用。3.2.9 將所得資料代入公式中，如此可得出B（max），

5、若B（max）值太高或太低則參數(shù)必須重新調(diào)整。3.2.10 DA-14B33 變壓器計(jì)算：輸出瓦數(shù) 13.2W（3.3V/4A）, Core = EI-28 ，可繞面積（槽寬）=10mm,Margin T ape = 2.8mm（ 每邊），剩餘可繞面積=4.4mm.假設(shè) fT = 45 KHz , Vin（min）=90V, =0.7 , PF.=0.5（cosLp=1600Uh計(jì)算式：變壓器材質(zhì)及尺寸：由以上假設(shè)可知材質(zhì)爲(wèi) PC-40，尺寸=EI-28 , Ae=0.86cm2 ，可繞面 積（槽寬）=10mm，因Margin Tape 使用2.8mm ，所以剩餘可繞面積爲(wèi) 4.4mm.假設(shè)濾

6、波電容使用 47uF/400V , Vin（min）暫定90V。決定變壓器的線徑及線數(shù):假設(shè)NP使用0.32 “的線電流密度=可繞圈數(shù)=假設(shè)Secondary 使用0.35 的線電流密度=假設(shè)使用4P，貝U電流密度=可繞圈數(shù)=決定 Duty cycle:假設(shè) Np=44T , Ns=2T , VD=0.5（使用 schottky Diode）決定Ip值：決定輔助電源的圈數(shù)：假設(shè)輔助電源=12VNA1=6.3 圈假設(shè)使用0.23 ”的線可繞圈數(shù)=若NA1=6Tx2P，則輔助電源 =11.4V決定MOSFET及二次側(cè)二極體的 Stress(應(yīng)力):MOSFET(QI)=最高輸入電壓(380V)+=

7、463.6VDiode(D5)= 輸出電壓(Vo)+ x最高輸入電壓(380V)=20.57VDiode(D4)=41.4V其它：因爲(wèi)輸出爲(wèi) 3.3V，而TL431的Vref值爲(wèi)2.5V，若再加上 photocoupler上的壓降約1.2V，將使得輸出電壓無(wú)法推動(dòng)Photocoupler及TL431 ,所以必須另外增加一組線圈提供迴授路徑所需 的電壓。假設(shè)NA2 = 4T使用0.35 "線，則可繞圈數(shù)=，所以可將NA2定爲(wèi)4Tx2P變壓器的接線圖3.3 零件選用 :零件位置 （標(biāo)註 ） 請(qǐng)參考線路圖 : （DA-14B33 Schematic）FS1:由變壓器計(jì)算得到 Iin 值，以

8、此 Iin 值 （0.42A） 可知使用公司共用料2A/250V ，設(shè)計(jì)時(shí)亦須考慮 Pin（max） 時(shí)的 Iin 是否會(huì)超過(guò)保險(xiǎn)絲的額定 值。TR1（ 熱敏電阻 ）:電源啟動(dòng)的瞬間，由於 C1（ 一次側(cè)濾波電容 ）短路，導(dǎo)致 Iin 電流很大， 雖然時(shí)間很短暫， 但亦可能對(duì) Power 產(chǎn)生傷害， 所以必須在濾波電容之 前加裝一個(gè)熱敏電阻，以限制開(kāi)機(jī)瞬間 Iin 在 Spec 之內(nèi) （115V/30A ， 230V/60A） ，但因熱敏電阻亦會(huì)消耗功率， 所以不可放太大的阻值 （否則 會(huì)影響效率），一般使用SCK053（3A/5 Q），若C1電容使用較大的值， 則必須考慮將熱敏電阻的阻值變大

9、（一般使用在大瓦數(shù)的 Power 上）。3.3.3 VDR1（ 突波吸收器 ）:當(dāng)雷極發(fā)生時(shí)，可能會(huì)損壞零件，進(jìn)而影響 Power 的正常動(dòng)作，所以 必須在靠 AC 輸入端 （Fuse 之後 ），加上突波吸收器來(lái)保護(hù) Power（ 一般 常用 07D471K） ，但若有價(jià)格上的考量，可先忽略不裝。3.3.4 CY1 ， CY2（Y-Cap）:Y-Cap 一般可分為 Y1 及 Y2 電容， 若 AC Input 有 FG（3 Pin） 一般使用Y2- Cap ， AC Input 若為 2Pin（ 只有 L， N） 一般使用 Y1-Cap ， Y1 與Y2 的差異，除了價(jià)格外 （Y1 較昂貴 ）

10、，絕緣等級(jí)及耐壓亦不同 （Y1 稱為 雙重絕緣，絕緣耐壓約為 Y2 的兩倍，且在電容的本體上會(huì)有“回”符號(hào)或註明Y1），此電路因爲(wèi)有FG所以使用Y2-Cap，丫-Cap會(huì)影響EMI 特性，一般而言越大越好，但須考慮漏電及價(jià)格問(wèn)題，漏電（LeakageCurrent ） 必須符合安規(guī)須求 （3Pin 公司標(biāo)準(zhǔn)爲(wèi) 750uA max） 。3.3.5 CX1（X-Cap） 、RX1:X-Cap爲(wèi)防制 EMI零件，EMI可分爲(wèi) Conduction 及Radiation 兩部分，Conduction 規(guī)範(fàn)一 般可分爲(wèi): FCC Part 15J Class B 、 CISPR22（EN55022） C

11、lass B 兩種，F(xiàn)CC 測(cè)試頻率在 450K30MHz, CISPR22 測(cè)試頻率在 150K30MHz， Conduction 可在廠內(nèi)以頻譜分析儀驗(yàn)證， Radiation 則必須到實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證， X-Cap 一般對(duì)低頻段 （150K 數(shù)M 之間 ）的 EMI 防制有效，一般而言 X-Cap 愈大， EMI 防制效果愈好 （但 價(jià)格愈高 ），若 X-Cap 在 0.22uf 以上 （包含 0.22uf） ，安規(guī)規(guī)定必須要有 洩放電阻（RX1，般爲(wèi)1.2M Q 1/4W）。3.3.6 LF1（Common Choke）:EMI 防制零件， 主要影響 Conduction 的中、 低頻段，設(shè)

12、計(jì)時(shí)必須同時(shí)考慮 EMI 特性及溫昇，以同樣尺寸的 Common Choke 而言，線圈數(shù) 愈多 （相對(duì)的線徑愈細(xì) ）， EMI 防制效果愈好，但溫昇可能較高。3.3.7 BD1（ 整流二極體 ）:將 AC 電源以全波整流的方式轉(zhuǎn)換爲(wèi) DC ，由變壓器所計(jì)算出的 Iin 值， 可知只要使用 1A/600V 的整流二極體，因爲(wèi)是全波整流所以耐壓只要 600V 即可。3.3.8 C1（濾波電容）:由 C1 的大小 ( 電容值 )可決定變壓器計(jì)算中的Vin(min) 值，電容量愈大，Vin(min) 愈高但價(jià)格亦愈高，此部分可在電路中實(shí)際驗(yàn)證 Vin(min) 是否 正確，若 AC Input 範(fàn)圍

13、在 90V132V (Vc1 電壓最高約 190V) ，可使 用耐壓 200V 的電容 ;若 AC Input 範(fàn)圍在 90V264V( 或 180V264V) ， 因 Vc1 電壓最高約 380V ，所以必須使用耐壓 400V 的電容。3.3.9 D2( 輔助電源二極體 ):整流二極體，一般常用 FR105(1A/600V) 或 BYT42M(1A/1000V) ，兩者ES .主要差異1.耐壓不同 (在此處使用差異無(wú)所謂 )2.VF 不同 (FR105=1.2V ， BYT42M=1.4V)3.3.10 R10( 輔助電源電阻 ):主要用於調(diào)整 PWM IC 的 VCC 電壓，以目前使用的

14、3843 而言，設(shè)計(jì)時(shí)VCC 必須大於 8.4V(Min. Load時(shí) )，但為考慮輸出短路的情況，VCC 電壓不可設(shè)計(jì)的太高，以免當(dāng)輸出短路時(shí)不保護(hù)(或輸入瓦數(shù)過(guò)大)。3.3.11 C7( 濾波電容 ):輔助電源的濾波電容，提供 PWM IC 較穩(wěn)定的直流電壓，一般使用 100uf/25V 電容。3.3.12 Z1(Zener 二極體 ): 當(dāng)回授失效時(shí)的保護(hù)電路，回授失效時(shí)輸出電壓衝高，輔助電源電壓相對(duì)提 高，此時(shí)若沒(méi)有保護(hù)電路，可能會(huì)造成零件損壞，若在 3843 VCC 與 3843 Pin3 腳之間加一個(gè) Zener Diode ，當(dāng)回授失效時(shí) Zener Diode 會(huì)崩潰，使得 P

15、in3 腳提前到達(dá) 1V ，以此可限制輸出電壓，達(dá)到保護(hù)零件的目的 .Z1 值 的大小取決於輔助電源的高低， Z1 的決定亦須考慮是否超過(guò) Q1 的 VGS 耐 壓值，原則上使用公司的現(xiàn)有料(一般使用 1/2W 即可 ).3.3.13 R2( 啟動(dòng)電阻 ):提供 3843 第一次啟動(dòng)的路徑，第一次啟動(dòng)時(shí)透過(guò) R2 對(duì) C7 充電，以提供3843 VCC 所需的電壓， R2 阻值較大時(shí)， turn on 的時(shí)間較長(zhǎng)，但短路時(shí)Pin 瓦數(shù)較小， R2 阻值較小時(shí)， turn on 的時(shí)間較短， 短路時(shí) Pin 瓦數(shù)較大， 一般使用 220K Q/2W M.O 。.3.3.14 R4 (Line C

16、ompensation):高、低壓補(bǔ)償用，使3843 Pin3腳在90V/47HZ 及264V/63HZ 接近一致(一 般使用 750K Q1.5M Q 1/4W 之間)。3.3.15 R3， C6， D1 (Snubber):此三個(gè)零件組成 Snubber ，調(diào)整 Snubber 的目的 :1.當(dāng) Q1 off 瞬間會(huì)有Spike 產(chǎn)生，調(diào)整 Snubber 可以確保 Spike 不會(huì)超過(guò) Q1 的耐壓值， 2. 調(diào)整 Snubber 可改善 EMI. 一般而言， D1 使用 1N4007(1A/1000V)EMI 特性 會(huì)較好 .R3 使用 2W M.O. 電阻， C6 的耐壓值以兩端實(shí)際

17、壓差為準(zhǔn) (一般使用 耐壓 500V 的陶質(zhì)電容 )。3.3.16 Q1(N-MOS):目前常使用的為 3A/600V 及 6A/600V 兩種， 6A/600V 的 RDS(ON) 較3A/600V 小，所以溫昇會(huì)較低， 若 IDS 電流未超過(guò) 3A ，應(yīng)該先以 3A/600V 為考量， 並以溫昇記錄來(lái)驗(yàn)證， 因?yàn)?6A/600V 的價(jià)格高於 3A/600V 許多，Q1 的使用亦需考慮 VDS 是否超過(guò)額定值。3.3.17 R8:R8 的作用在保護(hù) Q1 ，避免 Q1 呈現(xiàn)浮接狀態(tài)。3.3.18 R7（Rs 電阻 ）:3843 Pin3 腳電壓最高為 1V，R7 的大小須與 R4 配合，以達(dá)

18、到高低壓 平衡的目的，一般使用 2W M.O. 電阻，設(shè)計(jì)時(shí)先決定 R7 後再加上 R4 補(bǔ)償，一般將 3843 Pin3 腳電壓設(shè)計(jì)在 0.85V0.95V 之間 （視瓦數(shù)而定， 若瓦數(shù)較小則不能太接近1V ，以免因零件誤差而頂?shù)?V） 。3.3.19 R5，C3（RC filter）:濾除3843 Pin3腳的雜訊，R5 一般使用1K Q 1/8W , C3 一般使用102P/50V 的陶質(zhì)電容， C3 若使用電容值較小者，重載可能不開(kāi)機(jī)（因?yàn)?843 Pin3瞬間頂?shù)?V）;若使用電容值較大者，也許會(huì)有輕載不開(kāi)機(jī)及短路 Pin 過(guò)大的問(wèn)題。3.3.20 R9（Q1 Gate 電阻 ）:R

19、9 電阻的大小， 會(huì)影響到 EMI 及溫昇特性， 一般而言阻值大， Q1 turn on / turn off 的速度較慢， EMI 特性較好，但 Q1 的溫昇較高、效率較 低（主要是因?yàn)?turn off 速度較慢 ）;若阻值較小，Q1 turn on / turn off的速度較快， Q1 溫昇較低、 效率較高， 但 EMI 較差，一般使用 51 Q -150 Q 1/8W 。3.3.21 R6 ， C4（ 控制振盪頻率 ）:決定3843的工作頻率，可由Data Sheet得到R、C組成的工作頻率，C4 一般為 10nf 的電容（誤差為 5%）， R6 使用精密電阻，以 DA-14B33

20、爲(wèi)例，C4使用103P/50V PE電容，R6爲(wèi)3.74K Q 1/8W 精密電阻，振盪頻率約為 45 KHz 。3.3.22 C5:功能類似 RC filter ，主要功用在於使高壓輕載較不易振盪，一般使用101P/50V 陶質(zhì)電容。3.3.23 U1(PWM IC):3843 是 PWM IC 的一種，由 Photo Coupler (U2) 回授信號(hào)控制 DutyCycle 的大小， Pin3 腳具有限流的作用 (最高電壓 1V) ，目前所用的 3843 中，有 KA3843(SAMSUNG) 及 UC3843BN(S.T.) 兩種， 兩者腳位相同， 但產(chǎn)生的振盪頻率略有差異， UC38

21、43BN 較 KA3843 快了約 2KHz ， fT 的增加會(huì)衍生出一些問(wèn)題 (例如 :EMI 問(wèn)題、短路問(wèn)題 )，因 KA3843 較難買(mǎi)，所以新機(jī)種設(shè)計(jì)時(shí)，儘量使用 UC3843BN 。3.3.24 R1、R11、R12、C2( 次側(cè)迴路增益控制 ):3843 內(nèi)部有一個(gè) Error AMP( 誤差放大器 )， R1、 R11 、 R12、 C2 及Error AMP 組成一個(gè)負(fù)回授電路，用來(lái)調(diào)整迴路增益的穩(wěn)定度，迴路 增益，調(diào)整不恰當(dāng)可能會(huì)造成振盪或輸出電壓不正確，一般 C2 使用立 式積層電容 (溫度持性較好 )。3.3.25 U2(Photo coupler)光耦合器 (Photo

22、 coupler) 主要將二次側(cè)的信號(hào)轉(zhuǎn)換到一次側(cè)(以電流的方式 )，當(dāng)二次側(cè)的 TL431 導(dǎo)通後， U2 即會(huì)將二次側(cè)的電流依比例轉(zhuǎn)換 到一次側(cè)，此時(shí) 3843 由 Pin6 (output) 輸出 off 的信號(hào) (Low) 來(lái)關(guān)閉 Q1 ， 使 用 Photo coupler 的 原 因 ， 是 為 了 符 合 安 規(guī) 需 求 （primacy to secondary 的距離至少需 5.6mm） 。3.3.26 R13（ 二次側(cè)迴路增益控制 ）:控制流過(guò) Photo coupler的電流，R13阻值較小時(shí)，流過(guò)Photo coupler的電流較大， U2 轉(zhuǎn)換電流較大，迴路增益較快（

23、需要確認(rèn)是否會(huì)造成振盪）， R13 阻值較大時(shí)，流過(guò) Photo coupler 的電流較小， U2 轉(zhuǎn)換電流 較小，迴路增益較慢，雖然較不易造成振盪，但需注意輸出電壓是否正 常。3.3.27 U3（TL431） 、R15、R16、R18調(diào)整輸出電壓的大小， ，輸出電壓不可超過(guò) 38V（ 因?yàn)?TL431 VKA 最大為 36V ，若再加 Photo coupler 的 VF 值，則 Vo 應(yīng)在 38V 以下較安全）， TL431 的 Vref 為 2.5V， R15 及 R16 並聯(lián)的目的使輸出電壓能微調(diào)，且R15與R16並聯(lián)後的值不可太大（儘量在2K Q以下），以免造成 輸出不準(zhǔn)。3328

24、R14，C9（二次側(cè)迴路增益控制）:控制二次側(cè)的迴路增益，一般而言將電容放大會(huì)使增益變慢；電容放小 會(huì)使增益變快，電阻的特性則剛好與電容相反，電阻放大增益變快；電 阻放小增益變慢，至於何謂增益調(diào)整的最佳值，則可以 Dynamic load 來(lái)量測(cè)，即可取得一個(gè)最佳值。3.3.29 D4（ 整流二極體 ）:因爲(wèi)輸出電壓爲(wèi) 3.3V，而輸出電壓調(diào)整器（Output Voltage Regulator）使用 TL431（Vref=2.5V） 而非 TL432（Vref=1.25V） ，所以必須多增加一 組繞組提供 Photo coupler 及 TL431 所需的電源， 因?yàn)?U2 及 U3 所需

25、的電流不大 (約 10mA 左右 )，二極體耐壓值 100V 即可，所以只需使用 1N4148(0.15A/100V) 。3.3.30 C8( 濾波電容 ):因?yàn)?U2 及 U3 所需的電流不大，所以只要使用 1u/50V 即可。3.3.31 D5( 整流二極體 ):輸出整流二極體， D5 的使用需考慮 :a. 電流值b. 二極體的耐壓值以 DA-14B33 為例，輸出電流 4A ，使用 10A 的二極體 (Schottky) 應(yīng) 該可以，但經(jīng)點(diǎn)溫昇驗(yàn)証後發(fā)現(xiàn) D5 溫度偏高，所以必須換為 15A 的 二極體，因?yàn)?10A 的 VF 較 15A 的 VF 值大。耐壓部分 40V 經(jīng)驗(yàn)証 後符合

26、，因此最後使用 15A/40V Schottky 。3332CIO, R17(二次側(cè) snubber):D5 在截止的瞬間會(huì)有 spike 產(chǎn)生，若 spike 超過(guò)二極體 (D5) 的耐壓 值,二極體會(huì)有被擊穿的危險(xiǎn),調(diào)整 snubber 可適當(dāng)?shù)臏p少 spike 的電壓值,除保護(hù)二極體外亦可改善 EMI , R17 一般使用 1/2W 的 電阻, C1O 一般使用耐壓 5OOV 的陶質(zhì)電容, snubber 調(diào)整的過(guò)程 (264V/63Hz) 需注意 R17,C1O 是否會(huì)過(guò)熱,應(yīng)避免此種情況發(fā)生。C11, C1 3(濾波電容 ):二次側(cè)第一級(jí)濾波電容，應(yīng)使用內(nèi)阻較小的電容(LXZ , Y

27、XA)，電容選擇是否洽當(dāng)可依以下三點(diǎn)來(lái)判定 :a. 輸出 Ripple 電壓是符合規(guī)格b. 電容溫度是否超過(guò)額定值c. 電容值兩端電壓是否超過(guò)額定值3334R19（假負(fù)載）:適當(dāng)?shù)氖褂眉儇?fù)載可使線路更穩(wěn)定， 但假負(fù)載的阻值不可太小， 否則會(huì) 影響效率，使用時(shí)亦須注意是否超過(guò)電阻的額定值（一般設(shè)計(jì)只使用額定瓦數(shù)的一半 ）。L3，C12（LC 濾波電路 ）:LC 濾波電路為第二級(jí)濾波，在不影響線路穩(wěn)定的情況下，一般會(huì)將L3放大 （電感量較大 ），如此 C12 可使用較小的電容值。4 設(shè)計(jì)驗(yàn)証 : （可分為三部分 ）a.設(shè)計(jì)階段驗(yàn)証b.樣品製作驗(yàn)証c. QE 驗(yàn)証4.1 設(shè)計(jì)階段驗(yàn)証 設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)階段應(yīng)

28、該養(yǎng)成記錄的習(xí)慣，記錄可以驗(yàn)証實(shí)驗(yàn)結(jié)果是否與電氣規(guī)格相 符，以下即就 DA-14B33 設(shè)計(jì)階段驗(yàn)証做說(shuō)明 （驗(yàn)証項(xiàng)目視規(guī)格而定 ）。4.1.1 電氣規(guī)格驗(yàn)証 :4.1.1.1 3843 PIN3 腳電壓（full load 4A）:90V/47Hz=0.83V115V/60Hz=0.83V132V/60HZ=0.83V180V/60HZ=0.86V230V/60HZ=0.88V264V/63HZ=0.91V4.1.1.2 Duty Cycle , fT:4.1.1.3 Vin (mi n) = 100V (90V / 47Hz full load)4.1.1.4 Stress (264V /

29、 63Hz full load):Q1 MOSFET:D5 D4:4.1.1.5 輔助電源(開(kāi)機(jī)，滿載)、短路Pin max.:4.1.1.6 Static (full load)Pi n(w)Iin (A)Iout(A)Vout(V)90V/47HZ18.70.3643.30115V/60HZ18.60.3143.30132V/60HZ18.60.2843.30180V/60HZ18.70.2143.30230V/60HZ18.90.1843.30264V/60HZ19.20.1643.304.1.1.71Full Range負(fù)載(0.3A-4A)（驗(yàn)僉証是否有振盪現(xiàn)象)4.1.1.8回授失

30、效（輸出輕載）90V/47HZVout =8.3VP.F.Ripple(mV)Pout(w)eff0.573213.2270.70.522813.2271.10.502913.2271.10.493013.2370.70.462913.2269.90.452913.2368.9Y2-CAP264V/63HZ Vout = 6.03V4.1.1.9 過(guò)電流保護(hù))90V/47HZ = 7.2A264V/63HZ = 8.4A4.1.1.10 Pin (max.)90V/47HZ = 24.9W264V/63HZ = 27.1W4.1.1.11 Dyn amic testH=4A , t仁25ms