半導(dǎo)體制造常用名詞

1、半導(dǎo)體制造的常用名詞半導(dǎo)體制造的常用名詞 2007-5-9 17:11:00 | By: sexlex 1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B,摻入Si中需要接受電子3. ACCESS 一個 EDA(Engineering Data Analysis )系統(tǒng)4. Acid ：酸5. Active device ：有源器件，如 MOS FE(T 非線性，可以對信號放 大)6. Align mark(key) ：對位標(biāo)記7. Alloy ：合金8. Aluminum ：鋁9. Ammo n i

2、a ：氨水10. Ammonium fluoride ：NH4F11. Ammonium hydroxide ：NH4OH12. Amorphous silicon : a -Si，非晶硅(不是多晶硅)13. Analog ：模擬的14. Angstrom : A (1E-10m)埃15. Anisotropic ：各向異性(如 POLY ETC)H16. AQL(Acceptance Quality Level) ：接受質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，在一定采樣下，可以 95%置信度通過質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)(不同于可靠性，可靠性要求一定 時間后的失效率)17. ARC(A ntireflective coati ng):抗反

3、射層(用于 META等層的光刻)18. Antimony(Sb) 銻19. Argon(Ar) 氬20. Arsenic(As) 砷21. Arsenic trioxide(As2O3) 三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher ：去膠機24. Aspect rati on:形貌比（ETCH中的深度、寬度比）25. Autodoping :自攙雜（外延時SUB的濃度高，導(dǎo)致有雜質(zhì)蒸發(fā)到 環(huán)境中后，又回摻到外延層）26. Back end :后段（CONTACT后、PCM測試前）27. Baseline :標(biāo)準(zhǔn)流程28. Benchmark :基準(zhǔn)29. Bipolar :雙

4、極30. Boat :擴散用（石英）舟31. CD:（Critical Dimension ）臨界（關(guān)鍵）尺寸。在工藝上通常指條寬，例如POLY CD為多晶條寬。32. Character window：特征窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝所 有特性的一個方形區(qū)域。33. Chemical-mechanical polish （CMP） :化學(xué)機械拋光法。一種去 掉圓片表面某種物質(zhì)的方法。34. Chemical vapor deposition （ CVD：化學(xué)汽相淀積。一種通過 化學(xué)反應(yīng)生成一層薄膜的工藝。35. Chip ：碎片或芯片。36. CIM ：computer-integrat

5、ed manufacturing的縮寫。用計算機控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。37. Circuit design ：電路設(shè)計。一種將各種元器件連接起來實現(xiàn) 一定功能的技術(shù)。38. Cleanroom ：一種在溫度，濕度和潔凈度方面都需要滿足某些特 殊要求的特定區(qū)域。39. Compensation doping :補償摻雜。向 P型半導(dǎo)體摻入施主雜質(zhì) 或向 N 型摻入受主雜質(zhì)。40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的縮寫。一種將PMOS口 NMO在同一個硅襯底上混合制造的工藝。41. Computer-aided design（C

6、AD：計算機輔助設(shè)計。42. Co nductivity type:傳導(dǎo)類型，由多數(shù)載流子決定。在 N型材料中多數(shù)載流子是電子，在 P型材料中多數(shù)載流子是空穴。43. Contact ：孔。在工藝中通常指孔 1，即連接鋁和硅的孔。44. Control chart ：控制圖。一種用統(tǒng)計數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝 某種性質(zhì)的曲線圖表。45. Correlation ：相關(guān)性。46. Cp ：工藝能力，詳見 process capability 。47. Cpk ：工藝能力指數(shù)，詳見 process capability index。48. Cycle time ：圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的

7、時間。通 常用來衡量流通速度的快慢。49. Damage損傷。對于單晶體來說，有時晶格缺陷在表面處理后形成無法修復(fù)的變形也可以叫做損傷。50. Defect density ：缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。51. Depletion implant ：耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗 盡晶體管的注入工藝。 (耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流 過的晶體管。)52. Depletion layer ：耗盡層?？蓜虞d流子密度遠低于施主和受主 的固定電荷密度的區(qū)域。53. Depletion width ：耗盡寬度。 53 中提到的耗盡層這個區(qū)域的寬 度。54. Deposition ：淀積

8、。一種在圓片上淀積一定厚度的且不和下面層 次發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的薄膜的一種方法。55. Depth of focus( DOF:焦深。56. design of experiments (DOE)：為了達到費用最小化、降低試驗錯誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的統(tǒng)計合理性等目的， 所設(shè)計的初始工程 批試驗計劃。57. develop :顯影(通過化學(xué)處理除去曝光區(qū)域的光刻膠，形成所 需圖形的過程)58. developer :1)顯影設(shè)備；H)顯影液59. diborane (B2H6) :乙硼烷，一種無色、易揮發(fā)、有毒的可燃氣 體，常用來作為半導(dǎo)體生產(chǎn)中的硼源60. dichlorometha ne (CH2

9、CL2)：二氯甲，一種無色，不可燃，不可 爆的液體。61. dichlorosilane(DSC):二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無色，在潮濕環(huán)境下易水解的物質(zhì)，常用于硅外延或多晶硅的成長，以 及用在沉積二氧化硅、氮化硅時的化學(xué)氣氛中。62. die ：硅片中一個很小的單位，包括了設(shè)計完整的單個芯片以及 芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。63. dielectric :1)介質(zhì)，一種絕緣材料；H)用于陶瓷或塑料封裝的表面材料，可以提供電絕緣功能。64. diffused layer :擴散層，即雜質(zhì)離子通過固態(tài)擴散進入單晶硅 中，在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。65

10、. disilane (Si2H6) :乙硅烷，一種無色、無腐蝕性、極易燃的氣 體，燃燒時能產(chǎn)生高火焰， 暴露在空氣中會自燃。 在生產(chǎn)光電單元時， 乙硅烷常用于沉積多晶硅薄膜。66. drive-in :推阱，指運用高溫過程使雜質(zhì)在硅片中分布擴散。67. dry etch :干刻，指采用反應(yīng)氣體或電離氣體除去硅片某一層次 中未受保護區(qū)域的混合了物理腐蝕及化學(xué)腐蝕的工藝過程。68. effective layer thickness :有效層厚，指在外延片制造中， 載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的硅錠前端的深度。69. EM: electromigration ，電子遷移，指由通過鋁條的電流導(dǎo)致電 子沿

11、鋁條連線進行的自擴散過程。70. epitaxial layer :外延層。半導(dǎo)體技術(shù)中，在決定晶向的基質(zhì) 襯底上生長一層單晶半導(dǎo) 體材料，這一單晶半導(dǎo)體層即為外延層。71. equipme nt dow ntime:設(shè)備狀態(tài)異常以及不能完成預(yù)定功能的時 間。72. etch :腐蝕，運用物理或化學(xué)方法有選擇的去除不需的區(qū)域。73. exposure :曝光，使感光材料感光或受其他輻射材料照射的過程。74. fab ：常指半導(dǎo)體生產(chǎn)的制造工廠。75. feature size ：特征尺寸，指單個圖形的最小物理尺寸。76. field-effect transistor ( FET):場效應(yīng)管。

12、包含源、漏、柵、 襯四端，由源經(jīng)柵到漏的多子流驅(qū)動而工作， 多子流由柵下的橫向電 場控制。77. film ：薄膜，圓片上的一層或多層迭加的物質(zhì)。78. flat ：平邊79. flatband capacitanse ：平帶電容80. flatband voltage ：平帶電壓81. flow coefficicent ：流動系數(shù)82. flow velocity ：流速計83. flow volume ：流量計84. flux ：單位時間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù)85. forbidden energy gap ：禁帶86. four-point probe ：四點探針臺87. functi

13、onal area ：功能區(qū)88. gate oxide ：柵氧89. glass transition temperature ：玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度90. gowning ：凈化服91. gray area ：灰區(qū)92. grazing incidence interferometer ：切線入射干涉儀93. hard bake ：后烘94. heteroepitaxy ：單晶長在不同材料的襯底上的外延方法95. high-currentimplanter :束電流大于3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn)96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter:

14、高效率空氣顆粒過濾器，去掉99.97%的大于0.3um的顆粒97. host :主機98. hot carriers :熱載流子99. hydrophilic :親水性100. hydrophobic :疏水性101. impurity :雜質(zhì)102. inductive coupled plasma(ICP) :感應(yīng)等離子體103. inert gas :惰性氣體104. initial oxide :一氧105. insulator :絕緣106. isolated line :隔離線107. implant : 注入108. impurity n : 摻雜109. junction :

15、結(jié)110. junction spiking n : 鋁穿刺111. kerf : 劃片槽112. landing pad n AD113. lithography n 制版114. maintainability, equipment :設(shè)備產(chǎn)能115. maintenance n : 保養(yǎng)116. majority carrier n :多數(shù)載流子117. masks, device series of n :一成套光刻版118. material n : 原料119. matrix n 1 : 矩陣120. mean n : 平均值121. measured leak rate n :測

16、得漏率122. median n : 中間值123. memory n : 記憶體124. metal n : 金屬125. nanometer (nm) n ：納米126. nanosecond (ns) n ：納秒127. nitride etch n ：氮化物刻蝕128. nitrogen (N2 ) n： 氮氣，一種雙原子氣體129. n-type adj ：n 型130. ohms per square n ：歐姆每平方 : 方塊電阻131. orientation n ： 晶向，一組晶列所指的方向132. overlap n ： 交迭區(qū)133. oxidation n ：氧化，高溫

17、下氧氣或水蒸氣與硅進行的化學(xué)反 應(yīng)134. phosphorus (P) n ：磷 ，一種有毒的非金屬元素135. photomask n ：光刻版，用于光刻的版136. photomask, negative n ：反刻137. images ：去掉圖形區(qū)域的版138. photomask, positive n ：正刻139. pilot n ：先行批，用以驗證該工藝是否符合規(guī)格的片子140. plasma n ：等離子體，用于去膠、刻蝕或淀積的電離氣體141. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)n： 等 離子體化學(xué)氣相淀積，

18、低溫條件下的等離子淀積工藝142. plasma-enhaneed TEOS oxide deposition n: TEOS淀積，淀積TEOS的一種工藝143. pn junetion n : pn 結(jié)144. pocked bead n :麻點，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠145. polarization n :偏振，描述電磁波下電場矢量方向的術(shù)語146. polycide n :多晶硅 / 金屬硅化物， 解決高阻的復(fù)合柵結(jié)構(gòu)147. polycrystalline silicon (poly) n:多晶硅，高濃度摻雜(>5E 1 9)的硅，能導(dǎo)電。148. polymo

19、rphism n :多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種 不同的形態(tài)結(jié)晶的現(xiàn)象149. prober n : 探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設(shè)備， 用以連接圓片和檢測設(shè)備。150. process control n :過程控制。半導(dǎo)體制造過程中，對設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。151. proximity X-ray n :近X射線：一種光刻技術(shù)，用 X射線照射置于光刻膠上方的掩 膜版，從而使對應(yīng)的光刻膠暴光。152. pure water n :純水。半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水。153. quantum device n : 量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源 于電子的波動性。154.

20、quartz carrier n :石英舟。155. random access memory (RAM) n : 隨機存儲器。156. random logic device n :隨機邏輯器件。157. rapid thermal processing (RTP) n :快速熱處理 (RTP)。158. reactive ion etch (RIE) n :反應(yīng)離子刻蝕 (RIE) 。159. reactor n : 反應(yīng)腔。反應(yīng)進行的密封隔離腔。160. recipe n : 菜單。生產(chǎn)過程中對圓片所做的每一步處理規(guī)范。161. resist n : 光刻膠。162. scanning

21、electron microscope (SEM) n :電子顯微鏡 (SEM)。163. scheduled downtime n : ( 設(shè)備 ) 預(yù)定停工時間。164. Schottky barrier diodes n : 肖特基二極管。165. scribe line n : 劃片槽。166. sacrificial etchback n : 犧牲腐蝕。167. semiconductor n : 半導(dǎo)體。電導(dǎo)性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的元 素。168. sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄層電阻。一般用以衡量半導(dǎo)體表面雜質(zhì)摻雜水平。169

22、. side load: 邊緣載荷，被彎曲后產(chǎn)生的應(yīng)力。170. silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer: 外延是藍寶石襯 底硅的原片171. small scale integration(SSI): 小規(guī)模綜合，在單一模塊上由 2到 10個圖案的布局。172. source code: 原代碼，機器代碼編譯者使用的，輸入到程序設(shè) 計語言里或編碼器的代碼。173. spectral line: 光譜線，光譜鑷制機或分光計在焦平面上捕捉 到的狹長狀的圖形。174. spin webbing: 旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過程中在下表面形成的細絲狀 的剩余物。175.

23、sputter etch:濺射刻蝕，從離子轟擊產(chǎn)生的表面除去薄膜。176. stacking fault:堆垛層錯，原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的 2次空間錯誤。177. steam bath: 蒸汽浴，一個大氣壓下，流動蒸汽或其他溫度熱源 的暴光。178. step response time: 瞬態(tài)特性時間，大多數(shù)流量控制器實驗中， 普通變化時段到氣流剛 到達特定地帶的那個時刻之間的時間。179. stepper:步進光刻機(按BLOC來曝光)180. stress test: 應(yīng)力測試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。181. surface profile: 表面輪廓，指與原片表面垂直的

24、平面的輪廓 (沒有特指的情況下) 。182. symptom: 征兆，人員感覺到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主 觀認(rèn)識。183. tack weld: 間斷焊，通常在角落上尋找預(yù)先有的地點進行的點 焊(用于連接蓋子)。184. Taylor tray: 泰勒盤，褐拈土組成的高膨脹物質(zhì)。185. temperature cycling: 溫度周期變化，測量出的重復(fù)出現(xiàn)相類 似的高低溫循環(huán)。186. testability: 易測性，對于一個已給電路來說，哪些測試是適 用它的。187. thermal deposition: 熱沉積，在超過 950 度的高溫下，硅片引 入化學(xué)摻雜物的過程。188.

25、 thin film: 超薄薄膜，堆積在原片表面的用于傳導(dǎo)或絕緣的一 層特殊薄膜。189. titanium(Ti): 鈦。190. toluene(C6H5CH3): 甲苯。有毒、無色易燃的液體，它不溶于 水但溶于酒精和大氣。191. 1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不易燃、有刺 激性氣味的液態(tài)溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。192. tungsten(W): 鎢。193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化鎢。無色無味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中 WF6用于淀積硅化物，也可用于鎢傳導(dǎo)的薄 膜。194.

26、 tinning:金屬性表面覆蓋焊點的薄層。195. total fixed charge density(Nth):下列是硅表面不可動電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度 (Nf) 、氧化層俘獲的電荷的密度 (Not) 、界面負獲得電荷密度 (Nit) 。196. watt(W): 瓦。能量單位。197. wafer flat:從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子 的導(dǎo)電類型和晶體表面的晶向， 也可用于在處理和雕合過程中的排列 晶片。198. wafer process chamber(WPC): 對晶片進行工藝的腔體。199. well: 阱。200. wet chemical etc

27、h:濕法化學(xué)腐蝕。201. trench: 深腐蝕區(qū)域，用于從另一區(qū)域隔離出一個區(qū)域或者在 硅晶片上形成存儲電容器。202. via: 通孔。使隔著電介質(zhì)的上下兩層金屬實現(xiàn)電連接。203. window: 在隔離晶片中，允許上下兩層實現(xiàn)電連接的絕緣的通 道。204. torr :托。壓力的單位。205. vapor pressure: 當(dāng)固體或液體處于平衡態(tài)時自己擁有的蒸汽 所施加的壓力。蒸汽壓力是與物質(zhì)和溫度有關(guān)的函數(shù)。206. vacuum: 真空。207. transition metals: 過渡金屬Parameter 參數(shù)PAC感光化合物ASIC特殊應(yīng)用集成電路Solvent 溶劑C

28、arbide 碳Refractive 折射Expansion 膨脹Strip 濕式刻蝕法的一種TM: top mental 頂層金屬層WEE周邊曝光PSG硼硅玻璃MFG制造部Runcard 運作卡POD裝晶舟和晶片的盒子Scratch 刮傷Reticle 光罩Sputter 濺射Spin 旋轉(zhuǎn)Merge 合并A/D 軍 Analog.Digital,模擬/ 數(shù)字AC Magnitude 交流幅度AC Phase 交流相位Accuracy 精度"Activity ModelActivity Model" 活動模型Additive Process 加成工藝Adhesion 附著

29、力Aggressor 干擾源Analog Source 模擬源AOI,Automated Optical Inspection 自動光學(xué)檢查Assembly Variant 不同的裝配版本輸出Attributes 屬性AXI,Automated X-ray Inspection自動 X 光檢查BIST,Built-in Self Test 內(nèi)建的自測試 Bus Route 總線布線Circuit 電路基準(zhǔn)circuit diagram 電路圖Clementine 專用共形開線設(shè)計Cluster Placement 簇布局CM合約制造商Com mon Impeda nee共模阻抗Concurre

30、nt 并行設(shè)計Constant Souree 恒壓源Cooper Pour 智能覆銅Crosstalk 串?dāng)_元件確認(rèn)與跟蹤CVT,Component Verification and TrackingDC Magnitude 直流幅度 Delay 延時 Delays 延時 Design for Testing 可測試性設(shè)計 Designator 標(biāo)識 DFC,Design for Cost 面向成本的設(shè)計 DFM,Design for Manufacturing 面向制造過程的設(shè)計 DFR,Design for Reliability 面向可靠性的設(shè)計 DFT,Design for Test

31、面向測試的設(shè)計 DFX,Design for X 面向產(chǎn)品的整個生命周期或某個環(huán)節(jié)的設(shè)計 DSM,Dynamic Setup Management 動態(tài)設(shè)定管理 Dynamic Route 動態(tài)布線EDIF,The Electronic Design Interchange Format 電子設(shè)計交互格 式EIA,Electronic Industries Association 電子工業(yè)協(xié)會 Electro Dynamic Check 動態(tài)電性能分析Electromagnetic Disturbance 電磁干擾 Electromagnetic Noise 電磁噪聲 EMC,Elctroma

32、gnetic Compatibilt 電磁兼容 EMI,Electromagnetic Interference 電磁干擾 Emulation 硬件仿真Engineering Change Order原理圖與PCB版圖的自動對應(yīng)修改Ensemble 多層平面電磁場仿真 ESD 靜電釋放Fall Time 下降時間False Clocking 假時鐘FEP 氟化乙丙烯FFT,Fast Fourier Transform 快速傅里葉變換Float License 網(wǎng)絡(luò)浮動 Frequency Domain 頻域Gaussian Distribution高斯分布Global flducial 板基準(zhǔn)

33、Ground Bounce 地彈反射GUI,Graphical User Interface 圖形用戶界面 Harmonica 射頻微波電路仿真HFSS三維高頻結(jié)構(gòu)電磁場仿真IBIS,Input/Output Buffer Information Specification模型ICAM,Integrated Computer Aided Manufacturing 在 ECCE項目里就 是指制作 PCBIEEE,The Institute of Electrical and Electronic Engineers國際電氣和電子工程師協(xié)會IGES,Initial Graphics Exchan

34、ge Specification三維立體幾何模型和工程描述的標(biāo)準(zhǔn)Image Fiducial 電路基準(zhǔn)Impedance 阻抗In-Circuit-Test在線測試Initial Voltage初始電壓Input Rise Time輸入躍升時間IPC,The Institute for Packaging and Interconnect封裝與互連協(xié)會IPO,Interactive Process Optimizaton 交互過程優(yōu)化ISO,The International Standards Organization國際標(biāo)準(zhǔn)化組織Jumper 跳線Linear Design Suit 線性

35、設(shè)計軟件包Local Fiducial 個別基準(zhǔn) manufacturing 制造業(yè) MCMs,Multi-Chip Modules 多芯片組件 MDE,Maxwell Design Environment Nonlinear Design Suit 非線性設(shè)計軟件包ODB+ Open Data Base 公開數(shù)據(jù)庫OEM原設(shè)備制造商OLE Automation 目標(biāo)連接與嵌入 On-line DRC 在線設(shè)計規(guī)則檢查 Optimetrics 優(yōu)化和參數(shù)掃描 Overshoot 過沖Panel fiducial 板基準(zhǔn)PCB PC Board Layout Tools 電路板布局布線 PCB,

36、Printed Circuit Board印制電路板Period 周期Periodic Pulse Source 周期脈沖源 Physical Design Reuse 物理設(shè)計可重復(fù) PI,Power Integrity 電源完整性 Piece-Wise-linear Source 分段線性源 Preview 輸出預(yù)覽Pulse Width 脈沖寬度Pulsed Voltage 脈沖電壓Quiescent Line 靜態(tài)線Radial Array Placement 極坐標(biāo)方式的元件布局Reflection 反射Reuse 實現(xiàn)設(shè)計重用Rise Time 上升時間Rnging 振蕩 , 信號

37、的振鈴Rounding 環(huán)繞振蕩Rules Driven 規(guī)則驅(qū)動設(shè)計Sax Basic Engine 設(shè)計系統(tǒng)中嵌入 SDE,Serenade Design Environment SDT,Schematic Design Tools 電路原理設(shè)計工具 Setting 設(shè)置Settling Time 建立時間Shape Base 以外形為基礎(chǔ)的無網(wǎng)格布線Shove 元器件的推擠布局SI,Signal Integrity信號完整性Simulation 軟件仿真Sketch 草圖法布線Skew 偏移Slew Rate 斜率SPC,Statictical Process Control 統(tǒng)計過程控

38、制SPI,Signal-Power Integrity 將信號完整性和電源完整性集成于一 體的分析工具SPICE,Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis 集 成電路模擬的仿真程序Split/Mixed Layer 多電源 / 地線的自動分隔SSO同步交換STEP,Standard for the Exchange of Product Model DataSympho ny系統(tǒng)仿真Time domain 時域Timestep Setting 步進時間設(shè)置UHDL,VHSIC Hardware Description Languag

39、e 硬件描述語言Undershoot 下沖Uniform Distribution 均勻分布Variant 派生VIA-Vendor Integration Alliance 程序框架聯(lián)盟Victim 被干擾對象Virtual System Prototype 虛擬系統(tǒng)原型VST,Verfication and Simulation Tools 驗證和仿真工具Wizard 智能建庫工具 , 向?qū)?. 專業(yè)術(shù)語術(shù)語 英文意義 中文解釋LCD Liquid Crystal Display 液晶顯示LCM Liquid Crystal Module 液晶模塊TN Twisted Nematic 扭曲

40、向列。液晶分子的扭曲取向偏轉(zhuǎn) 90 度STN Super Twisted Nematic 超級扭曲向列。約180 270度扭曲向 列FSTN Formulated Super Twisted Nematic 格式化超級扭曲向列。一 層光程補償偏甲于STN用于單色顯示TFT Thin Film Transistor 薄膜晶體管Backlight - 背光Inverter - 逆變器OSD On Screen Display 在屏上顯示DVI Digital Visual In terface(VGA 數(shù)字接口TMDS Transition Minimized Differential Singn

41、alingLVDS Low Voltage Differential Signaling低壓差分信號Panelink -IC Integrate Circuit 集成電路TCP Tape Carrier Package 柔性線路板COB Chip On Board 通過綁定將 IC 裸偏固定于印刷線路板上COF Chip On FPC將IC固定于柔性線路板上COG Chip On Glass 將芯偏固定于玻璃上Duty - 占空比，高出點亮的閥值電壓的部分在一個周期中所占的比 率LED Light Emitting Diode 發(fā)光二極管EL Elextro Luminescenee電致發(fā)光。

42、EL層由高分子量薄片構(gòu)成CCFL(CCFT) Cold Cathode Fluorescent Light/Tude 冷陰極熒光燈 PDP Plasma Display Panel 等離子顯示屏CRT Cathode Radial Tude 陰極射線管VGA Video Graphic Anay 視頻圖形陳列PCB Printed Circuit Board 印刷電路板Composite video - 復(fù)合視頻component video - 分量視頻S-video - S 端子，與復(fù)合視頻信號比，將對比和顏色分離傳輸NTSC National Television Systems Com

43、mittee NTSC 制式。全國電 視系統(tǒng)委員會制式Phase Alrernating Line PAL 制式(逐行倒相制式)SEquential Couleur Avec Memoire SECAM 制式(順序與存儲彩色電視系統(tǒng)） Video On Demand 視頻點播 DPI Dot Per Inch 點每英寸3. A.M.U 原子質(zhì)量數(shù)4. ADI After develop inspection顯影后檢視5. AEI 蝕科后檢查6. Alignment 排成一直線，對平7. Alloy 融合：電壓與電流成線性關(guān)系，降低接觸的阻值8. ARC： anti-reflect coatin

44、g 防反射層9. ASHER: 一種干法刻蝕方式10. ASI 光阻去除后檢查11. Backside 晶片背面12. Backside Etch 背面蝕刻13. Beam-Current 電子束電流14. BPSG: 含有硼磷的硅玻璃15. Break 中斷， stepper 機臺內(nèi)中途停止鍵16. Cassette 裝晶片的晶舟17. CD ：critical dimension關(guān)鍵性尺寸18. Chamber 反應(yīng)室19. Chart 圖表20. Child lot子批21. Chip （die） 晶粒22. CMP 化學(xué)機械研磨23. Coater 光阻覆蓋（機臺）24. Coatin

45、g 涂布，光阻覆蓋25. Contact Hole 接觸窗26. Control Wafer 控片27. Critical layer重要層28. CVD 化學(xué)氣相淀積29. Cycle time 生產(chǎn)周期30. Defect 缺陷31. DEP: deposit 淀積32. Descum 預(yù)處理33. Developer 顯影液；顯影（機臺）34. Development 顯影35. DG: dual gate 雙門36. DI water 去離子水37. Diffusion 擴散38. Doping 摻雜39. Dose 劑量40. Downgrade 降級41. DRC: design

46、rule check設(shè)計規(guī)則檢查42. Dry Clean 干洗43. Due date 交期44. Dummy wafer 擋片45. E/R: etch rate蝕刻速率46. EE 設(shè)備工程師47. End Point 蝕刻終點靜電離48. ESD: electrostatic discharge/electrostatic damage 子損傷49. ET: etch 蝕刻50. Exhaust 排氣（將管路中的空氣排除）51. Exposure 曝光52. FAB 工廠53. FIB: focused ion beam聚焦離子束54. Field Oxide 場氧化層55. Flat

47、ness 平坦度56. Focus 焦距57. Foundry 代工58. FSG: 含有氟的硅玻璃59. Furnace 爐管60. GOI: gate oxide integrity門氧化層完整性熱載流子注入 高密度等離子體輕摻雜漏61. H.M.D.S Hexamethyldisilazane, 經(jīng)去水烘烤的晶片，將涂上一 層增加光阻與晶片表面附著力的化合物，稱 H.M.D.S62. HCI: hot carrier injection63. HDP：high density plasma64. High-Voltage 高壓65. Hot bake 烘烤66. ID 辨認(rèn)，鑒定67.

48、Implant 植入68. Layer 層次69. LDD: lightly doped drain70. Local defocus 局部失焦因機臺或晶片造成之臟污71. LOCOS: local oxidation of silicon 局部氧化72. Loop 巡路73. Lot 批74. Mask (reticle)光罩75. Merge 合并76. Metal Via 金屬接觸窗77. MFG 制造部78. Mid-Current 中電流79. Module 部門80. NIT: Si3N4 氮化硅81. Non-critical非重要82. NP: n-doped plus(N+)

49、 N 型重摻雜83. NW: n-doped well N 阱84. OD: oxide definition定義氧化層85. OM: optic microscope光學(xué)顯微鏡86. OOC 超出控制界線87. OOS 超出規(guī)格界線88. Over Etch 過蝕刻89. Over flow 溢出90. Overlay 測量前層與本層之間曝光的準(zhǔn)確度91. OX: SiO2 二氧化硅92. P.R. Photo resisit光阻93. P1: poly 多晶硅94. PA; passivation鈍化層95. Parent lot母批96. Particle含塵量 / 微塵粒子、工藝工程師

50、97. PE: 1. process engineer; 2. plasma enhance 12、等離子體增強98. PH: photo 黃光或微影99. Pilot 實驗的100. Plasma 電漿101. Pod 裝晶舟與晶片的盒子102. Polymer 聚合物103. POR Process of record104. PP: p-doped plus(P+) P 型重摻雜105. PR: photo resist 光阻106. PVD 物理氣相淀積107. PW: p-doped well P 阱108. Queue time 等待時間109. R/C: runcard 運作卡110. Recipe 程式111. Release 放行112. Resistance 電阻113. Reticle 光罩114. RF 射頻115. RM: remove. 消除116. Rotation 旋轉(zhuǎn)117. RTA: rapid thermal anneal迅速熱退火118. RTP: rapid thermal proce