三種優(yōu)秀的內(nèi)存測(cè)試軟件用法

1、種內(nèi)存測(cè)試軟件的使用說(shuō)明（1）微軟內(nèi)存檢測(cè)現(xiàn)在的系統(tǒng)盤(pán)一般都帶有“微軟內(nèi)存檢測(cè)工具”。程序加載后，即會(huì)開(kāi)始掃 描RAM掃描界面如下圖：WindowsMemoryDiagnostic工具啟動(dòng)時(shí)默認(rèn)為“Standard” （標(biāo)準(zhǔn)）模式, 此模式包括6項(xiàng)不同的連續(xù)內(nèi)存測(cè)試，每項(xiàng)測(cè)試都使用一種獨(dú)特的算法來(lái) 掃描不同類(lèi)型的錯(cuò)誤。在程序運(yùn)行時(shí)，屏幕會(huì)顯示每個(gè)單獨(dú)測(cè)試的結(jié)果，列出它的進(jìn)度以及正在掃描的內(nèi)存地址范圍。這6項(xiàng)測(cè)試完成后，此工具將使用同樣的測(cè)試運(yùn)行下一輪測(cè)試，并將一直持續(xù)下去，直至手動(dòng)按X鍵退出軟件為止。但是，通常情況下，一輪測(cè)試即足以確定內(nèi)存是否存在故障。內(nèi)存診斷測(cè)試狀態(tài)有兩種模式（標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存測(cè)試

2、與擴(kuò)展內(nèi)存測(cè)試）1、standard tests標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存測(cè)試模式：有6項(xiàng)測(cè)試，分別檢測(cè)MATS+,INVC,LRAND,STRIDE6,WMATS+,WIN它是不斷循環(huán)的，只須一輪檢 測(cè)就可以，當(dāng)顯示Pass：2時(shí)，就表示此六項(xiàng)檢測(cè)完畢。2、extended tests擴(kuò)展內(nèi)存測(cè)試模式（按T）:有11項(xiàng)測(cè)試，分別檢測(cè)MATS+,INVC,LRAND,STRIDE6,WMATS,WINVC,MATS+,STRIDE38,WSTRIDE-6,ERANnRIDE6它也是不斷循環(huán)的。般情況下用“擴(kuò)展內(nèi)存測(cè)試模式”檢測(cè)內(nèi)存就可以了 注意：這個(gè)軟件是不會(huì)自動(dòng)停止的，可以按X鍵退出？?？用的時(shí)候多看看它的數(shù)

3、據(jù)詳細(xì)說(shuō)明:每測(cè)試都完一項(xiàng)后，工具會(huì)顯示“Succeeded（成功）或“Failed” （失 敗）消息；如果你的內(nèi)存是兩條或以上， 可拔下一條來(lái)， 一條一條獨(dú)立測(cè) 試， 一定要全部Succeeded,否則就要換內(nèi)存了（或者是內(nèi)存槽壞了）。?（二）RAM Stress Test（RST內(nèi)存測(cè)試軟件Data Bus數(shù)據(jù)總線工廠檢測(cè)內(nèi)存條質(zhì)量的軟件RamStress Test，只要有一丁點(diǎn)問(wèn)題，都能檢查出來(lái)，推薦 大家使用，各位一定都碰到過(guò)，提示內(nèi)存不能為？READ或者WRITTEN勺情況，很多時(shí)候 都是軟件問(wèn)題，要解決他首先檢查內(nèi)存條的質(zhì)量，然后再?gòu)能浖フ覇?wèn)題。這個(gè)軟件是 最專業(yè)的，比那個(gè)？ME

4、MRES還好，只需要檢查一邊，好就是好，壞的就是壞的。這個(gè)軟 件確實(shí)很好，內(nèi)存壞的話會(huì)顯示紅色，并且報(bào)警。但是只能檢測(cè)一代內(nèi)存，？二代內(nèi)存就需要微軟的檢測(cè)工具了。？Ram Stress Test是美國(guó)Ultra-X公司旗下的一個(gè)專業(yè)記憶體 測(cè)試程式，是專門(mén)給系統(tǒng)生產(chǎn)廠商出機(jī)前用的測(cè)試程式，他其實(shí)是從其他的產(chǎn)品獨(dú)？過(guò)他的測(cè)試幾乎就能應(yīng)付大部分的記憶體問(wèn)題，所以是非常好用的一個(gè)測(cè)試工具??？使用非常簡(jiǎn)易，只要設(shè)定為軟碟開(kāi)機(jī)就行了，他是一個(gè)獨(dú)立開(kāi)發(fā)的系統(tǒng)，沒(méi)有依附任何 作業(yè)系統(tǒng)， 相容于X86系列， 只要BIOS認(rèn)的到的容量他都能測(cè)??？發(fā)現(xiàn)ATS選項(xiàng)錯(cuò)誤, 在BIOS中，記憶體選項(xiàng)設(shè)成Auto時(shí)，記憶

5、體的CL=2選項(xiàng)才能通過(guò)。？程序執(zhí)行后，第一選項(xiàng)是測(cè)試物理內(nèi)存中基本內(nèi)存地址（址，第三項(xiàng)是測(cè)試你CPU勺L2 cache。?可以測(cè)試SD及DDF內(nèi)存。？?依次代表內(nèi)存條的8顆顆粒。？從左到右橫著數(shù)：0-7代表第1顆粒區(qū)域、8-F代表第 代表第4顆粒、0-7代表第5顆粒代、8-F代表第6顆粒、0-7代表？第7顆粒、8-F代表第8顆粒？點(diǎn)不亮內(nèi)存的測(cè)試方法很多內(nèi)存短路或者顆粒損壞后都不能點(diǎn)亮，點(diǎn)不亮的可 以用一根好的內(nèi)存去帶動(dòng)它（可解決部分點(diǎn)不亮問(wèn)題）？。必須SD的帶SD的，DDR的帶DDR的。本軟件會(huì)自動(dòng)跳過(guò)好的去檢測(cè)壞的那根。？發(fā)現(xiàn)ATS選項(xiàng)錯(cuò)誤，在BIOS中，記憶體選項(xiàng)設(shè)成Auto時(shí)，記憶體

6、的CL=2改成Manual，自設(shè)CL=0，上述選項(xiàng)才能通過(guò)。？程序執(zhí)行后，第一選項(xiàng)是測(cè)試物理內(nèi)存中基本內(nèi)存地址（,第二項(xiàng)是擴(kuò)展內(nèi)存地2顆粒、0-7代表第3顆粒、8-F注意DR的顆粒排列循序是-8?2.如果你是128M的雙面DDF內(nèi)存，如以上顯示界面圖：？ 1-16M16-32M32-48M48-64M- ?從1M到64M的上面的4根虛線上出現(xiàn)亂碼的話，說(shuō)明這根內(nèi)存的的第一面的顆粒有問(wèn)題(判斷哪個(gè)顆粒的好壞按照以上的說(shuō)明)?64-80M80-96M96-112M 112-128M- ?從64M到128M的上面的4根虛線上出現(xiàn)亂碼的話,說(shuō)明這根內(nèi)存的的第二面的顆粒有問(wèn) 題(判斷哪個(gè)顆粒的好壞按照以

7、上的說(shuō)明)?注意：在內(nèi)存的PCB板上的兩邊標(biāo)著1與92的代表第一面，的8根虛線是用來(lái)區(qū)分兩面區(qū)域的作用.?3.SD的8位與16位的單面測(cè)法:?. 0-7(1). 8-F(2). 0-7(3). 8-F(4). 0-7(5). 8-F(6). 0-7(7). 8-F(8). 0-7(3 ). 8-F(4 ). 0-7(5 ). 8-F(6 ). 0-7(7 ). 8-F(8 )區(qū)域如果出現(xiàn)亂碼,代表這根區(qū)域如果出現(xiàn)亂碼,代表這根區(qū)域如果出現(xiàn)亂碼,代表這根區(qū)域如果出現(xiàn)亂碼,代表這根區(qū)域如果出現(xiàn)亂碼,代表這根區(qū)域如果出現(xiàn)亂碼,代表這根DDF內(nèi)存條的第DDF內(nèi)存條的第DDF內(nèi)存條的第DDF內(nèi)存條的第D

8、DF內(nèi)存條的第DDF內(nèi)存條的第3顆粒已經(jīng)損壞?4顆粒已經(jīng)損壞?5顆粒已經(jīng)損壞?6顆粒已經(jīng)損壞?7顆粒已經(jīng)損壞?8顆粒已經(jīng)損壞?93與184的代表第二面。1-128M區(qū)域如果出現(xiàn)亂碼,代表這根區(qū)域如果出現(xiàn)亂碼,代表這根區(qū)域如果出現(xiàn)亂碼,代表這根區(qū)域如果出現(xiàn)亂碼,代表這根區(qū)域如果出現(xiàn)亂碼,代表這根區(qū)域如果出現(xiàn)亂碼,代表這根區(qū)域如果出現(xiàn)亂碼,代表這根區(qū)域如果出現(xiàn)亂碼,代表這根SDF內(nèi)存條的第SDF內(nèi)存條的第SDF內(nèi)存條的第SDF內(nèi)存條的第SDF內(nèi)存條的第SDF內(nèi)存條的第SDF內(nèi)存條的第SDF內(nèi)存條的第8顆粒已經(jīng)損壞?4顆粒已經(jīng)損壞?7顆粒已經(jīng)損壞?3顆粒已經(jīng)損壞?6顆粒已經(jīng)損壞?2顆粒已經(jīng)損壞?5顆

9、粒已經(jīng)損壞?1顆粒已經(jīng)損壞?1到84為8-7-6-5-4-3-2-1(注：PCB板上從1到84為第一面，顆粒的排列順序從切記注意）？4.通過(guò)以上的介紹，說(shuō)明SD的雙面是跟DDR勺是一樣的。但是顆粒的好壞判斷要按照？它們的排列循序來(lái)判斷。？板的短路或者虛焊的測(cè)法：如果在8根虛線上都出現(xiàn)亂碼，說(shuō)明這根內(nèi)存的PCE板有問(wèn)題？6.點(diǎn)不亮的內(nèi)存的測(cè)試方法：很多內(nèi)存短路或者顆粒損壞后都不能點(diǎn)亮，點(diǎn)不亮的可以用一根好的內(nèi)存去帶動(dòng)它。必須SD的帶SD的，DDR的帶？DDR的。本軟件會(huì)自動(dòng)跳過(guò)好的那根去檢測(cè)壞的那根。？7.使用方法:直接把光盤(pán)插入光驅(qū)，在主板的CMOS設(shè)置光驅(qū)起動(dòng)，啟動(dòng)后本軟件會(huì)自動(dòng) 引導(dǎo)到測(cè)試

10、界面進(jìn)行檢測(cè)。Memtest86使用說(shuō)明通常我們會(huì)覺(jué)得內(nèi)存出錯(cuò)損壞的幾率不大，并且認(rèn)為如果內(nèi)存壞了，那么它是不可能通過(guò)主板的開(kāi)機(jī) 自檢程序的。事實(shí)上這個(gè)自檢程序的功能很少，而且只是檢測(cè)容量速度而已，許多內(nèi)存出錯(cuò)的問(wèn)題并 不能檢測(cè)出來(lái)。如果你在運(yùn)行程序時(shí)不時(shí)有某個(gè)程序莫名其妙地失去響應(yīng)或者打游戲時(shí)突然退出游 戲；打開(kāi)文件時(shí)偶爾提示文件損壞，但稍后打開(kāi)又沒(méi)問(wèn)題那你應(yīng)該考慮檢測(cè)一下你的內(nèi)存了。一、軟件簡(jiǎn)介Memtest86是一款基于Linux核心的測(cè)試程序，所以它的安裝和使用和其它內(nèi)存測(cè)試軟件有些不 同。將Memtest86程序下載解壓縮后，我們可以看到4個(gè)文件，其中用來(lái)安裝Memtest86程序到

11、軟盤(pán)。雙擊運(yùn)行這個(gè)程序，在彈出窗口中的“Enter Target diskette drive :”后輸入你的軟盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的盤(pán)符，如a，然后回車(chē)。插入一張格式化過(guò)的軟盤(pán)，單擊回車(chē)開(kāi)始安裝，這樣Memtest86就安裝到軟盤(pán)了。前面我們說(shuō)過(guò)Memtest86是基于Linux核心的，所以在Windows的資源管理器里我們看不到軟盤(pán) 上的內(nèi)容（不要誤認(rèn)為軟盤(pán)里沒(méi)有內(nèi)容）。如果沒(méi)有軟驅(qū)，Memtest86的主頁(yè)有該軟件的ISO文件，可以直接刻錄到光盤(pán)，用光驅(qū)啟動(dòng)后進(jìn)行測(cè)試。二、測(cè)試內(nèi)存制作好軟盤(pán)后，我們用這張盤(pán)來(lái)啟動(dòng)電腦 所示。在紅色顯示的Memtest-86”程序版本號(hào)下， 頻率，以及CPU的一級(jí)緩存

12、和二級(jí)緩存的大小及速度， 量和速度。最后顯示的是主板所采用的芯片組類(lèi)型。致的了解 在系統(tǒng)信息的右側(cè)顯示的是測(cè)試的進(jìn)度，“Pass”顯示的是主測(cè)試進(jìn)程完成進(jìn)度，“Test”顯示的是當(dāng)前測(cè)試項(xiàng)目的完成進(jìn)度?！癟est #1”顯示的是目前的測(cè)試項(xiàng)目。Memtest86會(huì)自動(dòng)開(kāi)始測(cè)試內(nèi)存，其測(cè)試界面如圖1我們可以看到當(dāng)前系統(tǒng)所采用的處理器型號(hào)和 當(dāng)然也包括測(cè)試的主角一一系統(tǒng)物理內(nèi)存的容 通過(guò)這些信息我們可以對(duì)系統(tǒng)的主要配置有個(gè)大F方的“WallTime”顯示測(cè)試已經(jīng)耗費(fèi)的時(shí)間，在這一排數(shù)據(jù)中“ECC一欄中，顯示的是當(dāng)前內(nèi)存是否支持打開(kāi)ECC校驗(yàn)功能，“TEST顯示的是測(cè)試的模式，有“標(biāo)準(zhǔn)”和“完全”模

13、式可供選 擇?！癙ass顯示的是內(nèi)存測(cè)試所完成的次數(shù)，Memtest86的測(cè)試是無(wú)限制循環(huán)的，除非你結(jié)束測(cè)試程序，否則它將一直測(cè)試下去。另外Memtest86的測(cè)試比較耗費(fèi)時(shí)間，標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試模式跑一遍大概需 要個(gè)把小時(shí)，如果是完全測(cè)試的話則需要幾個(gè)小時(shí)（和內(nèi)存容量有關(guān)） 。要進(jìn)行完全測(cè)試，我們可以單擊“C”鍵打開(kāi)Memtest86的設(shè)置菜單，接著單擊數(shù)字鍵“2”選擇“TestSelection選項(xiàng)（注意從主鍵盤(pán)輸入數(shù)字） ，再單擊數(shù)字鍵“3選擇“All Test選項(xiàng)打開(kāi)完全測(cè) 試模式（圖2）。利用這個(gè)設(shè)置菜單，我們還可以進(jìn)行更多的設(shè)置，比如設(shè)置測(cè)試的Cache大小、重新開(kāi)始測(cè)試等等。開(kāi)始測(cè)試后，主要的內(nèi)存突發(fā)問(wèn)題（比如“死亡位）將在幾秒鐘內(nèi)檢測(cè)出來(lái)，如果是由特定位模式 觸發(fā)的故障，則需要長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試才能檢測(cè)出來(lái)，對(duì)此需要有耐心。Memtest86一檢測(cè)到缺陷位，就會(huì)在屏幕底部顯示一條出錯(cuò)消息，但是測(cè)試還將繼續(xù)下去。如果完成幾遍測(cè)試后，沒(méi)有任何錯(cuò)誤信息， 那么我們可以確定內(nèi)存是穩(wěn)定可靠的。如果檢測(cè)出現(xiàn)問(wèn)題，你可以試著降低BIOS中內(nèi)存參數(shù)的選項(xiàng)值，如將內(nèi)存CAS延遲時(shí)間設(shè)置為