QT2晶體管測(cè)試儀

1、 儀器型號(hào) 儀器名稱(chēng) QT2 晶體管測(cè)試儀 上?？铺葸_(dá)電子科技有限公司 文件編號(hào) 版 本 QG/ESM04-2011-04-008 頁(yè)碼 8/6 KTD 操 作 指 導(dǎo) 書(shū) A/0 被測(cè)管 2012/05/22 生效日期 二極管測(cè)試其主要的原理即使儀器提供一個(gè)被測(cè)管需要的正反二個(gè)方向的電壓，并 且通過(guò) Y 電流/度及 X 電壓/度的選擇，使其在示波管上顯示所要的測(cè)量值。 本儀器提供了二種測(cè)試手段，當(dāng)反壓小于 500V 電流小于 5mA 時(shí)，可在上述的三極管 測(cè)試中，利用 C、E 二極進(jìn)行正向和反向測(cè)試，當(dāng)反壓小于 500V 電流小于 5mA 時(shí)，可在 專(zhuān)用的二極管測(cè)試插孔中進(jìn)行測(cè)試。 在小于

2、500V 二極管測(cè)試中電壓極性也由測(cè)試選擇開(kāi)關(guān)進(jìn)行轉(zhuǎn)換，當(dāng)置于“NPN”檔 二 極 管 特 性 測(cè) 試 示波器 取樣電阻 示波管 操 級(jí)時(shí)，其集電極插孔為正電壓，置于“PNP”檔級(jí)時(shí)，集電極插孔為負(fù)電壓。而在 3000V 二極管測(cè)試中其極性不變，可以通過(guò)二極管的測(cè)量端的變換達(dá)到極性的轉(zhuǎn)換。 二極管的測(cè)試方法： 1. 通過(guò)二砐管的測(cè)試盒與儀器二極管測(cè)試孔相連，在特殊的情況下也可用合適的耐高 作 B 8-1 B 8-2 圖 B8-1 調(diào)壓變壓器 B8-2 高壓變壓器 壓線與插孔相連，被測(cè)管按面板所示的二極管極性與測(cè)試孔相連。 2. 3. 將集電極輸出電壓琴鍵按至 3000V 檔級(jí)，此時(shí)并將峰值電壓

3、逆時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)至零。 示 將 Y 電流/度置于 IB 范圍內(nèi)的合適檔級(jí)，并將 X 電壓/度置于 UD 范圍內(nèi)的合適檔級(jí)。 圖(6 4 按入“測(cè)試”按鈕，并徐徐緩慢升高峰值電壓直至要求值或二極管擊穿電流超過(guò)規(guī) 定值的電壓時(shí)止。 5由于高壓測(cè)試插孔中具有高壓，因此在按入“測(cè)試”按鈕時(shí)，切勿接確測(cè)試插孔的 任一端。 變 更 履 歷 標(biāo) 記 日 期 編 制 審 核 備 注： 核 準(zhǔn) 審 核 編 制 儀器型號(hào) 儀器名稱(chēng) QT2 晶體管測(cè)試儀 上?？铺葸_(dá)電子科技有限公司 文件編號(hào) 版 本 QG/ESM04-2011-04-008 功耗 限制電 阻 頁(yè)碼 8/7 KTD 操 作 指 導(dǎo) 書(shū) A/0 2012

4、/05/22 生效日期 場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試可根據(jù)需要對(duì)漏源電流(IDS，最大漏源電流(IDSM飽和漏源電流 被測(cè)管 示波管 放大器 (IDSS夾斷電壓(VP跨導(dǎo)(，最大電源電壓(BVDS等參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試回路見(jiàn)右圖 1、根據(jù) P 溝道或 N 溝道的具體管型分別將測(cè)試選擇開(kāi)關(guān)置于 NPN 或 PNP， 并將開(kāi)關(guān)置于 “倒置” ，必要時(shí)也可置于“常態(tài)” 。 2、被測(cè)管的 D 接 C，G 接 B，S 接 E。 3、將 Y 電流/度置于 IC 合適檔級(jí)(實(shí)際為 IDS 值， X 電壓/度開(kāi)關(guān)置于 UC 合適檔級(jí)(實(shí)際 或 操 場(chǎng) 效 為 VDS 值。 作 應(yīng) 4、測(cè)試 A 與測(cè)試 B 置于被測(cè)管連接的一

5、邊。 管 特 5、按照 UDS 要求值調(diào)節(jié)集電極峰值電壓，并調(diào)節(jié)使在左下方(N 溝道或右上方(P 溝道 性 圖 測(cè) 的零點(diǎn)開(kāi)始。 試 峰 值 電 壓（集 電 極 掃 描） 示波管 取樣電阻 放大器 6、選擇合適的階梯幅度/級(jí)開(kāi)關(guān)置于電流/級(jí)某一檔級(jí)（一般置于較小檔級(jí)，再逐級(jí)加 大至要求值） 。 7、選擇合適的功耗限制電阻，電阻值的確可按負(fù)載線的要求或保護(hù)被測(cè)管的要求進(jìn)行 選擇。 8、對(duì)所顯示的 VDS-ID 曲線進(jìn)行讀數(shù)或記錄。 9、 如需要顯示 VGS-ID 曲線可將 X 電壓/度置于合適的檔級(jí)，進(jìn)行讀數(shù)和記錄。 變 更 履 歷 標(biāo) 記 日 期 編 制 審 核 備 注： 示 圖 (7 核 準(zhǔn)

6、 審 核 編 制 儀器型號(hào) 儀器名稱(chēng) QT2 晶體管測(cè)試儀 上?？铺葸_(dá)電子科技有限公司 文件編號(hào) 版 本 功耗 QG/ESM04-2011-04-008 限 制 頁(yè)碼 電阻 KTD 操 作 指 導(dǎo) 書(shū) A/0 2012/05/22 被測(cè)管 8/8 生效日期 可控硅整流器的測(cè)試可根據(jù)需要對(duì)正向阻斷峰值電壓(PEV， 正向漏電流(IPF， 反向阻斷 峰值電壓(PRV反向漏 電流(IR，控制極可觸發(fā)電壓(VGT，控制極可觸發(fā)電流(IGR正向 電壓降(VF等參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。具體回路見(jiàn)下圖 1. 將測(cè)試選擇開(kāi)關(guān)置于 NPN，并將開(kāi)關(guān)置于“常態(tài)” 。 2. 被測(cè)管的 A 接 C，G 接 B，C 接 E。 可

7、 控 硅 整 流 器 特 性 測(cè) 試 或 示波管 放大器 操 3. 將 Y 電流/度開(kāi)關(guān)置于 IC 范圍內(nèi)的合適檔級(jí)（實(shí)際為 IF 值） ，X 電壓/度開(kāi)關(guān)置于 UD 合適檔級(jí)（實(shí)際上 UA 值） 。 4. 測(cè)試 A 與測(cè)試 B 置于被測(cè)管連接的一邊。 5. 按照 VAC 的要求值調(diào)節(jié)集電極峰值電壓值，并調(diào)節(jié)使在右下方的零點(diǎn)開(kāi)始。 6選擇合適的階梯幅度/級(jí)開(kāi)關(guān)置于電流/級(jí)某一檔級(jí)（一般置于較小檔級(jí)，再逐級(jí)加 大至要求值） 。 7選擇合適的功耗限制電阻，但應(yīng)不使電阻為零，以免電流過(guò)大而使被測(cè)管燒壞。 8對(duì)顯示的 VA-IF 曲線進(jìn)讀數(shù)或記錄。 9如需要顯示 IGT-VGT 曲線可將 X 電壓/度置于 VB