專業(yè)課試題答案

1、試題一答案 一、1：4； 2：O2-離子做面心立方密堆積，Na+填全部四面體空隙； 3：=4CN O2-=8 NaO4ONa8； 4：O2-電價飽和，因為O2-的電價=（Na+的電價/Na+的配位數(shù)）×O2的配位數(shù)； 5： 二、1：Al4Si4O10(OH)8；2：單網(wǎng)層狀結(jié)構(gòu)；3：一層硅氧層一層水鋁石層且沿C軸方向堆積；4：層內(nèi)是共價鍵，層間是氫鍵；5：片狀微晶解理。三、1：點缺陷，線缺陷，面缺陷；2：由低濃度向高濃度的擴(kuò)散；3：坯體間顆粒重排，接觸處產(chǎn)生鍵合，大氣孔消失，但固-氣總表面積變化不大；4：按硅氧比值分類或按硅氧聚和體的大小分類；5：表面能的降低，流動傳質(zhì)、擴(kuò)

2、散傳質(zhì)、氣相傳質(zhì)和溶解-沉淀傳質(zhì)；6：隨自由能的變化而發(fā)生的相的結(jié)構(gòu)的變化，一級相變、二級相變和三級相變。四、 1：OVNa +VCl 2：AgAgAgi+VAg 3：3TiO23TiNb+VNb+6OO2TiO22TiNb+Oi+3O0Nb2-xTi3xO3可能成立Nb2-2xTi2xO3+x 4：NaClNaCa+ClCl+VCl五、一是通過表面質(zhì)點的極化、變形、重排來降低表面能，二是通過吸附來降低表面能。 1：t=195h2：t=68h七、當(dāng)O/Si由24時，熔體中負(fù)離子團(tuán)的堆積形式由三維架狀轉(zhuǎn)化為孤立的島狀，負(fù)離子團(tuán)的聚合度相應(yīng)的降至最低。一般情況下，熔體中負(fù)離子團(tuán)的聚合度越高，特別是

3、形成三維架狀的空間網(wǎng)絡(luò)時，這些大的聚合離子團(tuán)位移、轉(zhuǎn)動、重排都比較困難，故質(zhì)點不易調(diào)整成規(guī)則排列的晶體結(jié)構(gòu)，易形成玻璃。熔體中負(fù)離子團(tuán)的對稱性越好，轉(zhuǎn)變成晶體越容易，則形成玻璃愈難，反之亦然。八、晶界上質(zhì)點排列結(jié)構(gòu)不同于內(nèi)部，較晶體內(nèi)疏松，原子排列混亂，存在著許多空位、位錯、鍵變形等缺陷，使之處于應(yīng)力畸變狀態(tài)，具有較高能量，質(zhì)點在晶界遷移所需活化能較晶內(nèi)為小，擴(kuò)散系數(shù)為大。九、二次再結(jié)晶出現(xiàn)后，由于個別晶粒異常長大，使氣孔不能排除，坯體不在致密，加之大晶粒的晶界上有應(yīng)力存在，使其內(nèi)部易出現(xiàn)隱裂紋，繼續(xù)燒結(jié)時坯體易膨脹而開裂，使燒結(jié)體的機(jī)械、電學(xué)性能下降。工藝上常采用引入適當(dāng)?shù)奶砑觿?，以減緩晶界

4、的移動速度，使氣孔及時沿晶界排除，從而防止或延緩二次再結(jié)晶的發(fā)生。十、  PRSZA2010455B10604585C70301010十一、略試題二答案 一、(1)1、（010）（111） 111101；(4分)3、1；Ti4+添八面體空隙，八面體空隙利用率1/4，四八面體空隙全；(3分)4、否，因為Ti4+和O2-間沒有明顯的共價鍵成分。(2分) (2)1、島狀結(jié)構(gòu)；(1分)；2、O2-與一個SiO4、三個 MgO6配位：4/4×1+26×3=2= O2-的電價，O2-的電價(2分)；3、結(jié)構(gòu)中有兩種配位多面體SiO4、MgO6 (2分)；SiO4呈孤立的島狀，

5、中間被MgO6隔開，SiO4與 MgO6之間共頂或共棱連接，同層的MgO6之間共棱、不同層的MgO6之間共頂連接；(4分)4、不易，因為鎂橄欖石的Si/O=1/4，最低，網(wǎng)絡(luò)連接程度弱，結(jié)構(gòu)中絡(luò)陰離子團(tuán)尺寸小，遷移阻力小，熔體的粘度低，冷卻過程中結(jié)構(gòu)調(diào)整速率很快。(2分)二、寫出下列缺陷反應(yīng)式（10）：1、O?VNa +VCl2、AgAgAAi+VAg3、3TiO23TiNb+VNb+6O0 2TiO22TiNb+Oi+3O0Nb2-xTi3xO3可能成立Nb2-2xTi2xO3+x三、1(2分)粘度增加；2(2分)擴(kuò)散也可以從低濃度向高濃度進(jìn)行；3(2分)都是晶界移動的結(jié)果。正常長大是晶粒平

6、均尺寸增加，反常長大是個別大晶粒尺寸異常增加。4(2分)正確5(2分)兩個固相和一個液相四、表面上的原子產(chǎn)生相對于正常位置的上、下位移，稱為表面弛豫。(2分)NaCl單晶中處于表面層的負(fù)離子只受到上下和內(nèi)側(cè)正離子的作用，而外側(cè)是不飽和的。電子云將被拉向內(nèi)側(cè)的正離子一方而變形，使該負(fù)離子誘導(dǎo)成偶極子。這樣就降低了晶體表面的負(fù)電場。接著，表面層離子開始重排以使之在能量上趨于穩(wěn)定。為此，表面的負(fù)離子被推向外側(cè)，正離子被拉向內(nèi)側(cè)從而形成了表面雙電層。(4分)五、 (2分)(2分)因為<,所以鉑絲向Cr2O3方向移動。(2分)六、由熱力學(xué)可知，在等溫、等壓下有在平衡條件下，則有式中：0是相變的平衡

7、溫度；為相變熱。若在任意溫度的不平衡條件下，則有若與不隨溫度而變化，將上式代入上式得：可見，相變過程要自發(fā)進(jìn)行，必須有，則。(1)若相變過程放熱（如凝聚、結(jié)晶等）。要使，必須有，即，這表明系統(tǒng)必須“過冷”。(2)若相變過程吸熱（如蒸發(fā)、熔融等），要滿足這一條件則必須，即，這表明系統(tǒng)要自發(fā)相變則必須“過熱”。七、揚(yáng)德方程1（1G）1/32=K4t t=194.6h(2分)金斯特林格方程12/3G（1-G）2/3=K6t t=68.1t=68.1(2分)揚(yáng)德方程假設(shè)反應(yīng)過程中擴(kuò)散截面不變，而金斯特林格方程考慮了反應(yīng)中擴(kuò)散截面的變化。隨反應(yīng)的進(jìn)行，反應(yīng)物體積減小，擴(kuò)散截面變小，所需反應(yīng)時間要比揚(yáng)德假

8、設(shè)所計算出的時間短。(2分) 八、陶瓷材料中晶粒的大小與物料的原始粒度、燒結(jié)溫度和時間等因素有關(guān)；(3分)控制晶粒尺寸方法：控制原始粒度均勻細(xì)小，控制燒結(jié)溫度和時間，添加劑等。(3分)九、1、見圖，付三角形3分，界線性質(zhì)1分，界線上溫度降低的方向4.5分； 2、D，一致熔融二元化合物，高溫穩(wěn)定、低溫分解；(1.5分) M，不一致熔融三元化合物；（1分）3、（4分）E1，單轉(zhuǎn)熔點，E2，低共熔點，E3，單轉(zhuǎn)熔點，E4，過渡點，4、（6分）L (結(jié)晶結(jié)束)S （產(chǎn)物C+B+M）5、E2溫度（1分），H點所在溫度（1分）；過H點做副三角形BCM的兩條邊CM、BM的平行線HH1、HH2，C%

9、=BH2/BC×100%，B%=CH1/BC×100%，C%=H1H2/BC×100%（3分）。 試題三答案一、1 （100） （111） 111 0-11 各1分2 CNTi4+=6 TiO6 CNCa2+=12 CaO12 CNO2-=6 OTi2Ca4 各1分3 Z=1(1分) Ti4+ (1分)占據(jù)1/4八面體空隙(1分)4 因為：Z+=2/12*4+4/6*2=2=Z- 所以：飽和 (3分)5 不存在，因為是復(fù)合氧化合物。(2分)二、島狀、架狀、鏈狀、層狀、組群狀、鏈狀 各1分三、（1）CaCl2VNa+2ClCl+CaNa(2分) NaC1-

10、2xCaxCl(1分)（2）OVNa +VCl(2分)（3）一是因為晶體中的間隙位置有限，二是因為間隙質(zhì)點超過一定的限度會不破壞晶體結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。四、SiO4為基本結(jié)構(gòu)單元，四面體組成形狀不規(guī)則大小不同的聚合力子團(tuán)，絡(luò)陰離子團(tuán)之間依靠金屬離子連接。（4分）；從Na2OSiO2系統(tǒng)出發(fā)，隨引入B2O3量的增加， BO3與游離氧結(jié)合，轉(zhuǎn)變?yōu)锽O4，使斷裂的網(wǎng)絡(luò)重新連接，系統(tǒng)粘度增加（3分）；繼續(xù)引入B2O3，B2O3以層狀或鏈狀的BO3存在，系統(tǒng)的粘度降低（3分）。五、固體表面通過表面質(zhì)點的極化、變形、重排降低固體的表面能（3分）；液體分子可自由移動，通過形成球形表面來降低表面能（2分）；固體質(zhì)點

11、不能自由移動，只能通過表面質(zhì)點的極化、變形、重排降低表面能，因此表面能總是高于同組成的液體的表面能（3分）。六、由公式D=D0exp(-Q/RT)；（1分）計算D=6.72*10-7；（1分） D=2.7*10-8（1分）；DD；（1分）因為體心結(jié)構(gòu)較面心結(jié)構(gòu)疏松（2分）。七、由熱力學(xué)可知,在等溫、等壓下有 在平衡條件下, =0，則有 式中： 0是相變的平衡溫度； 為相變熱。若在任意溫度T 的不平衡條件下，則有 若 與 不隨溫度而變化，將上式代入上式得： 可見，相變過程要自發(fā)進(jìn)行，必須有<0,則<0 。（3） 若相變過程放熱（如凝聚、結(jié)晶等）<0。要使<0，必須有>

12、;0，即T0>T，這表明系統(tǒng)必須“過冷”。（4） 若相變過程吸熱（如蒸發(fā)、熔融等）>0,要滿足<0這一條件則必須<0，即T0<T，這表明系統(tǒng)要自發(fā)相變則必須“過熱”。八、選擇Mg(OH)2、-Al2O3（3分）；因為反應(yīng)活性高，結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定（3分）。九、蒸發(fā)冷凝、表面擴(kuò)散十、1見圖（6分）；  2S1二元不一致熔融化合物，S2二元不致熔融化合物，S3三元不一致熔融化合物；（各1分）3P1：過渡點A+BS；P2：雙轉(zhuǎn)熔點L+B+S1=S3；P3：低共熔點L=B+C+S3；P4：單轉(zhuǎn)熔點L+A =S2+S1；P5單轉(zhuǎn)熔點L+S1= S2+S3；P6低共熔點 L

13、=C+S2+S3；（各1分）4（4分）L: (結(jié)晶結(jié)束)S:（產(chǎn)物S1+ S2+S3）5P3,H,B：C：S3=CC1：BB1：B1C1 （5分）試題四答案一、填空題（第1題每空0.5分，其它每空1分，總計20分）1. 晶胞參數(shù)，三斜，正交（斜方），立方。2. 化學(xué)位梯度，濃度梯度的，定向遷移。3. 原子排列狀況相同但位向不同，數(shù)字相同、數(shù)序和正負(fù)號不同。4. 沸石>螢石>TiO2>MgO。5. 燒結(jié)初期、燒結(jié)中期和燒結(jié)后期，再結(jié)晶和晶粒長大。6. 是，固體質(zhì)點不能自由移動。7. 在垂直于表面的方向上原子間距不同于該方向上晶格內(nèi)部原子間距的表面，馳豫表面。8. 相界面上的化學(xué)

14、反應(yīng)和反應(yīng)物通過產(chǎn)物層的擴(kuò)散，相界面上的化學(xué)反應(yīng)速率遠(yuǎn)小于反應(yīng)物通過產(chǎn)物層的擴(kuò)散速率。9. 鎂橄欖石>輝石>長石。10. 垂直 平行。二、（10分）解：(1) D=D0exp(-Q/RT) 2分                    T=563+273=836K時，D=3×10-14cm2/s 2分      

15、60;             T=450+273=723K時，D=1.0×10-14cm2/s 2分                    代入上式可求 Q=48875J，D0=0.34×10-11cm2/s 2分   

16、;             (2) D=D0exp(-Q/RT) =1.1×10-14 cm2/s 2分三、（10分）解：（1）有兩種配位多面體，SiO4，MgO6，同層的MgO6八面體共棱，如59MgO6和49MgO6共棱75O2-和27O2-，不同層的MgO6八面體共頂，如1MgO6和51MgO6共頂是22O2-，同層的MgO6與SiO4共頂，如TMgO6和7SiO4共頂22O2-，不同層的MgO6與SiO4共棱，TMgO6和43SiO4共28O2-和

17、28O2-；2.5分（3）z=4(2.5分)；（4）Si4+占四面體空隙=1/8，Mg2+占八面體空隙=1/2。（2.5分） 四、 1、 G·GV·           令     則           已知：GV3.6×106J/cm3；0.15 J/cm2       &#

18、160; 8.33×108cm（5分） 2、個 （5分）五、1如右圖，I表示核化速率，u表示晶化速率（5分）；    2在陰影部分以外的溫度對形成玻璃有利，因為此時核化速率與晶化速率都較小或只存在一種情況（5分）。六、1   1）（2分）          （2分）        2）（1分）    2   體心立方點陣的晶胞結(jié)構(gòu)圖 （2分），  

19、     (112)晶面和 晶向 （各1.5分）。    3   選擇Mg(OH)2、-Al2O3；因為反應(yīng)活性高，結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定。（3+2）七、1、見圖；（6分）  2、G，一致熔融二元化合物； F，不一致熔融二元化合物；H，不一致熔融三元化合物 （3分）    3、E1，單轉(zhuǎn)熔點，       E2，低共熔點，        E3，低共熔點，   

20、     E4，單轉(zhuǎn)熔點，        E5，單轉(zhuǎn)熔點，        E6，多晶轉(zhuǎn)變點，（6分）    4、    L：    (結(jié)晶結(jié)束)（B消失）（4分）    S： （產(chǎn)物A+F+H） （2分）    5、E2溫度，M2點所在溫度；過M2點做副三角形CGH的    &#

21、160;  兩條邊GH、GC的平行線M2X、M2Y，C%=YH/HC×100%，       H%=CX/HC×100%，G%=XY/HC×100%。（4分） 試題五答案一、填空題（1´10=10分）1. 6  ，12  。2.   。3. 結(jié)構(gòu)相同或相似，或具有相似的原子排列，或接觸角為0，或接觸角較小。4. 環(huán)境的作用。5. 晶粒長大和再結(jié)晶。6. 較低，速度較慢；反應(yīng)開始明顯進(jìn)行的溫度或較高。7.一定的溫度。8. 垂直。二、晶體結(jié)構(gòu)分析（2

22、0分）1、   1）Ca2+面心立方堆積，簡單立方堆積；（4分）2）  鈣的配位數(shù)為8，CaF8立方體；F的配位數(shù)為4，F(xiàn)Ca4四面體；（4分）3）  CaF8立方體之間共棱（共用2個頂點）連接；（2分）4）  見圖（1分），平行（111）面存在同號離子層，外力作用下沿平行（111）面方向有解理現(xiàn)象（3分）。2、Si/O=1/2，架狀結(jié)構(gòu)；Si/O=4/10，層狀結(jié)構(gòu)；Si/O=4/11，雙鏈結(jié)構(gòu)；Si/O=2/6，單鏈結(jié)構(gòu)；Si/O=2/7，組群狀（雙四面體）結(jié)構(gòu)；Si/O=2/7，組群狀（雙四面體）結(jié)構(gòu)；Si/O=1/3，組群狀（環(huán)狀）結(jié)構(gòu)

23、；Si/O=1/4，島狀結(jié)構(gòu)；（6分）三、晶體結(jié)構(gòu)缺陷（10分）1、都不對(2分)。若B進(jìn)入頂點位置，則形成固溶體化學(xué)式為，簡化后得， x取1到8的整數(shù)，全部取代頂點位置的質(zhì)點，得AB(4分)2、間隙型固溶體：  (2分)Al2xMg12xO1x或 Al2xMg22xO2x (1分)置換型固溶體：   (2分) Al2xMg13xO或Al2xMg33xO3 (1分)四、（10分）長石<輝石(MgO·SiO2)<鎂橄欖石（2分）    長石輝石(MgO·SiO2)鎂橄欖石（2分）|  

24、 理由：從長石、輝石(MgO·SiO2)到鎂橄欖石，熔體結(jié)構(gòu)從架狀、鏈狀到島狀，絡(luò)陰離子團(tuán)尺寸減小，作用力矩減小，因此表面張力增大；同理，長石熔體具有架狀結(jié)構(gòu)，氧硅比2，網(wǎng)絡(luò)連接程度好，冷卻過程中不易規(guī)則排列而容易形成玻璃，鎂橄欖石具有島狀，氧硅比4，硅氧四面體孤立存在，冷卻過程中易規(guī)則排列而最不容易形成玻璃，輝石形成玻璃的能力居中。（6分）五（10分）、1、(2分)接解角大于90°，所以液態(tài)銀不能潤溫氧化鋁瓷件表面(2分)最有可能實現(xiàn)的措施：在液態(tài)銀中加入表面活性劑，降低(Ag，液/ Al2O3，固)，可使其潤濕。(2分)   2、PbI2> C

25、aF2(2分)。與Ca2和F相比，Pb2與I具有較大的極化性能，因此表面雙電層的厚度較厚(2分)。  六、（10分）1、Tm10831356K                1分   T1356（853273）230K     1分      2分    （個）  2分2、R*r

26、*1.28×107cm                      1分     h0.2R*=0.2×1.28×107=0.256×107cm     1分          &#

27、160;                                   1分  （個）  1分七、（5分）固溶體類型不同，擴(kuò)散機(jī)制不同，導(dǎo)致擴(kuò)散系數(shù)差別很大。1分氫在面心立方鐵中形成間隙固溶體，按間隙擴(kuò)散機(jī)制進(jìn)行擴(kuò)散，其擴(kuò)散

28、活化能比較小，故擴(kuò)散系數(shù)大； 2分而鎳在面心立方鐵中形成置換固溶體，按空位擴(kuò)散機(jī)制進(jìn)行擴(kuò)散，其擴(kuò)散活化能比較大，故擴(kuò)散系數(shù)小。2分或答原子半徑小，在相同的擴(kuò)散基質(zhì)中進(jìn)行擴(kuò)散，阻力小，活化能低，擴(kuò)散系數(shù)大。（5分）  八、（5分）選擇MgCO3、Al2O3較好。  3分MgCO3在加熱到350400分解為MgO和CO2，具有比較高的反應(yīng)活性； 1分Al2O3在加熱到950時轉(zhuǎn)變?yōu)锳l2O3，由于發(fā)生晶格重排，會使晶格活化，具有比較高的反應(yīng)活性。    1分 九、（20分）1  見圖。三個副三角形，各0.5分，計1.5

29、分；溫降箭頭和性質(zhì)各0.5分，計3分。合計4.5分；2  不一致熔融二元、低溫穩(wěn)定高溫分解的化合物，各0.5分，合計1.5分；3  E：三元低共熔點  J1：過渡點   J2：單轉(zhuǎn)熔點         各1分，合計3分；       4（液相消失，結(jié)晶結(jié)束，產(chǎn)物C+B+D），3分。B%=xy/CD, C%=yD/CD, B%=Cx/CD，1.5分。合計4.5分5（液相消失，結(jié)晶結(jié)束，產(chǎn)物C+B+D），3分。

30、L%=fM2/f J1, A%= J1M2/f J1*Bf/AB, B%= J1M2/f J1*Af/AB，1.5分。A先消失，因為此時系統(tǒng)中A與B的比小于化合物D中A與B的比，2分。合計6.5分。試題六答案一、填空（0.530=15分）：1、6  12  四面體  八面體  2、硅氧比（或Si/O或O/Si）   層狀3、柏氏矢量（或柏格斯矢量或）  一致（或相同或平行）4、位錯  高5、溫度 組成 可逆的與漸變的 6、彈性能  數(shù)值上7、F=C-P+n（或F=C-P+2）  

31、60;    淬冷法（或其他方法）8、 質(zhì)點的熱運動   化學(xué)位梯度   質(zhì)點由低濃度區(qū)域向高濃度區(qū)域遷移9、一級相變 二級相變  如析晶   如熔融態(tài)向玻璃態(tài)的轉(zhuǎn)變（舉例正確即可）10、 相界面上的化學(xué)反應(yīng)  反應(yīng)物通過產(chǎn)物層的擴(kuò)散11、系統(tǒng)的表面張力    擴(kuò)散傳質(zhì)  氣相傳質(zhì)  溶解-沉淀傳質(zhì)二、作圖題（10分）1、4分2、圖4分，馳豫表面（或雙電層結(jié)構(gòu)）2分三、（12分）1、 4；（2分）2、Ca2+離子做面心立方密堆積（2分）

32、；四面體空隙100%（1分）、八面體空隙全空（1分） 3、CNF-=4   CN Ca2+=8   Ca F8   FCa 4；（2分）4、F -電價飽和，因為F -的電價= （Ca2+的電價/ Ca2+的配位數(shù)）×F - 的配位數(shù)；（2分）   5、111面網(wǎng)上存在相互毗鄰的同號離子層，靜電斥力將起主要作用，在平行于111面網(wǎng)的方向上易發(fā)生解理，呈八面體解理（2分）四、（10分）1、     兩個方程寫出一種即可，4分2、   

33、60; 3分3、     或   3分五、（10分）答：熔體粘度對玻璃形成具有決定性作用。熔體在熔點時具有很大粘度，并且粘度隨溫度降低而劇烈地升高時，容易形成玻璃。（4分）在硅酸鹽熔體中，加入R2O，隨著O/Si比增加，提供游離氧，橋氧數(shù)減小，硅氧網(wǎng)絡(luò)斷裂，使熔體粘度顯著減小。（3分）加入B2O3，加入量少時，B2O3處于三度空間連接的BO4四面體中，使結(jié)構(gòu)網(wǎng)絡(luò)聚集緊密，粘度上升。隨著B2O3含量增加，B3+開始處于BO3三角形中使結(jié)構(gòu)網(wǎng)絡(luò)疏松，粘度下降。（3分）六、（8 分）1（5分）、此階段適用于楊德方程轉(zhuǎn)化率 

34、0;     2分        1分代入拋物線方程，得 1分       1分2（3分）、方法1       其中G1=15%,t1=1h; G2=100%,t2=?          代入得t2=367h方法2：金斯特林格方程解    

35、  t2=123h七、（5分）（1分）  以下三種情況，答出一種即可1、圖2分，說明當(dāng)1/T1/Tc時以晶界擴(kuò)散為主2分                2、圖3分，說明在整個溫度范圍內(nèi)以晶界擴(kuò)散為主1分。  3、圖3分，說明在整個溫度范圍內(nèi)以晶界擴(kuò)散為主1分    八、（10分）  （r*表達(dá)式4分，自由能表達(dá)式2分）個（公式2分） 九、1、見圖一

36、6.5分（附三角形0.5*5=2.5，箭頭加性質(zhì)0.25*16=4）2、D:不一致熔融三元化合物  E:一致熔融三元化合物2分（0.5*4）3、（3分）E1，低共熔點，     E2，低共熔點E3，單轉(zhuǎn)熔點      E4，低共熔點E5，多晶轉(zhuǎn)變點，      E6，單轉(zhuǎn)熔點，4、見圖二（5分）L：  (結(jié)晶結(jié)束)（B消失）         

37、60;    S：（產(chǎn)物C+D+E）         5、E3溫度（1分），N點所在溫度（1分）；過N點做副三角形CBD的兩條邊BD、CD的平行線NG、NH，C%=GB/BC×100%，B%=CH/BC×100%，D%=HG/BC×100%（1.5分）。         圖一           &

38、#160;                            圖二試題七答案一、填空題（共20分，每個空1分）1、組成、結(jié)構(gòu)、制備過程（合成加工過程）2、空間點陣、結(jié)構(gòu)基元3、弗倫克爾、肖特基4、增加、降低5、溫度、粘度6、  減小、增大7、 擴(kuò)算系數(shù)、空位或者（空位擴(kuò)散）8、 成核-生長相變、連續(xù)型相變

39、或不穩(wěn)分解相變或斯賓那多分解9、 界面、擴(kuò)散10、             越低二、判斷題（共10分，每題1分）×1、× 2、 3、 4、× 5、× 6、 7、× 8、× 9、 10、×三、作圖題(共6分，前2個圖3分，后1個圖3分)     四、晶體結(jié)構(gòu)（14分）1、3分。結(jié)構(gòu)中O2-作面心立方最緊密堆積，Mg2+填充在四面體空隙，Al3+離子占據(jù)八面體空隙。

40、60; Mg2+填充四面體空隙的1/8，而Al3+離子占據(jù)八面體空隙的1/2。2、3分。O2-離子的配位數(shù)為4，配位多面體為OMgAl3。  Mg2+離子的配位數(shù)為4，配位多面體為MgO4。  Al3+離子的配位數(shù)為6，配位多面體為AlO6。3、3分。O2-的電荷數(shù)為：Z，與O2離子電價相符，所以O(shè)2-的電價是飽和的。4、2分。由于一個尖晶石晶胞中含有8個Mg2+離子，所以晶胞中含有8個尖晶石分子，即8 MgAl2O4。5、3分。在尖晶石結(jié)構(gòu)中，如果A離子占據(jù)四面體空隙，B離子占據(jù)八面體空隙，則稱為正尖晶石。   如果半數(shù)的B離子占據(jù)四面體空隙，A離子和

41、另外半數(shù)的B離子占據(jù)八面體空隙，則稱為反尖晶石。五、缺陷反應(yīng)方程式（共6分，每個2分）1、2、3、六、問答題（共9分，每題3分）1、最容易形成玻璃的是Na2O·2SiO2，最不容易形成玻璃的是NaCl（1分），因為NaCl是例子晶體，離子鍵化合物形成熔體其結(jié)構(gòu)質(zhì)點是正、負(fù)離子，在熔融狀態(tài)以單獨離子存在，流動性大，粘度很低，在凝固溫度靠靜電力迅速組成晶格，不易形成玻璃（1分）。硅酸鹽熔體形成玻璃傾向的大小和熔體中負(fù)離子團(tuán)的聚合程度有關(guān)，聚合程度越低，越不容易形成玻璃，Na2O·2SiO2中O/Si小于Na2O·SiO2，硅氧負(fù)離子團(tuán)大，所以容易形成玻璃。（1分）2、

42、燒結(jié)分成初期、中期和后期三個階段（1分）；特征（1分）：燒結(jié)初期胚體中顆粒重排，接觸處產(chǎn)生鍵合，大氣孔消失，但總的比表面積變化不大；燒結(jié)中期傳質(zhì)開始，粒界增大，空隙進(jìn)一步縮小變形，單仍然聯(lián)通呈隧道狀；燒結(jié)后期傳質(zhì)繼續(xù)進(jìn)行，粒子長大，氣孔變成孤立閉氣孔，制品強(qiáng)度提高，密度大理論密度的95%以上。燒結(jié)推動力是系統(tǒng)過剩的表面能（1分）。3、因為-石英轉(zhuǎn)變成-磷石英(1000)屬于重建性轉(zhuǎn)變，轉(zhuǎn)變速度慢（1分），在實際生產(chǎn)中的正常加熱或冷卻速度下，體系溫度變化速度快于多晶轉(zhuǎn)變速度，因此往往轉(zhuǎn)變不及發(fā)生就偏離轉(zhuǎn)變溫度，體積效應(yīng)不明顯；而-石英轉(zhuǎn)變?yōu)?石英(537)屬于位移性轉(zhuǎn)變，轉(zhuǎn)變速度很快（1分），轉(zhuǎn)變速度快于體系變化速度，因此位移性體積效應(yīng)非常突出，在升溫和降溫過程中如果控制不當(dāng)，往往使制品開裂或影響使用壽命。（1分）七、