2019年高效太陽能逆變器設(shè)計(jì)

1、實(shí)現(xiàn)更高效可靠的太陽能逆變器設(shè)計(jì)2009-05-07 11 ：24:49文章來源：電子工程專輯我來說兩句(0)OFweekB2B|A系光電行業(yè)買家與供應(yīng)商助您共贏未來!OF WeeKB2B corn- cn導(dǎo)讀：由于能源需求不斷增長，有報(bào)告稱中國到2010年將成為頭號二氧化碳排放國；而化石能源的稀缺，使可再生能源成為全球性話題。0關(guān)鍵字0太陽能逆變器、卜導(dǎo)體ace="Arial"> 作者：蘇宇由于能源需求不斷增長，有報(bào)告稱中國到2010年將成為頭號二氧化碳排放國；而化石能源的稀缺，使可再生能源成為全球性話題。因此發(fā)展太陽能光伏技術(shù)成為中國節(jié)能減排戰(zhàn)略中的關(guān)鍵。電子工程

2、專輯市場分析報(bào)告指出，2008年中國大陸光伏電池產(chǎn)量已居全球第一，擁有諸如尚德、晶澳、中電光伏和天合等一批光伏電池精英生產(chǎn)商。而金融危機(jī)同 時(shí)也給了中國太 陽能光伏產(chǎn)業(yè)一個(gè)整合與升級的良機(jī)。當(dāng)前，太陽能光伏市場（包括光伏模塊和逆變器）正以每年約30%的年累積速度增長。太陽能逆變 器的作用是將隨太陽能輻射及光照變化的DC電壓轉(zhuǎn)換成為電網(wǎng)兼容的AC輸出；而對于廣大電子工程 師而言，太陽能逆變器是一個(gè)值得高度關(guān)注的技術(shù)領(lǐng)域。因此下文將介紹太陽能逆變器設(shè)計(jì)所需注意的技術(shù)要點(diǎn)、挑戰(zhàn)以及相應(yīng)的解決方法?；驹O(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)基于太陽能逆變器的專用性以及保持設(shè)計(jì)的高效率，的電 它需要持續(xù)監(jiān)視太陽能電池板陣列功 壓和電

3、流，從而了解太陽能電池板陣列的瞬時(shí)輸出環(huán)，用于確 率。它還需要一個(gè)電流控制的反饋以應(yīng)付 保太陽能電池板陣列工作在最大輸出功率點(diǎn)，多變的高輸入。目前，太陽能逆變器已有多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，最常見的是用于單相的半橋、全橋和Heric （Sunways 專利）逆變器，以及用于三相的六脈沖橋和中點(diǎn)鉗位（NPC ）逆變器；圖1所示是這些逆變器的拓?fù)鋱D（Micros emi圖源）。同時(shí)，設(shè)計(jì)還需遵從安全規(guī)范，并在電網(wǎng)發(fā)生故障的時(shí)候可以快速 斷開與電網(wǎng) 的連接。因此，太陽能逆變器的基本設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)包括額定電壓、容量、效率、電池能效、輸出AC電源質(zhì)量、 最大功率點(diǎn)跟蹤（MPPT ）效能、通信特性和安全性。圖1a :半橋逆

4、變。圖1b :全橋逆變器圖1c： Heric逆變器圖1d :三相橋逆變器。圖1e : NPC三級逆變器額定電壓：太陽能逆變器的主要功能是把來自光伏面板（有時(shí)是經(jīng)過穩(wěn)壓的DC電壓）的可變DC電壓轉(zhuǎn)換為AC電壓以驅(qū)動(dòng)負(fù)載或給電網(wǎng)供電。最常用的單相和三相AC電壓分別為120V/220V以及208V/380V ;而對工業(yè)應(yīng)用來說，480V也很常見。對選定的逆變器 拓?fù)鋪碚f，輸岀AC 電壓的范圍將決定DC母線電壓以及每個(gè)半導(dǎo)體開關(guān)的額定電壓。容量：它是太陽能逆變器額定功率的另一個(gè)說法。該數(shù)值在200W （面板集成模塊）到數(shù)百千瓦之間。容量越大，逆變器的體積越大、價(jià)格越高。太陽能逆變器的成本以美元/瓦來衡

5、量。就一個(gè)恰到好處的設(shè)計(jì)而言，確定容量時(shí)，必須把浪涌、過載以及連續(xù)工作模式等情況考慮在內(nèi)。效率：每個(gè)太陽能逆變器都有其對效率（輸出功率/輸入功率）的要求，例如，一個(gè)數(shù)千瓦系統(tǒng)的典型效率可達(dá)95%O基于太陽能陣列的能量轉(zhuǎn)換效率相對低（約在15%左右）的事實(shí)，所以, 就以最小的太陽能面板獲得最多的輸出功率來說，高效逆變器具有非常重要的意義。它能平抑DC電壓可電池能力：在逆變器的DC側(cè)加裝電池組起著能量緩存器的作用,能的波動(dòng)并把負(fù)載還未使用的能量存儲(chǔ)起來。電池能力的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是當(dāng)天黑時(shí)仍可持續(xù)提供能量。任何加裝了電池的太陽能逆變器都需要電池 控制器，雖然在連接電網(wǎng)的情況一般用不到。輸出功率質(zhì)量：源于逆

6、變器內(nèi)在的開關(guān)模式特性，其AC輸出波形并非理想的正弦波，且通常還包含 由脈寬調(diào)制（PWM ）引入的寬范圍高頻諧波。對許多電子負(fù)載來說，這些諧波有害無益；當(dāng)并網(wǎng)時(shí)，這些 諧波成為污染源。盡管有這些諧波，太陽能逆變器依然能夠?qū)ω?fù)載較差的功率因數(shù)進(jìn)行補(bǔ)償，并弱化諸如 電壓驟降和波動(dòng)等電源質(zhì)量問題。一款設(shè)計(jì)精良的太陽能逆變器應(yīng)輸出近似正弦波并減少引入到電網(wǎng)內(nèi)不期 望的低頻成分。MPPT效能：太陽能面板的輸出將遵循電流電壓曲線圖中不同光照條件下的一系列特性曲線，因 此，為獲得最大功率輸出，需對電壓進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)。最大功率點(diǎn)跟蹤手法類似獲取內(nèi)燃機(jī)最佳效率曲線的作 法，其中，扭矩和速度對應(yīng)電流和電壓。過去10

7、年間，開發(fā)出若干 算法，其中最流行的是通過擾動(dòng)電壓和 觀察輸出的方法。通信特性：對一個(gè)數(shù)千瓦的太陽能逆變器來說，構(gòu)建一個(gè)用于監(jiān)控和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的通信連接很有必要。 歸功于當(dāng)今這樣一個(gè)數(shù)字時(shí)代，作為一種通用控制器的微處理器（MCU ）很適合該功能。安全性：有兩個(gè)含義：1.當(dāng)并網(wǎng)時(shí)，需仔細(xì)觀察波形并在掉電時(shí)，立即切斷連接；反孤島保護(hù)對此很 關(guān)鍵。2維護(hù)和維修時(shí)，工作人員應(yīng)沒安全風(fēng)險(xiǎn)。并網(wǎng)逆變器需要在不降低功率等級的前提下，緊密匹配電網(wǎng)的相位和頻率。在并網(wǎng)時(shí)，逆變器能夠把負(fù) 載用不了的電能回送至電網(wǎng)且無須借助體積龐大、成本高昂的能量存儲(chǔ)器件?；诎踩紤]，并網(wǎng)的逆變 器將在掉電時(shí)自動(dòng)切斷且一般沒有用于存

8、儲(chǔ)能量的電池組。同時(shí)，離網(wǎng)太陽能逆變器工作在獨(dú)立模式，無需 與外部AC電網(wǎng)同步。所以，它不需要任何反孤島保護(hù)措施。另外，對于逆變器的并網(wǎng)設(shè)計(jì)和離網(wǎng)設(shè)計(jì)，兩者間的區(qū)別還在于輸出級。然而，在并網(wǎng) 連接系統(tǒng)中， 大多數(shù)情況下，DC/AC級由600V的功率MOSFET和/或IGBT所構(gòu)建，離網(wǎng)系統(tǒng)則使用為電池級饋 送的低壓輸出，主要的應(yīng)用包括太陽能街燈照明或使用48V電壓軌輸出的太陽能輔助電信系統(tǒng)。在48V 系統(tǒng)中，則一般選擇100V的功率MOSFET來構(gòu)建全橋逆變器。下文也將會(huì)對太陽能逆變器中的 MOSFET和IGBT的使用進(jìn)行詳細(xì)介紹。系統(tǒng)效率可能成為了太陽能逆變器最重要的設(shè)計(jì)考慮因素，是不同競爭

9、廠商之間優(yōu)劣的區(qū)分要素。一 臺(tái)20kWp安裝設(shè)備每天平均輸出電能為190kWh,若其效率從95%提高到96%,如果強(qiáng)制入網(wǎng)電價(jià)（feed-in tari ff）按0.40美元/ kWh,并以10年壽命周期來計(jì)算，其所節(jié)省約為逆變器自身成本的一半，因此效率的重要性不言而喻。一旦輸出功率確定了，則最高轉(zhuǎn)換效率和最低功率器件損耗講的就是一回事?？紤]到光伏面板把太陽 能轉(zhuǎn)換為電能的效率很低（一般只有15%）,則能量逆變器的效率在減小太陽能面板面積和整個(gè)系統(tǒng)的體 積方面就很有意義。除此原因外，器件的功率損耗將在硅裸片上產(chǎn)生熱從而導(dǎo)致溫升，因此，必須有效 散熱。這些損耗導(dǎo)致的熱過力是高可靠設(shè)計(jì)必須竭力應(yīng)付

10、的且必須要用到散熱器。眾所周知，散熱器個(gè)頭 大、價(jià)格高；另外，其采用諸如風(fēng)扇等器件使散熱器的可靠性不高。換句話，盡可能小的功率損耗不僅節(jié) 省能量，還可以提升系統(tǒng)可靠性，使系統(tǒng)更緊湊并降低了成本。由于現(xiàn)有逆變器的第一次故障平均時(shí)間約是5年，因此太陽能逆變器成為造成光伏系統(tǒng)諸多故障的主 要原因。為提升逆變器設(shè)計(jì)的可靠性，需考慮如下因素并采取相應(yīng)措施，包括：低損耗功率器件和開關(guān)電 路、更新的封裝技術(shù)、對電解電容器的替代、過設(shè)計(jì)、器件的冗余以及對常見失效模式和原因等的深入分 析。Microsemi （美高森美）半導(dǎo)體的應(yīng)用工程師經(jīng)理錢昶指出，電和熱方面的過載是導(dǎo)致失效的兩個(gè)原 因，選擇能效更高的器件和

11、電路會(huì)降低逆變器自身的功耗并進(jìn)而降低功率器件的結(jié)溫且同時(shí)降低了熱過力； 過設(shè)計(jì)是使電和熱應(yīng)力遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于器件所能承受水平的另一條途徑；而冗余設(shè)計(jì)使器件交替工作，從而分?jǐn)偨?低了每一器件所受的壓力。但，過設(shè)計(jì)和冗余設(shè)計(jì)將顯著增加成本，而這是制造商所不希望的。因此，更可行、成本更低的作法是 研究失效模式和成因然后將該信息回饋至產(chǎn)品進(jìn)行重新設(shè)計(jì)。當(dāng)然，這就需要對大量產(chǎn)品進(jìn)行現(xiàn)場測試 以便發(fā)現(xiàn)并驗(yàn)證故障機(jī)制和模式。此外，錢昶認(rèn)為太陽能逆變器可靠性設(shè)計(jì)的其它挑戰(zhàn)還應(yīng)包括：具有低可靠性的電解電容并且以合理 價(jià)格找到不同種類高壓、大容量電容器的技術(shù)難度；缺少結(jié)構(gòu)化方法進(jìn)行產(chǎn)品規(guī)劃和質(zhì)量控制的不成熟制 造工藝也將

12、損害可靠性；另外，工作在惡劣壞境下（極低或極高溫、潮濕和曝曬）也為可靠性設(shè)計(jì)帶來挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體技術(shù)行銷助理經(jīng)理Eric Zhang也認(rèn)為系統(tǒng)所需的母線電容的確成為影響可靠性的最重要因 素，因此設(shè)計(jì)通常會(huì)選擇電解電容器，因?yàn)樗褪苋粘囟茸兓h(huán)，并可在高溫下運(yùn)作。設(shè)計(jì)人員還 必須了解將要并網(wǎng)發(fā)電之太陽能電池的額定輸出功率，從而選擇合適的拓?fù)洌ㄕ垍⒖紙D1），并使用具 有足夠耐壓的功率開關(guān)器件。而英飛凌的高級工程師Jerome Lee則建議，可通過降低電解電容中的紋波電流以延長逆變器的使 用壽命。當(dāng)開關(guān)的高頻操作與高效率目標(biāo)發(fā)生沖突，需要考慮電容器組是否過大或是出現(xiàn)多相系統(tǒng)。而除 了電解電容老化

13、問題，他認(rèn)為電壓額定值下降以及散熱效果是影響也是太陽能逆變器可靠性的主要因素，最 具成本性能優(yōu)化的是使用600V級別的功率器件。這時(shí)可以通過使用過壓保護(hù)系統(tǒng)或降壓變換器作為輸入級 以將電壓應(yīng)力減少到500V以下。IGBT 抑或 MOSFET半導(dǎo)體器件影響逆變器設(shè)計(jì)的主要因素可以概括為：器件擊穿電壓、封裝、熱阻（從結(jié)到外殼）、電 流等級、導(dǎo)通電壓或?qū)ㄗ杩埂⒓纳娙?、開關(guān)速度和成本。而設(shè)計(jì)人員在為太陽能逆變器設(shè)計(jì)選擇功率逆 變器件時(shí)又將有具體的考慮呢？就MOSFET和IGBT來說，其選用決策視性能和成本間的權(quán)衡而定。一般說，因IGBT的電流更 大（是MOSFET的兩倍多），所以采用IGBT方案的

14、成本比采用MOSFET的成本低。除成本方面的考 慮外，器件性能可由功率損耗表度，而功率損耗可分為：導(dǎo)通和開關(guān)兩類。作為以少數(shù)載流子為基礎(chǔ)的器 件，在大電流下，IGBT具有更低的導(dǎo)通電壓，也就意味著更低的導(dǎo)通損耗。但MOSFET的開關(guān)速度更快，所以開關(guān)損耗比IGBT低。因此對于要求更低開關(guān)頻 率且更大電流的應(yīng)用來說，選擇IGBT更為適合而且具備更低成本優(yōu)勢。另一方面，MOSFET有能力滿 足高頻、小電流應(yīng)用，特別是那些開關(guān)頻率在100kHz以上的能量逆變器模塊的需要。雖然從器件成本角度 看，MOSFET比IGBT貴，但其處理更高開關(guān)頻率的能力將簡化輸出濾波器的磁設(shè)計(jì)并將顯著縮小輸出電感體積?；?/p>

15、上述原因，更多的制造商因此傾向于在中高水平的能量逆變器中采用IGBT。而據(jù)Microsemi的 錢昶介紹，該公司的MOS8IGBT在靜態(tài)和動(dòng)態(tài)測試（最小化的總體功率損耗）方面的優(yōu)化性能可出色勝 任這些應(yīng)用的要求。另一方面，他強(qiáng)調(diào)，即便MOSFET的成本是個(gè)主要考量，但為實(shí)行一個(gè)更優(yōu)方案， 也應(yīng)重新審視采用MOSFET的潛力，諸如Microsemi的MOS7/MOS8 MOSFET所具備的領(lǐng)先特性就 非常適合太陽能逆變器的設(shè)計(jì)。DC/AC變換級通常由兩個(gè)快速開關(guān)設(shè)備和兩個(gè)用于極性選擇的開關(guān)所組成，所以主要損耗表現(xiàn)為傳導(dǎo) 損耗，也因此需要功率器件具備非常低的正向電壓降。功率MOSFET相對于IGB

16、T的一個(gè)優(yōu)勢是其不存在 拐點(diǎn)電壓（knee v oltage） o而逆變器設(shè)計(jì)需要考慮高達(dá)700V的輸入電壓，系統(tǒng)這時(shí)會(huì)考慮采用降壓轉(zhuǎn)換 器作為其第一個(gè)功率級。英飛凌奧地利公司的高級工程師?Uwe Kirchner對此建議通過并聯(lián)三個(gè)英飛凌CoolMOS CP系列器 件，以在600V級別上獲得少于15m歐姆的導(dǎo)通電阻，而CoolMOS 900V系列產(chǎn)品可提供最大導(dǎo)通電阻 為130m歐姆的器件。但是對于慢速開關(guān)設(shè)備，他推薦使用600V的Trench Stop IGBT o該公司電源分立器件部負(fù)責(zé)人Gerald Deboy博士也為逆變器設(shè)計(jì)的器件選型補(bǔ)充了自己的看法，他 認(rèn)為使用CoolMOS C

17、P還是CoolMOS CED要取決于體二極管的要求。在逆變器中，當(dāng)體二極管在電壓 過零點(diǎn)或無功功率的傳遞過程中的硬換流現(xiàn)象時(shí)，使用CED較為有利。而對于IGBT的反并聯(lián)二極管， 則選用SiC肖特基勢壘二極管比較合適。因?yàn)檫@時(shí)，降壓級的續(xù)流二極管（free wheeling diode）或電隔 離系統(tǒng)中的整流二極管都可從SiC肖特基勢壘二極管的零反向恢復(fù)特性中受益。飛兆半導(dǎo)體的Eric指出，在太陽能逆變器拓?fù)渫ǔＲ部赡馨粋€(gè)升壓級，將輸入DC電壓提升至充分高于所需峰值輸出電壓的水平，然后通過DC/AC逆變并入電網(wǎng)。對于升壓轉(zhuǎn)換器來說，人 們最關(guān)心的是升壓二極管的開關(guān)損耗，反向恢復(fù)電荷可能引起高

18、損耗（這取決于功率范圍，升壓轉(zhuǎn)換器通常使用連續(xù)導(dǎo)通模式，這給二極管帶來顯著的應(yīng)力）。用于這一功率級的MOSFET的開關(guān)損耗亦很重要，因此可考慮選擇先進(jìn)的超結(jié)器件（例如600VSupe rFET MOSFET）以減少開關(guān)和導(dǎo)通損耗。在逆變器級中，通常使用專為軟開關(guān)而優(yōu)化的低速 IGBT ,以減小輸出濾波器的體積，從而降低濾波器的能耗。同時(shí)，由于IGBT本身具備穩(wěn)固性，可以更好 地抵抗電網(wǎng)的峰值電壓，許多逆變器使用專有拓?fù)湟赃M(jìn)一步提升效率，增添更多的功能特性。實(shí)現(xiàn)太陽能逆變器的智能控制設(shè)計(jì)太陽能逆變器時(shí)要考慮的兩個(gè)關(guān)鍵因素是效率和諧波失真。效率可分成兩個(gè)部分：太陽能的效率和 逆變器的效率。逆變器的效率在很大程度上取決于設(shè)計(jì)使用的外部元件，而不是控制器；而太陽能的效 率與控制器如何控制太陽能電池板陣列有關(guān)。每個(gè)太陽能電池板陣列的最大工作功率在很大程度上取決于陣 列的溫度和光照。MCU必須控制太陽能電池板陣列的輸出負(fù)載，以使陣列的工作功率最大。由于這不是 一個(gè)數(shù)學(xué)密集型算法，因此可使用低成本MCU來完成任務(wù)。而要智能化控制諧波失真，則需要更多處理。若要將系統(tǒng)用作不間斷電源（UPS）,則需要諸如DSC 或DSP等高性能控制器來確保在電網(wǎng)不存在時(shí)提供清