三極管及場(chǎng)效應(yīng)管原理及參數(shù)

1、個(gè)人資料整理 僅限學(xué)習(xí)使用1 / 7、三極管的電流放大原理晶體三極管 以下簡(jiǎn)稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN 和 PNP 兩種結(jié)構(gòu)形式,但使用最多的是硅 NPN 和 PNP 兩種三極管，兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介 紹 NPN 硅管的電流放大原理。圖一是 NPN 管的結(jié)構(gòu)圖，它是由 2 塊 N 型半導(dǎo)體中間夾著一塊 P 型半導(dǎo)體所組成，從圖可見發(fā)射區(qū)與基區(qū) 之間形成的 PN 結(jié)稱為發(fā)射結(jié)，而集電區(qū)與基區(qū)形成的 PN 結(jié)稱為集電結(jié)，三條引線分別稱為發(fā)射極 e、基極 b 和集電極。當(dāng) b 點(diǎn)電位高于 e 點(diǎn)電位零點(diǎn)幾伏時(shí)，發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài)，而C

2、點(diǎn)電位高于 b 點(diǎn)電位幾伏時(shí)，集電結(jié)處于反偏狀態(tài)，集電極電源 Ec 要高于基極電源 Ebo。在制造三極管時(shí)，有意識(shí)地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的，同時(shí)基區(qū)做得很薄，而且，要嚴(yán)格控 制雜質(zhì)含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結(jié)正確，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子 電子）極基區(qū)的多數(shù)載流子 控穴）很容易地截越過(guò)發(fā)射結(jié)構(gòu)互相向反方各擴(kuò)散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過(guò)發(fā)射結(jié)的 電流基本上是電子流，這股電子流稱為發(fā)射極電流Ie。由于基區(qū)很薄，加上集電結(jié)的反偏，注入基區(qū)的電子大部分越過(guò)集電結(jié)進(jìn)入集電區(qū)而形成集電集電流Ic，只剩下很少1-10%）的電子在基區(qū)的空穴進(jìn)行復(fù)合，被復(fù)合掉的基區(qū)空穴由基極電源Eb

3、重新補(bǔ)紀(jì)念給，從而形成了基極電流 Ibo 根據(jù)電流連續(xù)性原理得：le=lb+lc這就是說(shuō)，在基極補(bǔ)充一個(gè)很小的lb，就可以在集電極上得到一個(gè)較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic 與 lb 是維持一定的比例關(guān)系，即：B仁 lc/lb式中：B-稱為直流放大倍數(shù)，集電極電流的變化量 lc 與基極電流的變化量 lb 之比為：B=lc/lb式中3-稱為交流電流放大倍數(shù)，由于低頻時(shí)31 和B的數(shù)值相差不大，所以有時(shí)為了方便起見，對(duì)兩者不作嚴(yán)格區(qū)分，3值約為幾十至一百多。三極管是一種電流放大器件，但在實(shí)際使用中常常利用三極管的電流放大作用，通過(guò)電阻轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯?作用。、三極管的特性曲線1、輸入特性圖

4、2 是三極管的輸入特性曲線，它表示 lb 隨 Ube 的變化關(guān)系，其特點(diǎn)是：1）當(dāng) Uce 在 0-2 伏范圍 內(nèi)，曲線位置和形狀與 Uce 有關(guān)，但當(dāng) Uce 高于 2 伏后，曲線 Uce 基本無(wú)關(guān)通常輸入特性由兩條曲線1和U）表示即可。2） 當(dāng) Ube UbeR 時(shí)，lb - 0 稱UbeR 時(shí)，lb 隨 Ube 增加而增加，放大 時(shí)，三極管工作在較直線的區(qū)段。3）三極管輸入電阻，定義為：rbe=（ Ube/ IbQ 點(diǎn)，其估算公式為：rbe=rb+（3+1（26 毫伏 /le 毫伏）rb 為三極管的基區(qū)電阻，對(duì)低頻小功率管，rb 約為 300 歐。2、輸岀特性輸出特性表示 Ic 隨 Uc

5、e 的變化關(guān)系 以 lb 為參數(shù)）從圖 2C）所示的輸出特性可見，它分為三個(gè)區(qū)域： 截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。截止區(qū) 當(dāng) Ubelcbo常溫時(shí)硅管的 Icbo 小于 1 微安，鍺管的 Icbo 約為 10 微安，對(duì)于鍺管，溫度每升高12C，Icbo 數(shù)值增加晶體三極管圖 1、晶體三極管NPN 的結(jié)構(gòu)tcT| l| L個(gè)人資料整理 僅限學(xué)習(xí)使用2 / 7一倍，而對(duì)于硅管溫度每升高8C,Icbo 數(shù)值增大一倍，雖然硅管的 Icbo 隨溫度變化更劇烈，但由于鍺管的 Icbo 值本身比硅管大，所以鍺管仍然受溫度影響較嚴(yán)重的管，放大區(qū)，當(dāng)晶體三極管發(fā)射結(jié)處于正 偏而集電結(jié)于反偏工作時(shí)，Ic 隨 Ib 近似

6、作線性變化，放大區(qū)是三極管工作在放大狀態(tài)的區(qū)域。飽和區(qū) 當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于正偏狀態(tài)時(shí)，Ic 基本上不隨 Ib 而變化，失去了放大功能。根據(jù)三極管發(fā)射結(jié)和集電結(jié)偏置情況，可能判別其工作狀態(tài)。圖 2、三極管的輸入特性與輸岀特性截止區(qū)和飽和區(qū)是三極管工作在開關(guān)狀態(tài)的區(qū)域，三極管和導(dǎo)通時(shí)，工作點(diǎn)落在飽和區(qū)，三極管截止時(shí)， 工作點(diǎn)落在截止區(qū)。三、三極管的主要參數(shù)1、直流參數(shù)1）集電極一基極反向飽和電流Icbo，發(fā)射極開路時(shí)，基極和集電極之間加上規(guī)定的反向電壓Vcb時(shí)的集電極反向電流，它只與溫度有關(guān)，在一定溫度下是個(gè)常數(shù)，所以稱為集電極一基極的反向飽和電流。良好的三極管，Icbo 很小，小功率鍺管的

7、Icbo 約為 110 微安，大功率鍺管的 Icbo 可達(dá)數(shù)毫安， 而硅管的 Icbo則非常小，是毫微安級(jí)。2）集電極一發(fā)射極反向電流Iceo（穿透電流）基極開路Icbo o Icbo 和 Iceo 受溫度影響極大，它們是衡量管子熱穩(wěn)定性的重要參數(shù)，其值越小，性能越穩(wěn)定，小功率鍺管的Iceo 比硅管大。3）發(fā)射極-基極反向電流 Iebo 集電極開路時(shí)，在發(fā)射極與基極之間加上規(guī)定的反向電壓時(shí)發(fā)射極的 電流，它實(shí)際上是發(fā)射結(jié)的反向飽和電流。4）直流電流放大系數(shù)B1或 hEF）這是指共發(fā)射接法，沒(méi)有交流信號(hào)輸入時(shí)，集電極輸岀的直流電流與基極輸入的直流電流的比值，即：B仁 lc/lb2、交流參數(shù)1）交

8、流電流放大系數(shù)B或 hfe ）這是指共發(fā)射極接法，集電極輸岀電流的變化量Ic 與基極輸入電流的變化量厶 Ib 之比，即：B=Ic/Ib一般晶體管的B大約在 10-200 之間，如果B太小，電流放大作用差，如果B太大，電流放大作用雖然大，但性能往往不穩(wěn)定。2）共基極交流放大系數(shù)a或 hfb ）這是指共基接法時(shí)，集電極輸岀電流的變化是Ic 與發(fā)射極電流的變化量 Ie 之比，即：a=Ic/Ie因?yàn)?Ic 0.90 就可以使用a與B之間的關(guān)系：a= B /1+ B）B=a/1-a）1/1-a）3）截止頻率 fB、fa當(dāng)B下降到低頻時(shí) 0.707 倍的頻率，就是共發(fā)射極的截止頻率fB；當(dāng)a下降到低頻時(shí)的

9、 0.707 倍的頻率，就是共基極的截止頻率fao fB、fa是表明管子頻率特性的重要參數(shù)，它們之間的關(guān)系為：fB 1-a ）fa4）特征頻率 fT 因?yàn)轭l率 f 上升時(shí)，B就下降，當(dāng)B下降到 1 時(shí)，對(duì)應(yīng)的 fT 是全面地反映晶體管的高頻 放大性能的重要參數(shù)。爍：lgw個(gè)人資料整理 僅限學(xué)習(xí)使用3 / 73、極限參數(shù)1）集電極最大允許電流 ICM 當(dāng)集電極電流 Ic 增加到某一數(shù)值，引起B(yǎng)值下降到額定值的 2/3 或 1/2， 這時(shí)的 Ic 值稱為 ICM。所以當(dāng) Ic 超過(guò) ICM 時(shí)，雖然不致使管子損壞，但B值顯著下降，影響放大質(zhì)量。2）集電極-基極擊穿電壓 BVCBO 當(dāng)發(fā)射極開路時(shí)，

10、集電結(jié)的反向擊穿電壓稱為BVEBO3）發(fā)射極-基極反向擊穿電壓 BVEBO 當(dāng)集電極開路時(shí)，發(fā)射結(jié)的反向擊穿電壓稱為BVEBO個(gè)人資料整理 僅限學(xué)習(xí)使用4 / 7BVceo,管子就會(huì)被擊穿。5）集電極最大允許耗散功率 PCM 集電流過(guò) lc ,溫度要升高，管子因受熱而引起參數(shù)的變化不超過(guò)允許 值時(shí)的最大集電極耗散功率稱為PCM 管子實(shí)際的耗散功率于集電極直流電壓和電流的乘積，即Pc=UceXlc.使用時(shí)慶使 PcvPCMPCM 與散熱條件有關(guān)，增加散熱片可提高PCIM、三極管1.三極管的放大作用圖 1 是收信放大管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)圖，柵極用符號(hào)g 表示，柵極具有控制陽(yáng)極電流ia 的作用。由于柵極與

11、陰極之間的距離較陽(yáng)極與陰極間的距離近得多，所以柵極對(duì)陰極發(fā)射電子的影響也較陽(yáng)極的影響大得多，即是說(shuō)柵極控制電子的能力要比陽(yáng)極大得多，柵壓ug 有多少量的變化，就能引起陽(yáng)極電流ia 發(fā)生較大的變化，這就是三極管具有放大作用的原因。2.三極管的靜態(tài)特性曲線1）陽(yáng)極特性曲線，指柵壓 ug 為常數(shù)時(shí)，陽(yáng)極是電流 ia 與陽(yáng)極電壓 ua 的變化關(guān)系曲線，采用圖 2 的線 路可測(cè)出在極管陽(yáng)極特性曲線，圖3 表示 6N8P 的陽(yáng)極特性曲線簇。從陽(yáng)極特性的曲線簇可以看出：1）它的每條曲線形狀和二極管的行性曲線相似，柵壓愈負(fù)，曲線愈向右移。這是因?yàn)闁艍簽樨?fù)進(jìn)，只有 當(dāng)陽(yáng)極電壓增加到能夠抵消在陰極附近產(chǎn)生的排斥電

12、場(chǎng)以后，才會(huì)產(chǎn)生陽(yáng)極電流。2）特性曲線的大部分是彼此平行的直線，間隔也比較均勻，但在陽(yáng)極電流較低的部分，曲線顯得彎曲。3） 從圖中還可以看出，柵壓電流可變化4 毫安，若柵壓保持-8 伏不變，要使陽(yáng)極電流變化 4 毫安，則陽(yáng)極電壓應(yīng)變化 40 伏才行，這說(shuō)明書柵壓對(duì)陽(yáng)極電流的控制作用是陽(yáng)極電壓控制作用的20 倍。2）陽(yáng)柵特性曲線，指陽(yáng)極電壓為常數(shù)時(shí)，陽(yáng)極電流ia 與柵壓 ug 的變化關(guān)系曲線。仍用圖 2 測(cè)量陽(yáng)柵特性曲線。只要把陽(yáng)極電壓ua 固定在某一數(shù)值上，然后一條陽(yáng)柵特性曲線，在不同的陽(yáng)極電壓下作出很多條曲線就組成特性曲線簇。圖4 為 6N8P 陽(yáng)柵特性曲線簇。從曲線簇可以看岀：1）在陽(yáng)極電

13、壓為定值時(shí)，隨著負(fù)柵壓的增加，陽(yáng)極電流減小。當(dāng)負(fù)柵壓增加到某一個(gè)數(shù)值時(shí)，陽(yáng)極電流 減小到零，這時(shí)稱為陽(yáng)極電流截止，對(duì)應(yīng)的柵壓稱為截止柵壓。2）陽(yáng)極電壓越高，特性曲線越往左移，這是因?yàn)殛?yáng)極電壓越高，要使陽(yáng)極電流截止的負(fù)柵壓也越大。圖 1 三極管結(jié)構(gòu)及符號(hào)圖 4、6N8P 陽(yáng)柵特性曲線個(gè)人資料整理 僅限學(xué)習(xí)使用5 / 73）從圖中還可看出柵壓變化對(duì)陽(yáng)極電流的變化影響很大。3. 三極管的參數(shù)1）跨導(dǎo)跨導(dǎo)的定義是：在陽(yáng)壓保持不變時(shí)，柵壓ug 在某一工作點(diǎn)上變化一個(gè)增量厶ug,將引起陽(yáng)極流 ia 相應(yīng)地彎化一個(gè)增量 ia，比值 ia/ ig 稱為跨導(dǎo)，用符號(hào) S 表示，即：S= ia/ ig|ua 固定

14、） 毫安 / 伏）跨導(dǎo)具有電導(dǎo)的性質(zhì)，其物理意義是：在陽(yáng)壓固定不變的條件下，當(dāng)柵壓變化1 伏時(shí)，陽(yáng)流變化了多少毫安。它表明柵壓控制陽(yáng)流的能力，跨導(dǎo)越大，柵壓控制陽(yáng)流的能力就越強(qiáng)。電子管的跨導(dǎo)可以從已知的陽(yáng)柵特性曲線簇上求岀。 特性曲線的不同部分的跨導(dǎo)值是不一樣的。 曲線越陡 即斜率越大）跨導(dǎo)就越大，所以在特性曲線的直線部分，跨導(dǎo)最大，而且各點(diǎn)跨導(dǎo)差不多相同，因此， 電子管手冊(cè)中給岀的跨導(dǎo)，都是指直線部分的跨導(dǎo)值，一般三極管的跨導(dǎo)值約為210毫安/伏）2）內(nèi)阻內(nèi)阻的定義是：在柵壓保持不變時(shí)，陽(yáng)壓ua 在某一工作點(diǎn)上彎化一個(gè)增量厶ua,將引起陽(yáng)流相應(yīng)地變化一個(gè)增量厶 ia，比值 ua/ ia 稱為

15、內(nèi)阻，用符號(hào) Ri 表示，即：Ri= ua/ ia|ig 固定） 歐姆）當(dāng) ia 為毫安，ua 為伏時(shí)，則 Ri 為千歐。內(nèi)阻的物理意義是：在柵壓保持不公的條件下，陽(yáng)流變化1 毫安，陽(yáng)壓需要變化多少伏，這表明了陽(yáng)極對(duì)陽(yáng)流的控制能力，內(nèi)阻越小，陽(yáng)壓控制陽(yáng)流的能力就越強(qiáng)。內(nèi)阻也可以從陽(yáng)極特性曲線上求出，由于電子管的陽(yáng)極特性曲線不是直線，所以曲線上各點(diǎn)的內(nèi)阻值也不 相同，曲線越陡 即斜率越大）時(shí)，內(nèi)阻越小，曲線越平直即斜率越小）則內(nèi)阻越大，一般三極管內(nèi)阻值為 500 歐至 100 千歐之間。3）放大系數(shù)放大系數(shù)的定義是：陽(yáng)壓變化一個(gè)增量ua 為了保持陽(yáng)流不變，柵壓 ug 必須相應(yīng)地變化一個(gè) ug，A

16、ua與厶 ug 比值的絕對(duì)值，稱為放大系數(shù)，用符號(hào) 卩表示，即：卩= ua/ ug|ia 固定）放大系數(shù)沒(méi)有單位，它表明柵壓對(duì)陽(yáng)流的影響比陽(yáng)壓對(duì)陽(yáng)流的影響大多少倍，一般三極管的放大系數(shù)在5100 之間。4）三個(gè)參數(shù)之間的關(guān)系電子管的三個(gè)參數(shù) S、Ri 和卩三者之間有一定的關(guān)系，這個(gè)關(guān)系可用下式求得：根據(jù)Ri 的定義：Ri= ua/ ia，因?yàn)樵隽?ua 與厶 ia 一定是同符號(hào)的，所以Ri= ua/ ia=| ua/ ia|又根據(jù) S 的定義：S=Aia/ ua 增量 ia 與厶 ug 也是同符號(hào)的，所以S=Aia/ia=|ia/ug|把 Ri 與 S 相乘可得RiS=| ua/ ia|x|

17、ia/ ug|= ua/ ig=卩 倍）則卩可以寫成g=RiS這個(gè)方程稱為電子管的內(nèi)部方程。它表示電子管的三個(gè)參數(shù)之間的相互關(guān)系，即放大系數(shù)等于內(nèi)阻與跨導(dǎo) 的乘積。4. 三極管的極間電容及其影響電子管的電極是由金屬制成的，并被介質(zhì) 真空所隔開，因此，各電極之間存在著電容，這些電容叫做極間電容。三極管有三個(gè)極間電容，如圖 5 所示，柵極和陰極之間的電容 Cgk 叫做輸入電容，陽(yáng)極和陰極之間的電容 Cak 叫做輸出電容，陽(yáng)極和柵極之間的電容 Cag 叫做跨路電容，各個(gè)極間電容量大致在 120 皮法范圍 內(nèi)。圖 5、三極管的極間電容電子管的極間電容對(duì)電子管電路的工作性能有影響，影響最大的是跨路是電容

18、Cag,特別是在高頻工作時(shí)，由于 Cag 的容抗下降，陽(yáng)極回路的交流電壓通過(guò)它反饋回柵極，使電路工作變得極不穩(wěn)定，甚至產(chǎn)生 自激。Cgk和 Cak 對(duì)電路性能的影響不顯著。個(gè)人資料整理 僅限學(xué)習(xí)使用6 / 7場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管 英縮寫 FET）是電壓控制器件，它由輸入電壓來(lái)控制輸岀電流的變化。它具有輸入阻抗高噪聲低，動(dòng)態(tài)范圍大，溫度系數(shù)低等優(yōu)點(diǎn)，因而廣泛應(yīng)用于各種電子線路中。供應(yīng)信息需求信息一、場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理及特性場(chǎng)效應(yīng)管有結(jié)型和絕緣柵兩種結(jié)構(gòu)，每種結(jié)構(gòu)又有N 溝道和 P 溝道兩種導(dǎo)電溝道。1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 vJFET）1）結(jié)構(gòu)原理 它的結(jié)構(gòu)及符號(hào)見圖 1。在 N 型硅棒兩端引出漏極 D 和

19、源極 S 兩個(gè)電極，又在硅棒的兩側(cè) 各做一個(gè) P區(qū)，形成兩個(gè) PN 結(jié)。在 P 區(qū)引出電極并連接起來(lái)，稱為柵極Go 這樣就構(gòu)成了 N 型溝道的場(chǎng)效應(yīng)管防*圖 1、N 溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)由于 PN 結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故 PN 基本上是不導(dǎo)電的，形成了所謂耗盡區(qū)，從圖1 中可見，當(dāng)漏極電源電壓 ED 一定時(shí)，如果柵極電壓越負(fù)，PN 結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄，漏極電流 ID 就愈??；反之，如果柵極電壓沒(méi)有那么負(fù)，則溝道變寬，ID 變大，所以用柵極電壓 EG可以控制漏極電流 ID 的變化，就是說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件。2）特性曲線1）轉(zhuǎn)移特性圖 2a

20、）給岀了 N 溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵壓-漏流特性曲線，稱為轉(zhuǎn)移特性曲線，它和電子管的動(dòng)態(tài)特性曲線非常相似，當(dāng)柵極電壓 VGS=0 時(shí)的漏源電流。用 IDSS 表示。VGS 變負(fù)時(shí)，ID 逐漸減小。ID 接近于 零的柵極電壓稱為夾斷電壓，用VP 表示，在 0VGS VP 的區(qū)段內(nèi)，ID 與 VGS 的關(guān)系可近似表示為：ID=IDSS1-|VGS/VP| ）其跨導(dǎo) gm 為：gm= ID/ VGS |VDS=常微 微歐）|式中： ID-漏極電流增量 微安 VGS-柵源電壓增量 伏）圖 2、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線2）漏極特性 輸岀特性圖 2（b給岀了場(chǎng)效應(yīng)管的漏極特性曲線，它和晶體三極管的輸岀特性曲線很

21、相似。1可變電阻區(qū) 圖中 I 區(qū)）在 I 區(qū)里 VDS 比較小，溝通電阻隨柵壓 VGS 而改變，故稱為可變電阻區(qū)。當(dāng)柵 壓一定時(shí)，溝通電阻為定值，ID 隨 VDS 近似線性增大，當(dāng) VGX VP 時(shí)，漏源極間電阻很大 關(guān)斷）。IP=0 ;當(dāng) VGS=0 時(shí)，漏源極間電阻很小 導(dǎo)通），ID=IDSSo這一特性使場(chǎng)效應(yīng)管具有開關(guān)作用。2恒流區(qū) 區(qū)中 II 區(qū)）當(dāng)漏極電壓 VDS 繼續(xù)增大到 VDS |VP|時(shí)，漏極電流，IP 達(dá)到了飽和值后基本保持不變，這一區(qū)稱為恒流區(qū)或飽和區(qū)，在這里，對(duì)于不同的VGS 漏極特性曲線近似平行線，即ID 與 VGS 成線性關(guān)系，故又稱線性放大區(qū)。個(gè)人資料整理 僅限學(xué)

22、習(xí)使用7 / 73擊穿區(qū) 圖中山區(qū)）如果 VDS 繼續(xù)增加，以至超過(guò)了 PN 結(jié)所能承受的電壓而被擊穿，漏極電流ID 突然增大，若不加限制措施，管子就會(huì)燒壞。2、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管。1）結(jié)構(gòu)原理它的結(jié)構(gòu)、電極及符號(hào)見圖 3 所示，以一塊 P 型薄硅片作為襯底，在它上面擴(kuò)散兩個(gè)高雜質(zhì)的N 型區(qū)，作為源極 S 和漏極 D。在硅片表覆蓋一層絕緣物，然后再用金屬鋁引岀一個(gè)電極G!極）由于柵極與其它電極絕緣，所以稱為絕緣柵場(chǎng)面效應(yīng)管。圖 3、N 溝道 耗盡型）絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)及符號(hào)在制造管子時(shí)，通過(guò)工藝使絕緣層中岀現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)岀較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的 N 區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在 VGS=0 時(shí)也有較大的漏極電流 ID。當(dāng)柵極電壓 改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID 隨著柵極電壓的變化而變化。場(chǎng)效應(yīng)管的式作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗散型，當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為 零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。2）特性曲線 1）轉(zhuǎn)移特性 柵壓-漏流特性）圖 4a）給出了 N 溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移行性曲線，圖中IDSS 為飽和漏電流。圖