員工培訓(xùn)內(nèi)容答案

1、一、公司規(guī)章制度和概況一、公司規(guī)章制度和概況1 公司規(guī)章制度公司規(guī)章制度 公司規(guī)章制度包括：用工制度、薪酬、工作制度、加班、請(qǐng)假、法定節(jié)假、病假、事假、婚喪假和產(chǎn)假、探親假、干休假、社會(huì)保險(xiǎn)及福利、撫恤金、獎(jiǎng)勵(lì)、紀(jì)律處分、礦工、遲到和早退、工作鑒定、守則、員工證、安全防護(hù)用品、更衣室、員工出入工廠規(guī)定、參觀工廠規(guī)定、自行車和摩托車停放規(guī)定、衛(wèi)生制度、員工業(yè)余學(xué)習(xí)和脫產(chǎn)學(xué)習(xí)規(guī)定、門衛(wèi)制度、電腦、傳真機(jī)和復(fù)印機(jī)等設(shè)備的使用規(guī)定、電話使用規(guī)定、使用車輛的有關(guān)規(guī)定、南玻公司單身宿舍管理規(guī)定、安全措施等。詳細(xì)條款及其解釋請(qǐng)參見中國南玻集團(tuán)股份有限公司員工手冊(cè)。 2 南玻集團(tuán)南玻集團(tuán) 精細(xì)玻璃事業(yè)部精細(xì)玻

2、璃事業(yè)部總經(jīng)理副總經(jīng)理總助總助開發(fā)部 加工部 質(zhì)管辦 品質(zhì)部 成膜二部 拋光部 成膜一部 辦公室 財(cái)務(wù)部 市場部 工程技術(shù)部 ITO生產(chǎn)線 右切割線 左切割線 拋光線 經(jīng)營部 ITO生產(chǎn)線 拋光線 3 深圳偉光導(dǎo)電膜有限公司 深圳南方超薄浮法玻璃有限公司導(dǎo)電玻璃廠 從92 年開始，南玻集團(tuán)透過其下屬公司先后引進(jìn)了日本和德國的大型磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線，生產(chǎn)液晶顯示器用的透明導(dǎo)電膜玻璃。投資伊始，一批在真空鍍膜領(lǐng)域有多年從業(yè)經(jīng)驗(yàn)的專業(yè)人員，開始了又一輪向更高技術(shù)和更高質(zhì)量的不懈追求。 秉承南玻集團(tuán)一貫的經(jīng)營理念，對(duì)生產(chǎn)設(shè)備、生產(chǎn)環(huán)境和產(chǎn)品及服務(wù)質(zhì)量的嚴(yán)謹(jǐn)控制和精益求精度，使得南玻集團(tuán)的透明導(dǎo)電膜玻璃

3、自投產(chǎn)以來，廣獲佳譽(yù)，深受用戶信賴，同時(shí)生產(chǎn)規(guī)模不斷擴(kuò)大。 98年產(chǎn)量將逾100萬平方米，已成為東南業(yè)地區(qū)最大的透明導(dǎo)電膜玻璃供應(yīng)商之一。產(chǎn)品類型 ITO導(dǎo)電玻璃的主要特點(diǎn)是透明度高、膜層導(dǎo)電性好、熱穩(wěn)定性、圖形加工性。 TN型型ITO玻璃：玻璃： 基片厚度：0.4mm, 0.55mm, 0.7mm, 1.1mm. ITO厚度：12nm, 15nm, 20nm, 25nm, 30nm, 35nm, 40nm, 45nm, 50nm, 70nm, 125nm, 150nm, 200nm. STN型型ITO玻璃：玻璃： 基片厚度：0.4mm, 0.55mm, 0.7mm, 1.1mm. ITO厚度

4、：12nm, 15nm, 20nm, 25nm, 30nm, 35nm, 40nm, 45nm, 50nm, 70nm, 125nm, 150nm, 200nm. 觸膜屏ITO玻璃： ITO膜厚12nm, 基片厚度1.1-2mm. 掃描儀玻璃 ： 3mm厚4 應(yīng)用領(lǐng)域和上、下游產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域和上、下游產(chǎn)業(yè) 在顯示器領(lǐng)域，據(jù)預(yù)測，下一世紀(jì)平板顯示器的市場將超過傳統(tǒng)的陰極射線管，進(jìn)入所謂的平板顯示時(shí)代。目前，日常生活中所接觸到的平板顯示器件應(yīng)用主要有各種電子產(chǎn)品上的液晶顯示器、筆記本電腦、可視電話、數(shù)碼相機(jī)、壁掛電視等。這些種類繁多的平板顯示器件的制造所需要的基本材料之中，透明導(dǎo)電玻璃是最主要的材料

5、。目前，公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于TN型、STN型液晶顯示器件的透明電極和觸摸屏的導(dǎo)電層。觸摸屏從技術(shù)原理上可分五類：電阻技術(shù)觸摸屏、電容技術(shù)觸摸屏、表面聲波技術(shù)觸摸屏、紅外線掃描技術(shù)觸摸屏、矢量壓力傳感技術(shù)觸摸屏。我們的觸摸屏客戶主要生產(chǎn)四線電阻和五線電阻觸摸屏。 上游材料超薄浮法玻璃主要從板硝子、皮爾金頓、旭硝子、格拉威寶、中央硝子等廠商購買；ITO靶材選用LH-ITO和JE-ITO。5 鍍膜生產(chǎn)線的功能 生產(chǎn)線設(shè)備主要由玻璃清洗機(jī)、超凈百級(jí)室和連續(xù)濺射鍍膜系統(tǒng)組成。玻璃清洗機(jī)只是用于玻璃基片的清洗，使玻璃表面清潔以便鍍膜。連續(xù)濺射系統(tǒng)是生產(chǎn)線的核心設(shè)備，連續(xù)濺射鍍膜系統(tǒng)是一個(gè)龐大的真空系統(tǒng)，以德

6、國萊寶-巴爾薩斯工藝系統(tǒng)的Aristo 800鍍膜系統(tǒng)為例，其主要由以下部分組成：1 裝卸片臺(tái) 2 進(jìn)口室 3 緩沖室 4 高頻濺射室 5 直流濺射室 6 緩沖室 7 出口室 8 回框線 裝卸片臺(tái)：清洗好的玻璃基片在此裝上框架小車，以便輸送進(jìn)真空室鍍膜；鍍好的成品在此下車，送在線檢測。 進(jìn)口室（出口室）：實(shí)現(xiàn)大氣狀態(tài)和真空狀態(tài)的轉(zhuǎn)換。 緩沖室：為進(jìn)口室（出口室）快速破壞真空創(chuàng)造條件，還能避免來自進(jìn)口室（出口室）頻頻破壞真空對(duì)濺射室的沖擊。 高頻濺射室 ：高頻濺射SiO2阻擋膜層。 直流濺射室：濺射ITO膜層。 回框線：裝有鍍膜成品的小車從出口室出來，通過回框線返回裝卸片臺(tái)。切磨加工線功能把大片

7、玻璃按規(guī)定要求切割、清洗、倒直角邊或圓邊處理。其中2mm-5mm倒角為辨認(rèn)角，用于標(biāo)識(shí)浮法流向和拋光-鍍膜面。在線檢查和復(fù)檢保證原片質(zhì)量。拋光線功能南玻公司從幾個(gè)供貨商處采購玻璃原片，并按玻璃供應(yīng)商的標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)。對(duì)從切磨加工線送來的合格樣片進(jìn)行拋光和篩選，使其平整度和表面質(zhì)量達(dá)到STN型LCD的要求。ITO基本知識(shí)在顯示器領(lǐng)域，平扳顯示器件Flat Panel Display(FPD)的市場將很快超過傳統(tǒng)的陰極射線管(CRT)顯示器，進(jìn)入 “平板顯示時(shí)代”。目前，日常生產(chǎn)活中所接觸到的平板顯示器件應(yīng)用主要有各種電子產(chǎn)品上的液晶顯示器（LCD），筆記本電腦，可視電話，數(shù)碼相機(jī)，壁掛電視等，這些種類

8、繁多的平板顯示器件的制造所需要的基本材料之中，透明導(dǎo)電玻璃是主要的材料之一。所謂透明導(dǎo)電玻璃，是在厚度為0.4-1.1mm的平板玻璃的表面鍍一層透明導(dǎo)電膜，通常透明導(dǎo)電膜的材料是摻氧化銦錫(ITO)， 一種n型半導(dǎo)體，故透明導(dǎo)電玻璃通常也稱為ITO玻璃。這種ITO膜具有透光性好，面電阻低的特點(diǎn)，其電阻率一般在3x10-14/cm左右，已接近金屬的電阻率，是制造平板顯示器件的理想材料。ITO鍍膜線工業(yè)上，大批量的透明導(dǎo)電膜玻璃的制造技術(shù)都是采用濺射成膜技術(shù)。生產(chǎn)線設(shè)備主要由玻璃清洗機(jī)、超凈百級(jí)室和連續(xù)濺射鍍膜系統(tǒng)組成，其中連續(xù)濺射系統(tǒng)是生產(chǎn)線的核心設(shè)備。玻璃清洗機(jī)則用于玻璃基片的清洗，使玻璃表面

9、清潔以便鍍膜。連續(xù)濺射鍍膜系統(tǒng)是一個(gè)龐大的真空系統(tǒng)，以德國萊寶-巴爾薩斯工藝系統(tǒng)(Balzers Process System)的Aristo 800鍍膜系統(tǒng)為例，其主要由以下部分組成：1裝卸片臺(tái) 2進(jìn)口室 3加熱室 4高頻濺射室 5直流濺射室 6冷卻室 7出口室 8回框線ITO鍍膜線說明1.裝卸片臺(tái)(Mod1-2)清洗好的玻璃基片在此裝上框架上車，以便輸送進(jìn)真空室鍍膜。鍍膜好的成品也在此從框架小車上卸下，以送在線質(zhì)檢員檢驗(yàn)。2.進(jìn)口室(Mod3)用于實(shí)現(xiàn)大氣狀態(tài)和真空狀態(tài)的轉(zhuǎn)換，裝好玻璃基片的框架小車由裝卸片臺(tái)進(jìn)入進(jìn)口室，并在此抽真空，真空度為粗真空，約10-2 mbar數(shù)量級(jí)。3.加熱室(

10、Mod4) 當(dāng)進(jìn)口室抽到預(yù)定的真空度以后，框架小車從進(jìn)口室進(jìn)入到加熱室，玻璃基片在此預(yù)加熱到200左右，并去除水分和部分雜質(zhì)氣體。4.高頻濺射室(Mod5-8)玻璃基片進(jìn)入到高頻濺射室后，繼續(xù)得到加熱，在200250左右開始進(jìn)行高頻濺射鍍膜，此時(shí)在玻璃基片上鍍上一層二氧化硅(SiO2),約200埃左右的厚度。靶材安裝在Mod6和Mod7。5. Mod9過渡加熱室。6.直流濺射室(Mod10-12) 鍍制好SiO2膜的玻璃基片經(jīng)過一段過渡區(qū)域，在此區(qū)域，玻璃基片進(jìn)一步得到加熱，基片溫度上升到320380左右，然后進(jìn)入到有八個(gè)銦錫合金靶的直流磁控濺射室，每一個(gè)靶上加上300400V左右的直流電源，

11、靶為陰極，直流濺射室充入一定的氬氣和少量的氧氣，氬氣和氧氣的純度ITO鍍膜線說明(續(xù))為99.99%，濺射本底真空度不低于5.010-3 mbar，在電場力和磁場力的作用下，陰極靶材表面產(chǎn)生輝光放電并受到正離子的轟擊而產(chǎn)生濺射，濺射出來的原子態(tài)銦錫與濺射室中氧發(fā)生反應(yīng)，最后沉積在玻璃基片上形成氧化銦錫(ITO)薄膜，其膜層厚度通過控制直流電源的輸出功率來控制，通常ITO膜的厚度為2002000埃。7.冷卻室(Mod13-14)由于玻璃基片的溫度很高，需要緩慢的冷卻，以消除其應(yīng)力，避免玻璃脆裂，冷卻方式為水冷。8.出口室(Mod15)冷卻好的玻璃基片在出口室中完成從真空狀態(tài)到大氣狀態(tài)的轉(zhuǎn)換。9.

12、回框線裝有鍍膜成品的框架小車從出口室出來后，通過回框線返回裝卸片臺(tái)，供操作工人卸下鍍膜好的玻璃基片，玻璃基片的連續(xù)濺射鍍膜生產(chǎn)至此完成結(jié)束。鍍膜線示意圖濺射原理圖冷卻系統(tǒng)泵排氣Ar輝光放電區(qū)基板暗區(qū)真空室電源監(jiān)控 系統(tǒng)基片裝卸機(jī)械靶材銅背板濺射鍍膜原理ITO鍍膜采用的是濺射反應(yīng)鍍膜工藝。要想把ITO靶材濺射出來，必須有“炮彈”去轟擊ITO靶面才行，但這種“炮彈”只能起轟擊作用，而不能跟ITO靶和金屬反應(yīng)，這只能選擇惰性氣體，所以稱惰性氣體為工作氣體，而氬氣是比較經(jīng)濟(jì)的惰性氣體，因此ITO鍍膜要加氬氣。ITO膜為氧化銦錫膜，鍍膜過程需發(fā)生氧化反應(yīng)，所以稱氧氣為反應(yīng)氣體。雖然ITO靶本身含有氧，但

13、在ITO靶的濺射過程中，有部分濺射出氧會(huì)被抽走，需要補(bǔ)充氧氣，因此ITO鍍膜要加氧氣。ITO靶材背面要加磁鐵形成平行于ITO靶面的磁場，加熱器擋板接DC電源正極，ITO靶接DC電源的負(fù)極，形成垂直ITO靶面的電場。先抽真空和加熱后，放裝有玻璃的小車循環(huán)，送適當(dāng)?shù)难鯕夂蜌鍤獾絀TO靶區(qū)，再開DC電源，則真空中原有的電子在電場和磁場的共同作用下作螺旋狀的加速運(yùn)動(dòng)，能量不斷增加，能量較高的電子與氬原子碰撞后，將其電離成氬離子(Ar+)和電子，當(dāng)然也有部分Ar+與電子又會(huì)復(fù)合成氬原子，未被復(fù)合的氬離子(Ar+)被電場加速后象“炮彈”似地轟擊ITO靶面，使ITO靶材被濺射出來，同時(shí)產(chǎn)生二次電子，使放電得

14、以維持。能量較高的電子與氧氣碰撞后，將氧分子分解成兩個(gè)氧原子，這兩個(gè)氧原子很快捕獲電子變成氧離子(O-2)，當(dāng)然也有部分氧原子又會(huì)合成氧分子，而未被復(fù)合的氧離子在電場作用下會(huì)向玻璃運(yùn)動(dòng)與ITO靶材濺射出的粒子反應(yīng)生成ITO膜。 2000A厚的ITO膜表面結(jié)構(gòu)磁控濺射NSNS為什么要用磁控濺射沒有磁場時(shí), 電子沿直線運(yùn)動(dòng), 只有少部分電子使Ar原子電離, 大部分電直接到達(dá)陽極. 加入磁場后, 電子呈螺旋狀前進(jìn), 增加其到達(dá)陽極所走的路程, 從而提高電子撞擊Ar原子的幾率, 產(chǎn)生更多的Ar離子, 同時(shí)磁場可以使等離子體向靶材表面靠近, 這樣可以增加電流, 降低電壓, 提高濺射速率, 從而可以高速成

15、膜. ITO玻璃玻璃基板ITOSiO2ITO玻璃的結(jié)構(gòu)為什么要鍍SiO2起偏器檢偏器玻 璃玻 璃液晶層上電極下電極取向膜取向膜一般LCD用玻璃基片為鈣鈉浮法玻璃, 其內(nèi)部了鈉離子容易析出并穿過ITO膜層進(jìn)入液晶層. 由于液晶是一種高電阻率的有機(jī)材料, 而鈉離子會(huì)對(duì)液晶分子造成破壞, 從而影響顯示效果, 因此要在基板表面鍍一層致密的SiO2層阻止鈉離子析出.液晶顯示器的結(jié)構(gòu)原理圖ITO膜層參數(shù)及影響因素鍍膜工藝的三大參數(shù):1. 膜厚 2. 面電阻率 3. 透過率膜厚 在小車運(yùn)行速度相同的情況下，ITO膜厚近似與DC電源功率成正比，因此調(diào)整ITO膜厚只按正比例關(guān)系改變DC電源功率。 Ar氣量也有一

16、定影響, 氣量太高則分子密度大, 分子(離子)間的碰撞多, 降低了Ar離子的速率, 從而減小濺射速率. 另一方面, 氣量太低則產(chǎn)生的Ar離子數(shù)量少, 也會(huì)減小濺射速率. 因此應(yīng)將Ar量調(diào)節(jié)到一個(gè)最佳值, 使得濺射效率最高. 小車的運(yùn)行速度超快, 也就是生產(chǎn)節(jié)拍超快, 則鍍膜的時(shí)間超短, 膜層也就超薄.面電阻率 ITO膜厚增加時(shí), 電阻會(huì)降低, 但膜厚達(dá)到4000埃后, 電阻下降就不明顯了. O2含量的影響. 氧含量太低則氧化不足, 使表面電阻率偏高, 氧含太高則吸收電子多, 使Ar離子數(shù)減少, 從而減小濺射速率, 同樣使表面電阻率偏高. 同時(shí)氧含量也會(huì)對(duì)膜層晶格結(jié)構(gòu)造成影響, 從而影響面電阻率

17、.氧量 0ITO膜層表面結(jié)構(gòu)與氧量的關(guān)系(1)氧量高則載流子移動(dòng)速度增加但濃度減小, 反之氧量低則載流子移動(dòng)速度減小但濃度增加, 因此要設(shè)定一個(gè)最適合的氧量.ITO膜層表面結(jié)構(gòu)與氧量的關(guān)系(2)加熱系統(tǒng)ITO膜為氧化銦錫膜，主要成分為氧化銦，少量的錫是作為雜質(zhì)摻入的，銦的氧化和錫的摻入均需在一定溫度下進(jìn)行，加熱既有利于銦的氧化以獲得較高的透過率，又利于錫的摻雜以獲得較低的電阻，因此ITO鍍膜要加熱。成膜溫度高則ITO膜的面電阻率低. 這是因?yàn)殡娮杪屎洼d流子的移動(dòng)速度與濃度的乘積成反比, 而溫度上升使結(jié)晶性改善,載流子的移動(dòng)速度與濃度都會(huì)增加。ITO膜的刻蝕速率, 非晶膜和晶態(tài)膜是完全不同的,

18、非晶膜要快一些. 使用濺射法時(shí), 由于濺射粒子本身具有能量, 即使是室溫濺射, 也會(huì)有微晶存在, 完全的非晶膜是很難得到的。因此, 為了得到性能良好, 構(gòu)造均勻的完全晶態(tài)的膜層, 溫度應(yīng)在200OC左右。ITO膜層表面結(jié)構(gòu)與溫度的關(guān)系ITO膜層參數(shù)及影響因素(續(xù)) 基板的溫度也會(huì)影響膜層的結(jié)晶狀況, 從而影響面電阻率.透過率 我們測量透過率時(shí)使用的是550nm的綠光, 在膜厚100A-900A范圍內(nèi), 透過率隨膜厚增加逐漸降低, 之后又逐漸上升, 到1500A以后再次逐漸降低, 此后再升高, 再降低, 等等. 另外, 氧含量也會(huì)透過率產(chǎn)生影響.DC電源與RF電源 DC電源用于磁控濺射ITO薄膜

19、 DC電源提供直流電壓降 接交流380V 恒功率控制10kW 直流 晶閘管整流 RF電源用于射頻濺射SiO2薄膜 RF電源提供高頻電壓信號(hào) 接交流380V 恒功率控制10kW 1356MHz 高頻信號(hào)源，電子管功放靶材對(duì)于磁控濺射, 由于磁場對(duì)等離子體有集束作用, 靶材表面與磁場交界的部分受到等離子體較強(qiáng)的轟擊濺射, 這部分稱為濺刻部分(erosion). 在濺射區(qū)域, 除了等離子體轟擊靶材表面產(chǎn)生的濺射particle外, 還有二次電子, 二粒正負(fù)離子, 以及帶正電的等離子體本身的散亂反射.隨著濺射的進(jìn)行, 靶材濺刻部分除了濺射最深的一小部分外, 會(huì)產(chǎn)生黑色的析出物(突起物), 稱為Nodu

20、le. Nodule的產(chǎn)生不僅使放電阻抗增加從而降低成膜速率, 而且會(huì)引起ITO膜層表面顆粒. 關(guān)于Nodule有很多分析報(bào)告, 基本上都認(rèn)為它既不是堆積的飛來物, 也不是表面的反應(yīng)物, 而是濺射過程中的殘留物, 是靶材的一部分。解決方法包括: 高密度化, 使表面平滑, 一體化(不是拼割的), 防止濺刻部分有Particle附著, 防止靶材邊緣打弧等。另外, 在濺刻以外的地方會(huì)有濺射Particle附著形成一層膜, 由于靶材是燒結(jié)體, 此膜層的附著力較弱, 容易剝離形成Particle污染玻璃表面. 通過移動(dòng)磁場, 使整個(gè)靶材表面成為濺刻區(qū)可以解決這個(gè)問題。靶材的密度高則自身的電阻率低, 放電

21、電壓也就低, 這樣不僅鍍膜的面電阻率低, 而且可以減少打弧并抑制Nodule的產(chǎn)生, 從而減少對(duì)玻璃表面的Particle污染。常壓燒結(jié)法ITO的密度，1985年為65%，1990年增加到85%，現(xiàn)在（注：1999年）已經(jīng)開發(fā)了98%以上的靶材，并且有銷售。另外，最近開發(fā)了燒結(jié)密度為99%的靶材。靶材性能要求是，不管它是什么物質(zhì)都要滿足下面的幾個(gè)項(xiàng)目：高密度；耐熱沖擊性能好；組織均一且無偏析；微細(xì)均一的結(jié)晶顆粒；雜質(zhì)含量少。真空系統(tǒng)ITO鍍膜采用的是平面磁控濺射真空鍍膜設(shè)備。抽真空的目的是將真空室中不需要和有害的雜質(zhì)氣體(如水氣、氮?dú)?、二氧化碳?抽走。這些雜質(zhì)氣體既會(huì)造成濺射過程受影響甚至導(dǎo)

22、致不能濺射，還會(huì)影響ITO膜質(zhì)量，甚至失去透明導(dǎo)電性能，附著力也會(huì)極差，因此ITO鍍膜要抽真空。作為主要真空設(shè)備的系統(tǒng)抽粗真空主要由德國萊寶的SV630、D65B旋片泵和WSU2001、WSU1001、WSU501羅茨泵來完成，中真空由TMP1601、TMP1001渦輪分子泵抽得，在加熱室系統(tǒng)特別 配置了一臺(tái)低溫冷泵，可降到絕對(duì)溫度170K以下，主要用來吸附框架小車及玻璃基片帶來的水分。除此之外，還配置了許多真空測量儀表，用于監(jiān)測和控制系統(tǒng)的真空度。旋片機(jī)械真空泵 旋片機(jī)械泵起主要作用的部件有定子（泵殼）、轉(zhuǎn)子（泵軸）、旋片等。轉(zhuǎn)子位于泵殼里面，它與定子不同軸，實(shí)際好象兩個(gè)內(nèi)切圓。轉(zhuǎn)子槽內(nèi)裝有

23、兩塊旋片（刮板），兩旋片中間裝有彈簧，使刮板永遠(yuǎn)緊貼在泵殼內(nèi)壁。上圖說明旋片機(jī)械泵的抽氣過程。兩個(gè)旋片交替地起著兩方面的作用，一方面從進(jìn)氣口吸進(jìn)氣體，另一方面壓縮已吸進(jìn)的氣體，將它排出泵體。當(dāng)泵連續(xù)順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)容器抽氣的目的。羅茨真空泵羅茨泵結(jié)構(gòu)如圖所示。在泵內(nèi)，有兩個(gè)“8”字型的轉(zhuǎn)子相互垂直地安裝在一對(duì)平行軸上，由傳動(dòng)比為一的一對(duì)齒輪帶動(dòng)做彼此反向的同步旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。在轉(zhuǎn)子之間，轉(zhuǎn)子與泵殼內(nèi)壁之間，保持有一定的間隙，可以實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)速運(yùn)行。由于轉(zhuǎn)子的不斷旋轉(zhuǎn)，被抽氣體從進(jìn)氣口吸入到轉(zhuǎn)子與泵殼之間的空間V內(nèi)，再經(jīng)排氣口排出。由于吸氣后，空間V是全封閉狀態(tài)，所以，在泵腔內(nèi)氣體沒有壓縮和膨脹。但當(dāng)轉(zhuǎn)子頂部轉(zhuǎn)過排氣口邊緣，空間V與排氣側(cè)相通時(shí)，由于排氣側(cè)氣體壓強(qiáng)較高，則有一部分氣體返沖到空間V中去，使氣體壓強(qiáng)突然增高。當(dāng)轉(zhuǎn)子繼續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，氣體排出體外。渦輪分子泵渦輪分子泵是一種利用高速旋轉(zhuǎn)的渦輪葉片，不斷對(duì)被抽氣體分子施以定向的動(dòng)量和壓縮作用，將氣體排走的泵。由動(dòng)葉輪和靜葉輪組成的渦輪排是泵的主要組成部分。動(dòng)葉輪和靜葉輪的