濺射功率對金屬化薄膜性能的影響分析(1)

1、精選ppt1濺射功率對金屬化薄膜性能的影響分析 濺射功率對金屬化薄膜成膜速率的影響 從理論上看, 對于磁控精選ppt2濺射源, 鍍膜沉積速率都會隨著靶功率的增大而增大, 二者具有較好的線性關(guān)系。由于在異常輝光放電中, 電流的增大, 必然導(dǎo)精選ppt3致電流密度成比例地增加, 而電流密度的增加會引起電場的進一步畸變, 使陰極位降區(qū)的長度不斷減少, 維持放電所必須的陰極位精選ppt4降將進一步增加, 撞擊陰極的正離子數(shù)目及動能都大為增加, 在陰極表面發(fā)生濺射作用也要強烈得多, 致使沉積速率增大。實驗保精選ppt5持其他條件不變, 測試了不同功率密度下Cr 靶、Ni- Cu 靶和Ag 靶的成膜速率如

2、圖1。圖1 不同濺射功率下各個精選ppt6靶的成膜速率 可見, 隨著濺射功率密度的增加, 濺射靶的濺射速率迅速增加, 在超過20 Wcm- 2精選ppt7以后濺射速率增加明顯變緩。 但是需要指出的是, 靶材承受的功率是有限的。靶面溫度過高會導(dǎo)致靶材熔化或引起精選ppt8弧光放電。因此靶功率應(yīng)當在靶材允許值范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。因此提高鍍膜速率的工藝原則應(yīng)當盡可能接近允許值; 靶電壓盡可能接近最佳值精選ppt9。從實驗結(jié)果看, 20 Wcm- 2 的濺射功率比較合適。濺射功率對金屬化薄膜形貌的影響 由于在濺精選ppt10射過程中, 濺射功率不是完全用于濺射的, 還有用于靶材發(fā)熱、 光子和 射線發(fā)射、二次電

3、子發(fā)射等, 對于后面的幾種能量精選ppt11消耗來說, 可以認為是無用功5,6。因此, 當濺射功率較小時, 用于濺射時的有用功達不到要求, 無法進行輝光放電,精選ppt12濺射也就無法進行。當濺射功率過大時, 有用功雖然足夠了, 但薄膜的沉積速率太快, 導(dǎo)致基片溫度升高, 從而使薄膜均勻性不精選ppt13好,致密度也達不到要求。因此, 濺射功率過大或過小, 均不能滿足要求。 實驗保持其他條件不變, 測試觀察了精選ppt14不同濺射功率密度下制備的金屬化薄膜的表面形貌, 如圖2 所示。 當功率較低時(圖2a) , 膜層很薄,精選ppt15甚至有的區(qū)域還未形成完整的覆蓋層。當濺射功率較高時(圖2c

4、), 薄膜結(jié)構(gòu)中有很多孔隙, 膜層疏松。就薄膜的致密性和完整精選ppt16性而言, 濺射功率密度為20Wcm- 2( 圖2b)時較理想, 其柱狀晶粒度明顯要小于功率在10 Wcm- 2 和3精選ppt170 Wcm- 2 的柱狀晶粒度, 進一步說明了結(jié)晶情況與濺射功率的關(guān)系。而且可以看出隨著晶粒的長大, 柱狀組織間的空隙精選ppt18減少。這是由于功率增大會引起沉積速率增大, 其薄膜臨界核半徑與臨界形核自由能均隨之降低, 從而導(dǎo)致高的形核速率和細密的薄精選ppt19膜組織。當功率過大時, 沉積速率太快, 反而破壞膜層組織結(jié)構(gòu)。圖2 不同濺射功率下的薄膜表面形貌濺射功率對薄膜性能的acdb,鍍膜

5、機 ,精選ppt20影響濺射功率對金屬化薄膜性能的影響 隨著功率的增大, 濺射原子的能量增大, 部分高能量的濺射原子會使精選ppt21基片表層產(chǎn)生缺陷,成為薄膜新相的成核中心, 隨著薄膜的生長, 自由能下降, 在基片與薄膜之間形成一層濺射原子與基片原子相精選ppt22互融合的偽擴散層, 這樣提高了薄膜與基片的附著力。同時高能量的濺射原子沉積在基片上產(chǎn)生較高的熱能, 也會增強薄膜與基片的精選ppt23附著力。此外功率的改變亦會影響膜的生長方式, 改善膜組織, 從而對膜的塑性、強度等性能指標造成影響, 進而影響結(jié)合強度。精選ppt24但是過高的功率密度要求靶具有很強的冷卻, 同時鐵氧體基片會升溫, 破壞膜層結(jié)構(gòu), 降低膜層的致密性和均勻度, 顯著影響其精選ppt25焊接性能。并且過快的沉積速率會使金屬化膜層內(nèi)應(yīng)力過大, 反而降低結(jié)合力。 實驗保持其他條件不變, 在不精選ppt26同濺射功率下制備了Cr (150 nm)/Ni- Cu (460 nm)/Ag(200 nm) 結(jié)構(gòu)的金屬化薄膜,可以看精選ppt27出, 初期隨著濺射功率的增加, 薄膜抗拉強度和焊接性能都明顯提高; 當濺射功率超過20 Wcm- 2