適合初學(xué)者看的能帶理論ppt課件

1、前言前言第第 八八 章章 晶體的能帶構(gòu)造晶體的能帶構(gòu)造從從STM得到的硅晶體得到的硅晶體外表的原子構(gòu)造圖外表的原子構(gòu)造圖物理學(xué)前言之一物理學(xué)前言之一資料的性質(zhì)資料的性質(zhì)大規(guī)模集成電路大規(guī)模集成電路半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器超導(dǎo)超導(dǎo)人工微構(gòu)造人工微構(gòu)造8.1 晶體的能帶晶體的能帶 一一. 電子共有化電子共有化晶體具有大量分子、原子或離子有規(guī)那么晶體具有大量分子、原子或離子有規(guī)那么陳列的點(diǎn)陣構(gòu)造。陳列的點(diǎn)陣構(gòu)造。電子遭到周期性勢(shì)場(chǎng)的作用。電子遭到周期性勢(shì)場(chǎng)的作用。a按量子力學(xué)須解定態(tài)薛定格方程。按量子力學(xué)須解定態(tài)薛定格方程。 解定態(tài)薛定格方程解定態(tài)薛定格方程(略，略， 可以得出兩點(diǎn)重要結(jié)論：可以得出

2、兩點(diǎn)重要結(jié)論：1.電子的能量是分立的能級(jí)電子的能量是分立的能級(jí);2.電子的運(yùn)動(dòng)有隧道效應(yīng)。電子的運(yùn)動(dòng)有隧道效應(yīng)。原子的外層電子原子的外層電子(高能級(jí)高能級(jí))， 勢(shì)壘穿透概率勢(shì)壘穿透概率較大，較大， 電子可以在整個(gè)晶體中運(yùn)動(dòng)電子可以在整個(gè)晶體中運(yùn)動(dòng), 稱為稱為共有化電子。共有化電子。原子的內(nèi)層電子與原子核結(jié)合較緊原子的內(nèi)層電子與原子核結(jié)合較緊,普通普通不是不是 共有化電子。共有化電子。二二. 能帶能帶 (energy band) 量子力學(xué)計(jì)算闡明，晶體中假設(shè)有量子力學(xué)計(jì)算闡明，晶體中假設(shè)有N個(gè)個(gè)原子，由于各原子間的相互作用，對(duì)應(yīng)于原子，由于各原子間的相互作用，對(duì)應(yīng)于原來孤立原子的每一個(gè)能級(jí)原來孤

3、立原子的每一個(gè)能級(jí),在晶體中變?cè)诰w中變成了成了N條靠得很近的能級(jí)條靠得很近的能級(jí),稱為能帶。稱為能帶。晶體中的電子能級(jí)晶體中的電子能級(jí)有什么特點(diǎn)？有什么特點(diǎn)？能帶的寬度記作能帶的寬度記作 E ，數(shù)量級(jí)為，數(shù)量級(jí)為 EeV。 假設(shè)假設(shè)N1023,那么能帶中兩能級(jí)的間距約那么能帶中兩能級(jí)的間距約10-23eV。普通規(guī)律：普通規(guī)律： 1. 越是外層電子，能帶越寬，越是外層電子，能帶越寬， E越大。越大。 2. 點(diǎn)陣間距越小，能帶越寬，點(diǎn)陣間距越小，能帶越寬， E越大。越大。 3. 兩個(gè)能帶有可以重疊。兩個(gè)能帶有可以重疊。離子間距離子間距a2P2S1SE0能帶重疊表示圖能帶重疊表示圖三三 . 能帶中

4、電子的排布能帶中電子的排布 晶體中的一個(gè)電子只能處在某個(gè)能帶中的晶體中的一個(gè)電子只能處在某個(gè)能帶中的 某一能級(jí)上。某一能級(jí)上。 排布原那么：排布原那么： 1. 服從泡里不相容原理費(fèi)米子服從泡里不相容原理費(fèi)米子 2. 服從能量最小原理服從能量最小原理設(shè)孤立原子的一個(gè)能級(jí)設(shè)孤立原子的一個(gè)能級(jí) Enl ，它最多能，它最多能包容包容 2 (2 +1)個(gè)電子。個(gè)電子。l這一能級(jí)分裂成由這一能級(jí)分裂成由 N條能級(jí)組成的能帶后，條能級(jí)組成的能帶后，能帶最多能包容能帶最多能包容 2N(2l +1)個(gè)電子。個(gè)電子。 電子排布時(shí)，應(yīng)從最低的能級(jí)排起。電子排布時(shí)，應(yīng)從最低的能級(jí)排起。 有關(guān)能帶被占據(jù)情況的幾個(gè)名詞：

5、有關(guān)能帶被占據(jù)情況的幾個(gè)名詞： 1滿帶排滿電子滿帶排滿電子 2價(jià)帶能帶中一部分能級(jí)排滿電子價(jià)帶能帶中一部分能級(jí)排滿電子 亦稱導(dǎo)帶亦稱導(dǎo)帶 3空帶未排電子空帶未排電子 亦稱導(dǎo)帶亦稱導(dǎo)帶 4禁帶不能排電子禁帶不能排電子2、3能帶，最多包容能帶，最多包容 6N個(gè)電子。個(gè)電子。例如，例如，1、2能帶，最多包容能帶，最多包容 2N個(gè)電子。個(gè)電子。2N(2l+1)一一. 布洛赫定理布洛赫定理一個(gè)在周期場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的電子的波函數(shù)應(yīng)一個(gè)在周期場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的電子的波函數(shù)應(yīng)具有哪些根本特點(diǎn)？具有哪些根本特點(diǎn)？在量子力學(xué)建立以后，布洛赫在量子力學(xué)建立以后，布洛赫F.Bloch和布里淵和布里淵Brillouin等人就努力于研

6、討等人就努力于研討周期場(chǎng)中電子的運(yùn)動(dòng)問題。他們的義務(wù)為周期場(chǎng)中電子的運(yùn)動(dòng)問題。他們的義務(wù)為晶體中電子的能帶實(shí)踐奠定了根底。晶體中電子的能帶實(shí)踐奠定了根底。布洛赫定理指出了在周期場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的電子布洛赫定理指出了在周期場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的電子波函數(shù)的特點(diǎn)。波函數(shù)的特點(diǎn)。8.2補(bǔ)充補(bǔ)充 布洛赫定理布洛赫定理 空間空間k在一維情形下，周期場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的電子能量在一維情形下，周期場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的電子能量E(k)和波函數(shù)和波函數(shù) 必需滿足定態(tài)薛定諤方程必需滿足定態(tài)薛定諤方程 )(xk )1()()()()(2222xkExxVdxdmkk k -表示電子外形的角波數(shù)表示電子外形的角波數(shù)V( x ) -周期性的勢(shì)能函數(shù)，它滿足周

7、期性的勢(shì)能函數(shù)，它滿足 V( x ) = V( x + n a ) a - 晶格常數(shù)晶格常數(shù) n -恣意整數(shù)恣意整數(shù)布洛赫定理：布洛赫定理：)()(naxuxukk 式中式中 也是以也是以a為周期的周期函數(shù)，為周期的周期函數(shù)，即即 * )(xuk注注*：關(guān)于布洛赫定理的證明，有興趣的讀者：關(guān)于布洛赫定理的證明，有興趣的讀者 可以查閱可以查閱黃昆原著黃昆原著 韓汝琦改編韓汝琦改編 1988P154具有具有(2)式方式的波函數(shù)稱為布洛赫波函數(shù)式方式的波函數(shù)稱為布洛赫波函數(shù),或布洛赫函數(shù)?；虿悸搴蘸瘮?shù)。)2()()(xuexkxkik 滿足滿足1式的定態(tài)波函數(shù)必定具有如下的式的定態(tài)波函數(shù)必定具有如下

8、的特殊方式特殊方式 布洛赫定理闡明了一個(gè)在周期場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的電子布洛赫定理闡明了一個(gè)在周期場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的電子波函數(shù)為：一個(gè)自在電子波函數(shù)波函數(shù)為：一個(gè)自在電子波函數(shù) 與一個(gè)具有與一個(gè)具有晶體構(gòu)造周期性的函數(shù)晶體構(gòu)造周期性的函數(shù) 的乘積。的乘積。xkie)(xuk 只需在只需在 等于常數(shù)時(shí)，在周期場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)等于常數(shù)時(shí)，在周期場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的的 電子的波函數(shù)才完全變?yōu)樽栽陔娮拥牟ê瘮?shù)。電子的波函數(shù)才完全變?yōu)樽栽陔娮拥牟ê瘮?shù)。)(xuk 這在物理上反映了晶體中的電子既有共有化的這在物理上反映了晶體中的電子既有共有化的 傾向，又有遭到周期地陳列的離子的束縛的特點(diǎn)。傾向，又有遭到周期地陳列的離子的束縛的特點(diǎn)。 因此，布

9、洛赫函數(shù)是比自在電子波函數(shù)因此，布洛赫函數(shù)是比自在電子波函數(shù) 更接近實(shí)際情況的波函數(shù)。更接近實(shí)際情況的波函數(shù)。 它是按照晶格的周期它是按照晶格的周期 a 調(diào)幅的行波。調(diào)幅的行波。 實(shí)際的晶體體積總是有限的。因此必需實(shí)際的晶體體積總是有限的。因此必需思索邊境條件。思索邊境條件。 設(shè)一維晶體的原子數(shù)為設(shè)一維晶體的原子數(shù)為N,它的線度為它的線度為 L=Na,那么布洛赫波函數(shù)那么布洛赫波函數(shù) 應(yīng)滿足如下條件應(yīng)滿足如下條件)(xk )3()()(Naxxkk 此式稱為周期性邊境條件。此式稱為周期性邊境條件。二二 . 周期性邊境條件周期性邊境條件采用周期性邊境條件以后，具有采用周期性邊境條件以后，具有 N

10、 個(gè)晶格點(diǎn)的個(gè)晶格點(diǎn)的晶體就相當(dāng)于首尾銜接起來的圓環(huán)：晶體就相當(dāng)于首尾銜接起來的圓環(huán)： 在固體問題中，為了既思索在固體問題中，為了既思索到晶體勢(shì)場(chǎng)的周期性，又思索到晶體是有限到晶體勢(shì)場(chǎng)的周期性，又思索到晶體是有限的，我們經(jīng)常合理地采用周期性邊境條件：的，我們經(jīng)常合理地采用周期性邊境條件：由周期性邊境條件可以推出由周期性邊境條件可以推出:布洛赫波函數(shù)布洛赫波函數(shù) 的的波數(shù)波數(shù) k 只能取一些特定的分立值。只能取一些特定的分立值。aa周期性邊境條件對(duì)波函數(shù)中的波數(shù)是有影響的。周期性邊境條件對(duì)波函數(shù)中的波數(shù)是有影響的。圖圖 2 周期性邊境條件表示圖周期性邊境條件表示圖左邊為左邊為)()(xuexkx

11、kik )(xueekkxikNai )(xekkNai )()()(NaxueNaxkNaxkik 右邊為右邊為所以所以1 kNaie), 2, 1, 0(2 nnkNa )3()()(Naxxkk 由周期性邊境條件由周期性邊境條件即周期性邊境條件使即周期性邊境條件使 k 只能取分立值：只能取分立值：), 2, 1, 0(22 nLnNank 證明如下證明如下:按照布洛赫定理：按照布洛赫定理：), 2, 1, 0(22 nLnNank k 是代表電子外形的角波數(shù)是代表電子外形的角波數(shù), n 是代表電子外形的量子數(shù)。是代表電子外形的量子數(shù)。對(duì)于三維情形對(duì)于三維情形,電子外形由一組量子數(shù)電子外形

12、由一組量子數(shù)(nx、 ny、nz)來代表。來代表。 它對(duì)應(yīng)一組外形角波數(shù)它對(duì)應(yīng)一組外形角波數(shù)kx、 ky、 kz。一個(gè)一個(gè) 對(duì)應(yīng)電子的一個(gè)外形。對(duì)應(yīng)電子的一個(gè)外形。k我們以我們以 為三個(gè)直角坐標(biāo)軸，建立為三個(gè)直角坐標(biāo)軸，建立一個(gè)假想的空間。這個(gè)空間稱為波矢空間、一個(gè)假想的空間。這個(gè)空間稱為波矢空間、 空間，或動(dòng)量空間空間，或動(dòng)量空間*。 kx、 ky、 kzk由于德布洛意關(guān)系由于德布洛意關(guān)系 ，即，即 ，所以所以 空間也稱為動(dòng)量空間。空間也稱為動(dòng)量空間。 hP kP k注：注：), 2, 1, 0(2 xxxnnLk ), 2, 1, 0(2 yyynnLk ), 2, 1, 0(2 zzzn

13、nLk 在在 空間中，電子的每個(gè)外形可以用空間中，電子的每個(gè)外形可以用一個(gè)外形點(diǎn)來表示，這個(gè)點(diǎn)的坐標(biāo)是一個(gè)外形點(diǎn)來表示，這個(gè)點(diǎn)的坐標(biāo)是k三三. 空間空間k), 2, 1, 0(2 xxxnnLk kykx0-112-23-31-12-2-33L 2L 2上式通知我們，沿上式通知我們，沿 空間的每個(gè)坐標(biāo)軸方向，空間的每個(gè)坐標(biāo)軸方向，電子的相鄰兩個(gè)外形點(diǎn)之間的間隔都是電子的相鄰兩個(gè)外形點(diǎn)之間的間隔都是 。L 2k圖圖 3 表示二維表示二維 空間每個(gè)點(diǎn)所占的面積是空間每個(gè)點(diǎn)所占的面積是 。22 L k因此，因此， 空間中每個(gè)外形點(diǎn)所占的體積為空間中每個(gè)外形點(diǎn)所占的體積為 。 32 L k圖圖 3 二

14、維二維 空間空間 表示圖表示圖k 8.3 克朗尼格克朗尼格- 朋奈模型朋奈模型 能帶中的能級(jí)數(shù)目能帶中的能級(jí)數(shù)目 一一 . 克朗尼格克朗尼格- 朋奈模型朋奈模型 能帶實(shí)踐是單電子近似實(shí)踐。能帶實(shí)踐是單電子近似實(shí)踐。 布洛赫定理指出，一個(gè)在周期場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的電子，布洛赫定理指出，一個(gè)在周期場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的電子，其波函數(shù)一定是布洛赫函數(shù)。其波函數(shù)一定是布洛赫函數(shù)。 下面我們經(jīng)過一個(gè)最簡(jiǎn)單的一維周期場(chǎng)下面我們經(jīng)過一個(gè)最簡(jiǎn)單的一維周期場(chǎng)-克朗尼格克朗尼格- 朋奈朋奈Kroning-Penney模型來闡明模型來闡明晶體中電子的能量特點(diǎn)。晶體中電子的能量特點(diǎn)。 周期性邊境條件的周期性邊境條件的引入引入,闡明了電子的

15、外形是分立的。闡明了電子的外形是分立的。 它把每個(gè)電子的它把每個(gè)電子的運(yùn)動(dòng)看成是獨(dú)立地在一個(gè)等效勢(shì)場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)。運(yùn)動(dòng)看成是獨(dú)立地在一個(gè)等效勢(shì)場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)。 如今再來闡明電子的能量有什么特點(diǎn)？如今再來闡明電子的能量有什么特點(diǎn)？回想：回想： 克朗尼格克朗尼格- 朋奈模型是把圖朋奈模型是把圖1的周期場(chǎng)簡(jiǎn)化為的周期場(chǎng)簡(jiǎn)化為圖圖 4 所示的周期性方勢(shì)阱。假設(shè)電子是在這樣的所示的周期性方勢(shì)阱。假設(shè)電子是在這樣的周期勢(shì)場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)。周期勢(shì)場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)。在在 0 x a 一個(gè)周期的區(qū)域中，電子的勢(shì)能為一個(gè)周期的區(qū)域中，電子的勢(shì)能為 )()0(0)(0axcUcxxU0caU0U(x)xb圖圖 4 克朗尼格克朗尼格 - 朋

16、奈模型朋奈模型按照布洛赫定理，波函數(shù)應(yīng)有以下方式按照布洛赫定理，波函數(shù)應(yīng)有以下方式)()(xuexkxkik 式中式中 )()(naxuxukk 0)(2222 kkxUEmxdd 即可得到即可得到 滿足的方程滿足的方程)(xuk)(xk 將波函數(shù)將波函數(shù) 代入定態(tài)薛定諤方程代入定態(tài)薛定諤方程 0)(222222 kkkukxUEmdxduikxdud利用波函數(shù)應(yīng)滿足的有限、單值、延續(xù)等物理利用波函數(shù)應(yīng)滿足的有限、單值、延續(xù)等物理自然條件，進(jìn)展一些必要的推導(dǎo)和簡(jiǎn)化，自然條件，進(jìn)展一些必要的推導(dǎo)和簡(jiǎn)化，最后可以得出下式最后可以得出下式 )4()cos()cos(sin20kaaaabmaU 注注

17、*：有興趣的讀者可參閱固體物理根底：有興趣的讀者可參閱固體物理根底 蔡伯熏編蔡伯熏編1990P 268。式中式中mE2 而而 是電子波的角波數(shù)是電子波的角波數(shù)*。 2 k4式就是電子的能量式就是電子的能量 E 應(yīng)滿足的方程應(yīng)滿足的方程,也是電子也是電子能量能量 E與角波數(shù)與角波數(shù) k 之間的關(guān)系式。之間的關(guān)系式。 )4()cos()cos(sin20kaaaabmaU (4)式的左邊是式的左邊是 能量能量E 的一個(gè)較復(fù)雜的函數(shù)，記作的一個(gè)較復(fù)雜的函數(shù)，記作 f(E)；由于由于 ，所以使所以使 的的 E 值值都不滿足方程。都不滿足方程。1cos ka1)( Ef以以下圖以以下圖5 為為 給出了一

18、定的給出了一定的 a、b、U0 數(shù)值后的數(shù)值后的 f(E)：右邊是角波數(shù)右邊是角波數(shù) k 的函數(shù)。的函數(shù)。 由圖看出，在允許取的由圖看出，在允許取的 E值暫且稱為能級(jí)之間，值暫且稱為能級(jí)之間，有一些不允許取的有一些不允許取的 E值暫且稱為能隙。值暫且稱為能隙。下面下面 的圖的圖 6 為為E k 曲線的某種表達(dá)圖式。曲線的某種表達(dá)圖式。圖圖 5 f(E)函數(shù)圖函數(shù)圖f(E)EE2E3E5E4E6E7E1a a 2a 3a 3 a a 2 0kE圖圖 6 E k 曲線的表達(dá)圖式曲線的表達(dá)圖式兩個(gè)相鄰能帶之兩個(gè)相鄰能帶之間的能量區(qū)域稱間的能量區(qū)域稱為禁帶。為禁帶。晶體中電子的能量晶體中電子的能量只能

19、取能帶中的數(shù)只能取能帶中的數(shù)值，而不能取禁帶值，而不能取禁帶中的數(shù)值。中的數(shù)值。圖中圖中 為為“答應(yīng)的能量，答應(yīng)的能量，稱為能帶稱為能帶*。E2E3E5E4E6E7E1a a 2a 3a 3 a a 2 0kE圖圖 6 E k 曲線的表達(dá)圖式曲線的表達(dá)圖式E k 曲線與曲線與 a 有關(guān)、與有關(guān)、與 U0b 乘積有關(guān)。乘積有關(guān)。乘積乘積 U0b 反映了勢(shì)壘的強(qiáng)弱。反映了勢(shì)壘的強(qiáng)弱。 )4()cos()cos(sin20kaaaabmaU 由于原子的內(nèi)層電子遭到原子核的束縛較大，由于原子的內(nèi)層電子遭到原子核的束縛較大， 與外層電子相比，它們的勢(shì)壘強(qiáng)度較大。與外層電子相比，它們的勢(shì)壘強(qiáng)度較大。 計(jì)算

20、闡明：計(jì)算闡明： U0b 的數(shù)值越大所得到的能帶越窄。的數(shù)值越大所得到的能帶越窄。所以，內(nèi)層電子的能帶較窄。所以，內(nèi)層電子的能帶較窄。 外層電子的能帶較寬。外層電子的能帶較寬。 從從 E k 曲線還可以曲線還可以 看出：看出： k 值越大，值越大， 相應(yīng)的能帶越寬。相應(yīng)的能帶越寬。 由于晶體點(diǎn)陣常數(shù)由于晶體點(diǎn)陣常數(shù) a 越小，相應(yīng)于越小，相應(yīng)于 k 值越大。值越大。), 2, 1, 0(22 nLnNank 因此，晶體點(diǎn)陣常數(shù)因此，晶體點(diǎn)陣常數(shù) a 越小，能帶的寬度就越大。越小，能帶的寬度就越大。 有的能帶甚至可以出現(xiàn)重疊的景象。有的能帶甚至可以出現(xiàn)重疊的景象。這些都與這些都與 8.1 節(jié)節(jié)“

21、概述中引見的結(jié)論是一致的。概述中引見的結(jié)論是一致的。E2E3E5E4E6E7E1a a 2a 3a 3 a a 2 0kE圖圖 6 E k 曲線的表達(dá)圖式曲線的表達(dá)圖式二二 . 能帶中的能級(jí)數(shù)能帶中的能級(jí)數(shù) 晶體中電子的能量不能取禁帶中的數(shù)值，晶體中電子的能量不能取禁帶中的數(shù)值，只能取能帶中的數(shù)值。由只能取能帶中的數(shù)值。由 圖圖 5 可以看出：可以看出：第一能帶第一能帶 k 的取值范圍為的取值范圍為 aa 第二能帶第二能帶 k 的取值范圍為的取值范圍為 aaaa 2,2 第三能帶第三能帶 k 的取值范圍為的取值范圍為 aaaa 32,23 每個(gè)能帶所對(duì)應(yīng)的每個(gè)能帶所對(duì)應(yīng)的 k 的取值范圍都是的

22、取值范圍都是 * 。a 2注注* ：我們把以原點(diǎn)為中心的第一能帶所處的：我們把以原點(diǎn)為中心的第一能帶所處的 k 值值 范圍稱為第一布里淵區(qū)范圍稱為第一布里淵區(qū);第二、第三能帶所處的第二、第三能帶所處的 k值范圍稱為第二、第三布里淵區(qū)，并以此類推。值范圍稱為第二、第三布里淵區(qū)，并以此類推。NNaaLa 2222所以，晶體中電子的能帶中有所以，晶體中電子的能帶中有 N 個(gè)能級(jí)。個(gè)能級(jí)。電子在晶體中按能級(jí)是如何排布的呢？電子在晶體中按能級(jí)是如何排布的呢？電子是費(fèi)密子，它的排布原那么有以下兩條：電子是費(fèi)密子，它的排布原那么有以下兩條：1 服從泡里不相容原理服從泡里不相容原理2 服從能量最小原理服從能量

23、最小原理而在而在 空間每個(gè)外形點(diǎn)所占有的長(zhǎng)度為空間每個(gè)外形點(diǎn)所占有的長(zhǎng)度為 ，因此，每一能帶中所包含的外形數(shù)能級(jí)數(shù)為因此，每一能帶中所包含的外形數(shù)能級(jí)數(shù)為L(zhǎng) 2k每個(gè)能帶所對(duì)應(yīng)的每個(gè)能帶所對(duì)應(yīng)的 k 的取值范圍都是的取值范圍都是 。a 2對(duì)于孤立原子的一個(gè)能級(jí)對(duì)于孤立原子的一個(gè)能級(jí) Enl 按照泡里不相容原理，按照泡里不相容原理，最多能包容最多能包容 22 l +1個(gè)電子。個(gè)電子。在構(gòu)成固體后，這一能級(jí)分裂成在構(gòu)成固體后，這一能級(jí)分裂成 由由 N 條能級(jí)組成條能級(jí)組成的能帶了，它最多能包容的電子數(shù)為的能帶了，它最多能包容的電子數(shù)為 2N(2l+1)個(gè)。個(gè)。例如，對(duì)孤立原子的例如，對(duì)孤立原子的1

24、S、2S能級(jí)能級(jí),在構(gòu)成固體后相應(yīng)在構(gòu)成固體后相應(yīng)地成為兩個(gè)能帶。它們最多能包容的電子數(shù)為地成為兩個(gè)能帶。它們最多能包容的電子數(shù)為 2N個(gè)。個(gè)。 對(duì)孤立原子的對(duì)孤立原子的 2P、3P能級(jí)能級(jí), 在構(gòu)成固體后也相應(yīng)地在構(gòu)成固體后也相應(yīng)地成為兩個(gè)能帶。它們最多能包容的電子數(shù)為成為兩個(gè)能帶。它們最多能包容的電子數(shù)為 6N個(gè)。個(gè)。電子排布時(shí)還得按照能量最小原理電子排布時(shí)還得按照能量最小原理從最低的能級(jí)排起。從最低的能級(jí)排起。孤立原子的最外層電子能級(jí)可以填滿了電子也孤立原子的最外層電子能級(jí)可以填滿了電子也可以未填滿了電子。假設(shè)原來填滿電子的，可以未填滿了電子。假設(shè)原來填滿電子的，在構(gòu)成固體時(shí)，其相應(yīng)的能帶也填滿了電子。在構(gòu)成固體時(shí)，其相應(yīng)的能帶也填滿了電子。假設(shè)孤立原子中較高的電子能級(jí)上沒有電子，假設(shè)孤立原子中較高的電子能級(jí)上沒有電子，在構(gòu)成固體時(shí)，其相應(yīng)的能帶上也沒有電子。在構(gòu)成固體時(shí)，其相應(yīng)的能帶上也沒有電子。假設(shè)原來未填滿電子的，假設(shè)原來未填滿電子的，在構(gòu)成固體時(shí)，其相應(yīng)的能帶也未填滿電子。在構(gòu)成固體時(shí)，其相應(yīng)的能帶也未填滿電子。孤立原子的內(nèi)層電子能級(jí)普通都是填滿的，孤立原子的內(nèi)層電子能級(jí)普通都是填滿的，在構(gòu)成固體時(shí)，其相應(yīng)的能