X射線物理學(xué)基礎(chǔ)PPT課件

1、 1895年，德國物理學(xué)家倫琴（Rontgen W.C）在研究陰極射線時發(fā)現(xiàn)了X射線。1901年，首屆諾貝爾物理學(xué)獎授予倫琴， 以表彰他發(fā)現(xiàn)了對物理學(xué)界有重大影響意義的X射線。 X射線、放射性和電子被稱為世紀(jì)之交的三大發(fā)現(xiàn)。 X射線的發(fā)現(xiàn)像一聲春雷，喚醒了沉睡的物理學(xué)界。由此而引發(fā)了一系列重大的發(fā)現(xiàn)，把人們的注意力引向更深入、更廣闊的天地，從而揭開了現(xiàn)代物理學(xué)的序幕。第1頁/共71頁1905年，德國基爾大學(xué)的勒納德。陰極射線。1914年，德國法蘭克福大學(xué)的勞厄，晶體的X射線衍射。1915年，英國的亨利布拉格和勞倫斯布拉格，X射線分析晶體結(jié)構(gòu)。1917年，英國巴克拉，發(fā)現(xiàn)了標(biāo)識X射線。1921年

2、，愛因斯坦，光電效應(yīng)。1924年，瑞典卡爾西格班，X射線光譜學(xué)。1937年，美國戴維森和英國G.P.湯姆孫，用晶體對電子進行衍射。第2頁/共71頁 勞埃在1912年進行的晶體衍射實驗結(jié)果證明：X射線是一種波長很短的電磁波，也揭示了物質(zhì)內(nèi)部原子規(guī)則排列的特性。第3頁/共71頁 在電磁波譜上，在電磁波譜上，X射射線處于紫外線和線處于紫外線和射線之間，射線之間，波長約為波長約為0.0110nm，用，用于衍射分析的于衍射分析的X射線波長射線波長一般為一般為0.050.25nm。X射射線具有波粒二相性，線具有波粒二相性，而粒而粒子性表現(xiàn)突出，子性表現(xiàn)突出，可視為具可視為具有一定能量的光量子流。有一定能量

3、的光量子流。第4頁/共71頁AX射線X射線CeUimAkV220V陽極靶材陰極燈絲板狀陽極板狀陽極A和陰極和陰極C密封密封在玻璃金屬管殼內(nèi)；在玻璃金屬管殼內(nèi)；陰極通電加熱；陰極通電加熱；在陽極和陰極間加直流在陽極和陰極間加直流高壓高壓U；陰極產(chǎn)生的大量熱電子陰極產(chǎn)生的大量熱電子將在高壓電場作用下飛向?qū)⒃诟邏弘妶鲎饔孟嘛w向陽極；陽極；熱電子熱電子e e轟擊陽極的瞬間轟擊陽極的瞬間產(chǎn)生產(chǎn)生X X射線。射線。 第5頁/共71頁 X射線的波長從最小值SWL（短波限）向長波方向伸展，強度隨波長連續(xù)變化，且在m處有一最大值。 連續(xù)X射線譜43210X射線的強度（相對單位）SWL0.050.10.15m（n

4、m）第6頁/共71頁 連續(xù)X 射線譜受管電壓U U、管電流i i和陽極靶材的原子序數(shù)Z Z三個因素作用。 a）管電壓的影響 b）管電流的影響 c）陽極靶原子序的影響 543210X射線的強度（相對單位）X射線的強度（相對單位）X射線的強度（相對單位）SWLm0.050.10.1550kV4030201050mA4030201092U78Pt74W47Ag42Mo29Cu24Cr13AlSWLSWLm第7頁/共71頁U、i、Z三個因素決定了連續(xù)譜的總強度，即 21iUdIISWL)(連ZUKiUI1連產(chǎn)生連續(xù)譜時，X射線管的效率 可見，管電壓越高，陽極靶材的原子序越大，可見，管電壓越高，陽極靶材

5、的原子序越大，X X射線管的效率越高射線管的效率越高。 一個光量子所可能獲得的最大能量為SWLcheUmaxUm104 .12UC10602. 1sm10998. 2sJ10626. 6eUhc7191834SWLeUhmax此光量子的波長即為短波限SWL連續(xù)譜是如何形成的？為什么存在短波限？第8頁/共71頁 當(dāng)管電壓增高到Uk時，在連續(xù)譜上，會出現(xiàn)一系列強度很高、波長范圍很窄的線狀光譜，它們的波長對一定材料的陽極靶有嚴(yán)格恒定的數(shù)值，此波長可作為陽極靶材的標(biāo)志或特征，故稱為特征譜或標(biāo)識譜。特征X射線譜/nmKK 特征譜的波長不受管電壓、管電流的影響，只決定于陽極靶材元素的原子序。莫塞萊定律表明

6、：陽極靶材的原子序數(shù)越大，相應(yīng)于同一系的特征譜波長越短。 ZK21第9頁/共71頁X射線的強度（相對單位）0.020.040.060.080.1/nm202535kVKKMgKLM入射電子MgK光子MgK光子二次電子（自由電子）特征X射線的產(chǎn)生 由于在K激發(fā)態(tài)下，L層電子向K層躍遷的幾率遠(yuǎn)大于M層躍遷的幾率，所以K譜線的強度約為K的五倍。 第10頁/共71頁 在多晶材料的衍射分析中總是希望應(yīng)用以特征譜為主的單色光源，即有盡可能高的I特/I連。對K系譜線，當(dāng)U/Uk4時I特/I連獲最大值。所以X射線管適宜的工作電壓U（35）Uk。 陽極靶元素原子序數(shù)K系特征譜波長（0.1nm）UK（kV）U適宜

7、（kV）KKCr242.291002.084875.432025Fe261.9373551.756616.42530Co271.7902601.620796.9330Ni281.6591891.5001357.473035Cu291.5418381.3922188.043540Mo420.7107300.63228817.445055第11頁/共71頁入射到某物質(zhì)的X射線分為穿透和吸收兩部分。 X-ray使氣體電離使氣體電離使熒光物質(zhì)發(fā)光使熒光物質(zhì)發(fā)光強的穿透能力強的穿透能力當(dāng)X射線與物質(zhì)相遇時，會產(chǎn)生一系列效應(yīng)，這是X射線應(yīng)用的基礎(chǔ)。第12頁/共71頁xI0dxIt X射線通過深度為x 處的

8、dx 厚度物質(zhì)，其強度的衰減dIx 與dx 成正比。 dxIdIlxxttlleIIeII00即：透射系數(shù) 線吸收系數(shù) X射線通過物質(zhì)后的衰減 It X射線強度隨透入深度的指數(shù)衰減關(guān)系 第13頁/共71頁線吸收系數(shù)l表明物質(zhì)對X射線的吸收特性。 dxIdIxxl1可知，l是X射線通過單位厚度（單位體積）物質(zhì)的相對衰減量。 質(zhì)量吸收系數(shù)m /lmmtmmeIeII00 m的物理意義：m指X射線通過單位面積上單位質(zhì)量物質(zhì)后強度的相對衰減量，是反映物質(zhì)本身對X射線吸收特性的物理量。 m取決于吸收物質(zhì)的原子序數(shù)Z和X射線的波長 。334ZKm 可見，物質(zhì)的原子序數(shù)越大，對X射線的吸收能力最強；對一定的

9、吸收體，X射線的波長越短，穿透能力越強，表現(xiàn)為吸收系數(shù)的下降。 第14頁/共71頁m理想m隨入射波長的變化（Z一定） 334ZKmmKLLL實際m隨入射波長的變化（Z一定） 每種物質(zhì)都有本身確定的一系列吸收限，這種帶有特征吸收限的吸收系數(shù)曲線稱為該物質(zhì)的吸收譜。吸收限的存在暴露了吸收的本質(zhì)。 第15頁/共71頁mKLLLm隨入射波長的變化（Z一定） 光量子E自由電子俄歇電子 光電效應(yīng)消耗大量入射能量，表現(xiàn)為吸收系數(shù)突增，對應(yīng)的入射波長即為吸收限。光電效應(yīng)所造成的入射能量消耗就是真吸收。 由入射X射線所激發(fā)出來的熒光X射線和俄歇電子都是被照物質(zhì)化學(xué)成分的信號。 自由電子入射光量子熒光X-ray二

10、次X-ray第16頁/共71頁吸收限吸收曲線(Zr)濾波后的Mo輻射曲線00.050.118161412108642相對強度相對吸收/nm未濾波的Mo輻射曲線MoKMoK37.2濾波片原理示意圖 選擇濾波片時應(yīng)使其吸收限滿足：濾波后： 利用吸收限兩側(cè)吸收系數(shù)差很大的現(xiàn)象可制成濾波片。用來吸收不需要的輻射而得到單色光源。6001IIKK光源濾波片光源KKK第17頁/共71頁 為幾種不同的靶材產(chǎn)生的X射線配備合適的濾波片，從而達到獲得單色X射線的目的。序號靶材元素Z（K）10-1mm（K）10-1mm1Mo420.7100.6322Cu291.5421.3923Fe261.9371.757序號濾波

11、材料ZK/10-1mm1V232.2692Mn251.8963Fe261.7434Co271.6085Ni281.4886Zr400.689第18頁/共71頁 元素的吸收譜還可作為選擇X射線管靶材的重要依據(jù)。在進行衍射分析時，總希望X射線盡可能少的被試樣吸收，從而獲得高的衍射強度和低的背底。這就應(yīng)使靶的K譜位于試樣元素K 吸收限的右近鄰或左面遠(yuǎn)離吸收限的低m處。 00.10.2400300200100K/nm/(cm2g-1)K 吸收限K試樣的吸收譜光源的波長與試樣吸收譜的關(guān)系 第19頁/共71頁 相干散射波雖然只占入射能量的極小部分，但由于它的相干特性而成為X射線衍射分析的基礎(chǔ)。 相干散射入

12、射X射線光量子與原子內(nèi)電子相遇，其能量不足以使原子電離，但電子可在X-ray作用下發(fā)生受迫振動，成為一個電磁波的發(fā)射源，向周圍輻射與入射X射線波長相同的輻射，各電子所散射的射線波長相同，有可能相互干涉。 hMgh第20頁/共71頁h反沖電子Mgh康普敦吳有訓(xùn)效應(yīng) 光量子與核外電子或自由電子碰撞，將部分能量給予電子，使其成為反沖電子。光量子損失能量，并改變運動方向。第21頁/共71頁+-UeF(濾波片)SWLI00tIm熱透射X射線I=I0e-mt,=0散射X射線相干散射相干散射電子熒光X射線K0反沖電子俄歇電子光電子不相干散射光電效應(yīng)俄歇效應(yīng) 0 0= =0 0第22頁/共71頁l中國近代物理

13、學(xué)奠基人，生于江西。l1921年赴美入芝加哥大學(xué)，隨康普頓從事物理學(xué)研究。l1926年獲博士學(xué)位。l1928年秋起任清華大學(xué)教授，物理系主任、理學(xué)院院長。l1945年10月任中央大學(xué)校長。l1950年夏任中國科學(xué)院近代物理研究所所長，同年12月起任中國科學(xué)院副院長。l1977年11月30日在北京逝世。吳有訓(xùn)(18971977) 康普頓之父曾任伍斯特學(xué)院哲學(xué)救授兼院長。大哥卡爾是普林斯頓大學(xué)物理系主任，后來成為麻省理工學(xué)院院長。1916年取得哲學(xué)博士學(xué)位。1919至1920年間，到英國劍橋卡文迪許實驗室工作，跟隨盧瑟福、J.J.湯姆遜進行研究。1920年起任圣路易斯華盛頓大學(xué)物理系主任，1923

14、年起任芝加哥大學(xué)物理系教授，1945年返回華盛頓大學(xué)任校長，1953年起改任自然科學(xué)史教授，直到1961年退休。 因康普頓效應(yīng)與英國威爾遜分享1927年度諾貝爾物理學(xué)獎，年僅35歲。同年被選為美國國立科學(xué)院院士?？灯疹D(Arthur Holly Compton 1892-1962)第23頁/共71頁卡文迪許英國化學(xué)家、物理學(xué)家。u通過扭秤實驗（后人稱為“卡文迪許實驗”）驗證了牛頓的萬有引力定律，確定了引力常數(shù)和地球平均密度，測算出地球的平均密度，計算出了地球的質(zhì)量。被譽為第一個稱量地球的人。u卡文迪許在熱學(xué)理論、計溫學(xué)、氣象學(xué)、大地磁學(xué)等方面都有研究。1798年他完成最后的實驗時，已年近七十。

15、u最富有的學(xué)者，最博學(xué)的富翁。u視名利如浮云。u沉睡了一百年的手稿。u1784年左右研究了空氣由O2和N2組成；u確定了水的成分，肯定了它不是元素而是化合物。u發(fā)現(xiàn)硝酸，被稱為“化學(xué)中的牛頓” ；u1781年制得H2，并證明燃燒之后生成水；u首先提出電勢的概念，對靜電理論的發(fā)展起了重要作用；u發(fā)現(xiàn)一對電荷間的作用力和它們之間的距離平方成反比，即后來庫倫定律的一部分；u指出導(dǎo)體兩端的電勢與通過它的電流成正比，即1827年的歐姆定律；u提出每個帶電體的周圍有“電氣”，與電場理論很接近；第24頁/共71頁劍橋大學(xué)的卡文迪許實驗室建于187l1874年間，由校長威廉卡文迪許私人捐款興建。負(fù)責(zé)創(chuàng)建實驗室

16、的是著名物理學(xué)家、數(shù)學(xué)家、電磁場理論的奠基人麥克斯韋。也是第一屆實驗主任，直至1879年因病去世(年僅四十八歲)。他建立了使用自制儀器的傳統(tǒng)。瑞利的繼任者是二十八歲的J.J.湯姆遜。任職35年期間，對實驗室貢獻卓越。當(dāng)時實驗室的各項研究工作均處于世界前列。他培養(yǎng)的研究生當(dāng)中，著名的有盧瑟福、朗之萬、湯森德、麥克勒倫、W.L.布拉格、威爾遜、H.A.威爾遜、里查森、巴克拉等等。麥克斯韋的繼任者是瑞利第三， 1904年獲諾貝爾獎， 1908年任劍橋大學(xué)校長。奠定了聲學(xué)基礎(chǔ)，一生發(fā)表論文400于篇。任職期間招收女生，開設(shè)學(xué)生實驗。 1884年，瑞利因被選為皇家學(xué)院教授而辭職。 1919年，J.J.湯

17、姆遜讓位于他的學(xué)生原子核物理學(xué)的開創(chuàng)者，盧瑟福。盧瑟福是一位成績卓著的實驗物理學(xué)家，更重視對青年人的培養(yǎng)。1937年，盧瑟福去世后，由W.L.布拉格繼任第五屆實驗室主任，以后是莫（19541971）、皮帕德（19711982）、薩姆愛德華（19831995）。現(xiàn)在是理查德弗倫德?？ㄎ牡显S實驗室共有8人獲諾貝爾獎，在實驗室曾經(jīng)進修過的有26人或獎。第25頁/共71頁第二章第二章 X X 射線衍射方向射線衍射方向材料研究方法第26頁/共71頁ZXYZXYZXY晶體幾何學(xué)簡介 第27頁/共71頁XZYZXY第28頁/共71頁-1-1-1-1-1+1+2+2a2a1a3-a31210=0101120=

18、1102110=1001010=2101120=110 低指數(shù)的晶面在X射線衍射中最為重要。這些晶面上的原子密度較大，晶面間距也較大。 從原點出發(fā)，沿著平行于四個晶軸的方向依次移動，最后到達欲標(biāo)定的方向上的點。移動時選擇適當(dāng)?shù)穆肪€，使沿a3軸移動的距離等于沿a1、a2移動距離之和但方向相反。 第29頁/共71頁madOAdOAONcos)(cosnbdOBONpcdOCONcoslcdkbdhadcoscoscos1222222lcdkbdhad2222221clbkahdhkl正交晶系的晶面間距公式正交晶系的晶面間距公式 222lkhadhkl第30頁/共71頁電子列電子列對X射線的散射原子

19、列對X射線的散射第31頁/共71頁晶體中各電子受X X射線照射所產(chǎn)生的相干散射線會相互干涉，使某些方向被加強，另一些方向被削弱。電子散射線干涉的總結(jié)果稱為衍射。同一晶面上的原子的散射線疊加 AAM2 2 M1L1LN1N布拉格角（掠射角）衍射角同位向同位向同光程同光程晶體對X X射線的衍射可視為晶體中某些原子面對X X射線的“反射”。將衍射看成反射，是導(dǎo)出布拉格方程的基礎(chǔ)。 第32頁/共71頁 當(dāng)一束單色且平行的X X射線照射到晶體時，同一晶面上的原子的散射線在晶面反射方向上是同相位的，因而可以疊加；不同晶面的反射線若要加強的必要條件是相鄰晶面反射線的波程差為波長的整數(shù)倍。sind2sinds

20、indQMPM22ndsin2NN2處的波程差為 M2PQAAMM1L1LN1N同位向同位向BdBN2第33頁/共71頁反射級數(shù)的定義反射級數(shù)的定義 由相鄰兩個平行晶面反射出的X射線束，其波程差用波長去量度所得的整份數(shù)之?dāng)?shù)值。反射級數(shù)n第34頁/共71頁（100）入射線入射線衍射線衍射線d100（200）d200ZXY(100)(100)(200)(200) 一般的說法是，把（一般的說法是，把（hkl）的）的n級反射看作（級反射看作（nh nk nl）的一級反射。如果）的一級反射。如果（hkl）的面間距是）的面間距是d，則（，則（nh nk nl）的面間距為）的面間距為d/n。 sin2nhn

21、knld 可以認(rèn)為反射級數(shù)永遠(yuǎn)等于可以認(rèn)為反射級數(shù)永遠(yuǎn)等于1，因為級數(shù)，因為級數(shù)n實際上已包含在實際上已包含在d之中。也就是，之中。也就是，（hkl）的）的n級反射可以看成來自某種級反射可以看成來自某種虛擬的晶面虛擬的晶面（nh nk nl）的）的1級反射。級反射。 第35頁/共71頁AB布拉格角 n當(dāng)一定時，d相同的晶面，必然在相同的情況下才能獲得反射，當(dāng)用單色X射線照射多晶體時，各晶粒中d相同的晶面，其反射線將有著確定的關(guān)系；n當(dāng)一定時，d減小，就要增大。說明間距小的晶面，必須有較大的掠射角，否則它們的反射線就無法加強。 d2sin第36頁/共71頁衍射極限條件 d2sind2n 對同一種

22、晶面，當(dāng)采用短波X射線照射時，可獲得較多級數(shù)的反射，即衍射花樣比較復(fù)雜。2sin2d 說明只有間距大于或等于X射線半波長的那些干涉面才能參與反射。當(dāng)采用短波X射線照射時，能參與反射的干涉面將會增多。 當(dāng)d一定時，減小，n增大。 干涉面的劃取是無限的，但并非所有的干涉面均能參與衍射第37頁/共71頁c*b*a*O*Ocba3(001)(100)(010)某一倒易基矢垂直于正點陣中和自己異名的二基矢所成平面。某一倒易基矢垂直于正點陣中和自己異名的二基矢所成平面。 設(shè)正點陣的原點為O，基矢為a、b、c，倒易點陣的原點為O*，基矢為a*、b*、c* 倒易點陣基矢的定義倒易點陣基矢的定義VbacVacb

23、Vcba*,)()()(bacacbcbaV第38頁/共71頁倒易點陣的性質(zhì)倒易點陣的性質(zhì)正、倒點陣異名基矢點乘為正、倒點陣異名基矢點乘為0 0，同名基矢點乘為，同名基矢點乘為1 1。 10*bcaccbabcaba1*ccbbaa第39頁/共71頁倒易矢量和正點陣中的晶面是一一對應(yīng)關(guān)系。倒易矢量和正點陣中的晶面是一一對應(yīng)關(guān)系。 2cOab(011)(021)(111)b*111010O*a*100c*001011021倒易點陣的性質(zhì)倒易點陣的性質(zhì)*lckbhaghkl第40頁/共71頁4ccbbaa1,1,1,/,/,/*ccbbaacOab(111)c*a*b*N(111)g(111)53

24、hklhkldg1第41頁/共71頁 平面ABC的指數(shù)是(hkl)，按照晶體學(xué)的定義，(hkl)交三個軸的截距為a/h，b/k，c/l，顯然：hkABab011*hklkhhkhklkhklkhhhklkhhkkhhkABhklcbaacbabcbaabgabg所以ghkl 垂直于ABAB ；同理也垂直于BCBC和ACAC；故ghkl垂直于晶面（hkl）。設(shè)n為沿法線的單位矢量，則hklhklhklhlkhhnhahdgagcbaana1coscos*證明：證明：ABXYCZghkla/hb/kc/lb/ka/hghklOA第42頁/共71頁正、倒點陣異名基矢點乘為正、倒點陣異名基矢點乘為0

25、0，同名基矢點乘為，同名基矢點乘為1 1。 123倒易矢量的長度等于正點陣中相應(yīng)晶面間距的倒數(shù)，即倒易矢量的長度等于正點陣中相應(yīng)晶面間距的倒數(shù)，即 hklhkldg14對正交點陣，有對正交點陣，有 只有在立方點陣中，倒易矢量只有在立方點陣中，倒易矢量g ghklhkl才與相應(yīng)指數(shù)的晶向才與相應(yīng)指數(shù)的晶向hklhkl平平行。行。 50*bcaccbabcaba1*ccbbaa由原點由原點O O* * 指向任意坐標(biāo)為指向任意坐標(biāo)為 hkl hkl 陣點的矢量陣點的矢量 g ghklhkl為為 *lckbhaghklccbbaa1,1,1,/,/,/*ccbbaa第43頁/共71頁愛瓦爾德球圖解法愛

26、瓦爾德球圖解法 做出倒易點陣，定出倒做出倒易點陣，定出倒易原點易原點OO* *； 以以O(shè)O* *為端點作入射波的為端點作入射波的波矢量波矢量k k； 以波矢量起點以波矢量起點OO為中心，為中心，模長為半徑做球。模長為半徑做球。AOGDO*k k(hkl)1/hklghkl000Nhkl第44頁/共71頁X X射線衍射方法射線衍射方法勞埃法勞埃法周轉(zhuǎn)晶體法周轉(zhuǎn)晶體法粉末法粉末法衍射儀法衍射儀法照相法照相法德拜法德拜法聚焦法聚焦法平板底片法平板底片法第45頁/共71頁不動單晶體連續(xù)X射線底片最大反射球最小波長SWL最小反射球最大波長第46頁/共71頁單色X射線第47頁/共71頁單色X射線底片000

27、100110111200 同一晶面的倒易點是分布在以該晶面倒易矢量長度為半徑同一晶面的倒易點是分布在以該晶面倒易矢量長度為半徑的球面上。不同晶面的倒易點分布在不同半徑的球面上，的球面上。不同晶面的倒易點分布在不同半徑的球面上，由這由這些倒易點構(gòu)成的球稱為倒易球些倒易點構(gòu)成的球稱為倒易球。第48頁/共71頁第三章第三章 X X射線衍射強度射線衍射強度 材料研究方法第49頁/共71頁u簡單點陣單位晶胞的散射強度相當(dāng)于一個原子的散簡單點陣單位晶胞的散射強度相當(dāng)于一個原子的散射強度射強度。u復(fù)雜點陣單胞的散射波振幅應(yīng)為單胞中各原子的散復(fù)雜點陣單胞的散射波振幅應(yīng)為單胞中各原子的散射波振幅的矢量合成射波振

28、幅的矢量合成。由于衍射線的相互干涉，某些由于衍射線的相互干涉，某些方向的強度將會加強，而某些方向的強度將會減弱甚方向的強度將會加強，而某些方向的強度將會減弱甚至消失，習(xí)慣上稱為至消失，習(xí)慣上稱為系統(tǒng)消光系統(tǒng)消光。 第50頁/共71頁OCAB |r | cos | r |cos | r | | k | cos | r | | k | cos r kr k r （kk） OArkkkkBC 矢量點乘規(guī)則ab|a|b|cos 矢量叉乘規(guī)則，ab|a|b|sin OArxaybzc A原子與O原子間散射波的波程差為第51頁/共71頁)LzKyHx(2LcKbHazcybxa2LcKbHar2kkr22

29、*sin2sinsinHKLgdkkkk*LcKbHagkkHKLOArkkk-kkBC2第52頁/共71頁vieadveAAf射波振幅一個電子散射的相干散射波振幅一個原子散射的相干散定義 f 為原子散射因子反映一個原子散射能力的參量。 nj、 21 假設(shè)單胞中有n個原子，各原子的散射波振幅分別為f1Ae、f2Ae、fjAe、fnAe，與入射波的相位差為則所有這些原子散射波振幅的合成就是單胞的散射波振幅Ab。 njijeinijiiebjnjefAefefefefAA121).(21第53頁/共71頁n1jjn1jjjjn1jijHKLLzKyHx2siniLzKyHx2cosfsinicos

30、fefFj2HKLebFII 2n1jj2n1jjHKLHKL2HKLLzKyHx2sinfLzKyHx2cosfFFF結(jié)構(gòu)因數(shù) 引入一個反映單胞散射能力的參量：結(jié)構(gòu)振幅FHKL njijenjijeebHKLjjefAefAAAF11振幅一個電子的相干散射波振幅一個晶胞的相干散射波第54頁/共71頁2222)0(2sin)0(2cosfffFHKL2n1jj2n1jjHKLHKL2HKLzLyKxH2sinfzLyKxH2cosfFFF第55頁/共71頁(0,0,0)21,21,21體心立方晶胞中的代表原子第56頁/共71頁2222222cos1sin0cos12222sin)0(2sin2

31、222cos)0(2cosLKHfLKHfLKHfLKHffLKHffFHKLH+K+L=偶數(shù)偶數(shù)H+K+L=奇數(shù)奇數(shù)2n1jj2n1jjHKLHKL2HKLzLyKxH2sinfzLyKxH2cosfFFF042f第57頁/共71頁面心立方晶胞中的代表原子(0,0,0)21,21, 021, 0 ,210 ,21,21第58頁/共71頁22222)(cos)(cos)(cos1222sin222sin222sin)0(2sin222cos222cos222cos)0(2cosLHKHLKfLHfKHfLKffLHfKHfLKffFHKL2n1jj2n1jjHKLHKL2HKLzLyKxH2s

32、infzLyKxH2cosfFFF0162fH H、K K、L L有奇有偶有奇有偶H H、K K、L L全奇全偶全奇全偶第59頁/共71頁u簡單點陣的結(jié)構(gòu)因數(shù)與HKL無關(guān)，任意HKL均不消光。 2222)0(2sin)0(2cosfffFHKL當(dāng)HKL奇數(shù)時消光。 0) 11 (22 fFHKL當(dāng)HKL偶數(shù)時可衍射。 22224) 11 (ffFHKL當(dāng)H、K、L全奇、全偶時可衍射。 222216) 1111 (ffFHKL當(dāng)H、K、L奇偶混雜時消光。 0) 1111 (222 fFHKLu體心點陣 u面心點陣 第60頁/共71頁10010011011011111120020021021021

33、1211220220221221310310311311222222320320321321400400322322330330331331420420300300410410411411mHKLHKL1234 5 68 9 10111213141617 18 1920簡單體心面心111111200200220220311311222222400400331331420420mH2K2L2 HKL偶數(shù)偶數(shù) H、K、L全奇全偶全奇全偶 第61頁/共71頁CuBe CuZn 0cos2222sin) 0(2sin2222cos) 0(2cos)(2sin)(2cos2221212BeCuBeCuBeCuBeCuBeCunjjnjjHKLffffLKHffLKHffLKHffLzKyHxfLzKyHxfFBeCuCuCuCuCuCuCuCuZnCuCuCuCuCuCuCuCuHKL奇數(shù) HKL偶數(shù) 第62頁/共71頁 衍射積分強度近似等于ImB，Im與1/sin成比例，B與1/cos成比例，故衍射積分強度與1/(sincos)即1/sin2成比例。 每個衍射圓錐是