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文檔簡介
1、模擬電子技術(shù)根底第四版清華大學(xué)電子學(xué)教研組編童詩白華成英主編自測題與習(xí)題解答第1章常用半導(dǎo)體器件自測題一、判斷以下說法是否正確,用“X和“/表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1) 在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。(V )(2) 因為N型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。(X )(3) PN結(jié)在無光照、無外加電壓時,結(jié)電流為零。( V )(4) 處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子漂移運動形成的。(X )(5) 結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵一源電壓應(yīng)使柵一源間的耗盡層承受反向電壓,才能保證其Rgs大的特點。(V )(6) 假設(shè)耗盡型N溝道MOS管的Ugs大于零,那么其輸入電阻
2、會明顯變小。(X )二、選擇正確答案填入空內(nèi)。(1) PN 結(jié)加正向電壓時,空間電荷區(qū)將 _A_。A. 變窄 B.根本不變C.變寬(2) 穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在 _C_。A.正向?qū)?B.反向截止 C.反向擊穿(3) 當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時,發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為_B_。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U=0V時,能夠工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有A、C 。A.結(jié)型管 B.增強型MOS管 C.耗盡型MOS管三、 寫岀圖 所示各電路的輸岀電壓值,設(shè)二極管導(dǎo)通電壓lD=o人 一沖rfl V2$TD2VI¥ 仏-oflD VT圖解:UOi=,
3、UO2=0V,U=, UO4=2V, UO=, Ub6=-2Vo四、穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值U=6V,穩(wěn)定電流的最小值I Zmin=5mA求圖所示電路中UOi和氏各為多少伏。解:左圖中穩(wěn)壓管工作在擊穿狀態(tài),故UOi=6Vo右圖中穩(wěn)壓管沒有擊穿,故U>2=5V。五、電路如 圖所示,Vcc=15V, =100,UBe=o試問:R.圖Ibs Ics/28.6 A Rb=50k 時,Uo=假設(shè)T臨界飽和,貝U Rb=解: lB Vbb Ube 26 A,Rblc I b 2.6mA,Uo Vcc IcRc 2V o(2) v Ics Vcc Ube 2.86mA,Rc.Rb Vbb Ube 45.5kI
4、BS六、測得某放大電路中三個MOS管的三個電極的電位如 表所示,它們的開啟電壓也在表中。試分析各管的工作狀態(tài)截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū),并填入表內(nèi)。表管號UGS(th)/VUS/VU/VUDV工作狀態(tài)Tl4-513恒流區(qū)T2-43310截止區(qū)T3-4605可變電阻區(qū)解:因為三只管子均有開啟電壓,所以它們均為增強型 MOS管。根據(jù)表中所示各極電位可判斷 出它們各自的工作狀態(tài),如 表最后一欄所示。習(xí)題選擇適宜答案填入空內(nèi)(1) 在本征半導(dǎo)體中參加(A )元素可形成N型半導(dǎo)體,參加(C )元素可形成P型半導(dǎo)體。A. 五價B.四價C.三價(2) 當(dāng)溫度升高時,二極管的反向飽和電流將(A)。A.增大B.
5、不變C.減小 工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng) I b從12 uA增大到22 uA時,I c從I mA變?yōu)?mA,那么它 的B約為(C )。 當(dāng)場效應(yīng)管的漏極直流電流I d從 2mA變?yōu)?mA時,它的低頻跨導(dǎo)gm將( A )。電路如下圖,uiA.增大; B. 不變; C. 減小10sin t( V,試畫出ui與uo的波形。設(shè)二極管導(dǎo)通電壓可忽略不計0f0* D+絢/?n焉'解圖解:Ui與Uo的波形如解圖所示電路如下圖,比 5sin t (V),二極管導(dǎo)通電壓ld=°試畫出ui與uo的波形圖,并標(biāo)出幅值。?JPQ解圖圖解:波形如解圖所示。電路如下圖,二極管導(dǎo)通電壓U=,常溫下UT
6、 26mV,電容C對交流信號可視為短路;ui 為正弦波,有效值為10mV試問二極管中流過的交流電流的有效值為多少解:二極管的直流電流ID (V Ud)/R 2.6mA其動態(tài)電阻:rD U T / I D 10圖故動態(tài)電流的有效值:ld Uj/rD 1mA現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管,穩(wěn)壓值分別是6V和8V,正向?qū)妷簽?。試?(1) 假設(shè)將它們串聯(lián)相接,那么可得到幾種穩(wěn)壓值各為多少(2) 假設(shè)將它們并聯(lián)相接,那么又可得到幾種穩(wěn)壓值各為多少解:(1)串聯(lián)相接可得4種:;14V;。(2) 并聯(lián)相接可得2種:;6V。圖 所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓 UZ 6V,最小穩(wěn)定電流IZ min5mA,最大穩(wěn)定電流I Z
7、max 25mA(1)分別計算U i為10V、15V、35V三種情況下輸出電壓 Uo的值;(2)假設(shè)Ui 35V時負(fù)載開路,那么會出現(xiàn)什么現(xiàn)象為什么解:(1)只有當(dāng)加在穩(wěn)壓管兩端的電壓大于其穩(wěn)壓值時,輸岀電壓才為6V。Ui10V 時,UoRlL UiRRl3.3V ;Ui15V 時,UoRl u5V ;u i RRlUi 35V 時,UORlr rlUi11.7V Uz,二 Uo Uz 6V(2)當(dāng)負(fù)載開路時,lzU| Uzr29 mA Izmax 25mA,故穩(wěn)壓管將被燒毀在圖 所示電路中,發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓ID =,正向電流在515mA時才能正常工作。試問:(1)開關(guān)S在什么位置時發(fā)光二極
8、管才能發(fā)光(2) R的取值范圍是多少解: (1) S閉合。(2) R的范圍為:Rnin(V U D ) / I D max 233Rmax(V U D )/ 1 Dmin 700現(xiàn)測得放大電路中兩只管子兩個電極的電流如圖所示。分別求另一電極的電流,標(biāo)出其方向,并在圓圈中畫出管子,且分別求出它們的電流放大系數(shù)p解圖解:答案如解圖所示。放大倍數(shù)分別為1mA/10 A100 和 b5mA/100 A 50測得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖所示。在圓圈中畫出管子,并說明它們是硅管還是解:如解圖電路如下圖,晶體管導(dǎo)通時12.7V解圖1 I ftV 1J2 2V JT,的工作狀態(tài)及輸岀電壓 Uo的值。
9、解:當(dāng)VBB 0時,t截止,uO 12V。(2)當(dāng)Vbb1V時,因為VBB U BEQ1 cq 1 bq 3mA3=50。試分析Vbb為OV、1V 3V三種情況下TUo Vcc I cq Rc 9V圖所以T處于放大狀態(tài)。(3)當(dāng) VBB 3V 時,因為 IBQ Vbb460 A,&LqIbq 23m>IcS 十 11.3mA,所以T處于飽和狀態(tài)電路如下圖,晶體管的3=50 , Ube 0.2V,飽和管壓降Uces 0.1V ;穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓uz正向?qū)妷篣D0.5V。試問:當(dāng)uI0V 時 uO ;當(dāng) uI 5V 時 uO解:當(dāng)Ui 0V時,晶體管截止,穩(wěn)壓管擊穿,O - Kx
10、-Yt-liV)心huOU z 5V。irqU5V時,晶體管飽和,uO0.1/因為:Ib U1 UL 480 A, lc|Ib 24mA, UEc仇 & 0Rb圖e可能解:a可能;b可能;c不能;d不能,T的發(fā)射結(jié)會因電流過大而損壞。放大電路中一只 N溝道場效應(yīng)管三個極、的電位分別為 4V、8V、12V,管 子工作在恒流區(qū)。試判斷它可能是哪種管子 結(jié)型管、MOS管、增強型、耗盡型,并說明、 與G、S、D的對應(yīng)關(guān)系。解:管子可能是增強型管、耗盡型管和結(jié)型管,三個極、與 G、S、D的對應(yīng)關(guān)系如解圖所示。解圖解圖場效應(yīng)管的輸岀特性曲線如 圖所示,畫岀它在恒流區(qū)的轉(zhuǎn)移特性曲線。解:在場效應(yīng)管的
11、恒流區(qū)作橫坐標(biāo)的垂線(如解圖(a)所示),讀出其與各條曲線交點的縱坐標(biāo)值及Ugs值,建立iDf (Ugs)坐標(biāo)系,描點,連線,即可得到轉(zhuǎn)移特性曲線,如解圖(b)所示。電路如下圖,T的輸出特性如 圖所示,分析當(dāng)U|=4V、8V、12V三種情況下場效應(yīng)管分別工 作在什么區(qū)域。解:根據(jù)圖 所示T的輸出特性可知,其開啟電壓為 5V,根據(jù)圖所示電路可知uGS UI當(dāng)UI =4V時,UGS小于開啟電壓,故 T截止。當(dāng)UI =8V時,設(shè)T工作在恒流區(qū),根據(jù)輸岀特性可知 iD 0.6mA,管壓降 uDS VDD iDRd 10V,因此,Ugd Ugs Uds2V,小于開啟電壓,說明假設(shè)成立,即 T工作在恒流區(qū)
12、。當(dāng)Ui =12V時,由于Vdd 12V,必然使T工作在可變電阻區(qū)。分別判斷圖所示各電路中的場效應(yīng)管是否有可能工作在恒流區(qū)。圖解:(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。U|的波補充1.電路如補圖P1(a)、(b)所示,穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓 U Z 3V , R的取值適宜,形如圖(c)所示。試分別畫出 uO1和UO2的波形。補圖P1解:波形如以下圖所示補充2.在溫度20°C時某晶體管的| cbo2 A,試問溫度是60°c時的Icbo解:1 CBO60'cbo 202442 232 A。補充3.有兩只晶體管,一只的3 =200 , I CEO 200 A ;另一只
13、的3 =100Iceo 10 A,其它參數(shù)大致相同。你認(rèn)為應(yīng)選用哪只管子為什么解:選用3 =100,Iceo 10 A的管子,因其3適中,Iceo較小,因而溫度穩(wěn)定性較另一 只管子好。補充4.電路如補圖P4所示,試問3大于多少時晶體管飽和解:取U ces U BE,假設(shè)管子飽和,那么Vcc Ube Vcc Ube,即 RbRRc所以,b 100時,管子飽和。Rc補圖P4第2章根本放大電路自測題一在括號內(nèi)用“V和“X說明以下說法是否正確。1. 只有電路既放大電流又放大電壓 ,才稱其有放大作用。X2. 可以說任何放大電路都有功率放大作用。V3. 放大電路中輸岀的電流和電壓都是有源元件提供的。X 4
14、. 電路中各電量的交流成分是交流信號源提供的。X 5. 放大電路必須加上適宜的直流電源才能正常工作。V6. 由于放大的對象是變化量,所以當(dāng)輸入直流信號時,任何放大電路的輸岀都毫無變化。7. 只要是共射放大電路,輸岀電壓的底部失真都是飽和失真。X 二試分析圖各電路是否能放大正弦交流信號,簡述理由。設(shè)圖中所有電容對交流信號均可視為短 路。(a)(b)(c)(d)(e)(f)解:圖(a)不能。Vbb將輸入信號短路圖(b)可以 圖(c)不能。輸入信號與基極偏置是并聯(lián)關(guān)系而非串聯(lián)關(guān)系。圖(d)不能。晶體管基極回路因無限流電阻而燒毀。圖(e)不能。輸入信號被電容 G短路。圖(f)不能。輸出始終為零。圖(g
15、)可能。圖(h)不合理。因為 GS間電壓將大于零圖(i)不能。因為T截止三在圖所示電路中, Vcc12V ,晶體管 3 =100, Rb100k 。填空:要求先填文字表達(dá)式后填得數(shù)。(1)當(dāng) u|i 0V 時,測得 Ubeq0.7V,假設(shè)要基極電流Ibq20 A,那么Rb和FW之和Rb =( (Vcc U beq ) / I bq ) k & ( 565 ) k;而假設(shè)測得U CEQ6V ,那么 Rc =( (Vcc u CEQ )/ I BQ ) & ( 3 ) k(2)假設(shè)測得輸入電壓有效值 Uj 5mV時,輸出電壓有效值 U。0.6V,那么電壓放大倍數(shù)人 (Uo /U i
16、 ) &( -120 )“IO11C假設(shè)負(fù)載電阻RL值與Rc相等,那么帶上負(fù)載后輸出電壓有效值 Uo (L Uo )=( )V 。RLRc四、 圖所示電路中VCC 12V, R, 3k ,靜態(tài)管壓降Uceq 6V,并在輸出端加負(fù)載電阻Rl,其阻值為3k。選擇一個適宜的答案填入空內(nèi)。(1) 該電路的最大不失真輸出電壓有效值U om ( A );(2) 當(dāng)Ui 1mV時,假設(shè)在不失真的條件下,減小Rw,那么輸出電壓的幅值將(C );A. 減小 B. 不變 C. 增大(3) 在Uj 1mV時,將Ft調(diào)到輸出電壓最大且剛好不失真,假設(shè)此時增大輸入電壓,那么輸出電壓波形將(B );A. 頂部失真
17、B. 底部失真 C.為正弦波(4) 假設(shè)發(fā)現(xiàn)電路出現(xiàn)飽和失真,那么為消除失真,可將 (B )。減小 B.Rc減小 C. VCC減小五、現(xiàn)有直接耦合根本放大電路如下:A.共射電路B. 共集電路 C.共基電路D.共源電路E. 共漏電路它們的電路分別如 圖、(a)、和.9(a)所示;設(shè)圖中Re Rb,且ICQ、I DQ均相等。選擇正確答案填入空內(nèi),只需填 A、B、(l)輸入電阻最小的電路是(C ),最大的是(D、E );輸出電阻最小的電路是(B);(3) 有電壓放大作用的電路是(A、C D );有電流放大作用的電路是(A、B、D、E );(5) 高頻特性最好的電路是(C );(6) 輸入電壓與輸出電
18、壓同相的電路是 (B、C E );反相的電路是(A、D )。六、 未畫完的場效應(yīng)管放大電路如圖所示,試將適宜的場效應(yīng)管接入電路,使之能夠正常放大。要 求給岀兩種方案。解:根據(jù)電路接法,可分別采用耗盡型N溝道和P溝道MOSt,如解圖所示。習(xí)題分別改正圖 所示各電路中的錯誤,使它們有可能放大正弦波信號。要求保存電路原來的共射 接法和耦合方式。圖解:(a)將-VCc改為 +VCc°(b)在+VCc與基極之間加 R°(C)將Vbb反接,且在輸入端串聯(lián)一個電阻。(d)在Vbb支路加R,在-VCc與集電極之間加 R°畫岀圖所示各電路的直流通路和交流通路。設(shè)所有電容對交流信號均
19、可視為短路。解:將電容開路、變壓器線圈短路即為直流通路,圖略 圖所示各電路的交流通路如解圖所示;11or卜L一解圖分別判斷圖(a)、(b)所示兩電路各屬哪種放大電路,并寫出Q、Au R禾口 R()的表達(dá)式。解:圖(a) : I BQVCCU beqR R2 (1)R3,1 CQ1 BQ,U CEQ VCC(1 )I BQRc。R2/ r3(R4RRoR4Toti11(a)(b)圖o!0A1 BQVccI CQ R4I EQ R1I pR/ rbe1最大不失真輸岀電壓峰值約為,有效值約為帶載時:Ibq 20 A, Icq 2mA,UcEQ 3V ;最大不失真輸出電壓峰值約為,有效值約為。如解圖
20、所示,Rirbe / R1, RoR2/ R3rbe圖(b):)R1,1 CQ1 BQ,為 VCC UBEQ)/ R2/R3 (1U CEQ電路如圖(a)所示,圖(b)是晶體管的輸出特性,靜態(tài)時Ubeq 0.7V。利用圖解法分別求出Rl和Rl 3k時的靜態(tài)工作點和最大不失真輸出電壓U°m (有效值)解:空載時:Ibq 20 A, Icq2mA,UcEQ 6V ;5H)kQIOMA解圖i 20mV ,靜態(tài)時在圖所示電路中,晶體管的 3 =80,rbe =1kq, UUbeq 0.7V ,Uceq 4V,Ibq20 A。判斷以下結(jié)論是否正確,在括號內(nèi)打“V和“ x表示。(1)420 10
21、 3200 (x)(2)5.71( x)Au400 (x)120(5)Rk1k ( x)20(7)Ri3k ( x)(8)(9)Ro5k ( V)(10)(11)Us20mV ( x)(1(6)Ri0.780 2.5200 ( V) 10.7k 35k( x)0.02RO2.5k( x)S 60mV ( V)3=120, UBe=,飽和管壓降U=EF。在以下情況下,用直流電壓表測jehlo<=>t+ J J LGHi圖解:(1) IBVCC U beRd2U BERd117416311 A, Ic Ib 1.32mA,電路如下圖,晶體管量晶體管的集電極電位,應(yīng)分別為多少1正常情況;
22、2 R>1短路;3 R1開路;4 R>2開路;5 R2短路;6甩短路;5匚(+I5ViO+- Uc VccIcRc 8.3V(2) Rbi 短路,Ic Ib 0,. Uc 15V。(3) Rbi開路,臨界飽和基極電流Ibs Vcc U ces 23.7 A ,Rc實際基極電流|B Vcc174 A。Rb2由于 Ib Ibs,管子飽和,二 Uc U ces 0.5V。(4) R2開路,無基極電流,UC VCC 15V。(5) R2短路,發(fā)射結(jié)將燒毀,U c可能為15V。(6)Fl短路,Uc Vcc 15V。和Rl 3k 時的Q點、電路如下圖,晶體管的3=80 , rbb'10
23、0 。分別計算RlAu、R 和 Ro解:在空載和帶負(fù)載情況下,電路的靜態(tài)電流、rbe均相等,它們分別為:1 BQVccU beqU BEQRs22 AI cq I bq 1.76mA)26mV1 EQ1.3k空載時,靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻分別為:U ceq Vcc1 cq Rc6.2V ;ARcrbe308Ri& rberbe3k ;ArbeA,93AusrbeRsRo Rc 5kR 3k 時,靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數(shù)分別為:U CEQ RVcc IcqRRl 2.3VRl RcAuRcR115Aus -Au34.7rberbe 民R Rbbe rbe 3kRoR
24、c 5k 。假設(shè)將圖 所示電路中的NPN管換成PNP管,其它參數(shù)不變,那么為使電路正常放大電源應(yīng)作如何 變化Q點、人、R和Ro變化嗎如變化,那么如何變化假設(shè)輸出電壓波形底部失真,那么說明電路產(chǎn)生 了什么失真,如何消除解:由正電源改為負(fù)電源;Q點、人、Ri和Ro不會變化;輸出電壓波形底部失真對應(yīng)輸入 信號正半周失真,對 PNP管而言,管子進(jìn)入截止區(qū),即產(chǎn)生了截止失真;減小Rb。圖所示電路中,晶體管 3=100, rbe =Qo(1)現(xiàn)已測得靜態(tài)管壓降 UCe=6V,估算Rb; 假設(shè)測得u j和U 0的有效值分別為1mV和100mV那么負(fù)載電阻Rl為多少解: lc VcC UcE 2mA, Ib
25、Ic /20Rc.Rb Vcc 區(qū) 565k oIb由 Au100,Ujrbe可得:Rl 2.625k o在圖所示電路中,設(shè)靜態(tài)時|cQ 2mA,晶體管飽和管壓降UcEs 0.6V。試問:當(dāng)負(fù)載 電阻Rl 和R 3k時,電路的最大不失真輸出電壓各為多少伏空載時,輸入信號增大到一定幅值,電路首先出現(xiàn)飽和失真。故omU CEQ U CESR 3k 時,當(dāng)輸入信號增大到一定幅值,電路首先岀現(xiàn)截止失真。故Uom1 CQ Rl2.12V電路如下圖,晶體管p =100, rbb =100 Q(1) 求電路的Q點、Au、Ri和Ro ;(2) 假設(shè)改用p=200的晶體管,貝U Q點如何變化(3) 假設(shè)電容Ce
26、開路,那么將引起電路的哪些動態(tài)參數(shù)發(fā)生變化如何變化解:(1)靜態(tài)分析:U BQRb1口 口Vcc2V爲(wèi)Rb2I EQU BQ U BEQ A1mARfRe2SLQ4I BQI EQ110 Ar 2/?"U CEQVccI EQ ( RcRfRe)5.7V動態(tài)分析:rbe(1)26mV1 EQ2.73k(RcRl)7.7rbe(1)Rf&1 尺2 rbe(1)Rf3.7kRoRc 5k3= 200 時,Ubq&1Rb1Rh2VCC2V (不變);U BQI EQUBEQ 1mA (不變);IBQIeq 5 A減小;QRfRe1U CEQVCCIeq(Rc Rf Re)5
27、.7V不變o3Ce開路時,A(Rc/Rl)Rc/Rl1.92 減??;A1rbe (1)(ReRf)Re RfRRbi 驗仏1Re Rf 4.1k增大;RoRc 5k不變。電路如下圖,晶體管的p=80, rbe=ikQoR和Ro1求出Q點;2分別求出Ru和R=3kQ時電路的 A解:1求解Q點:VccU BEQ1 BQ32.3 ARb(1)Re1 EQ(1)1bq 2.61mAU CEQVcclEQRe 7.17V2求解放大倍數(shù)和輸入、輸出電阻:5時 AurbeV緊0.996RRb / rbe (1)Re 110kR=3kQ 時;Au°)(Re/ Rl)0.992rbe (1)(Re/R
28、L)RRb / rbe (1)(ReRL) 76k輸出電阻:RoRe/Rs/Rbrbe371求解Q點、Au、Ri和Ro(2)設(shè) US = 10mV 有效值,問U j ?, U o假設(shè)C3開路,那么Ui ?,Uo ?解:Q點:VccU BEQ1 BQ31R (1)Re1 CQ1 BQ1.86mAU CEQVCC1 EQ ( RcRe,Au、Ri和Ro的分析:、26mVrberbb'(1)I1 EQRRb rbe952,(2)設(shè) U=10 mV有效值,那么)UiRRs RiUs假設(shè)C3開路,那么:Rb %(1UiRsRiUs4.56V952 ,3.2mV ;)Re51.3k9.6mV ,R
29、oUoTr,-4血® 95rbeRc 3k304mVRcRlRe1.5Uo14.4mV。改正圖 所示各電路中的錯誤,使它們有可能放大正弦波電壓。要求保存電路的共漏接法解:(a)源極加電阻RS ;(c)輸入端加耦合電容;(b) 漏極加電阻R);(d) 在艮支路加VGg,+Vdd改為Vdd改正電路如解圖所示。出1 *M比1:匚1L o(a)L '0L(b)(c)(d)解圖圖(a)所示電路中場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性分別如圖(b)、(c)所示。(1)利用圖解法求解Q點;利用等效電路法求解 A、Ri和Ro。I dq 1mA, U gsq 2V。如解圖(a)所示。h. mA j2V的
30、那條輸出特性曲解圖在輸出特性中作直流負(fù)載線uDS VddiD(RdRs),與Ugsq線的交點為Q點,Udsq 3V。如解圖b所示。2首先畫出交流等效電路圖略,然后進(jìn)行動態(tài)分析。gm Uds UJ' DSsl DQ 1mV /VUGSUGSoffAugmRd5 ;RiRg1M ; RoRd5k圖a所示電路中場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖b所示。求解電路的Q點和(a)(b)圖解:1求Q點:根據(jù)電路圖可知,Ugsq Vgg3V從轉(zhuǎn)移特性查得,當(dāng)Ugsq 3V時的漏極電流:I dq 1mA因此管壓降UdsqVddI dqRq 5V。(2) 求電壓放大倍數(shù):'gm; I DQ I DO2mA/V
31、 ,Augm Rd20U GS(th)電路如圖 所示。1假設(shè)輸岀電壓波形底部失真, 那么可采取哪些措施假設(shè)輸岀電壓波形頂部失真, 那么可采取哪些措施2假設(shè)想增大人,那么可采取哪些措施解:1輸出電壓波形底部失真,類似于 NPN型三極管的飽和失真,應(yīng)降低 Q,故可減小R2 或增大R、FS;假設(shè)輸出電壓波形頂部失真,那么與上述相反,故可增大R或減小R、FSo(2)假設(shè)想增大Au就要增大漏極靜態(tài)電流以增大gm,故可增大R2或減小R、RSo圖中的哪些接法可以構(gòu)成復(fù)合管標(biāo)出它們等效管的類型(如NPN型、PNP型、N溝道結(jié)型)及管腳(b、e、c、d、g、s )。A解:(a)不能。(b)不能。(c) 構(gòu)成NP
32、N型管,上端為集電極,中端為基極,下端為發(fā)射極。(d) 不能。(e)不能。(f) 構(gòu)成PNP型管,上端為發(fā)射極,中端為基極,下端為集電極。(g) 構(gòu)成NPN型管,上端為集電極,中端為基極,下端為發(fā)射極。第3章多級放大電路自測題一、現(xiàn)有根本放大電路:A.共射電路 B.共集電路 C.共基電路 D.共源電路E.共漏電路 根據(jù)要求選擇適宜電路組成兩級放大電路。1要求輸入電阻為1kQ至2kQ,電壓放大倍數(shù)大于3000,第一級應(yīng)采用A ,第二級應(yīng)采用A 2要求輸入電阻大于10MD,電壓放大倍數(shù)大于 300,第一級應(yīng)采用D ,第二級應(yīng)采用A 要求輸入電阻為100kQ200kQ,電壓放大倍數(shù)數(shù)值大于100 ,
33、第一級應(yīng)采用B ,第二級應(yīng)采用A 。 要求電壓放大倍數(shù)的數(shù)值大于10,輸入電阻大于10MD,輸出電阻小于100Q,第一級應(yīng)采用D ,第二級應(yīng)采用B 。5設(shè)信號源為內(nèi)阻很大的電壓源,要求將輸入電流轉(zhuǎn)換成輸出電壓,且1000,輸出電阻RV 100,第一級應(yīng)采用采用C ,第二級應(yīng)B 、選擇適宜答案填入空內(nèi)。1直接耦合放大電路存在零點漂移的原因是C、D oA 電阻阻值有誤差B晶體管參數(shù)的分散性C.晶體管參數(shù)受溫度影響D電源電壓不穩(wěn)2集成放大電路采用直接耦合方式的原因是C oA.便于設(shè)計B.放大交流信號C.不易制作大容量電容3選用差動放大電路的原因是A oA克服溫漂B提高輸入電阻C穩(wěn)定放大倍數(shù)4差動放大
34、電路的差模信號是兩個輸入端信號的A ,共模信號是兩個輸入端信號的C A. 差 B. 和C.平均值5用恒流源取代長尾式差動放大電路中的發(fā)射極電阻,將使單端電路的B oA 差模放大倍數(shù)數(shù)值增大B 抑制共模信號能力增強C 差模輸入電阻增大6互補輸出級采用共集形式是為了使C oA.放大倍數(shù)的數(shù)值大B.最大不失真輸岀電壓大C.帶負(fù)載能力強三、電路如圖T3 - 3所示,所有晶體管均為硅管,3均為200, rbb'200 ,靜態(tài)時U BEQ 0.7V試求:1靜態(tài)時Ti管和T管的發(fā)射極電流。2假設(shè)靜態(tài)時uO 0,那么應(yīng)如何調(diào)節(jié)R2的值才能使uO 0假設(shè)靜態(tài)UO0 V,那么R2 =,電壓放大倍數(shù)為多少解
35、:(1)T3 管的集電極電流 |C3 (Uz Ubeq3)/Re3 0.3mA靜態(tài)時T管和T2管的發(fā)射極電流|E1 IE2 0.15mA假設(shè)靜態(tài)時uO0,那么應(yīng)減小EQ2rbb(1)26mV8.9kRc2rbe4(12rbe218.3Rc418.3rbe4(1) Re4習(xí)題判斷圖所示各兩級放大電路中于交流信號均可視為短路。Ti和T2管分別組成哪種根本接法的放大電路。設(shè)圖中所有電容對(a)(b)(c)(d)解:(a)共射,共基(b) 共射,共射(c)共射,共射(d)共集,共基(e) 共源,共集 (f)共基,共集設(shè)圖所示各電路的靜態(tài)工作點均適宜,分別畫出它們的交流等效電路,并寫出Au、Ri和R。的
36、表達(dá)式解:(1)圖示各電路的交流等效電路如解圖所示。(2) 各電路的 A、Ri和Ro的表達(dá)式分別為:(a): Au1 R2 rbe2(12)R3(12)&Rrbe1rbe2(12)R3RRirbe1 ;RoR3 / rbe2R212(b): Au(11 )( R2 / R3 / rbe2)(2民)rbe1(11 )( R2 / R3 / rbe2)rbe2RR1/ rbe1(11)(R2R3rbe2) ;RoR4(c) : Au1 R2 / rbe2(12) rd 2 R3rbe1R1rbe2(12) rdRR1rbe1 ;RoR3bD(a)hi£>(b)-I卜0R廠R
37、Rik-*(d)w-ll 他Q(d) :Augm(R4R6R7rbe2)(出)rbe2R R / R2R3 ; 尺民解圖根本放大電路如 圖(a)、(b)所示,圖(a)虛線框內(nèi)為電路I,圖(b)虛線框內(nèi)為電路H。由電路I、H組成的多級放大電路如圖(c)、(d)、(e)所示,它們均正常工作。試說明圖(c)、(d)、(e)所示電路中(1)哪些電路的輸入電阻較大;哪$些電路的輸出電阻較小;(3)哪個電路的電壓放大倍數(shù)最大。Q必£L(c)(a)(b)(c)(d)歹卜II卄I卄II(e)圖解:(1)圖(d)、(e)所示電路的輸入電阻比擬大;(2) 圖(c)、(e)所示電路的輸出電阻比擬小;(3)
38、 圖(e)所示電路的電壓放大倍數(shù)最大。電路如圖(a) (b)所示,晶體管的3均為150 , rbe均為2k , Q點適宜。求解Ri和Ro。解:在圖(a)所示電路中1 ; AU2隹 225 ;rbe2Auu2RiR,1 / R2 / %11.35 k ;R)R3 3k在圖(b)所示電路中1 (R1 / rbe2 )136 ; Au2込 75rbe2電路如圖c點適宜。求解1 Au2 10200(R5R2 / R3) bel、e所示,晶體管的、R 和 Ro 。解:在圖c所示電路中1 (R3/ rbe2)1 Au2 16666.7 ;在圖e所示電路中g(shù) m R2 / rbe(12kRoR4 1k3均為
39、200 ,rbe均為3k。場效應(yīng)管的gm為15mS; Q125 ;2R4rbe2RiR /be13k)& gmR2133.330Ro R4 2kaj2)R4Au(1rbe (1)R41 AJ230 ;圖所示電路參數(shù)理想對稱,晶體管的R R110MRo& / rbe R22513 均為 100, rbb' 100U beq 0.7V。試求 Rw的滑動端在中點時T1管和T2管的發(fā)射極靜態(tài)電流|eq以及動態(tài)參數(shù)A和R7“i I2V|)解:RW滑動端在中點時Ti管和T2管的發(fā)射極靜態(tài)電流|eq分析如下:U BEQRvIeq t21 eq&VeeVEE U BEQ0.51
40、7mA動態(tài)參數(shù)A和R分析如下:rbe 瓜(1)RW 2R,6mV 5.18k1 EQRcbe(1) Rv / 298R 2% (1) Rv 20.5k電路如下圖,T1和T2兩管的B均為140, rbe均為4k Q。試問:假設(shè)輸入直流信號Um 20mV ,U|2 10mV,那么電路的共模輸入電壓 Uic ?差模輸入電壓uid?輸出動態(tài)電壓 Uo ?解:電路的共模輸入電壓Uic、差模輸入電壓Uid、差模放大倍數(shù) A和動態(tài)電壓 Uo分別為:UiC 山 Ul2 15mV ; Uid uI1 uI2 10mV2175 ;uOAduId175V電路如下圖,T和T2的低頻跨導(dǎo)gm均為10mS試求解差模放大倍
41、數(shù)和輸入電阻。解:差模放大倍數(shù)和輸入電阻分別為:AgmRd200 ; r試寫出圖 所示電路Ad和R的近似表達(dá)式設(shè)T和T2的電流放大系數(shù)分別為31 和 p 2, b-e 間動態(tài)電阻分別為rbe1和rbe2 。解:A和R的近似表達(dá)式分別為Ad1 2(7rbe1(11)rbe2R2rbe1(11)be2電路如圖 所示,Ti T5的電流放大系數(shù)分別為 A R和R的表達(dá)式。3 1 3 5 , b-e間動態(tài)電阻分別為rbe1be5,與出圖Q O J 解:A、R和艮的表達(dá)式分析如下:Au1U011R2be4(14聞UI2rbe1AUO24 R6 / rbe5(15)R7Au2U|2rbe4(14 ) R5A
42、u3UO3(15)R7UI3rbe5(15 )R7AuU。UIAi1 Au2 Au3 ;Rirbe1rbe2 ;RoR7/ %R615電路如圖 所示。電壓放大倍數(shù)為-100,輸入電壓 u為正弦波,T2和T3管的飽和壓降UCefIV。試問:1在不失真的情況下,輸入電壓最大有效值Umax為多少伏假設(shè)U= 10mV有效值,那么10=假設(shè)此時R開路,那么“=假設(shè)R短路,那么10=解:1最大不失真輸出電壓有效值為:Uom VCC Uces 7.78VV2故在不失真的情況下,輸入電壓最大有效值:Umax "十 77.8mV2U= 10 mV,貝U U = 1V 有效值。假設(shè)R開路,那么T和T3組
43、成復(fù)合管,等效1 3 , T3可能飽和,使得UO 11V 直流;假設(shè)R短路,那么U O 11.3V 直流第4章集成運算放大電路自測題一、選擇適宜答案填入空內(nèi)。(1) 集成運放電路采用直接耦合方式是因為(C )。A.可獲得很大的放大倍數(shù)B.可使溫漂小C.集成工藝難于制造大容量電容(2) 通用型集成運放適用于放大(B )。A.高頻信號 B.低頻信號 C.任何頻率信號(3) 集成運放制造工藝使得同類半導(dǎo)體管的(C )。A.指標(biāo)參數(shù)準(zhǔn)確B.參數(shù)不受溫度影響C.參數(shù)一直性好(4) 集成運放的輸入級采用差分放大電路是因為可以(A )。A. 減小溫漂 B.增大放大倍數(shù) C.提高輸入電阻(5) 為增大電壓放大
44、倍數(shù),集成運放的中間級多采用(A )。A. 共射放大電路B.共集放大電路C.共基放大電路二、判斷以下說法是否正確,用“/和“X表示判斷結(jié)果。(1) 運放的輸入失調(diào)電壓 Uo是兩輸入端電位之差。(X ) 運放的輸入失調(diào)電流I IO是兩輸入端電流之差。(V )運放的共模抑制比Kcmr(V )(4) 有源負(fù)載可以增大放大電路的輸出電流。(V )(5) 在輸入信號作用時,偏置電路改變了各放大管的動態(tài)電流。三、電路如圖 所示, p 1= p 2= p 3= 100。 解:分析估算如下:VccU BE2UBE1R2 1 B01 B021111(2B0B2(1|2IB21B0(2)12(1)IR。比擬上兩式
45、,得1 C21 B21 R)1 B01 C21 B0 ;100 AIR 100 A四、電路如下圖。i5TTRD 乂圖1說明電路是幾級放大電路,各級分別是哪種形式的放大電路共射、共集、差放;2分別說明各級采用了哪些措施來改善其性能指標(biāo)如增大放大倍數(shù)、輸入電阻。解:1三級放大電路,第一級為共集共基雙端輸入單端輸岀差分放大電路,第二級是共射放 大電路,第三級是互補輸岀級。2第一級采用共集共基形式,增大輸入電阻,改善高頻特性;利用有源負(fù)載T5、T6 增大差模放大倍數(shù),使單端輸岀電路的差模放大倍數(shù)近似等于雙端輸岀電路的差模放大倍數(shù),同時減 小共模放大倍數(shù)。第二級為共射放大電路,以T7、T8構(gòu)成的復(fù)合管為
46、放大管、以恒流源作集電極負(fù)載,增大放大倍數(shù)。第三級為互補輸岀級,加了偏置電路,利用D、D2的導(dǎo)通壓降使T9和Tio在靜態(tài)時處于臨界導(dǎo)通狀態(tài),從而消除交越失真。習(xí)題根據(jù)以下要求,將應(yīng)優(yōu)先考慮使用的集成運放填入空內(nèi)?,F(xiàn)有集成運放的類型是:通用 型高阻型高速型低功耗型高壓型大功率型高精度型1作低頻放大器,應(yīng)選用。2作寬頻帶放大器,應(yīng)選用。3作幅值為1卩V以下微弱信號的量測放大器,應(yīng)選用 作內(nèi)阻為100kQ。信號源的放大器,應(yīng)選用 。5負(fù)載需5A電流驅(qū)動的放大器,應(yīng)選用。6要求輸出電壓幅值為土 80V的放大器,應(yīng)選用。7宇航儀器中所用的放大器,應(yīng)選用 。4. 2 幾個集成運放的參數(shù)如 表所示,試分別說
47、明它們各屬于哪種類型的運放。 表特性指標(biāo)AdridUoI IOI IB-3dBfHKcmrSR增益帶寬單位dBMDmVnAnAHzdB7卩VMHzA11002520060078610010005865A10022201509665解:A為通用型運放,A 2為高精度型運放,A為高阻型運放,A為高速型運放。多路電流源電路如下圖,所有晶體管的特性均相同,LBe均為。試求|C1、|C2各為多少圖圖解:因為T、T2、T3的特性均相同,且 UBe均相同,所以它們的基極、集電極電流均相等,設(shè) 集電極電流為|c。先求出R中電流,再求解|C1、|C2。VccU BE4 U BEOI R
48、100 A1 CO 1 B3 1 CO31b31c(1 )Ic3Ir當(dāng)(1)3時,1 C1 1 C2100電路如下圖,T管的低頻跨導(dǎo)為gm ,Ti和T管d-s間的動態(tài)電阻分別為 rds1和rds2。試求解電壓放大倍數(shù)aUO / U|的表達(dá)式。解:由于T2和T3所組成的鏡像電流源是以T為放大管的共射放大電路的有源負(fù)載,T和T2管d -s間的動態(tài)電阻分別為r ds1和rds2所以電壓放大倍數(shù)Au的表達(dá)式為:AuUoU|D ( rds1 rds2 )U|gm ( rds1 rds2 )電路如下圖,T與T2管特性相同,它們的低頻跨導(dǎo)為gm; T3與T4管特性對稱;T2與T4管d-S間的動態(tài)電阻分別為r
49、ds2和rds4。試求出電壓放大倍數(shù)AuO / (u|1 U|2)的表達(dá)式。圖圖解:在圖示電路中:iD1iD2 i D3 iD4 ;iD2 iD4D2 D1 2D1iD1 gm(U|1U|2)io(U|1 U|2)電壓放大倍數(shù):a0(Uli U12)iO ( rds2 rds4 )(Uli U12)g m ( rds2 rds4 )電路如下圖,具有理想的對稱性。設(shè)各管B均相同(1)說明電路中各晶體管的作用;(2)假設(shè)輸入差模電壓為(u 11UI2)產(chǎn)生的差模電流為iD,那么電路的電流放大倍數(shù) aiOiD解:(1)圖示電路為雙端輸入、單端輸出的差分放大電路。 為放大管,壬和壬組成的鏡像電流源為有源負(fù)載。(2) 由于用壬和乖所構(gòu)成的鏡像電流源作為有源負(fù)載, 到右邊,故輸岀電流變化量及電路電流放大倍數(shù)分別為:T和£、壬和T4分別組成的復(fù)合管將左半局部放大管的電流變化量轉(zhuǎn)換io 2(1)
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