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![電鏡低加速電壓及減速模式的應(yīng)用_第3頁](http://file2.renrendoc.com/fileroot_temp3/2021-11/22/35aa484e-cb8f-47f3-9b45-5865c77eabf0/35aa484e-cb8f-47f3-9b45-5865c77eabf03.gif)
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1、掃描電鏡低加速電壓及減速模式的應(yīng)用掃描電鏡觀察樣品時,使用較高的加速電壓(一般10 kv以上)存在一些問題:電了束能 量高,穿透樣胡較深,得到的不是樣站真實的表而倍息;對于不耐電子束的樣站如有機材料 損傷較大;對于導(dǎo)電性不好的樣品,表面積累電荷造成荷電和樣品漂移,嚴(yán)重影響觀察。選 擇低的加速電壓(一般1 kv以下),可以冇效改善以上問題,高、低加速電壓在應(yīng)用中的 區(qū)別主要表現(xiàn)在:作用深度和區(qū)域不同,電了束與樣品的作用深度和范圍在高電壓下較低電 壓大,如圖1為15kv和1 kv加速電壓下電子束與樣品表而作用區(qū)域的monte carlo模擬圖, 可以看出低加速電壓下,作用的深度和區(qū)域明顯減小,因此
2、,較高的加速電壓提供的是相對 內(nèi)部的信息而非表而信息,反應(yīng)不出真實的表而形貌。圖2是不同加速電壓下樣胡形貌的差 異,可見使用15 kv的加速電壓掩蓋了樣品表面的一些形貌。另外,一些起伏很小的樣品, 用高的電壓就觀察不到,如單層排列的碳納米管,山于只有納米級的起伏,只能用低電壓觀 察。vacc lkvvacc 15kvaqnified57vacc=lkvvacc=15kv低加速電壓可以有效地減少對樣晶的損傷和荷電效應(yīng),對于不導(dǎo)電的樣站可以直接觀 察,比如一些高分了微/納米球在較高的加速電壓下發(fā)生坍塌、損壞,而且表面荷電嚴(yán)重, 放電現(xiàn)象明顯,嚴(yán)重影響觀察拍照,即使噴涂導(dǎo)電層也存在放電現(xiàn)象,而在低加
3、速電壓下能 夠保持其形態(tài),而且沒有明顯的荷電現(xiàn)象。要應(yīng)用低加速電壓觀察樣詁,要求電鏡的電子槍有足夠的亮度,以獲得足夠的束流,捉高 圖像分辨率;觀察時要減小工作距離,甚至把樣品升到物鏡下極»i,使物鏡激勵增強,焦 距變短,像差減小,提高分辨率。對于掃描電鏡s-4800,應(yīng)用低電壓(lkv)觀察,需要probecunent選high模式,工作距離小于3mm,二次電了探頭用上探頭即u探頭。雖然低電壓有以上優(yōu)點,但是低加速電壓比高加速電壓的分辨率低,如掃描電鏡s-4800 在lkv的分辨率是1. 4nm,而15kv分辨率為lnm<>應(yīng)用減速模式(deceleration mode) nj在 保持較高分辨率的同時又保持低電壓的優(yōu)勢,其原理如圖3所示,即在電了槍發(fā)射時使用較 肓的加速電壓,在電子?xùn)c到達(dá)樣品z前加一個減速電場以減速電壓(deceleration voltage),使實際到達(dá)樣品的電壓(landing voltage)減小。如圖4是應(yīng)用普通模式和減 速模式
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