Plasma-enhanced chemical vapor deposition synthesis of vertically oriented graphene nanosheets

1、Plasma-enhanced chemical vapor deposition synthesisof vertically oriented graphene nanosheets 1.Introduction 這篇綜述主要概述了使用PECVD法生長VG的最新研究，同時對生長源的設(shè)計(jì)和操作參數(shù)提出了指導(dǎo)。主要有以下幾個方面：2.各種不同的等離子體源和VG生長的反應(yīng)裝置 2.1微波等離子體：一種高頻電磁輻射的無電極氣體放電等離子體。主要有兩種模式：橫向電場（TE）和橫向磁場（TM）模式。 2.2射頻等離子體：VG生長的一種流行的能量源。主要有三種模式：漸消失的電磁場模式（），擴(kuò)散波模式（）

2、和靜電模式（）。 2.3直流等離子體：使用不同電極裝置進(jìn)行直流輝光放電。兩種模式：平行板輝光放電和針尖輝光放電。.前驅(qū)體3.1碳源：碳?xì)浠衔锖吞挤衔锸谴蠖鄶?shù)PECVD系統(tǒng)中碳源的最常用的選擇。碳?xì)渥杂苫赩G生長中有巨大的作用。3.2非固定形態(tài)碳的蝕刻：在最初的成核環(huán)境中，為了得到高品質(zhì)的納米島，非固定形態(tài)碳的有效清除是至關(guān)重要的。3.3氬氣：氬被加入PECVD系統(tǒng)有以下原因： （1）相對高的激勵和電離的電壓，能加強(qiáng)PECVD進(jìn)程，進(jìn)一步提高 等離子體的穩(wěn)定性。 （2）能夠加強(qiáng)VG生長的重要物質(zhì)的形成。 （3）強(qiáng)穩(wěn)定性和低反應(yīng)率，提高所獲產(chǎn)品的純度。3.4氮?dú)猓鹤鳛镻ECVD系統(tǒng)中非固定

3、形態(tài)碳的有效的蝕刻劑，也會改變原生VG的形態(tài)和結(jié)構(gòu)。3.5氣體比列：這是VG合成中重要一環(huán)，從某種程度上說，決定了最后沉淀出來的東西的種類，同樣也影響原生VG的形態(tài)和結(jié)構(gòu)。4.溫度 PECVD系統(tǒng)的VG生長通常在一個相對的溫度下進(jìn)行，與T-CVD系統(tǒng)相比。襯板溫度也是PECVD系統(tǒng)中非常重要的，它對表面反應(yīng)動力的影響很強(qiáng)。5.壓力 影響等離子體性質(zhì)和生長進(jìn)程的一個重要參數(shù)。氣體電離的壓力由Paschen定律決定6.襯板6.1預(yù)處理：常規(guī)方法是在丙酮和乙醇中對襯板進(jìn)行超聲清洗，隨后是用氫氟酸和去離子水清洗氧化物。 6.2圖形生長：通過控制生長時間，在選定區(qū)域設(shè)計(jì)好的形態(tài)和結(jié)構(gòu)的VG的圖形生長是可能實(shí)現(xiàn)的。