聯想臺式機內存條是否通用呢

1、聯想臺式機內存條是否通用呢家里有兩臺聯想臺式機，型號不同，其中一臺臺式機內存條 壞了，把另一臺的內存條給它用行嗎？下面由 小編給你做出詳細的聯 想臺式機內存是否通用說法介紹！希望對你有幫助！聯想臺式機內存條是否通用說法一：有區(qū)別，以前865主板的內存要長一點，主流的主板是通 用的聯想臺式機內存條是否通用說法二：是同一時代的機器嗎？如果都是DDR1的內存條應該是沒問題的，GX260 ,是DDR1的還是SD的條子？我都忘了 .機器太老了，不過有個辦法，如果內存能插上去并且是好的就 肯定能用.SD、DDR1、DDR2的槽口都不一樣，所以能插上去就能 用!聯想臺式機內存條是否通用說法三：你2004年買

2、的電腦應該內存不出意外的話，內存應該是DDR系列的了。你現在的電腦是什么時候買的呢 ？新買的？如果是最近才買 的，那肯定不通用的。現在的內存都為 DDR2代的。接口不同。相關閱讀：內存條誕生內存芯片的狀態(tài)一直沿用到 286初期，鑒于它存在著無法 拆卸更換的弊病，這對于計算機的發(fā)展造成了現實的阻礙。有鑒于此， 內存條便應運而生了。將內存芯片焊接到事先設計好的印刷線路板 上，而電腦主板上也改用內存插槽。 這樣就把內存難以安裝更換的問 題徹底解決了。在80286主板發(fā)布之前，內存并沒有被世人所重視，這個 時候的內存是直接固化在主板上， 而且容量只有64256KB ,對于 當時PC所運行的工作程序來說

3、，這種內存的性能以及容量足以滿足 當時軟件程序的處理需要。不過隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺的出現，程序和硬件對內存性能提出了更高要求， 為了提高速度并擴大容量，內存必須以獨立的封裝形式出現，因而誕生了 “內存條” 概念。在80286主板剛推出的時候，內存條采用了 SIMM（SingleIn-lineMemory Modules，單邊接觸內存模組）接口，容量為30pin、256kb，必須是由8片數據位和1片校驗位組成1個bank，正因 如此，我們見到的30pin SIMM 一般是四條一起使用。自1982年PC進入民用市場一直到現在，搭配80286處理器的30pin SIMM 內 存是內

4、存領域的開山鼻祖。隨后，在19881990年當中，PC技術迎來另一個發(fā)展 高峰，也就是386和486時代，此時CPU已經向16bit發(fā)展，所 以30pin SIMM內存再也無法滿足需求，其較低的內存帶寬已經成為急待解決的瓶頸，所以此時72pin SIMM內存出現了， 72pinSIMM支持32bit快速頁模式內存，內存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內存單條容量一般為512KB2MB，而且僅要求兩條同時使 用，由于其與30pin SIMM內存無法兼容，因此這個時候 PC業(yè)界 毅然將30pin SIMM內存淘汰出局了。EDO DRAM（Exte nded Date Out RAM，外擴充

5、數據模式存儲器）內存，這是 1991年到1995年之間盛行的內存條， EDO-RAM 同FP DRAM極其相似，它取消了擴展數據輸出內存與 傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據發(fā)送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通 DRAM快1530%。工作 電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應用在當 時的486及早期的Pentium 電腦上。在1991年到1995年中，讓我們看到一個尷尬的情況， 那就是這幾年內存技術發(fā)展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時EDO RAM 有72 pin和168 pin 并存的情況，事實上 EDO 內 存也屬于72pin S

6、IMM 內存的范疇，不過它采用了全新的尋址方式。 EDO在成本和容量上有所突破，憑借著制作工藝的飛速發(fā)展，此時 單條EDO內存的容量已經達到416MB。由于Pentium 及更高 級別的CPU數據總線寬度都是64bit甚至更高，所以EDO RAM與 FPM RAM都必須成對使用。SDRAM時代自In tel Celero n系列以及AMD K6處理器以及相關的主板 芯片組推出后，EDO DRAM內存性能再也無法滿足需要了，內存技 術必須徹底得到個革新才能滿足新一代 CPU架構的需求，此時內存 開始進入比較經典的SDRAM時代。第一代SDRAM 內存為PC66規(guī)范，但很快由于In tel和 AM

7、D的頻率之爭將CPU外頻提升到了 100MHz，所以PC66內存 很快就被PC100內存取代，接著133MHz外頻的PIII以及K7時代 的來臨，PC133規(guī)范也以相同的方式進一步提升 SDRAM的整體性 能，帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的帶寬為64bit，正 好對應CPU的64bit數據總線寬度，因此它只需要一條內存便可工 作，便捷性進一步提高。在性能方面，由于其輸入輸出信號保持與系 統外頻同步，因此速度明顯超越 EDO內存。不可否認的是，SDRAM內存由早期的66MHz，發(fā)展后來 的100MHz、133MHz，盡管沒能徹底解決內存帶寬的瓶頸問題， 但此時CPU超頻已經成為

8、DIY用戶永恒的話題，所以不少用戶將品 牌好的PC100品牌內存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功， 值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場上出現了一些 PC150、PC166規(guī)范的內存。盡管SDRAM PC133內存的帶寬可提高帶寬到 1064MB/S，加上Intel已經開始著手最新的Pentium 4計劃，所以 SDRAM PC133內存不能滿足日后的發(fā)展需求，此時，In tel為了達 到獨占市場的目的，與Rambus聯合在PC市場推廣Rambus DRAM 內存（稱為RDRAM內存）。與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡單內存架構，基于一種類RISC（Reduced

9、In structio n SetComputing ，精簡指令集計算機）理論，這個理論可以減少數據的復 雜性，使得整個系統性能得到提高。在AMD與Intel的競爭中，這個時候是屬于頻率競備時代， 所以這個時候CPU的主頻在不斷提升，In tel為了蓋過AMD，推出 高頻Pentium皿以及Pentium 4 處理器，因此 Rambus DRAM 內 存是被In tel看著是未來自己的競爭殺手锏，Rambus DRAM 內存以 高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數據量，因此內存帶寬相當出色， 如 PC 1066 1066 MHz 32 bits 帶寬可達到 4.2G Byte/sec , Ramb

10、us DRAM曾一度被認為是Pentium 4 的絕配。盡管如此，Rambus RDRAM內存生不逢時，后來依然要 被更高速度的 DDR “掠奪”其寶座地位，在當時， PC600、PC700 的Rambus RDRAM內存因出現Intel820 芯片組“失誤事件”、 PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平臺高高在 上，無法獲得大眾用戶擁戴，種種問題讓 Rambus RDRAM胎死腹 中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066規(guī)范RDRAM來力挽 狂瀾，但最終也是拜倒在 DDR內存面前。DDR時代DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)

11、 簡稱 DDR，也就是“雙倍速率SDRAM “的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本，DDR在時鐘信號上升沿與下降沿各傳輸 一次數據，這使得DDR的數據傳輸速度為傳統SDRAM的兩倍。由 于僅多采用了下降緣信號，因此并不會造成能耗增加。至于定址與控 制信號則與傳統SDRAM相同，僅在時鐘上升緣傳輸。DDR內存是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案， 其目的是迅速建立起牢固的市場空間，繼而一步步在頻率上高歌猛 進，最終彌補內存帶寬上的不足。第一代 DDR200規(guī)范并沒有得到 普及，第二代PC266 DDR SRAM(133MHz 時鐘×2 倍數據傳 輸=266MHz 帶

12、寬)是由PC133 SDRAM 內存所衍生出的，它將DDR 內存帶向第一個高潮，目前還有不少賽揚和 AMD K7處理器都在采 用DDR266規(guī)格的內存，其后來的 DDR333內存也屬于一種過度， 而DDR400內存成為目前的主流平臺選配，雙通道DDR400內存已 經成為800FSB處理器搭配的基本標準，隨后的 DDR533規(guī)范則成 為超頻用戶的選擇對象。DDR2時代隨著CPU性能不斷提高，我們對內存性能的要求也逐步升 級。不可否認，僅僅依高頻率提升帶寬的 DDR遲早會力不從心，因 此JEDEC組織很早就開始醞釀 DDR2標準，加上LGA775接口的 915/925以及最新的945等新平臺開始對

13、DDR2內存的支持，所以 DDR2內存將開始演義內存領域的今天。DDR2能夠在100MHz的發(fā)信頻率基礎上提供每插腳最 少400MB/S 的帶寬，而且其接口將運行于1.8V電壓上，從而進一 步降低發(fā)熱量，以便提高頻率。此外，DDR2將融入CAS、OCD、ODT等新性能指標和中斷指令，提升內存帶寬的利用率。從 JEDEC 組織者闡述的DDR2標準來看，針對PC等市場的DDR2內存將擁 有400、533、667MHz等不同的時鐘頻率。高端的 DDR2內存將 擁有800、1000MHz 兩種頻率。DDR-II內存將采用200-、220-、 240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內存將采用0.

14、13微米的 生產工藝，內存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。內存技術在2005年將會毫無懸念，SDRAM為代表的靜態(tài) 內存在五年內不會普及。QBM與RDRAM內存也難以挽回頹勢，因 此DDR與DDR2共存時代將是鐵定的事實。PC-100 的“接班人”除了 PC 一 133 以外，VCM(VirXualChannel Memory)也是很重要的一員。VCM即“虛擬通道存儲器”， 這也是目前大多數較新的芯片組支持的一種內存標準， VCM內存主要根據由NEC公司開發(fā)的一種“緩存式DRAM ”技術制造而成，它 集成了 “通道緩存”，由高速寄存器進行配置和控制。在實現高速數 據傳輸的同時，VC

15、M還維持著對傳統SDRAM的高度兼容性，所以 通常也把 VCM內存稱為 VCM SDRAM。VCM與SDRAM 的差別在 于不論是否經過CPU處理的數據，都可先交于 VCM進行處理，而 普通的SDRAM就只能處理經CPU處理以后的數據，所以 VCM要 比SDRAM 處理數據的速度快20%以上。目前可以支持VCMSDRAM 的芯片組很多，包括：In tel的815E、VIA的694X等。3. RDRAMIn tel在推出：PC-100后，由于技術的發(fā)展，PC-100內存 的800MB/S帶寬已經不能滿足需求，而 PC-133的帶寬提高并不大 (1064MB/S)，同樣不能滿足日后的發(fā)展需求。In

16、 tel為了達到獨占市 場的目的，與 Rambus 公司聯合在PC市場推廣 Rambus DRAM(DirectRambus DRAM) ，如圖 4-3 所示。Rambus DRAM 是：Rambus公司最早提出的一種內存規(guī) 格，采用了新一代高速簡單內存架構，基于一種RISC(ReducedInstruction Set Computing ，精簡指令集計算機)理論，從而可以減 少數據的復雜性，使得整個系統性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit總線，在一個時鐘周期內，可以在上升沿和下降沿的同時傳輸數據，這樣它的實際速度就為 400MHz×2=800MHz,

17、理 論 帶 寬 為（16bit×2×400MHz/8）1.6GB/s，相當于 PC-100 的兩倍。另外，Rambus也可以儲存9bit字節(jié)，額外的一比特是屬于保 留 比特，可能 以后會作為：ECC（Errol·CheckingandCorrectio n，錯誤檢查修正）校驗位。Rambus 的時鐘可以高達 400MHz ，而且僅使用了 30條銅線連接內存控制器和 RIMM（Rambus In-line MemoryModules，Rambus 內嵌式內存模塊），減少銅線的長度和數量就可以降低數據傳輸中的電磁干擾，從 而快速地提咼內存的工作頻率。不過在咼頻率下，其發(fā)出的熱量肯定 會增加，因此第一款Rambus內存甚至需要自帶散熱風扇。DDR3時代DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓，從DDR2的1.8V 降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預讀升級為8bit預 讀。DDR3目前最高能夠1600Mhz 的速度，由于目前最為快速的DDR2內存速度已經提升到 800Mhz/1066Mhz 的速度，因而首批 DDR3內存模組將會從1333Mhz的起跳。在Computex大展我們 看到多個內存廠商展出1333Mhz的DDR3模組。DDR3在DDR2基礎上采用