化學(xué)選修三高考題匯總

1、學(xué)習(xí)必備歡迎下載20XX 年高考： 29. （ 15 分）已知周期表中，元素Q、 R、W 、Y 與元素X 相鄰。 Y 的最高化合價(jià)氧化物的水化物是強(qiáng)酸?；卮鹣铝袉栴}：（ 1 ）W 與 Q 可以形成一種高溫結(jié)構(gòu)陶瓷材料。 W 的氯化物分子呈正四面體結(jié)構(gòu)， W的氧化物的晶體類型是；（2 ） Q 的具有相同化合價(jià)且可以相互轉(zhuǎn)變的氧化物是；（ 3 ） R 和 Y 形成的二元化合物中， R 呈現(xiàn)最高化合價(jià)的化合物的化學(xué)式是；（ 4 ）這 5 個(gè)元素的氫化物分子中，立體結(jié)構(gòu)類型相同的氫化物的沸點(diǎn)從高到低排學(xué)習(xí)必備歡迎下載列次序是（填化學(xué)式），其原因是；電子總數(shù)相同的氫化物的化學(xué)式和立體結(jié)構(gòu)分別是；（ 5

2、）W 和 Q 所形成的結(jié)構(gòu)陶瓷材料的一種合成方法如下： W 的氯化物與 Q 的氫化物加熱反應(yīng)，生成化合物 W(QH 2 ) 4 和 HCL 氣體； W(QH 2 )4 在高溫下分解生成 Q 的氫化物和該陶瓷材料。 上述相關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式（各物質(zhì)用化學(xué)式表示）是29 （1）原子晶體。（2）NO 2 和 N 2O4（3）學(xué)習(xí)必備歡迎下載As 2 S5 。（4 ） NH 3 > AsH 3 > PH 3 ,因?yàn)榍罢咧泻袣滏I ,后兩者構(gòu)型相同， 分子間作用力不同；電子數(shù)相同的有SiH 4 、PH 3 和H 2 S 結(jié)構(gòu)分別為正四面體，三角錐和V 形。（5 ） SiCl 4 + 4NH

3、3 = Si(NH2 ) 4 + 4HCl ，3Si(NH 2 ) 4 = 8NH3 + Si 3 N 420XX 年高考： 37【化學(xué) 選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】 (15 分 )主族元素W 、X 、Y、Z 的原子序數(shù)依次增大，W 的原子最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的 3 倍 X 、 Y 和 Z 分屬不同的周期，它們的原子序數(shù)之和是W原子序數(shù)的5倍在由元素W 、X 、 Y 、 Z 組成的所有可能的二組分化合物中，由元素W 與 Y 形成的化合物 M 的熔點(diǎn)最高 請(qǐng)回答下列問題：(1)W元素原子的L 層電子排布式為學(xué)習(xí)必備歡迎下載_，W 3 分子的空間構(gòu)型為_；(2)X單質(zhì)與水發(fā)生主要反應(yīng)的化學(xué)方程式為

4、_；(3)化合物 M 的化學(xué)式為 _，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl 相同，而熔點(diǎn)高于NaCl.M熔點(diǎn)較高的原因是_將一定量的化合物ZX 負(fù)載在 M 上可制得 ZX/M催化劑，用于催化碳酸二甲酯與月桂醇酯交換合成碳酸二月桂酯在碳酸二甲酯分子中，碳原子采用的雜化方式有_，OCO 的鍵角約為 _；(4)X 、Y 、 Z 可形成立方晶體結(jié)構(gòu)的化合物，其晶胞中 X 占據(jù)所有棱的中心， Y 位于頂角， Z 處于體心位置，則該晶體的組成為 X Y Z _；學(xué)習(xí)必備歡迎下載(5)含有元素 Z 的鹽的焰色反應(yīng)為_色許多金屬鹽都可以發(fā)生焰色反應(yīng)，其原因是_答案：2s22p4V 形(2)2F 2 2H 2O=4HF O2(

5、3)MgO晶格能大sp3 和 sp2120°(4)311(5) 紫 激發(fā)態(tài)的電子從能量較高的軌道躍遷到能量較低的軌道時(shí)，以一定波長(zhǎng)(可見光區(qū)域 )光的形式釋放能量20XX 年高考： 27. （ 15 分）學(xué)習(xí)必備歡迎下載下圖中， A 、B、C、D 、E 是單質(zhì)， G、H 、I、F 是 B、C、D 、E 分別和 A 形成的二元化合物。已知：反應(yīng)能放出大量的熱，該反應(yīng)曾應(yīng)用于鐵軌的焊接；I 是一種常見的溫室氣體，它和發(fā)生反應(yīng)：E 可以，F(xiàn)中的 E元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為60%.回答問題：（ 1）中反應(yīng)的化學(xué)方程式為_；學(xué)習(xí)必備歡迎下載（2）化合物的電子式為它,的空間構(gòu)型是；（ 3）1.6g G

6、溶于鹽酸， 得到的溶液與銅粉完全反應(yīng)，計(jì)算至少所需銅粉的質(zhì)量（寫出離子方程式和計(jì)算過程） ；（ 4）C 與過量 NaOH 溶液反應(yīng)的離子方程式為反應(yīng),后溶液與過量化合物反應(yīng)的離子方程式為；(5)E 在 I 中燃燒觀察到的現(xiàn)象是。學(xué)習(xí)必備歡迎下載20XX 年高考： 27.（15 分）（注意：在試題卷上作答無效 ）原子序數(shù)依次增大的短周期元素 a、b、c、d 和 e 中， a 的最外層電子數(shù)為其周期數(shù)的二倍；b 和 d 的 A2B 型氫化物均為 V 形分子， c 的 +1 價(jià)離子比 e 的-1 價(jià)離子少 8 個(gè)電子?；卮鹣铝袉栴}：（ 1） 元素 a 為_；c 為_（ 2） 由這些元素形成的雙原子分

7、子為_。（ 3） 由這些元素形成的三原子分子中，分子的空間結(jié)構(gòu)屬于直線形的是_，非直線形的是_。（寫 2 種）（4） 這些元素的單質(zhì)或由他們形成的學(xué)習(xí)必備歡迎下載AB 型化合物中， 其晶體類型屬于原子晶體的是_，離子晶體的是_，金屬晶體的是_，分子晶體的是 _；（每空填一種）（5） 元素 a 和 b 形成的一種化合物與c和 b 形成的一種化合物發(fā)生的反應(yīng)常用于防毒面具中，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為 _?！敬鸢浮浚海?1）C Na（ 2）CO （ 3）CO2 H2O H2S (4)金剛石 NaCl Na S 或 CO （ 5） 2Na2O2+2CO2=2Na2CO3+O2【解析】原子序數(shù)依次增大的短周

8、期元素a、b、c、d 和 e 中， a 的最外層電子數(shù)為其周期數(shù)的二倍； b 和 d 的 A2B 型氫化物均為 V 形分子，c 的+1 價(jià)離子比 e 的 -1 價(jià)離子少 8 個(gè)電子。可推出元素 a 為 C; b 為 O; 元素 c 為鈉， d 為硫， e 為氯。由這些元素形成的雙原子分子為 CO;由這些元素形成的三原子分子中， 分子的空間結(jié)構(gòu)屬于直線形的是 CO2 ，非直線形的是 : H2O H2S。這些元素的單質(zhì)或由他們形成的 AB 型化合物中， 其晶體類型屬于原子晶體的學(xué)習(xí)必備歡迎下載是_金剛石，離子晶體的是 NaCl ，金屬晶體的是 Na ，分子晶體的是 S 或 CO ；（每空填一種）元

9、素 a 和 b 形成的一種化合物與 c 和 b 形成的一種化合物發(fā)生的反應(yīng)常用于防毒面具中，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為 2Na2O2+2CO2=2Na2CO3+O2【考點(diǎn)】主要有分子的構(gòu)型， 元素的推斷，晶體的類型和生活中防毒面具的知識(shí)的考察。【點(diǎn)評(píng)】該題以“周期表中元素的推斷”為載體，考查學(xué)生對(duì)元素周期表的熟悉程度及其對(duì)表中各元素性質(zhì)和相應(yīng)原子結(jié)構(gòu)的周期性遞變規(guī)律的認(rèn)識(shí)和掌握程度。 考查了學(xué)生對(duì)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)關(guān)系以及運(yùn)用元素周期律解決具體化學(xué)問題的能力。(2013 課·標(biāo) )化學(xué) 選修 3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 前四周期原子序數(shù)依次增大的元素 A、B、C、 D 中， A 和 B 的價(jià)電子層中未

10、成對(duì)電子均只有 1 個(gè)，并且 A和 B的電子數(shù)相差為 8；與 B 位于同一周期的 C 和 D，它們價(jià)電子層學(xué)習(xí)必備歡迎下載中的未成對(duì)電子數(shù)分別為4 和 2，且原子序數(shù)相差為 2?；卮鹣铝袉栴}：(1)D2的價(jià)層電子排布圖為_。(2) 四種元素中第一電離能最小的是_，電負(fù)性最大的是_。(填元素符號(hào) )(3)A、B 和 D 三種元素組成的一個(gè)化合物的晶胞如圖所示。該化合物的化學(xué)式為_； D的配位數(shù)為 _；列式計(jì)算該晶體的密度_g cm·3。(4)A、 B和 C3三種離子組成的化合物 B3CA6，其中化學(xué)鍵的類型有 _；該化合物中存在一個(gè)復(fù)雜離子， 該離子的化學(xué)式為 _，配位體是 _。? 答案： (1)? (2)K F? (3)K2NiF46? (4)離子鍵、配位鍵 3.4FeF63F學(xué)習(xí)必備歡迎下載37.2014 化學(xué) 選修 3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(15分 )硅是重要的半導(dǎo)體材料， 構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)?；卮鹣铝袉栴} :(1)基態(tài) Si 原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)，該能層具有的原子軌道數(shù)為、電子數(shù)為。(2)硅主要以硅酸鹽、 等化合物的形式存在于地殼中。(3)單質(zhì)硅存在與