2021人教版高中化學選修三34《離子晶體》隨堂練習

1、課時訓(xùn)練17離子晶體1、 離子晶體不可能具有的性質(zhì)就是A、較高的熔沸點B、良好的導(dǎo)電性C、溶于極性溶劑D、堅硬而易粉碎解析：離子晶體就是陰、陽離子通過離子鍵結(jié)合而成的 ，在固態(tài)時，陰、陽離子受到彼此的束縛 不能自由移動，因而不導(dǎo)電。只有在離子晶體溶于水或熔融后，電離成可以自由移動的陰、陽離子,才可以導(dǎo)電。答案:B2、 僅由以下各組元素所組成的化合物，不可能形成離子晶體的就是 A、H、O、S B、Na、H、OC、K、Cl、O D、H、N、Cl解析：強堿、活潑金屬氧化物、絕大多數(shù)鹽等就是離子晶體。B項如NaOH、C項如KCIO、D 項如 NH4CI。答案:A3、 自然界中的CaF2又稱螢石，就是一

2、種難溶于水的固體，屬于典型 的離子晶體。以下實驗一 定能說明CaF2就是離子晶體的就是A、CaF2難溶于水，其水溶液的導(dǎo)電性極弱B、CaF2的熔沸點較高，硬度較大C、CaF2固體不導(dǎo)電，但在熔融狀態(tài)下可以導(dǎo)電D、CaF2在有機溶劑如苯中的溶解度極小解析:難溶于水，其水溶液的導(dǎo)電性極弱，不能說明CaF2 一定就是離子晶體；熔沸點較高，硬度 較大,也可能就是原子晶體的性質(zhì) ,B不能說明CaF2一定就是離子晶體；熔融狀態(tài)下可以導(dǎo)電 一定有自由移動的離子生成,C說明CaF2一定就是離子晶體;CaF2在有機溶劑如苯中的溶解 度極小，只能說明CaF2就是極性分子，不能說明CaF2 定就是離子晶體。答案:C

3、4、 有關(guān)晶格能的表達正確的就是A、 晶格能就是氣態(tài)原子形成1摩爾離子晶體釋放的能量B、晶格能通常取正值，但有時也取負值C、晶格能越大，形成的離子晶體越穩(wěn)定D、晶格能越大，物質(zhì)的硬度反而越小解析：晶格能就是氣態(tài)離子形成1摩爾離子晶體時所釋放的能量，晶格能取正值，且晶格能越大,晶體越穩(wěn)定，熔點越高，硬度越大。答案:C5、 以下有關(guān)離子晶體的數(shù)據(jù)大小比較不正確的就是()A、熔點：NaFMgF2AIF 3B、晶格能：NaFNaCINaBrC、陰離子的配位數(shù)：CsClNaClCaF 2D、硬度:MgOCaOBaO解析：掌握好離子半徑的大小變化規(guī)律就是分析離子晶體性質(zhì)的一個關(guān)鍵點。由于r(Na+)r(M

4、g2+)r(AI3+),且 Na+、Mg 2+、Al3+所帶電荷依次增大，所以 NaF、M gF2、AlF 3 的離 子鍵依次增強，晶格能依次增大，故熔點依次升高。r(F)r(C)r(B廠),故NaF、NaCl、NaBr的 晶格能依次減小。在CsCl、NaCl、CaF2中陰離子的配位數(shù)分別為8、6、4。 r(Mg 2+)r(Ca2+)ABEF B、ABEFCDC、ABCDEF D、EFABCD解析：離子所帶的電荷數(shù)越多，核間距越小，那么晶格能越大，熔沸點越高。答案：D7、 以下物質(zhì)中，屬于含有極性共價鍵的離子晶體的就是()A、CsClB、KOH C、H20D、Na2O2解析：水就是共價化合物，

5、形成的晶體就是分子晶體。 CsCl、KOH、Na2O2都就是離子晶體, 但就是CsCl中只有離子鍵。KOH由K+與OH-組成,OH-中存在極性共價鍵，因此B選項符合 題意。Na2O2由Na+與組成，中存在非極性共價鍵，不符合題意。答案:B8、 為了確定SbCb、SbCl5、SnCl4就是否為離子化合物，可以進行以下實驗，其中合理、可靠 的就是()A、 觀察常溫下的狀態(tài),SbCl5就是蒼黃色液體，SnCl4為無 色液體。結(jié)論：SbCl5與SnCl4都就 是離子化合物B、測定 SbCl3、SbCl5、SnCl4 的熔點依次為 73、5 C、2、8 C、-33 C。結(jié)論：SbCb、SbCl5、Sn

6、Cl4都不就是離子化合物C、將SbCl3、SbCl5、SnCl4溶解于水中，滴入HNO3酸化的AgNO 3溶液，產(chǎn)生白色沉淀。結(jié) 論：SbCb、SbCl5、SnCl4都就是離子化合物D、 測定SbCl3、SbCl5、SnCl4的水溶液的導(dǎo)電性，發(fā)現(xiàn)它們都可以導(dǎo)電。 結(jié)論：SbCl3、SbCl5、Sn Cl4都就是離子化合物解析:離子化合物一般熔點較高，熔化后可導(dǎo)電；分子晶體溶于水后也可以發(fā)生電離而導(dǎo)電，如HCl等溶于水電離產(chǎn)生 Cl-,能與HNO3酸化的AgNO 3溶液反響，產(chǎn)生白色沉淀，故A、C、D都不可靠。答案:B9、以下說法中一定正確的就是 A、固態(tài)時能導(dǎo)電 的物質(zhì)一定就是金屬晶體B、熔

7、融狀態(tài)能導(dǎo)電的晶體一定就是離子晶體C、水溶液能導(dǎo)電的晶體一定就是離子晶體D、固態(tài)不導(dǎo)電而熔融狀態(tài)導(dǎo)電的晶體一定就是離子晶體解析：四種晶體在不同狀態(tài)下的導(dǎo)電性區(qū)別如下：分子晶體原子晶體金屬 晶體離子 晶體固態(tài)不導(dǎo)電不導(dǎo)電單質(zhì) 硅為半導(dǎo)體可導(dǎo)電不導(dǎo)電熔融狀態(tài):不導(dǎo)電不導(dǎo)電可導(dǎo)電可導(dǎo)電水溶液有的可導(dǎo)電不溶于水一般不 溶于 水可導(dǎo)電另外，固態(tài)石墨也可以導(dǎo)電，而石墨就是混合晶體。答案:D10、對于氯化鈉晶體，以下描述正確的就是A、它就是六方緊密堆積的一個例子B、 58、5 g氯化鈉晶體中約含 6、02 XI023個NaCl分子C、與氯化銫晶體結(jié)構(gòu)相同D、每個Na+與6個Cl-作為近鄰解析：氯化鈉晶體的晶

8、胞結(jié)構(gòu)如圖所示 NaoCl，從中可以瞧出在立方體的面心中均有Cl-，故其就是面心立方最密堆積，故A錯;氯化銫晶體的晶胞結(jié)構(gòu)為Na+為中心向三維方向伸展，有立方最密堆積，故C錯;從上圖中可以得出氯化鈉晶體中以6上、下、前、后、左、右 個Cl-近鄰,故D正確；NaCI為離子晶體，其中不含有 NaCI分子,故B錯。答案：D11、以下說法正確的就是A、 Na2O2晶體中，陰、陽離子個數(shù)比就是1 : 1B、NaCl晶胞中有1個Na+與1個Cl-C、CaF2晶體中，Ca2+與F-的配位數(shù)之比為1 : 2D、CsCl晶胞中，CI-的配位數(shù)就是8解析：Na2O2晶體中陽離子就是 Na+，陰離子就是瞧作離子團,

9、陰、陽離子個數(shù)比為1 : 2;而NaCl只就是化學式，陽離子為Na+，陰、陽離子個數(shù)比就是1 : 1,在晶胞中，根據(jù)均攤法，有4個Na+與4個Cl-;從 CaF2化學式組成來瞧,Ca2+與F-的配位數(shù)之比就是 2 : 1。答案：D:A為陰離子，在立方體內(nèi)，B為陽離子,12、某離子晶體中晶體結(jié)構(gòu)最小的重復(fù)單元如以下列圖 分別在頂點與面心，那么該晶體的化學式為A、B2AC、B7A4B、BA 2D、B4A7解析:根據(jù)均攤法，該結(jié)構(gòu)單元中含A:8X1=8,含 B:X8+X6=4,B 與 A 離子數(shù)之比為 4 ： 8=1 : 2,即該晶體的化學式為 BA2,B項正確，故答案為B項。答案：B13、1共價鍵

10、、范德華力與離子鍵就是粒子之間的三種作用力。有以下晶體：KNO3 SiO2 晶體Si 石墨 KCl S8。其中，至少含有兩種作用力的就2以下幾組物質(zhì)間大小關(guān)系就是填“或“: 晶格能：NaClNaBr; 硬度：MgOCaO; 熔點：NalNaBr; 熔沸點：CO2NaCl。答案：12 14、以下7種物質(zhì)：白磷P4水晶氯化銨氫氧化鈣氟化鈉 過氧化鈉石墨，固態(tài)下都為晶體，答復(fù)以下問題填寫序號：1不含金屬離子的離子晶體就是 ,只含離子鍵的離子晶體就是 ,既有離子鍵又有非極性鍵的離子晶體就是,既有離子鍵又有極性鍵的離子晶體就是。(2) 既含范德華力又有非極性鍵的晶體就是 ,熔化時既要克服范德華力又要破壞

11、化學鍵的就是,熔化時只破壞共價鍵的就是 。解析：(1)屬于離子晶體的有 ，其中只含非金屬元素，NaF中只含離子鍵，Na2O2中有 離子鍵與非極性共價鍵,NH 4CI與Ca(OH)2有離子鍵與極性共價鍵。(2) 分子晶體中含范德華力，只有白磷、石墨晶體中既有范德華力又有共價鍵，水晶中只含共價鍵。答案:(1)與(2)15、A、B、C、D、E都就是周期表中前四周期的元素，且原子序數(shù)依次增大，其中A原子核外有三個未成對電子；A與B可形成離子化合物 B3A2; C元素就是地殼中含量最高的金屬元素；D原子核外的M層中有兩對成對電子；E原子核外最外層只有1個電子，其余各層 電子均充滿。請根據(jù)以上信息，答復(fù)以

12、下問題(答題時,A、B、C、D、E用所對應(yīng)的元素符號表示):(1) 比E核外電子數(shù)少5的元素的原子核外電子排布式就是 , A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序為 。(2) B 的氯化物的熔點遠高于 C 的氯化物的熔點，理由就是 A OE解析:A原子核外有三個未成對電子(4) CuN316、W A族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含W A族元素的化合物在研究與生產(chǎn)中有許多重要用途。請答復(fù)以下問題。(1) S單質(zhì)的常見形式為S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如以下列圖所示，S原子采用的軌道雜化方式就是。(2) 原子的第一電離能就是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)

13、正離子所需要的最低能量，0、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為 。(3) Se原子序數(shù)為 ,其核外M層電子的排布式為 。(4) H2Se的酸性比H2S(填強或弱。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為 , S的立體構(gòu)型為。(5) H2SeO3的K1與K2分別為2、7 X10-3與2、5X10-8, H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2為1、 2 X10-2,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋： H2SeO3與H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因：_; H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因：(6) ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如以下列圖所示,其晶胞邊

14、長為540、0 pm,密度為g cm-3(列式并計算),a位置S2-與b位置Zn2+之間的距離為 pm(列式表示)。S的價電子數(shù)就是6,其中形成2解析:(1)首先根據(jù)S8的結(jié)構(gòu)與價電子特點，確定其雜化方式。個b鍵，還有兩對孤電子對，故雜化方式為sp3。(2)在周期表中，同主族元素從上 到下得電子能力減弱，第一電離能依次減小。Se在S的下一周期，其原子序數(shù)就是16+18=34,電子排布式為A門3d104s24p4。(4)H Se鍵的鍵長比H S鍵的鍵長長，所以H Se鍵易斷裂，故 H2Se酸性比H2S強。SeO3中Se的雜化方式為sp2雜化，立體構(gòu)型為平面三角形。S中S的雜化方式為sp3雜化，與

15、3個O原子配位，故立體構(gòu)型為三角錐形。(5) 第一步電離產(chǎn)生的 H+抑制HSe與HSe的電離，使得HSe與HSe較難電離出 H+。同種元素形成的不同含氧酸，假設(shè)表示為(HO)mROn,那么n值越大,R元素的化合價越高，正 電性越咼R O H中O的電子更易向R原子偏移，0 H鍵越易斷裂，易電離產(chǎn)生H +。H2SeO3與H2SeO4可分別表示為(HO)2SeO與(HO)2SeO2,前者n值為1,后者n值為2,顯然 H2SeO4的酸性強于 H2SeO3。(6) ZnS晶胞的體積為(540、0 X10-10 cm)3。S2-位于晶胞的頂點與面心，Zn2+位于晶胞的內(nèi)部，一個ZnS晶胞中含有S2-:8

16、+6 =4個，含有4個Zn2+,即一個ZnS晶胞含有4個S2-與 4個 Zn2+,那么晶胞的密度為=4、1 g cm-3。ZnS晶胞中，面對角線上兩個相鄰S2-的距離為540pmx=270 pm。每個Zn2+與周圍4個S2-形成正四面體結(jié)構(gòu)，兩個S2-與 Zn2+之間連線的夾角為 109 8,兩個相鄰S2-與乙門2+形成等腰三角形(如下列圖)，那么ab之間的距離為 pm。答案:(1)sp3(2) OSSe(3) 34 3s23p63d10(4) 強平面三角形三角錐形(5) 第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子 H2SeO3 與 H2SeO4 可分別表示為(HO)2SeO 與(HO)2SeO2。H2SeO3 中的 Se 為 +4 價, 而H2SeO4中的Se為+6價，正電性更高，導(dǎo)致Se O H中O的電子更向Se偏移，越易電離 出H +(6) =4、1或或135(3)A的氫化物屬于 (填 極性或 非極性分子，D的低價氧化物分子的空間構(gòu)型就是。(4)A、E形成的某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)