OrCADPSpice軟件培訓(xùn)教材

1、OrCAD PSpice培訓(xùn)教材培訓(xùn)目標(biāo)：熟悉 PSpice的仿真功能，熟練掌握各種仿真參數(shù)的設(shè)置方法，綜合觀測并分析仿真結(jié)果，熟練輸出分析結(jié)果，能夠綜合運(yùn)用各種繪制原理圖設(shè)置仿真參數(shù)運(yùn)行仿真仿真對(duì)電路進(jìn)行分析，學(xué)會(huì)修改模型參數(shù)。PSpice 分析過程觀測并分析仿真結(jié)果二、 繪制原理圖原理圖的具體繪制方法已經(jīng)在 Capture 中講過了， 下面主要講一 下在使用 PSpice 時(shí)繪制原理圖應(yīng)該注意的地方。1、新建 Project 時(shí)應(yīng)選擇 Analog or Mixed-signal Circuit2、調(diào)用的器件必須有 PSpice 模型首先， 調(diào)用 OrCAD 軟件本身提供的模型庫， 這些庫

2、文件存儲(chǔ)的 路徑為 CaptureLibrarypspice ，此路徑中的所有器件都有提供 PSpice 模型，可以直接調(diào)用。其次，若使用自己的器件，必須保證 *.olb 、*.lib 兩個(gè)文件同時(shí) 存在，而且器件屬性中必須包含 PSpice Template 屬性。3、原理圖中至少必須有一條網(wǎng)絡(luò)名稱為 0，即接地。4、必須有激勵(lì)源。原理圖中的端口符號(hào)并不具有電源特性， 所有的激勵(lì)源都存儲(chǔ) 在 Source 和 SourceTM 庫中。5、電源兩端不允許短路，不允許僅由電源和電感組成回路， 也不允許僅由電源和電容組成的割集。解決方法：電容并聯(lián)一個(gè)大電阻，電感串聯(lián)一個(gè)小電阻。6、最好不要使用負(fù)值

3、電阻、電容和電感，因?yàn)樗麄內(nèi)菀滓?不收斂。三、 仿真參數(shù)設(shè)置1、PSpice 能夠仿真的類型在 OrCAD PSpice 中，可以分析的類型有以下 8 種，每一種分析 類型的定義如下：直流分析 ：當(dāng)電路中某一參數(shù)（稱為自變量）在一定范圍內(nèi)變化時(shí)，對(duì) 自變量的每一個(gè)取值，計(jì)算電路的直流偏置特性（稱為輸出 變量）。交流分析： 作用是計(jì)算電路的交流小信號(hào)頻率響應(yīng)特性。噪聲分析： 計(jì)算電路中各個(gè)器件對(duì)選定的輸出點(diǎn)產(chǎn)生的噪聲等效到選定 的輸入源（獨(dú)立的電壓或電流源）上。即計(jì)算輸入源上的等 效輸入噪聲。瞬態(tài)分析： 在給定輸入激勵(lì)信號(hào)作用下，計(jì)算電路輸出端的瞬態(tài)響應(yīng)。 基本工作點(diǎn)分析： 計(jì)算電路的直流偏置

4、狀態(tài)。蒙托卡諾統(tǒng)計(jì)分析： 為了仿真實(shí)際生產(chǎn)中因元器件值具有一定分散性所 引起的電路特性分散性， PSpice 提供了蒙托卡諾分析功能。 進(jìn)行蒙托卡諾分析時(shí)，首先根據(jù)實(shí)際情況確定元器件值分布 規(guī)律，然后多次“重復(fù)”進(jìn)行指定的電路特性分析，每次分 析時(shí)采用的元器件值是從元器件值分布中隨機(jī)抽樣，這樣每 次分析時(shí)采用的元器件值不會(huì)完全相同，而是代表了實(shí)際變 化情況。完成了多次電路特性分析后，對(duì)各次分析結(jié)果進(jìn)行 綜合統(tǒng)計(jì)分析，就可以得到電路特性的分散變化規(guī)律。與其 它領(lǐng)域一樣，這種隨機(jī)抽樣、統(tǒng)計(jì)分析的方法一般統(tǒng)稱為蒙 托卡諾分析（取名于賭城 Monte Carlo ）, 簡稱為 MC分析。 由于 MC分

5、析和最壞情況分析都具有統(tǒng)計(jì)特性， 因此又稱為統(tǒng) 計(jì)分析。最壞情況分析： 蒙托卡諾統(tǒng)計(jì)分析中產(chǎn)生的極限情況即為最壞情況。 參數(shù)掃描分析： 是在指定參數(shù)值的變化情況下， 分析相對(duì)應(yīng)的電路特性。 溫度分析： 分析在特定溫度下電路的特性。您對(duì)電路的不同要求，可以通過各種不同類型仿真的相互結(jié)合 來實(shí)現(xiàn)。2、建立仿真描述文件 在設(shè)置仿真參數(shù)之前， 必須先建立一個(gè)仿真參數(shù)描述檔， 點(diǎn)擊 或 PSpiceNew simulation profile ，系統(tǒng)彈出如下對(duì)話框：Profile 的名稱在 Analysis type 中，你可以有以下四種選擇：Time Domain（Transient） ：時(shí)域 （瞬態(tài)

6、 ）分析DC Sweep：直流分析AC Sweep/Noise ：交流 / 噪聲分析Bias point ：基本偏置點(diǎn)分析在 Options 選項(xiàng)中你可以選擇在每種基本分析類型上要附加進(jìn)行的分析， 其中 General Setting 是最基本的必選項(xiàng) （系統(tǒng)默認(rèn)已選） 。3、設(shè)置和運(yùn)行 DC Sweep點(diǎn)擊 或 PSpiceEdit Simulation profile ，調(diào)出 Simulation Setting 對(duì)話框，在 Analysis type 中選擇 DC Sweep，在 Options 中選中 Primary調(diào)用以前 Profile 的參數(shù)設(shè)置輸入 name，選擇 Create

7、，系統(tǒng)將接著彈出如下對(duì)話框：Sweep，如下所示：Sweep variable：直流掃描自變量類型Voltage source：電壓源Current source：電流源必須在 Name 里輸入電壓源或電流源的 Reference，如“ V1 ”、“I2 ” Global parameter：全局參數(shù)變量Model parameter ：以模型參數(shù)為自變量 Temperature：以溫度為自變量Parameter：使用 Global parameter 或 Model parameter 時(shí)參數(shù)名稱 Sweep type：掃描方式Linear：參數(shù)以線性變化Logarithmic ：參數(shù)以對(duì)數(shù)

8、變化Value list ：只分析列表中的值Start：參數(shù)線性變化或以對(duì)數(shù)變化時(shí)分析的起始值 End：參數(shù)線性變化或以對(duì)數(shù)變化時(shí)分析的終止值Increment 、 Points/Decade、 Points/Octave：參數(shù)線性變化時(shí)的增 量，以對(duì)數(shù)變化時(shí)倍頻的采樣點(diǎn)。例： 以自變量為 Model parameter 為例，對(duì)于下示電路，對(duì)模型Q2N2222 的參數(shù) BF 進(jìn)行 DC Sweep，參數(shù)設(shè)置如上圖所示，對(duì) BF 的值從 200 分析到 300，自變量以線性增長，增量為 10。0在 Simulation Setting 中按 OK 按鈕退出并保存設(shè)置參數(shù)。 點(diǎn)擊 或 PSpic

9、eMarkersV oltage Level ，放置電壓觀測探針，位置如上圖 所示。點(diǎn)擊 或 PSpiceRun 運(yùn)行 PSpice，自動(dòng)調(diào)用 Probe 模塊，分 析完成后，你將可以看到如下波形：5.50V5.40V200 250 300 V(OUT1)BF 波形顯示出輸出 V(out1) 與模型 Q2N2222 的 BF 參數(shù)變化關(guān)系。 對(duì)于使用 Global parameter 參數(shù)，必須在原理圖中調(diào)用一個(gè)器件： CaptureLibraryPSpiceSpecial 庫中的 PARAM 器件。然后對(duì) PARAM 器件添加新屬性，新屬性即為一個(gè) Global parameter 參數(shù)。

10、如新建一 個(gè) RES 屬性。調(diào)用 Global parameter 參數(shù)采用在 PART 的 VALUE 屬 性值中輸入 RES 進(jìn)行調(diào)用。4、設(shè)置和運(yùn)行 AC SweepVDD5.45V點(diǎn)擊 或 PSpiceEdit Simulation profile ，調(diào)出 Simulation Setting 對(duì)話框，在 Analysis type 中選擇 AC Sweep/Noise，在 Options 中選中 General Settings，如下所示：AC Sweep Type ： 其中參數(shù)的含義與 DC Sweep 的 Sweep Type中的參數(shù)含義一樣 Noise Analysis ：噪聲

11、分析Enabled：在 AC Sweep 的同時(shí)是否進(jìn)行 Noise Analysis 。 Output：選定的輸出節(jié)點(diǎn)。I/V ：選定的等效輸入噪聲源的位置。 Interval ：輸出結(jié)果的點(diǎn)頻間隔。對(duì)于 AC Sweep，必須具有 AC 激勵(lì)源。產(chǎn)生 AC 激勵(lì)源的方法 有以下兩種： 一、調(diào)用 VAC 或 IAC 激勵(lì)源； 二、在已有的激勵(lì)源 （如 VSIN ）的屬性中加入屬性“ AC ”，并輸入它的幅值。對(duì)于 Noise Analysis ，選定的等效輸入噪聲源必須是獨(dú)立的電壓 源或電流源。 分析的結(jié)果只存入 OUT 輸出檔， 查看結(jié)果只能采用文 本的形式進(jìn)行觀測。例： 按上圖所設(shè)參數(shù)進(jìn)

12、行設(shè)置：AC Sweep 的分析頻率從 1Hz 到 1GHz ，采用十倍頻增量進(jìn)行遞 增，每倍頻采樣點(diǎn) 101。Noise Analysis 的輸出節(jié)點(diǎn)為 OUT1 ，等效噪聲源的輸入源為 V1， 每隔 5 個(gè)頻率采樣點(diǎn)輸出一次噪聲分析結(jié)果。下圖是 AC 分析結(jié)果及在 10.23KHz 時(shí)的噪聲分析結(jié)果。Y 軸為系統(tǒng)增 益與 AC 信號(hào)源 幅值的乘積。* 08/01/00 14:42:37 * PSpice 9.1 (Mar 1999) * ID# 1090601032 * circuit file for profile: TRAN* NOISE ANAL YSIS TEMPERATURE

13、= 27.000 DEG CFREQUENCY = 1.023E+04 HZ* TRANSISTOR SQUARED NOISE VOLTAGES (SQ V/HZ)Q_Q1Q_Q2Q_Q3Q_Q4RB1.033E-141.036E-141.699E-151.696E-15RC1.263E-229.911E-233.507E-233.270E-23RE0.000E+00 0.000E+000.000E+000.000E+00IBSN2.389E-171.621E-161.597E-141.313E-14IC1.161E-141.042E-144.525E-154.404E-15IBFN0.00

14、0E+00 0.000E+000.000E+000.000E+00TOTAL2.196E-142.094E-142.219E-141.923E-14* RESISTOR SQUARED NOISE VOLTAGES (SQ V/HZ)R_RBIAS R_RC1 R_RC2 R_RS2 R_RS1TOTAL 2.607E-17 1.530E-16 3.512E-19 1.696E-13 1.699E-13* TOTAL OUTPUT NOISE VOLTAGE= 4.240E-13 SQ V/HZ= 6.511E-07 V/RT HZV(OUT1)FrequencyTRANSFER FUNCTI

15、ON V ALUE:V(OUT1)/V_V1 = 1.012E+02 EQUIVALENT INPUT NOISE AT V_V1 = 6.432E-09 V/RT HZ5、設(shè)置和運(yùn)行瞬態(tài)分析 (Time Domain(Transient) 點(diǎn)擊 或 PSpiceEdit Simulation profile ，調(diào)出 Simulation Setting 對(duì)話框， 在 Analysis type 中選擇 Time Domain(Transient) ，在 Options在 OUT 文件里存儲(chǔ) 的資料的時(shí)間間隔是否進(jìn)行傅立葉 分析是否詳細(xì)輸出偏 置點(diǎn)的信息中選中 General Settings

16、，如下所示：Run to ：瞬態(tài)分析終止的時(shí)間Start saving data：開始保存分析資料的時(shí)刻Transient options ：Maximum step ：允許的最大時(shí)間計(jì)算間隔Skip the initial transient bias point calculation ：是否進(jìn)行基本工作點(diǎn) 運(yùn)算Output file Options ：控制輸出檔內(nèi)容，點(diǎn)擊后彈出如下對(duì)話框：Output：用于確定需對(duì)其進(jìn)行傅里葉分析的輸出變量名。Number of Harmonics：用于確定傅里葉分析時(shí)要計(jì)算到多少次諧波。100mVV(V1:+)6.0V5.5V5.0V3.566us 4

17、.000us 4.500us V(OUT2)Time波形顯示出節(jié)點(diǎn) OUT2 的電壓輸出波形與輸入信號(hào)的波形。下圖是以文 本的形式來查看傅立葉分析的結(jié)果。FOURIER ANAL YSISTEMPERA TURE = 27.000 DEG CNORMALIZEDNO(HZ)COMPONENT COMPONENT(DEG) PHASE (DEG)11.000E+066.658E-051.000E+003.418E+010.000E+0022.000E+061.358E-042.040E+006.676E+01-1.593E+0033.000E+061.729E-042.597E+009.831E

18、+01-4.225E+0044.000E+062.087E-043.134E+001.339E+02-2.812E+0055.000E+063.514E-015.279E+03-1.000E+02-2.709E+0266.000E+061.915E-042.876E+00-1.593E+02 -3.643E+0277.000E+061.481E-042.225E+00-1.193E+02-3.585E+0288.000E+069.106E-051.368E+00-8.591E+01-3.593E+0299.000E+063.707E-055.568E-01-3.820E+01-3.458E+0

19、2JOB CONCLUDED6、 基本工TOT作AL 點(diǎn)JOB分 TIM析E5.278535E+05 PERCENT125.16點(diǎn)擊 或 PSpiceEdit Simulation profile ，調(diào)出 Simulation Setting10Pspice 的內(nèi)定值是計(jì)算直流分量和從基波一直到 9 次諧波Center：用于指定傅里葉分析中采用的基波頻率，其倒數(shù)即為基波周期 在傅里葉分析中，并非對(duì)指定輸出變量的全部瞬態(tài)分析結(jié)果均進(jìn)行分析。實(shí) 際采用的只是瞬態(tài)分析結(jié)束前由上述基波周期確定的時(shí)間范圍的瞬態(tài)分析輸 出信號(hào)。由此可見，為了進(jìn)行傅里葉分析，瞬態(tài)分析結(jié)束時(shí)間不能小于傅里 葉分析確定的基波周

20、期。例： 按上圖所設(shè)參數(shù)進(jìn)行設(shè)置。從 0 時(shí)刻開始記錄資料，到 10US 結(jié)束，分析計(jì)算的最大步長為 0.1NS， 允許計(jì)算基本工作點(diǎn)；輸出資料時(shí)間間隔為 20NS，允許進(jìn)行傅立葉分析，傅 立葉分析的對(duì)象為 V(out2) ，基波頻率為 1MHz ，采用默認(rèn)計(jì)算到 9 次諧波。分析結(jié)果如下：0VSEL -100mVFOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(OUT2) DC COMPONENT =5.448508E+00HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASETOTAL HARMONIC DISTORTIO

21、N =例：按上圖的參數(shù)進(jìn)行設(shè)置，分析結(jié)果如下：對(duì)話框，在 Analysis type 中選擇 Bias Point ，在 Options 中選中 General直流靈敏度分析： 雖然電路特性完全取決于電路中的元器件取值，但是 對(duì)電路中不同的元器件，即使其變化的幅度（或變化比例）相同，引起電路 特性的變化不會(huì)完全相同。靈敏度分析的作用就是定量分析、比較電路特性 對(duì)每個(gè)電路元器件參數(shù)的靈敏程度。 Pspice 中直流靈敏度分析的作用是分析指 定的節(jié)點(diǎn)電壓對(duì)電路中電阻、獨(dú)立電壓源和獨(dú)立電流源、電壓控制開關(guān)和電 流控制開關(guān)、二極管、雙極晶體管共 5 類元器件參數(shù)的靈敏度，并將計(jì)算結(jié) 果自動(dòng)存入 .OU

22、T 輸出檔中。本項(xiàng)分析不涉及 PROBE 數(shù)據(jù)文件。需要注意的 是對(duì)一般規(guī)模的電路， 靈敏度分析產(chǎn)生的 .OUT 輸出文件中包含的資料量將很 大。直流傳輸特性分析： 進(jìn)行直流傳輸特性分析時(shí)， Pspice程序首先計(jì)算電路 直流工作點(diǎn)并在工作點(diǎn)處對(duì)電路組件進(jìn)行線性化處理，然后計(jì)算出線性化電 路的小信號(hào)增益，輸入電阻和輸出電阻，并將結(jié)果自動(dòng)存入 .OUT 文件中。本 項(xiàng)分析又簡稱為 TF 分析。如果電路中含有邏輯單元， 每個(gè)邏輯器件保持直流 工作點(diǎn)計(jì)算時(shí)的狀態(tài)，但對(duì)模數(shù)接口電路部分，其模擬一側(cè)的電路也進(jìn)行 線性化等效。本項(xiàng)分析中不涉及 PROBE 數(shù)據(jù)文件。輸出詳細(xì)的基本工作點(diǎn)信息進(jìn)行直流靈敏 度

23、分析Settings，如下所示：11直流靈敏度分析結(jié)果DC SENSITIVITIES OF OUTPUT V(OUT2)ELEMENTELEMENTELEMENTNORMALIZEDNAMEVALUESENSITIVITYSENSITIVITY(VOLTS/UNIT) (VOLTS/PERCENT)R_RBIAS2.000E+043.274E-046.548E-02R_RC11.000E+04-2.477E-05-2.477E-03R_RC21.000E+04-6.300E-04-6.300E-02R_RS21.000E+034.398E-044.398E-03R_RS11.000E+03-

24、4.394E-04-4.394E-03V_V21.200E+017.190E-018.629E-02V_V3-1.200E+013.577E-01-4.293E-02V_V10.000E+001.013E+020.000E+00Q_Q1RB1.000E+01-1.920E-03-1.920E-04RC1.000E+00-1.006E-04-1.006E-06RE0.000E+000.000E+000.000E+00BF2.559E+02-5.499E-05-1.407E-04ISE1.434E-146.887E+119.876E-05BR6.092E+004.093E-142.494E-15I

25、SC0.000E+000.000E+000.000E+00IS1.434E-144.498E+146.450E-02NE1.307E+00-1.452E-01-1.898E-03NC2.000E+000.000E+000.000E+00直流傳輸特性分析結(jié)果* SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICSV(OUT2)/V_V1 = 1.013E+02INPUT RESISTANCE AT V_V1 = 1.534E+04OUTPUT RESISTANCE AT V(OUT2) =9.617E+03點(diǎn)擊 或PSpiceEdit Simulation profile，調(diào)出 Simula

26、tion Setting127、 設(shè)置和運(yùn)行 Monte Carlo/Worst-Case對(duì)話框， 在 Analysis type 中選擇 Time Domain(Transient) ，在 Options 中選中 Monte Carlo/Worst-Case ，如下所示：Monte Carlo ：選擇進(jìn)行蒙托卡諾分析Worst-Case/Sensitive：最壞情況分析Output variable ：選擇分析的輸出節(jié)點(diǎn)Monte Carlo options ：蒙托卡諾分析的參數(shù)選項(xiàng)Number of ：分析采樣的次數(shù)Use：使用的器件偏差分布情況（正態(tài)分布、均勻分布或自定義）Random

27、number ：蒙托卡諾分析的隨機(jī)種子值Save data：保存資料的方式Worst-Case/Sensitivity options ：最壞情況分析的參數(shù)選項(xiàng)Vary devices that：分析的偏差對(duì)象Limit devices to ：起作用的偏差器件對(duì)象Save data from each sensitivity ：是否將每次靈敏度分析的結(jié)果保 存入.OUT 輸出檔More setting ：點(diǎn)擊 More Setting 按鈕，將彈出如下對(duì)話框13Y Max ：求出每個(gè)波形與額定運(yùn)行值的最大差值Max ：求出每個(gè)波形的最大值Min ：求出每個(gè)波形的最小值Rise_edge：找出

28、第一次超出域值的波形Fall_edge：找出第一次低于域值的波形Threshold：設(shè)置域值Evaluate only when the sweep variable is in ：定義參數(shù)允許的變化 范圍Worst-Case direction ：設(shè)定最壞情況分析的趨向List model parameter values in the output file ：是否在輸出文件里 列出模型參數(shù)的值運(yùn)行蒙托卡諾分析的前提條件是必須有元器件含有偏差屬性關(guān) 于器件參數(shù)偏差的設(shè)置方法，請(qǐng)閱讀以下說明：為了適應(yīng)統(tǒng)計(jì)分析中模型參數(shù)要在一定范圍內(nèi)變化的要求， PSpice 中專 門提供了統(tǒng)計(jì)分析用的元器件

29、符號(hào)庫， 其名稱為 BREAKOUT 。庫中每種無源 元器件符號(hào)名為關(guān)鍵詞母后加 BREAK ，如電阻、電容和電感符號(hào)的名稱分別 為 RBREAK 、CBREAK 和 LBREAK 。對(duì)半導(dǎo)體有源器件， 為了進(jìn)一步區(qū)分其 不同類別， 在 BREAK 后還可再加一些字符。 例如雙極晶體管符號(hào)名又分為代 表橫向 PNP（ LPNP）的 QBREAKL ，代表 NPN 晶體管的 QBREAKN 等，代 表 PNP 管的 QBREAKP 等。進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析時(shí)，要考慮其參數(shù)變化的那些元器 件必須改用 BREAKOUT 庫中的符號(hào)。對(duì)這些元器件符號(hào)，再在其模型參數(shù) 的設(shè)置中，在需要考慮參數(shù)變化的那些模型參數(shù)

30、常規(guī)設(shè)置項(xiàng)“參數(shù)名參數(shù) 值”的后面，添加下面介紹的設(shè)置，具體描述該參數(shù)的變化。14由于一個(gè)電路中可能有多個(gè)元器件共享一個(gè)模型，如果在 MC 分析中每 次分析時(shí)的隨機(jī)抽樣方式是這幾個(gè)元器件值按同一個(gè)分布規(guī)律變化相同的 值，則用關(guān)鍵詞 LOT 表示。如果這幾個(gè)元器件值各自獨(dú)立變化，則用關(guān)鍵詞 DEV 表示。每次分析中的抽樣是按照隨機(jī)數(shù)發(fā)生器產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)進(jìn)行的。 PSpice對(duì) LOT 和 DEV 兩種發(fā)生器均提供有 10 個(gè)編號(hào)的隨機(jī)數(shù)發(fā)生器，用 0, ,9表示。如果希望同一個(gè)模型中的幾個(gè)模型參數(shù)甚至不同模型間的模型參 數(shù)按同一組隨機(jī)數(shù)產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)抽樣，只需要在這幾個(gè)模型參數(shù)的設(shè)置中， 在 LOT

31、 或 DEV 后面緊跟同一個(gè)編號(hào)的 lot#，其中 lot#為 0, ,9中的某一數(shù)字， 在 lot# 前需加斜杠符號(hào)“ /”。如果在模型參數(shù)的設(shè)置中未采用 lot#,則表示該參 數(shù)按單獨(dú)一個(gè)發(fā)生器產(chǎn)生的隨機(jī)數(shù)變化。模型參數(shù)的變化模式設(shè)置應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況確定。如果設(shè)計(jì)的電路要用印 刷電路板（ PCB）裝配，則不同 PCB 采用的元器件參數(shù)將獨(dú)立隨機(jī)變化，因 此應(yīng)選用 DEV 。但是如果設(shè)計(jì)的電路用于集成電路生產(chǎn)，由于工藝條件的變 化，將會(huì)使一批芯片上的元器件參數(shù)有一種同時(shí)增大或減小的趨勢(shì)，這就應(yīng) 該用 LOT 表示。但在集成電路生產(chǎn)中，同一芯片上不同管芯之間的參數(shù)又存 在隨機(jī)起伏，這就需要用 D

32、EV 表示。這就是說，對(duì)用于集成電路生產(chǎn)的電路 設(shè)計(jì)進(jìn)行 MC 分析時(shí)，對(duì)要考慮其變化的參數(shù)，應(yīng)同時(shí)采用 LOT 和 DEV 兩 種變化模式。為了反映實(shí)際生產(chǎn)中元器件參數(shù)的分布變化情況， PSpice 提供了正態(tài)分 布（又稱高斯分布）和均勻分布兩種分布函數(shù)，供用戶選用。在設(shè)置時(shí)，應(yīng) 在參數(shù)變化模式設(shè)置的后面緊跟代表選用分布規(guī)律的關(guān)鍵詞 GAUSS（若選用 正態(tài)分布）或 UNIFORM（若選用均勻分布） 。在關(guān)鍵詞前應(yīng)加有斜杠符號(hào) “/”。根據(jù)上述分析，在 MC 分析中描述元器件參數(shù)統(tǒng)計(jì)變化是在需考慮其參 數(shù)值變化的“參數(shù)名參數(shù)值”后面加上變化規(guī)律描述，其一般格式為： 參數(shù)名參數(shù)值 DEVlot

33、#/ 分布規(guī)律名 + LOT/lot#/ 分布規(guī)律名 其中“參數(shù)名”即為要考慮其參數(shù)變化的模型參數(shù)名稱。 “參數(shù)值”為該 模型參數(shù)的中心值，或標(biāo)稱值。上述格式中用方括號(hào)括起來的表示并非一定 要給出。 DEV 、LOT 為關(guān)鍵詞，表示參數(shù)變化模式。 lot#可取 0，,9，分布 規(guī)律名可以是 GAUSS，UNIFORM 或用戶定義的分布函數(shù)名。注意這兩項(xiàng)賦 值前面的斜杠符號(hào)不可少，且斜杠號(hào)前后均不應(yīng)留空格。下面幾個(gè)實(shí)例都是符合規(guī)定格式的正確表示。IS=1E 9 DEV 0.5% LOT 10%C=1 DEV 5%R=1 DEV/4/GAUSS 1% LOT/UNIFORM 5% TC1=0.02

34、 TC2=0.00515例： 以下圖為例：把前面電路中的電阻 RS1 替換為 breakout 庫中的電阻 Rbreak， 并選中該器件，點(diǎn)擊 EditPspice Model ，調(diào)出如下對(duì)話框：把內(nèi)容按圖修改，然后存盤并退出即可。蒙托卡諾分析的輸出節(jié)點(diǎn)設(shè)為 V(out2) ，采樣次數(shù)為 20，保存所 有資料，參數(shù)分布為平均分布，隨機(jī)種子值采用默認(rèn)值。瞬態(tài)分析的終止時(shí)間設(shè)為 1US。分析結(jié)果如下：16VDDV(OUT2)Time上圖波形顯示出電路輸出 V(out2) 在電阻 R1 阻值在 DEV 偏差為 10%、LOT 偏差為 20% 的均勻分布狀態(tài)下， 隨機(jī)采樣 20 次的分析結(jié) 果。8、

35、設(shè)置和運(yùn)行參數(shù)分析 (Parametric Sweep)點(diǎn)擊 或 PSpiceEdit Simulation profile ，調(diào)出 Simulation Setting 對(duì)話框， 在 Analysis type 中選擇 Time Domain(Transient) ，在 Options 中選中 Parametric Sweep，如下所示：17AC = 1a參數(shù)分析的設(shè)置方法與 DC Sweep 的設(shè)置方法完全一樣，只是 在 DC Sweep 時(shí)，把電路中的電感短路、電容開路。例： 以下圖為例，下圖是一個(gè)簡單的 RLC 濾波器，將分析 在輸入階躍信號(hào)作用下，輸出信號(hào)的上升時(shí)間以及過沖與電阻 R

36、1 的關(guān)系。T1 = 0ST2 = 10M ST3 = 10.1M ST4 =T5 =T6 =T7 =T8 =電路輸入源采用 Source 庫中的 IPWL ，0-10MS 時(shí)沒有電流， 從 10MS-10.1MS 電流線性上升，直達(dá) 1A ，然后保持不變。在瞬態(tài)分析下附帶對(duì)全局參數(shù)變量 R 進(jìn)行參數(shù)分析。瞬態(tài)分析時(shí)間為 0-20S，最大步長為 100MS；參數(shù)分析采用線性變化， 從 0.5-1.5 歐姆，增量為 0.1。完成分析參數(shù)設(shè)置后，首先按常規(guī)方法進(jìn)行仿真分析，然后在Probe 窗口中調(diào)入?yún)?shù)掃描分析的全部 11 批資料。用戶可選擇顯示 某一批分析資料，以查看分析結(jié)果。例如，選擇執(zhí)行

37、Trace/Add Trace 子命令，并在 Trace/Add Trace 設(shè)置框中指定顯示的信號(hào)為： I(L1)9 ，即顯示第 9 批分析中 ( 對(duì)應(yīng)R1 1.5 )，流過電感 L1 的電流I1 = 0AI2 = 0AI3 = 1AI4 =I5 =I6 =I7 =I8 =C111.5A1.0A0.5A0A0s18I(L1)95s10sTime15s20s“上升時(shí)間”以及“過沖”性能分析：選擇執(zhí)行 Plot/X Axis Settings 子命令， 并在屏幕上顯示的 x 軸設(shè) 置框 (見圖 6-21) 的 Processing Options 子框內(nèi)，選中“電路性能分析 (Performan

38、ce Analysis) ”，然后單擊 OK 按鈕，激活電路性能分析過 程。屏幕上出現(xiàn)電路性能分析顯示窗口， x 軸成為參數(shù)掃描分析中 的變量，即電阻 R。選擇執(zhí)行 Trace/Add 子命令， 并在屏幕上顯示的 Trace/Add Trace 設(shè)置框中， 確定顯示的特征值函數(shù)及自變量為： genrise(I(L1) ，然后 單擊 OK 按鈕，屏幕上顯示出上升時(shí)間與 R 的關(guān)系曲線 (見圖 6-32)。選擇執(zhí)行 Plot/Add Y Axis 子命令，在電路性能分析顯示窗口再 增加一根 y 軸，用于顯示過沖特性。重復(fù)上述 步驟(b)，確定顯示 的特征值函數(shù)及自變量 為 Overshoot(I(

39、L1) ，然后單擊 OK 按鈕，屏幕上增加顯示過沖與 R 的 關(guān)系曲線，結(jié)果如下圖所示。1 4.0 2 402.0 201.51.02 Overshoot(I(L1)R0SEL00.51 GenRise(I(L1)I(L1)9Time199、 溫度分析 Temperature (Sweep)點(diǎn)擊 或 PSpiceEdit Simulation profile ，調(diào)出 Simulation Setting 對(duì)話框，在 Analysis type 中選擇 AC Sweep/Noise，在 Options 中選 中 Temperature (Sweep)，如下所示：在指定的一系列溫度下進(jìn)行分析例：

40、對(duì)下圖差動(dòng)放大電路進(jìn)行溫度分析。分析電路在27、60度下的頻響情況。 AC Sweep 的頻率從 1-1GHz，倍頻采樣點(diǎn)為VEE分析40、10120分析結(jié)果如下：V(OUT2)Frequency三條波形對(duì)應(yīng)于三個(gè)不同的溫度下電路對(duì) V(out2) 節(jié)點(diǎn)的增益四、初始偏置條件的設(shè)置1.設(shè)置初始偏置條件的必要性 在實(shí)際電路中，存在有很多非線性器件以及雙穩(wěn)態(tài)或多穩(wěn)態(tài)器 件。采用常規(guī)方法計(jì)算其偏置解時(shí)往往出現(xiàn)不收斂問題，或得不到 預(yù)定的穩(wěn)定解。 在電路規(guī)模較大時(shí)， 這一問題更加突出。 對(duì)此，Pspice 中提供了多種方法，供用戶根據(jù)自己對(duì)電路工作原理的分析，設(shè)置 電路初始偏置條件。采用這種方法給電路

41、分析帶來下述 2 點(diǎn)好處。(1)對(duì)一般非線性電路，可以幫助盡快得到直流偏置解。這樣不 但可防止可能出現(xiàn)的電路不收斂或很難收斂的問題，而且也可以節(jié) 省大量的計(jì)算時(shí)間。(2)對(duì)雙穩(wěn)或穩(wěn)態(tài)電路，例如觸發(fā)器，通過設(shè)置電路初始偏置條 件，可以使電路呈現(xiàn)選定的穩(wěn)定狀態(tài)。2.設(shè)置初始偏置條件的方法Pspice提供了 4 種方法， 用于設(shè)置初始偏置條件。 按這些方法的 使用環(huán)境可將其分為兩類。(1)在電路圖中設(shè)置初始偏置條件：在 Pspice 軟件包的電路圖繪 制部分，用戶可采用下述 3 種不同的方式，在繪制電路圖的過程中 同時(shí)設(shè)置好相應(yīng)的初始條件。(a)采用 IC 符號(hào)。21(b)采用 NODESET 符號(hào)

42、。(c)設(shè)置電容和電感組件的 IC 屬性。(2)在電路分析模擬過程中采用以前的直流偏置計(jì)算結(jié)果作為本 次直流偏置的初始條件。 本方法涉及到直流偏置信息檔的存取問題。本節(jié)將分別介紹這幾種方法之間的區(qū)別及其具體使用步驟。IC 符號(hào)1.功能IC 是 Initial Condition 的縮寫。在 電路符號(hào)庫 Special.slb 中，IC1 和 IC2 兩個(gè)符號(hào)(見右圖)用于設(shè)置電路中 不同節(jié)點(diǎn)處的偏置條件。在電路圖中 放置 IC 符號(hào)的方法與放置元器件圖IC 符號(hào)(例)形符號(hào)的方法相同。其中 IC1 為單引 出端符號(hào)，用于指定與該引出端相連的節(jié)點(diǎn)的偏置條件。在電路中 放置了 IC1 符號(hào)后，連擊

43、該符號(hào)，從屏幕上彈出的參數(shù)設(shè)置框中將 該符號(hào)的 VALUE 屬性設(shè)置為該偏置條件值即可。圖 4-23 中的實(shí)例 表示將相應(yīng)節(jié)點(diǎn)處的初始偏置定為 3.4V 。IC2 是具有兩個(gè)引出端的 符號(hào)，用于指定與這兩個(gè)引出端相連的兩個(gè)節(jié)點(diǎn)間的偏置條件。在 交流小信號(hào) AC 分析(見 3-6 節(jié))和瞬態(tài) TRAN 分析(見 3-8 節(jié)) 需要求解偏置解的整個(gè)過程中， 采用 IC 符號(hào)的那些節(jié)點(diǎn)， 其偏置一 直保持在由 IC 符號(hào)指定的數(shù)值上。這就是說， IC 符號(hào)實(shí)際上是指 定了相應(yīng)節(jié)點(diǎn)處的偏置解。在 Pspice 運(yùn)行過程中，實(shí)際上是在連有 IC 符號(hào)的節(jié)點(diǎn)處附加有 一個(gè)內(nèi)阻為 0.0002 的電壓源，電

44、壓源值即為 IC 符號(hào)的設(shè)置值。2.說明(1)IC 符號(hào)設(shè)置的偏置條件在直流特性掃描分析過程中不起作 用。(2)若某一節(jié)點(diǎn)處同時(shí)加有 IC 符號(hào)和下面要介紹的 NODESET 符 號(hào)，則以 IC 符號(hào)的作用優(yōu)先， 即對(duì)該節(jié)點(diǎn)不考慮 NODESET 符號(hào)的 作用。NODESET 符號(hào)221.功能電路符號(hào)庫 Special.slb 中NODESET1 和 NODESET2 兩個(gè)符號(hào)如右圖所示。 其使用方法與IC 符號(hào)類似。但這兩類符號(hào)的 作用有根本的區(qū)別。不像 IC 符NODESET符號(hào)(例)號(hào)那樣用于指定節(jié)點(diǎn)處的直流偏置解。 NODESET 符號(hào)的作用只是 在迭代求解直流偏置解時(shí)，指定單個(gè)節(jié)點(diǎn)或

45、兩個(gè)節(jié)點(diǎn)之間的初始條 件值，即在求解直流偏置解進(jìn)行初始迭代時(shí)，這些節(jié)點(diǎn)處的初始條 件取為 NODESET 符號(hào)的設(shè)置值，以幫助收斂。2.說明(1)NODESET 符號(hào)設(shè)置值將作為 AC 交流小信號(hào)分析和 TRAN 瞬態(tài)分析求解直流偏置解迭代過程的初始條件。對(duì) DC 掃描分析， 只是在掃描過程的第一步求解直流解時(shí)，以 NODESET 設(shè)置值作為 迭代求解的初始條件。從 DC 直流分析的第二步掃描開始，進(jìn)行迭 代求解時(shí) NODESET 的設(shè)置值將不再起作用。(2)由于 NODESET 符號(hào)只用于設(shè)置直流迭代求解時(shí)的初始條件， 而 IC 符號(hào)設(shè)置的是節(jié)點(diǎn)處的直流偏置解， 因此當(dāng)某一節(jié)點(diǎn)同時(shí)連有 這兩

46、類符號(hào)時(shí)，以 IC 符號(hào)的設(shè)置值為準(zhǔn)， NODESET 對(duì)該節(jié)點(diǎn)的設(shè) 置不起作用。電容、電感初始解的設(shè)置電容和電感組件有一項(xiàng)名為 IC 的屬性設(shè)置，用于設(shè)置電容和電 感組件兩端的初始條件。這些設(shè)置在所有的直流偏置求解計(jì)算過程 中均起作用。但是在 TRAN 瞬態(tài)分析中，如果選中了參數(shù) “Skip initial transient solution ”，則瞬態(tài)分析前將不求解直流偏置工作點(diǎn)。設(shè)置有 IC 屬性的元器件將以其 IC 屬性設(shè)置值作為偏置解，其它元器件的 初始電壓或電流值取為 0。對(duì)電容， IC 屬性的設(shè)置相當(dāng)于在求解時(shí)與電容并聯(lián)一個(gè)串聯(lián)電 阻為 0.002 的電壓源。對(duì)電感，相當(dāng)于與電

47、感串聯(lián)一個(gè)恒流源，而 與恒流源并聯(lián)一個(gè) 1G 的電阻。五、Pspice 中的任選項(xiàng)設(shè)置 (OPTIONS)231.作用為了克服電路模擬中可能出現(xiàn)的不收斂問題， 同時(shí)兼顧電路分析 的精度和耗用的計(jì)算器時(shí)間， 并能控制模擬結(jié)果輸出的內(nèi)容和格式， Pspice 軟件提供了眾多的任選項(xiàng)供用戶選擇設(shè)置。根據(jù)設(shè)置內(nèi)容的 不同，可將這些任選項(xiàng)分為兩類。一類屬于選中型任選項(xiàng)，用戶只 需選中該任選項(xiàng)，即可使其在仿真分析中起作用，無需賦給具體數(shù) 值。另一類為賦值型任選項(xiàng)，對(duì)這類任選項(xiàng)，系統(tǒng)均提供有內(nèi)定值。2.任選項(xiàng)的設(shè)置方法點(diǎn)擊 或 PSpiceEdit Simulation profile ，調(diào)出 Simula

48、tion Setting 對(duì)話框，選中 Options ，窗口彈出如下對(duì)話框：Analog Simulation 任選項(xiàng)1 基本任選參數(shù)（1） RELTOL：設(shè)置計(jì)算電壓和電流時(shí)的相對(duì)精度。（2） VNTOL ：設(shè)置計(jì)算電壓時(shí)的精度。（3） ABSTOL ：設(shè)置計(jì)算電流時(shí)的精度。（4） CHGTOL ：設(shè)置計(jì)算電荷時(shí)的精度。（ 5） GMIN ：電路模擬分析中加于每個(gè)支路的最小電導(dǎo)。（6） ITLI ：在 DC 分析和偏置點(diǎn)計(jì)算時(shí)以隨機(jī)方式進(jìn)行迭代次數(shù)上限。24（7）ITL2 ：在 DC 分析和偏置點(diǎn)計(jì)算時(shí)根據(jù)以往情況選擇初值進(jìn)行的迭代 次數(shù)上限。（8）ITL4 ：瞬態(tài)分析中任一點(diǎn)的迭代次數(shù)上

49、限，注意，在 SPICE程序中有 ITL3 任選項(xiàng)， Pspice軟件中則未采用 ITL3 。（9）TNOM ：確定電路模擬分析時(shí)采用的溫度默認(rèn)值。（ 10） use GMIN stepping to improve convergence：在出現(xiàn)不收斂的情況時(shí)， 按一定方式改變 GMIN 參數(shù)值，以解決不收斂的問題。2 與 MOS 器件參數(shù)設(shè)置有關(guān)的任選項(xiàng) 在圖 4-38 中按“ MOSFET Options 按鈕，屏幕上出現(xiàn)下圖所示 任選項(xiàng)參數(shù)設(shè)置框，其中包括 4 項(xiàng)與 MOS 器件有關(guān)的任選項(xiàng)：（1）DEFAK：設(shè)置仿真分析中 MOS 晶體管的漏區(qū)面積 AD 內(nèi)定值；（2）DEFAS：設(shè)

50、置仿真分析中 MOS 晶體管的源區(qū)面積 AS 內(nèi)定值；（3）DEFL：設(shè)置仿真分析中 MOS 晶體管的溝道長度 L 內(nèi)定值；（4）DEFW：設(shè)置仿真分析中 MOS 晶體管的溝道寬度 W 內(nèi)定值。 3 Advanced Options 參數(shù)設(shè)置按“ Advanced Options ”按鈕，屏幕上出現(xiàn)下圖所示任選項(xiàng)參 數(shù)設(shè)置框。1）ITL5 ：設(shè)置瞬態(tài)分析中所有點(diǎn)的迭代總次數(shù)上限， 若將 ITL5 設(shè)置為 0（即內(nèi)定值）表示總次數(shù)上限為無窮大。2）PIVREL ：在電路模擬分析中需要用主元素消去法求解矩陣議程。求 解議程過程中，允許的主元素與其所在列最大元素比值的最小值由 本任選項(xiàng)確定。253)

51、PIVTOL ：確定主元素消去法求解矩陣議程時(shí)允許的主元素最小值用于控制輸出文件的任選項(xiàng)在 Category 欄選擇： “Ouput File ，”屏幕上即出現(xiàn)圖 4-41 所示的任 選項(xiàng)數(shù)設(shè)置框。圖中所示任選項(xiàng)的選中情況是系統(tǒng)的內(nèi)定設(shè)置。下 面解釋各任選項(xiàng)被選中后產(chǎn)生的作用。1) ACCT：該任選項(xiàng)名稱是 Account 的縮寫。若選中該項(xiàng)，則在輸出關(guān) 于電路模擬分析結(jié)果的信息后面還將輸出關(guān)于電路結(jié)構(gòu)分類統(tǒng)計(jì)、模 擬分析的計(jì)算量以及耗用的計(jì)算器時(shí)間等統(tǒng)計(jì)結(jié)果。2) EXPAND ：列出用實(shí)際的電路結(jié)構(gòu)代替子電路調(diào)用以后新增的元器件 以及子電路內(nèi)部的偏置點(diǎn)信息。3)LIBRARY ：列出庫文件

52、中在電路模擬過程被調(diào)用的那部分內(nèi)容。4)LIST ：列出電路中元器件統(tǒng)計(jì)清單。5)NOBIAS ：不在輸出文件中列出節(jié)點(diǎn)電壓信息。6)NODE ：以節(jié)點(diǎn)統(tǒng)計(jì)表的形式表示電路內(nèi)部連接關(guān)系。7) NOECHO： 不在輸出文件中列出描述電路元器件拓?fù)溥B接關(guān)系有及 與分析要求有關(guān)的信息。8) NOMOD ：不在輸出文件中列出模型參數(shù)值及其在不同溫度下的更新 結(jié)果。269）NOPAGE：不在輸出檔中保存模擬分析過程產(chǎn)生出錯(cuò)信息。10）NOPAGE：在打印輸出檔時(shí)代表模擬分析結(jié)果的各部分內(nèi)容（如偏 置解信息、 DC、AC 和 TRAN 等不同類型的分析結(jié)果等）均自動(dòng)另起 一頁打印。 如果選中 NOPAGE

53、 任選項(xiàng)，則各部分內(nèi)容連續(xù)打印， 不再 分頁。11）OPTS：列出模擬分析采用的各任選項(xiàng)的實(shí)際設(shè)置值。12）NUMDG ：確定打印資料列表時(shí)的數(shù)字倍數(shù)（最大 8 位有效數(shù)字）。13）Output File（） Characters：確定輸出打印時(shí)每行字符數(shù)（可設(shè)置為 80或 132）。六、 設(shè)置波形顯示方式點(diǎn)擊 或 PSpiceEdit Simulation profile ，調(diào)出 Simulation Setting 對(duì)話框，選擇 Probe Window ，對(duì)話框如下所示：七、 數(shù)據(jù)保存選項(xiàng)點(diǎn)擊 或 PSpiceEdit Simulation profile ，調(diào)出 Simulation

54、Setting 對(duì)話框，選擇 Data Collection ，對(duì)話框如下所示：2728八、 分析并處理波形 下圖是 PSpice 專門用來顯示和處理波形的工具窗口，所有對(duì)波 形的分析與處理，都是由它來完成。九、 直方圖繪制對(duì)電路特性進(jìn)行蒙托卡諾 (MC) 分析以后，調(diào)用 Probe 繪制出描 述電路特性分散情況的分布直方圖，就可以預(yù)計(jì)該電路設(shè)計(jì)投入生 產(chǎn)時(shí)的成品率。直方圖的繪制實(shí)際上是電路性能分析 (Performance Analysis) 功能的一部分。1、繪制直方圖的基本步驟完成參數(shù)掃描分析以后，在 PSpice A/D 的 Probe 窗口中，不管 以那種方法激活電路性能分析 (Pe

55、rformance Analysis) ， Probe 將分析 “電路特性”隨“元器件參數(shù)”的變化。其中“電路特性”就是選 用的特征值函數(shù)，在電路特性分析顯示窗口中成為 y 軸坐標(biāo)變量。 “元器件參數(shù)”是參數(shù)掃描分析中的變量參數(shù)，在顯示窗口中是 x 軸坐標(biāo)變量。如果在完成蒙托卡諾分析以后激活電路性能分析 (Performance Analysis) ，Probe 窗口將轉(zhuǎn)化為直方圖繪制窗口，選用的特征值函數(shù) 在顯示窗口中成為 x 軸坐標(biāo)變量， y 軸坐標(biāo)刻度為百分?jǐn)?shù)。這就是 說，只要在 MC 分析以后激活電路性能分析，就自動(dòng)進(jìn)入直方圖繪 制狀態(tài)。 因此繪制直方圖包括 MC 分析和電路性能分析

56、(Performance Analysis) 兩個(gè)分析過程。292、直方圖繪制實(shí)例： Chebyshev 濾波器分析下面電路圖是一個(gè) Chebyshev 4 階有源濾波器電路圖。 圖中元器 件參數(shù)值是按照中心頻率為 10KHZ ，帶寬為 1.5KHZ 的要求設(shè)計(jì)的。 其中 V1 為 AC 分析輸入激勵(lì)信號(hào)源，獨(dú)立電壓源 V2 為直流 +15V ， V3 為直流 15V 。如果投入生產(chǎn)時(shí)要組裝 100 套濾波器，所有的電 阻采用精度為 1的電阻器， 所有電容采用精度為 5的電容器， 試 繪制 100 套濾波器的 1db 帶寬和中心頻率分布直方圖。1 . 直方圖繪制 繪制直方圖的過程可分為下述 6

57、 個(gè)階段。 (1)繪制電路圖。其中應(yīng)注意下面幾個(gè)問題。(a)將輸入端的 AC 分析激勵(lì)信號(hào)源 V3 設(shè)置為 AC1。這樣， 輸 出信號(hào)的幅度即為電路的增益。(b)由于 MC 分析產(chǎn)生的資料量很大，而分析中直接有用的是輸 出電壓，因此 PROBE 數(shù)據(jù)文件中只存放 Marker 符號(hào)所指向的輸出 端電壓信號(hào)數(shù)據(jù)。(c)MC 分析中要考慮電阻和電容參數(shù)容差的影響。 電路中的電阻 和電容應(yīng)分別采用 BREAKOUT 符號(hào)庫中的 Rbreak 和 Cbreak 符號(hào)， 并將他們的模型設(shè)置為：.model RMOD RES (R=1 DEV=1%).model CMOD CAP (C=1 DEV=5%)

58、(2)設(shè)置 AC 分析參數(shù)。 考慮到濾波器的中心頻率為 10KHZ ，帶 寬為 1.5KHZ ，因此 AC 交流小信號(hào)分析中的掃描頻率范圍設(shè)置為：30Start Freg: 100HZEnd Freg: 1MEGHZPts/Decade: 50頻率掃描類型選為 Decade。(3)設(shè)置 MC 分析參數(shù)。根據(jù)要求， MC 分析的參數(shù)設(shè)置如下圖：(4)進(jìn)行仿真分析。設(shè)置好 AC 和 MC 分析參數(shù)后，運(yùn)行 PSpice， 進(jìn)行 MC 分析。(5)選定分析結(jié)果資料：由于 MC 分析中包括有多批次 AC 分析， 屏幕上將提示用戶確定選用那些批次的資料(見 5-3-5 節(jié) )。若要采用所有批次的資料，選

59、擇“ All ”并單擊 OK 按鈕，則全部資料均調(diào)入 Probe，供分析。屏幕上為通常的 Probe 信號(hào)波形顯示窗口。MC 分析參數(shù)設(shè)置 (例 )(6)繪制帶寬直方圖(a)進(jìn)入直方圖繪制狀態(tài)： 在 PSpice A/D 窗口中選擇執(zhí)行 Plot/Axis Settings 子命令，并從屏幕上出現(xiàn)的 x 軸設(shè)置框內(nèi)，選擇 Processing Options 子框中的“ Performance Analysis 選項(xiàng)”，然后單擊 OK 按鈕。 由 于 現(xiàn) 在 是 在 MC 分 析 以 后 激 活 電 路 性 能 分 析 (Performance Analysis) ，因此屏幕顯示就進(jìn)入直方圖繪

60、制狀態(tài)。Y 軸坐標(biāo)刻度變?yōu)榘俜謹(jǐn)?shù)。(b)繪制直方圖。 首先選擇執(zhí)行 Trace/Add 子命令， 并在屏幕上彈31 出的 Add Trace 設(shè)置框中， 按 1db 帶寬的分析要求， 依次選擇特征值 函數(shù) Bandwidth(1,db-level) 以及作為自變量的信號(hào)變量名 V(Out) ，則 設(shè)置框底部 Trace Expression 一欄顯示出 Bandwidth(V(Out),) 。按 1db 帶寬的要求，還需要采用通常文字編輯方法，將其改為 :Bandwidth(VDB(Out),1)完成上述特征值函數(shù)及自變量設(shè)置后， 單擊 OK 按鈕， 屏幕上即 出現(xiàn) 1db 帶寬分布直方圖，如