電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件

1、1電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件2電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件3電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件4電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件5電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件6電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件7電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件i8電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件iiNiLtiLudd9電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件uq 10電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件quuqC/tuCiccdd11電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件12電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件元件引線元件引線13電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件u導(dǎo)線是實(shí)際電路中的一類(lèi)重要元件，導(dǎo)線是實(shí)際電路中的一類(lèi)重要元件，導(dǎo)線導(dǎo)線的非理想性主要體現(xiàn)在導(dǎo)線的電阻和電感效的非理想性主要體

2、現(xiàn)在導(dǎo)線的電阻和電感效應(yīng)方面。當(dāng)信號(hào)頻率較高時(shí)，導(dǎo)線的電感效應(yīng)方面。當(dāng)信號(hào)頻率較高時(shí)，導(dǎo)線的電感效應(yīng)要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其電阻效應(yīng)應(yīng)要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其電阻效應(yīng)。u在直流情況下，導(dǎo)線中的電流均勻分布在在直流情況下，導(dǎo)線中的電流均勻分布在橫截面上。圓形導(dǎo)線的單位長(zhǎng)直流電阻為：橫截面上。圓形導(dǎo)線的單位長(zhǎng)直流電阻為：14電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件u隨頻率的升高，隨頻率的升高，集膚效應(yīng)集膚效應(yīng)將導(dǎo)致導(dǎo)線截面將導(dǎo)致導(dǎo)線截面上的電流向?qū)Ь€邊緣分布，上的電流向?qū)Ь€邊緣分布，集膚深度集膚深度為：為：u信號(hào)頻率越高，集膚深度越小。當(dāng)集膚深信號(hào)頻率越高，集膚深度越小。當(dāng)集膚深度遠(yuǎn)小于導(dǎo)線半徑時(shí)，電流將主要分布在具度遠(yuǎn)小于導(dǎo)線半徑

3、時(shí)，電流將主要分布在具有集膚深度的導(dǎo)體表面附近的帶狀區(qū)域。此有集膚深度的導(dǎo)體表面附近的帶狀區(qū)域。此時(shí)導(dǎo)線只利用了其很薄的一部分金屬。時(shí)導(dǎo)線只利用了其很薄的一部分金屬。15電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件對(duì)于對(duì)于低頻情況低頻情況，由于肌膚深度大于或與導(dǎo)體半徑相當(dāng)時(shí)，由于肌膚深度大于或與導(dǎo)體半徑相當(dāng)時(shí)，導(dǎo)線的單位長(zhǎng)電阻導(dǎo)線的單位長(zhǎng)電阻對(duì)于對(duì)于高頻情況高頻情況，導(dǎo)線的單位長(zhǎng)電阻為，導(dǎo)線的單位長(zhǎng)電阻為對(duì)于對(duì)于直流和低頻情況直流和低頻情況，導(dǎo)線的單位長(zhǎng)內(nèi)電感為，導(dǎo)線的單位長(zhǎng)內(nèi)電感為對(duì)于對(duì)于高頻情況高頻情況，倒顯得單位長(zhǎng)內(nèi)電感為，倒顯得單位長(zhǎng)內(nèi)電感為16電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件對(duì)于具有半徑相等和間距恒定的

4、平行導(dǎo)線，當(dāng)對(duì)于具有半徑相等和間距恒定的平行導(dǎo)線，當(dāng)導(dǎo)線的間距大于導(dǎo)線的間距大于五倍五倍及以上導(dǎo)線半徑時(shí)，導(dǎo)線及以上導(dǎo)線半徑時(shí)，導(dǎo)線之間的鄰近效應(yīng)可以忽略不計(jì)。此時(shí)，導(dǎo)線單之間的鄰近效應(yīng)可以忽略不計(jì)。此時(shí)，導(dǎo)線單位長(zhǎng)電感為：位長(zhǎng)電感為：17電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件對(duì)于長(zhǎng)度為對(duì)于長(zhǎng)度為l的一對(duì)半徑相等、間距恒定的平行的一對(duì)半徑相等、間距恒定的平行導(dǎo)線，其導(dǎo)線，其總電感總電感為為對(duì)于半徑相等和間距恒定的平行導(dǎo)線，有時(shí)還對(duì)于半徑相等和間距恒定的平行導(dǎo)線，有時(shí)還要考慮導(dǎo)線之間的電容。導(dǎo)線要考慮導(dǎo)線之間的電容。導(dǎo)線單位長(zhǎng)電容單位長(zhǎng)電容為為18電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件非理想電阻的等效電路及簡(jiǎn)化等效

5、電路非理想電阻的等效電路及簡(jiǎn)化等效電路19電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件R為電阻元件的電阻Llead為電阻元件兩條引線的等效電感Cleadage引線電容與電阻元件兩端電極之間電容之和Cpar引線的寄生電容電阻元件的非理想效應(yīng)將影響電阻元件的頻率特電阻元件的非理想效應(yīng)將影響電阻元件的頻率特性，特別對(duì)于高阻值的電阻元件，由于寄生電容性，特別對(duì)于高阻值的電阻元件，由于寄生電容的存在，將導(dǎo)致電阻元件的的存在，將導(dǎo)致電阻元件的高頻特性變差高頻特性變差。20電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件21電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件22電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件23電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件24電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分

6、課件25電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件26電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件27電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件28電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件BSB 29電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件NINIF 30電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件lNIlFHm/A31電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件HB32電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件SlFSlFHSBSmRmRF33電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件 N 銜鐵 L2 , 2 L3 , 3 L1 , 1 I 34電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件333222111SlSlSlFRFm333222111SlSlSlRINFm333222111lBlBlBHllHlHlH33221135電磁兼

7、容理論基礎(chǔ)第三部分課件36電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件37電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件38電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件39電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件40電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件41電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件42電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件43電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件44電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件45電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件tedd S e 46電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件llBvd)(llBvted)(47電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件ellEe d StBtlESldd 48電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件0d)(s StD49電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件tDd0dtD50電磁兼容理論基礎(chǔ)第三部分課件StDiiiilHsdldd 0 5