單軸和雙軸線性磁場傳感器中文資料

1、Honeywell況陽單片機廿吹網(wǎng)HA價格便宜這類傳感器經(jīng)專門設計.對人批最的OEM應用,價格合適。Honeywell價格便宜這類傳感器經(jīng)專門設計.對人批最的OEM應用,價格合適。Honeywell單軸和雙軸磁傳感器HMC1001/1002HMC1021/1022這類磁阻傳感器按4元件惠斯 頓電橋配置，它將磁場轉換成 差分輸出電壓.并能傳感強度 低至30卩高斯的磁場。這類磁 阻傳感器為低磁場傳感提供一 種小型、低成本、島乂敏度、 可靠的解決方案。價格便宜這類傳感器經(jīng)專門設計.對人批最的OEM應用,價格合適。Honeywell價格便宜這類傳感器經(jīng)專門設計.對人批最的OEM應用,價格合適。Hone

2、ywell特點與利益不是實際尺寸價格便宜這類傳感器經(jīng)專門設計.對人批最的OEM應用,價格合適。Honeywell價格便宜這類傳感器經(jīng)專門設計.對人批最的OEM應用,價格合適。Honeywell磁場范圍寬封裝尺寸小磁場范國高至6高斯(地磁場=0.5高斯)設計成單軸和雙軸.可組合在一起工作.從而提供3軸(xy. z)傳感單軸傳感器,封裝在8針SI域8針SOIC,或陶瓷8針DIP內(nèi)雙軸傳感器.封裝在16針或20針SOIC封裝內(nèi)固態(tài)這類小型裝置.相比于機械磁通門.大大降低了裝配成本.并提高了可靠性和耐 用性。片裝線圈幾仃專利的集成宣位/復位帯，可附低溫度漂移效應、非線性涙差和山高磁場 的存在，導致的輸

3、出信號的丟失。H旳專利的集成偏貫帶，町消除皎鐵干擾的影晌.價格便宜這類傳感器經(jīng)專門設計.對人批最的OEM應用,價格合適。線性磁場傳感器HoneywellHMC1001/1002技術規(guī)格特性條件最小值典型值最大值單位電橋電源(4)電橋電壓，參照于接地電壓512伏特電橋電阻電橋電流=10mA6008501200歐姆工作溫度(4)-40125C貯存溫度(4)未加偏壓的55125C磁場范圍(2X4)滿最程(FS),總外加磁場-2+2高斯線性謀墨(1 )(2X4)(25。(？時)最符合肖線1高斯2高斯010.52%滿雖程滯后謀(1 )(2X4)25C時2高斯Z間扌描3次0.0500%滿雖程可重復性謀至(

4、1)(2)(4)25C時2高斯之間打描3次0.0500%滿雖程S/R可重復性(1)S/R可重復性(2)在改變S/R脈沖后輸出冇變化210100RV電橋偏譽偏握n輸出+)(輸出)，在耗位脈沖后磁場=0高斯，V電橋=8V-60-1530mV靈敏度(1X2)在I偏K=50mA時，V電橋=8V2.53.24.0mV/V/高斯噪聲密度(4)在1Hz, V電橋=5V時的噪聲29nV/Hz分辨率(4)帶寬=10Hz, V電橋=5V27卩高斯帶寬(4)磁信鞏下限二DC)5MHzOFFSET(偏世)帶從OFFSET+至OFFSET-之間進行測雖2.53.5歐姆OFFSET(偏置)電阻溫度系數(shù)(4)TA=-40

5、至 125%：3900ppm/COFFSET(偏助磁場(4)以敏感方向外加的磁場465156mA/高斯置位/復位帶從S/R+至S/R-ZM測雖1.51.8歐姆置位/復位電流(3)(4)2 |is電流脈沖3.03.25Amp干擾磁場(4)尺敏度開始降低，便用S/R脈沖來恢復靈敏度3高斯靈敏度溫度系數(shù)(4)TA=-40 至 125CV 電橋=8VI電橋=5mA-2800-3000-6003200ppm/C電橋偏世溫度系數(shù)(4)TA=-40至125C無置位/復位I電橋=5mA有直位/奴位30010ppm/C電陽溫度系數(shù)(4)V電橋=8V,40至1252500ppm/C垂直軸線效應(4)垂直磁場=1高

6、斯無代位/復位有置位/復位30.5%滿厳程垠大邸歸磁場(4)在零讀數(shù)時無發(fā)燙效應100高斯fifi：HMC1001HMC1002040.53gram(1) V電橋=43V IS/R=32A, T=25C, V輸國位V奴位(2) 如果ViU橋=8.0V, IS/R=20A, T=25C,則S/R電流愈低導致的輸出變化血人(3) 電流的有效電流小I 1mA(4) 空產(chǎn)過程中不進行測試，通過產(chǎn)品特性予以保證單位：1 高斯(g)=lOe(空氣中),=79.58A/m, 1G=1O3特斯拉，1G=IO5 伽馬(gamma)HMC1021/1022技術規(guī)格特性條件最小值典型值最大值單位電橋電源電橋電壓，參

7、照丁接地電壓512伏特電橋電阻電橋電流=5n)A80011001300歐姆丁作溫度(1)HMC1021S, 1021Z, 1022HMC1021D*-40-40125300*C貯存溫度(1)未加偏壓的-55125C徹場范S(D淌塑程(FS),總外加磁場6+6高斯線性謀差(1)(25C時)最符介直線1拓斯3高斯6高斯0.050.41.6%滿吊:程滯后誤基25C時3高斯之間掃描3次0.08%滿啟程可重復性誤差(1)25C時3高斯之間掃描3次0.08%満雖程電橋偏代偏置珂輸出+)(輸出)，在設定脈沖后磁場=0高斯,V電橋=5V102.5-10n）V靈敏度在V電橋=5V時0.81.01.2mV/V/r

8、j 斯嗓聲密度在1Hz, V電橋=5V時的噪聲48nV/Hz分辨率(1)帶寬=10Hz, V電橋=5V85A高斯帶寬(1)檢信號(下限=DC)5MHzOFFSET（偏置）帶從OFFSET+至OFFSET-Z間進疔測呈405060歐姆OFFSET(偏遇)電阻溫度系 數(shù)TA=-40 至 125C3900ppnVCOFFSET(偏助磁場以敏機方向外加的磁場4.04.66.0mA/高斯置位/復位帶從S/R+至S/R-Z間測呈67.79歐姆置位/笈位電流2 ps電流脈沖0.50.54.0Amp干擾磁場(1)靈敏度開始降低，使用S/R脈沖來恢父靈敏度20高斯靈敏度溫度系數(shù)(1)TA=-40 至 125弋V

9、 電橋=5VI電橋=5mA-2800-3000-6003200ppm/C電橋偏左溫度系數(shù)(1)TA=40至125無置位/復位I電橋=5mA冇迎位/復位50010ppin/C電陽溫度系數(shù)(1)V 電橋=8V, 40 至 1252500ppm/C重直軸線效應(1)垂直磁場=1高斯外加磁場=1高斯+0.3%滿試程最大暴露磁場(1)在零讀數(shù)時無發(fā)燙效應200高斯覽仞復位S/R 電流R.5A30mv HTMC1021D的技術規(guī)格請參閱數(shù)據(jù)表(1)在生產(chǎn)過程中不進行測試，通過產(chǎn)品特性卩以保證單位:1 高斯(G)=lOe(空氣中),lG=79.58A/m,lGKT4特斯拉.go5伽馬線性磁場傳感器Honey

10、well線性磁場傳感器Honeywell主要性能數(shù)據(jù)在汽位或復位后傳感器輸岀與磁場強度曲線輸出在磁場強度范圍20 Oc內(nèi)可重復時傳感器輸岀對磁場強度曲線.1021/1022s 、Vb=5VJ* 、K/一友位、 、i氓位X12次打描、丿i-j、-2-1012 陞場(Oe)1000 n(ZHWAU)幕也蟹1021/1022Vb=5V、1 ft 1 ft ft 1 111 a 1 ft i I a111 ft ft aai i i a i傳感器噪聲對頻率曲線頻率(Hz)100：10巳1000I400130011001000溫度(C)100900刃 25(裁逐)衽哥1 1021/102.、Vb=5V、

11、111ft502S0255075 IM 125溫度(C)玄位/復位脈沖變化效應推薦2psec(微秒)的脈沖持續(xù)時間，S/R電壓24V供電電壓恒定時靈敏度對溫度曲線1 g.87 oo.o(3A、AE)誼主厲1所仃型號Vb=5V/電橋電阻對溫度曲線1200世位/復位電壓(V)線性磁場傳感器Honeywell封裝/引腳技術規(guī)格線性磁場傳感器Honeywell線性磁場傳感器HoneywellHMC1002-雙軸MR（磁阻傳感器）微電路HMC1001-單軸MR微電路線性磁場傳感器Honeywell線性磁場傳感器HoneywellGND1 (A) 1CUT* (A) 2OFFSET- (A) 3VbndQ

12、e (A) 4OUT- (A) 9GND2 (A) 6&R- (B) 7GND1 (B)Out* (B) 9 OFFSETB) IQ20 S/R- (A)NC1S GND PLN17 OFFSET (*A)1 S/R* (A)15 OFFSET* (B)14 S/R* (B)13 GND2 (B)12 OUT-(B)ii vonoge(6)S/R* 1OFFSET* 2S/R 3 DieGND 4rnOut* 5OFFSET- 6 Vbndge 7 Out- 8線性磁場傳感器Honeywell線性磁場傳感器HoneywellHMC1022-雙軸MR電路HMC1021S-單軸MR電路線性磁場傳感

13、器Honeywell線性磁場傳感器HoneywellOFFSET- (A) OUT* (A) VBRIDGE (A) OUT- (A) OUT- (B) VBRIDGE (B) GND (A) S/R- (B)16 OFFSET* (A)15 S/R(A)14 S/R(A)13 GND (B)12 OUT* (B)11 OFFSET- (B)10 OFFSET* (B)9 S/R(B)OUT* VBRIDGE GND OUT-HMC1021S8 OFFSET-7 OFFSET*6 S/R-5 S/R*線性磁場傳感器Honeywell線性磁場傳感器HoneywellHMC1021D-單軸MR電路

14、HMC1021Z-單軸MR電路線性磁場傳感器Honeywell線性磁場傳感器HoneywellOUT+ VBRIDGE GND OUT-8 OFFSET-7 OFFSET+6 S/R-5 S/R+OUT- VBRIDGE S/R* GND S/R- OFFSET* OFFSET- OUT箭頭指示外加磁場的方向.在SET（置位）脈沖后會產(chǎn)生一個正輸出電壓線性磁場傳感器HoneywellMX3.5D基本的設備操作 布尼韋爾磁阻傳感器是簡單的電阻電橋設備（圖1） 只需要一個供電電壓便可測量磁場。“10-10伏的電 壓連接到橋路上時，傳感器開始測帚軸線內(nèi)的環(huán)境 磁場或施加磁場。除了電橋電路外，傳感器的

15、芯片 上冇兩個磁耦合的電流帶偏置電流帶和置位/復位 電流帶.這些電流帶是霍尼韋爾的專利.它省左了 外部加裝線圈的需要。圖1 芯片上的元件（HMC1001）磁阻傳感器是由在硅圓片上電積的一個薄層探鐵 （或稱坡夷介金.或欽鐵導磁合金）薄膜制成，并伯 置成一個電阻帶。心在施加磁場時.電橋電阻的變 化使電壓輸出產(chǎn)生相應的變化。通常施加在薄膜側的外部磁場.使俺力線產(chǎn)生旋 轉，并改變其角度，這乂使電阻值發(fā)生變化（ARR）, 并造成惠斯通電橋的電壓輸出的變化。這種探詼電 陽的變化被稱作磁阻效應.它直接與電流的方向和 磁化矢杲有關.制造過程中敏感軸（磁場方向）被設且為沿薄肢氏 度的方向.這樣可使施加在欽鐵薄膜

16、的磁場.導致 電阻值的最人變化。但是.沿敏感軸的強磁場（丿、J- 10高斯）的影響,會擾亂或翻轉薄膜磁化的極性, 改變傳感器的特性。什對這樣的擾動磁場，為了恢 復或置位傳感器的特件.必須短種地施加一個強的 恢復磁場，這種做法被稱作施加置位脈沖或復位脈 沖。電橋輸出信號的極性取決J：此內(nèi)部薄膜的應化 方向，并且與零磁場輸出相對稱。當直流電流在偏置電流帶內(nèi)通過時偏置電流帶允 許多種工作模式?？蓽p去不必耍的幽場可將電橋偏迓設宣為0電橋輸出可驅(qū)動偏置電流帶.來消除閉壞配置內(nèi) 的測鼠磁場 1、到命令時.橋路增益可在系統(tǒng)內(nèi)自動校準。置位/復位（S/R）電流帯可以用高電流進行脈動.從 而達到以下目的：強迫傳

17、感番以高乂敏度模式1作翻轉輸出響應曲線的極性在正常工作期間進行循環(huán)，以提高線性度，減少 垂直軸的影響和溫度影響圖2內(nèi)顯示的輸出響應曲線說明S/R脈沖的影響。置位電流脈沖（I 位）被加到SR+引腳上時，輸 出按.姒正斜率線作出響應。為復位電流脈沖（Is） 被加到SR引腳上時，輸出按照反斜率線作出響I 除兩個偏置影響Z外，這些曲線是原始脈沖的鏡 像。在垂fl軸向上，圖2內(nèi)顯示的電橋偏置約為-25m 這是由制造過程中電阻匹配不當造成的。這種偏 宣可通過多種方法調(diào)整為寒。垠點接的方法是在電 橋的端上加個分流（并聯(lián)）電阻.強迫兩個輸出 的電壓相同。這必須在咨磁場環(huán)境卜進行，通常在 零高斯室內(nèi)進行.圖2內(nèi)

18、顯示的水平方向的偏宣在此被稱作外部偏 置“這可能是由附近的金屈物體.或者不希盥冇 的磴場.于擾了被測磁場而造成的。偏豐電流帶 內(nèi)的直流電流可以將此偏置調(diào)整為0。也對以使川 比他的方法.如屏蔽不必要的磁場.將外部偏置調(diào) 整為0。置位/復位脈沖形成的輸出響應曲線可以反 映出這兩種偏置。圖2輸出電壓與施加磁場的對比線性磁場傳感器Honeywell線性磁場傳感器Honeywell噪音特性圖3所示為典型磁阻(MR)傳感器的噪音密度曲線。1/f斜率幾仃接近10Hz的角頻率，并變平到3.8 nV/Hz.這約等同于一個850Q電阻的約翰遜噪音 (白噪音)一典熨的電橋電阻。卄耍使圖3內(nèi)的噪音 密度電壓與噬場發(fā)生

19、關系.則要使川卜列農(nóng)達式：對J：V伕電=5V和乂敏度=3.2mV/V/高斯,電橋輸出響應= 或16 m7高斯16高斯1Hz時的噪音密度*相當J30nV/pHz1.8p 高斯/Hz對噪音成分.使用卜列表達式:1/f 噪音(0.110Hz)=30 (ln(10/.l)nV64nV (rms)4p 高斯(rms)斯(p-p)111 噪,V(BW=lkHz)=3.8*BWnV120 nV (rms)50p 高斯(p-p)1000 IOHB MB 中的位置固定,則汽車對地球磁場的影響可以近似 地看作為此磁場內(nèi)的位移.或者偏置。如果此偏置 町以確定，那么利用偏置電流帶施加一個相同的II. 相反的磁場可以進

20、行補償。偏置電流帶的另-種用 途是可以騾動電流通過電流帶.將粘:確地抵消測 磁場。這被稱作閉環(huán)結構，電流反饋信號是所施加 礎場的直接度最.磁場偏置電流帶(偏置+和偏養(yǎng))將生成一個與正被 測吊:的施加磁場和同方向的磁場.HNIC1001/2的電 流帯每通過50niA電流可提供lOe的磁場.HMC1021/2的電流帶每通過5niA電流可提供lOe 的磁場(;t:空氣中1高斯=lOe).例如.如果25inA 的電流從HMC1001/2的偏置71腳到偏置引腳， 則任何被測環(huán)境磁場將加上一個0.5高斯的磁場。 同樣,25niA的電流將從環(huán)境磁場內(nèi)減左0.5高斯。 偏置電流帶看起來像是一個在偏置+和偏置引

21、腳 間的標稱電阻。偏置電流帶可以用作閉環(huán)電路內(nèi)的反饋尤件.利用 電流反饋環(huán)路內(nèi)的儡置電流帶可以測到期望值。若 要達到此目的，要將電橋放大器的輸出端連接到驅(qū) 動偏置電流帶的電流源。利用環(huán)路內(nèi)的高增益和反 向反饋。這將使磁阻橋路輸出為0(輸出輸fB-)o 這種方法4以給出極佳的線性度和溫度特性始終 以平衡的電阻模式操作磁阻電橋。即.無論測鼠什 么樣的殲場，通過偏置電流帶的電流都會將之消 除。電橋始終“看到” 一個寒應場條件，用來消除 施加磁場的介成電流是此磁場強度的一個直接度 呈，并且可以被轉換成磁場值。在應用的同時，偏萱電流帶還可以被用來門動校準 礎阻電橋.它對偶爾校對軸的電橋增益或在人的溫 度

22、擺動范圍內(nèi)作調(diào)整是II常有用的,它可以在上電 或者正常操作期間的任何時候進行。貳原理卄 :常簡 單：沿-線路取兩點.并確定該線的斜度即増 益。半電橋正在測靈穩(wěn)定的施加磁場時，輸出將保 持怕定記錄穏定磁場的讀數(shù),稱Z為H1此時 施加恃定電流通過偏置電流帶，然后記錄該讀數(shù)并 稱Z為H2。通過偏置電流帶的電流.將導致磁阻 傳感器測磺的磁場的變化一稱Z為施加磁場增磺 (Ha)。破附傳感器增益可如卜計算：-IllOOTg:|宀|川S min10關 *(Hz)1001000圖3典型噪音密度曲線斎么是偏置電流帶2特定大小的電流流過偏置電流帶可以消除任何環(huán) 境磁場。這對消除地球磁場的雜散碩鐵(stray ha

23、rd iron)失克影響非常冇用。例如，減少汽乍羅盤應用 屮車體對地球磁場的影響。如果憑阻傳感器在汽車磁陰(MR)Jfi r；i=(H2-H 1 )/AHa除了以上所述外，偏置電流帶還冇許多英它用途, 關鍵是環(huán)境磁場和偏置磁場町以簡單地相4舍加, 被磁阻傳感器作為單-磁場進行測彊。線性磁場傳感器圖JA易就化軸憊化圖4一簡單的置位/復位電路“圖5單軸置位/復位脈沖電路（1001）代么是置位/復位電流帶2人多數(shù)低磁場傳感器會受到人的磁場干擾（420高 斯）的影響町能導致輸出信號的衰變。為了減少這 種影響和故人化信兮輸出對以在噬阻電橋上應用 磁開關切換技術，消除過去磴歷史的影響。置位/ 復位電流帶的

24、H的就是把磁陰傳感器恢V到測?： 磁場的高靈敏度狀態(tài)。這可以通過將人電流脈動通 過S/R電流帶實現(xiàn)。S/R電流帶看起來像加在SR+ 和SR-JI腳Z間的一個電阻。此電流帶與偏置電流 帶不同因為它是以垂直軸或不緻感的方向礎耦介 到磁阻傳感器上的。一旦傳感器被置位（或復位）.町實現(xiàn)低噪?yún)鸷屯`敏度的磁場測駅。在卜面的討 論中，術語“置位”即拆置位電流或者指復位電流。當磁阻傳感器暴i +擾磁場中，傳感器尤件會分 成若干方向隨機的磁區(qū)域（圖4A）,從而導致靈敏度 衰減。峰值電流高JM氐耍求電流的脈沖電流（置位） 通過置位/復位電流帶將生成一個強磁場此幽場可 以重新將磁區(qū)域?qū)式y(tǒng)一到一個方向上（圖4B）

25、這 樣將確保高靈敏度和町1E復的瀆數(shù)。反向脈沖（復位） 可以以相反的方向旋轉磁區(qū)域的方向（圖40,并改 變傳感器輸出的極性。如果不出現(xiàn)干擾磁場，這種 磁區(qū)域的狀態(tài)可以保持數(shù)年。探伙介金（NiFe）電附在置位脈沖之后圖4B化奴位脈沖Z麻圖JC芯片內(nèi)的SR應通過脈沖電流來亞新対準或“翻 轉”傳感器內(nèi)的磁區(qū)域。此脈寬可短至2微秒.連 續(xù)脈沖時平均耗電少J： lmA（DC）?？蛇x定為每50 ms有一個2卩s脈寬的脈沖.或者更長以節(jié)電。唯一 的耍求是每個脈沖只在一個方向上施加。即，Honeywell 如果+3.5 A的脈沖被用來“說位”傳感器，則脈沖 衰減不應低J- 0電流。任何負（低于額定電流）電流

26、脈沖at號都會導致“無法置位”傳感器，并且不會 得到最佳的靈敏度。利用S/R電流帶,可以消除或減少許多彫響,包括: 溫度漂移、IE線性錯謀、交叉軸影響和I1IJ：高磁場 的存在而導致信號輸出的丟失.這可通過卜列過程 實現(xiàn)：電流脈沖.I迓位，可從S/R+引腳施加到S/R-引腳 以實現(xiàn)“置位”條件。然后可測定電橋輸出.并作 為Vout（置位）儲存起來。在S/R引腳內(nèi)施加相等但相反的另一個脈沖可實 現(xiàn)“復位條件然后可測昴電橋的輸出.并作為 Vout（復位）儲存起來。電橋輸出 Vout可以表達為:Vout= Vout（置位）.Vout（復位）”2。此方法可以消除由電子器件以及 電橋溫度漂移導致的偏置和

27、溫度影響。設計置位/復位脈沖電路的方法有多種。圖5所示為置位廢位脈沖電流的幅值取決于系統(tǒng)磁噪音的靈敏 度。如果給定的應用場合中HMC1001/2的最小可測 磁場約為500p高斯.那么3A（最小值）的脈沖就足夠 了.如果最小町測磁場低J： 100卩高斯，那么就耍求 4A（最小值）的脈沖.生成S/R脈沖的電路應置J靠近 磁阻傳感器處并且電源和接地連接良好。帝尼韋爾磁傳感器匕的置位/復位電流帶標何SR+ 和SRi未指明極性因為它只是一個金屬帶電阻。線性磁場傳感器單時鐘電路希耍冇某些形式的時鐘以觸發(fā)胃.位 和復位脈沖(圖6).從而產(chǎn)生開關切換信號。圖8 所示的電路可以用來生成強脈沖(4A)。以種二極

28、管、電阻、電容和逆變器基本上可以生成TRS和 TSR延遲。此時單一的信號(時鐘)可以觸發(fā)一個置 位或復位脈沖。時鐘升降邊緣Z間的厳低計時由 25kn.和InF的時間常數(shù)決定。即，時鐘的最小的 高低時間是*25ps.做處理器T軋9所示的電路在微處理器控制卜生成Honeywell 強說位/復位脈沖(4A)置位/復位信號由微處理器 中生成.并控制P和N通道HEXFET驅(qū)動器 (IRF71O5).生成TRS和TSR延遲的口的是確保一 個HEXFET通之前.另一個已被斷開。甚本上是一 種先斷后通的(break-before-niake)開關切換方式。電 流脈沖宙4.7HF的電容器形成。如果如圖7屮所示

29、使用5V20V的轉換器那么16-20V電源上的介成 噪音和衰減就不成問題.但是，如果系統(tǒng)另一處使 用16-20V電源，那么在4.7pF電容和電源Z間應 加裝一個串聯(lián)的降壓電阻Q500Q)。線性磁場傳感器線性磁場傳感器C”ea-srtJh3D妝 tvv時鐘圖6單時鐘置位/復位計時圖7-5V至20V轉換器圖8單時鐘置位/復位脈沖電路(1001/1002)S/RTsrTRS5psec TSR5psec TPW-2psecl*- Tpw線性磁場傳感器線性磁場傳感器 HMC2003含仃一個HNIC1001和一個HMC1002;它們-起組成3軸傳感器 三個S/R電流帶串聯(lián)布置總電阻為4.5Q。圖9微處理控

30、制的置位/復位電路(1001/1002)線性磁場傳感器Honeywell低磁場測匪、3測彊100微高斯或更低的分辨率時. 銀詼介金薄膜必須完全置位或者復位.以確保低噪 音和可幣復的測気 施加2微秒的4A電流脈沖.或者更高的電流脈沖即可確保對要求低噪音和高 靈敏度磁讀數(shù)的HNIC1001/2應用場合,建議使用 圖8和圖9的電路。處力衣-對J-高J： 500微高斯的山汕匕:坨測就町以 使用不人復雜的脈沖電路。在圖10和圖11中.使 用了成本較低的達林頓晶體管和極少的幾個元件 來切換脈沖信號。此電路的溫度范閑可能會受到更 多的限制.這取決j:所選的晶體管的質(zhì)量。如果不 注重精確度而只注重成本，那么使

31、用圖11屮的僅 復位用的電路即可.對r任何磁傳感器應用,如果溫度漂移不是問題. 那么只需耍偶爾施加復位脈沖.這樣可以節(jié)電.可 使用圖12所示的數(shù)字過濾技術。復位脈沖的情況 為1)1電或者，2)磯場過/欠量程條件。其他任何時 候傳感器都應正常工作。線性磁場傳感器Honeywell線性磁場傳感器Honeywell圖10單時鐘.置位/復位電路(1001/1002)圖12置位/復位的125V電路(1021/1022)圖13所示的電路可以根據(jù)微處理器時鐘驅(qū)動的控 制裝置生成強置位/復位脈沖,也可以使用自由運行 的555計時器對電路進行計時。置位電流脈沖可由 F的電容形成，為了減少噪音應在電源上出聯(lián) 一個

32、200Q的降壓電阻.線性磁場傳感器Honeywell線性磁場傳感器HoneywellSR電池泯在4.50典甲的3A1620VHMC2003#0 22yFlFHhh-tJi7S/R線性磁場傳感器Honeywell線性磁場傳感器Honeywell HN1C2003串聯(lián)有3軸S/R電流帶 這些是HMC1001和HMC1002傳感器圖11單時鐘.僅復位電路(1001/1(X)2)線性磁場傳感器Honeywell線性磁場傳感器Honeywell5V時鐘4 至 I4VS/R7 至 J4VTpv2微秒時鐘 A麻皿莎IHMC10229.15TTS/RIRF7105 DS952 (2)（1）袒低阻值（2）Rds

33、 （瀆數(shù)）02歐姆圖13配有時鐘控制的置位/復位脈沖（1021/1022）處功姿對J電源低至3.3V的低功率應用.可使用 圖15所示的電路。這些低閾值FET在Vgs=2.7V 時提供低的接通電阻（0.3歐姆）。置位/復位脈沖不 需要連續(xù)產(chǎn)生。為省電.一開始可施加SET（置位） 脈沖，隨后施加RESET（復位）脈沖，偏置（OS）可按 卜列公式計算：OS=（V set+V rsl ）/2該偏置項包括傳感器電橋和接I 1電子器件的DC偏 置，以及傳感器電橋和接門電子器件的溫度漂移。 保存好此偏豐值，并在以后所仃的電橋輸出讀數(shù)屮 減此值.一旦電橋被RESET（復位），它將保持該 狀態(tài)持續(xù)數(shù)年或直至外加

34、一個20高斯的干擾磴場 為止。計時器可設置為每10分鐘定期更新偏置項, 該過程用圖14所示的程序框圖和圖15所示的計時 電路圖加以說明。圖1J.低功率置位/復位程序框圖父位置位V輸出Vp-i腦位S/R（朮位/父商TPW2微秒Vp3V置位復位3.3 to6.5VTa5處秒Tbl微秒Tc20微砂50秒（最大）Td20微秒圖15單一時鐘養(yǎng)位/復位脈沖電路（1021/1022）線性磁場傳感器Honeywell簡單電路應用圖16中的電路表明了磁傳感器的簡單應用.該電 路起到接近傳感器的作用.并在距傳感器0.25至 0.5英寸范H；l內(nèi)放置磁鐵時，點亮LED(發(fā)光二極 管)。放人器起到一個簡單比較器的作用

35、，它在 HMC1001傳感器的電路輸出超過30mV時切換到低位。磴鐵必須幾仃強的磁場強度(200高斯)(? 的一個磁極指向應順著傳感器的敏感方向。該電路 可用來檢測門f/門關的情況或檢測有無物體存在 的情況。圖17. 18, 19, 20和21顯示了其它電路 的各種實例。磁傳感器5Y0 15PFTL校準：1. 微調(diào) R1.使(+V)斗V)30Mv2. 便HJ30mV的信號時LED應點亮L8OW 二Wilt増益=1000. BW=10Hz磁傳感器V j J圖16 磁接近開關R1用來微調(diào)開關點 #捉供10只/的向上轉勵頻書cxnvAinSCLKSDA7AMDRDYR曲XINR&FCMGndNCS1

36、6Sef R1或R2被用來微調(diào)偏置 需從供IkHz的向匕轉移頻率圖17 配有數(shù)字接口的單軸傳感器52=G60VOUt YAWP04 RISK R2 被用秦R3-451狀虬 對*紬傳侈器麗古.R3-921啟螂.對収軸KtfSlfilTT. R3-I4I!欷側.對. 他傳的鄭而擊覺供1kHz的向上犧穆豪片Z5K Vio(MJG二善口二二一V-AiruIAJNVAjrv9CLKSDAIAMt) ROYRehZIHKebCALGndNUb 1 MHI圖21三軸低成本磁傳感器線性磁場傳感器Honeywell線性磁場傳感器Honeywell組件略圖HMC1002-封裝圖IQrri1111111符匕忘米英寸瑕小值1ft大值M小值 MXtfLA Al B D E e H h2.4892.6420.1270.2790.4570.48312.67512.9297.2647.4171.270基準1.27010.5660.381叢準.09804.005.011.014.019.499.509.286.292.050基準.396.416.015.030HMC1001-8.引腳 SIP 和HMC1021Z-8-引腳 SIP rTrnrri Hh bHMC1021D-8-引腳陶瓷 DIPHMC1021S-8-引腳