靜電放電模式(HBM、MM、IEC)電路及靜電等級(jí)及比較

1、頁(yè)J0內(nèi)容LED靜電擊穿原理以PN結(jié)結(jié)構(gòu)為主的LED,在制造、篩選、測(cè)試、包裝、儲(chǔ)運(yùn)及安裝使用等環(huán)節(jié)，難 免不受靜電感應(yīng)影響而產(chǎn)生感應(yīng)電荷。若得不到及時(shí)釋放，LED的兩個(gè)電極上形成的較高 電壓將直接加上led芯片的PN結(jié)兩端。當(dāng)電壓超過LED的最大承受值后，靜電電荷將以極短的瞬間（納秒級(jí)別）在LED芯 片的兩個(gè)電極之間進(jìn)行放電，功率焦耳的熱量將使得LED芯片內(nèi)部的導(dǎo)電層、PN發(fā)光層 的局部形成高溫，高溫將會(huì)把這些層熔融成小孔，從而造成漏電以及短路的現(xiàn)象。ESD： Electrostatic Discharge.即是靜電膠電每個(gè)從事鎖件設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的匸程師都必須拿握ESD的相關(guān)知識(shí)。為 J定址表征

2、ESD特性.一般將ESD轉(zhuǎn)化成模型表達(dá)方式 ESD的模型有很多種.下面介紹墩常用的三種。l.HBM： Human Body Model,人體模盤：該模型表征人體帶電接和蟲器件放電.Rb為鄒效人體電I】且.Cb為等效人體電容。等效電路如下圖。圖 中同時(shí)給出了器件HBI模型的ESD零級(jí)。Hiimnii Bod lock 1JESDUMPeak Cuireii! 5 C200 V200 V tc 400 V二 400 V.ESD機(jī)器模型等效電卅圖及其ESD等級(jí)S.CDM: Charged Device Model,充 電器件模型:半導(dǎo)體器件主婆采用三種封裝型式（金呱陶瓷、塑料）。它們?cè)谘b配.傳遞.試

3、驗(yàn).測(cè)試、運(yùn)輸及存貯過程中. 由于管殼與其它絕緣材料（如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等）相互磨擦.就會(huì)使皆充簾電。器件本身作為 電容器的一個(gè)極板而存貯電荷.CDM模型就是基于己帶電的器件通過管腳與地接觸時(shí).發(fā)生對(duì)地放電引起器件失效 而建立的.器件帶電模型如下：C hmged Dfice Io(lelJESD22-C1013Voltage j111SourcePtak CiiireiH 5-1?AmpsTc InSClas I: 200 VCla翳 II 200 V tc 500 V CgB 5 IEC放電模式比較模式放電電路圖靜電等級(jí)噱式Chw A 200 VClaw B 200 Vtc 400 V CTC i 400 V.7t#Class 0：250 VCU$ IA 250 V w 500V Cb$5 IB: 500 V fol 000V Classic： IOOOVto2WOVCbw 22000 V to 4C