02-第2章 邏輯門電路(97)

1、 邏輯門：完成一些基本邏輯功能的電子電路。現(xiàn)使用邏輯門：完成一些基本邏輯功能的電子電路?，F(xiàn)使用 的主要為的主要為集成邏輯門集成邏輯門。 介紹晶體管的開關(guān)特性介紹晶體管的開關(guān)特性 討論討論TTL和和CMOS門電路的構(gòu)造和電氣特性門電路的構(gòu)造和電氣特性 簡(jiǎn)要介紹其他類型的雙極型和簡(jiǎn)要介紹其他類型的雙極型和MOS門電路門電路 第第2 2章章 邏輯門電路邏輯門電路 半導(dǎo)體工作原理半導(dǎo)體工作原理 6/4/2021 砂石砂石砂子砂子99.9999999%99.9999999%級(jí)純度級(jí)純度 硅硅 硅棒硅棒 硅硅 片片 晶晶 圓圓 點(diǎn)石成金 從砂子到芯片 芯芯 片片 半導(dǎo)體器件是近代電子學(xué)的重要組成部分半導(dǎo)體

2、器件是近代電子學(xué)的重要組成部分 體積小、重量輕、使用壽命長(zhǎng)、輸入功率小、功體積小、重量輕、使用壽命長(zhǎng)、輸入功率小、功 率轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用。率轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用。 自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體導(dǎo)體，金屬一般都是導(dǎo)體。，金屬一般都是導(dǎo)體。 有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱為絕緣體絕緣體，如橡皮、陶瓷、塑料和，如橡皮、陶瓷、塑料和 石英。石英。 另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間，稱為另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間，稱為 半導(dǎo)體半導(dǎo)體，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物

3、、氧化物等。 半導(dǎo)體的電阻率為半導(dǎo)體的電阻率為10-3109 cm。 導(dǎo)體、絕緣體、半導(dǎo)體導(dǎo)體、絕緣體、半導(dǎo)體 現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅(Si) 和鍺和鍺(Ge)，它們的最外層電子（價(jià)電子）都是四，它們的最外層電子（價(jià)電子）都是四 個(gè)。個(gè)。 GeSi 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體 通過一定的工藝過程，可以將半導(dǎo)體制成通過一定的工藝過程，可以將半導(dǎo)體制成晶體晶體。 完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體，稱為完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體，稱為本征本征 半導(dǎo)體半導(dǎo)體。 硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 共價(jià)鍵 共用電子對(duì) +4+4 +4+4 +4表示原子核 在硅和鍺晶體中，原子

4、之間靠的很近，分屬在硅和鍺晶體中，原子之間靠的很近，分屬 于每個(gè)原子的價(jià)電子受到相鄰原子的影響，而使于每個(gè)原子的價(jià)電子受到相鄰原子的影響，而使 價(jià)電子為兩個(gè)原子所共有，每個(gè)原子與其相鄰的價(jià)電子為兩個(gè)原子所共有，每個(gè)原子與其相鄰的 原子之間形成原子之間形成共價(jià)鍵共價(jià)鍵，共用一對(duì)價(jià)電子。，共用一對(duì)價(jià)電子。 共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為束束 縛電子縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為，常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為自由電子自由電子，因，因 此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體

5、的導(dǎo)電能 力很弱。力很弱。 形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的最外層電形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的最外層電 子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。 共價(jià)鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī)共價(jià)鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī) 則排列，形成晶體。則排列，形成晶體。 +4+4 +4+4 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理 在常溫下，由于熱激發(fā)，使一些價(jià)電子獲得足夠的在常溫下，由于熱激發(fā)，使一些價(jià)電子獲得足夠的 能量而脫離共價(jià)鍵的束縛，成為能量而脫離共價(jià)鍵的束縛，成為自由電子自由電子(Free electron)， 同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)空位，稱為同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)空位，稱為空穴空穴(Empty hole)。 +

6、4+4 +4+4 自由電子 空穴 束縛電子 +4+4 +4+4 在其它力的作用下，空穴吸在其它力的作用下，空穴吸 引鄰近的電子來填補(bǔ)，這樣引鄰近的電子來填補(bǔ)，這樣 的結(jié)果相當(dāng)于空穴的遷移，的結(jié)果相當(dāng)于空穴的遷移， 而空穴的遷移相當(dāng)于正電荷而空穴的遷移相當(dāng)于正電荷 的移動(dòng)，因此可以認(rèn)為空穴的移動(dòng)，因此可以認(rèn)為空穴 是載流子。是載流子。 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。載流子的濃度。 溫度越高，載流子的濃度越高，因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)溫度越高，載流子的濃度越高，因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo) 電能力越強(qiáng)。電能力越強(qiáng)。溫度溫度是影響半導(dǎo)體性能的一個(gè)重要的外部因是影響半導(dǎo)體性能的一個(gè)

7、重要的外部因 素，這是半導(dǎo)體的一大特點(diǎn)。素，這是半導(dǎo)體的一大特點(diǎn)。 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會(huì)使半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會(huì)使半導(dǎo)體 的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。 其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。 使自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為使自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為N型半導(dǎo)型半導(dǎo) 體體（電子半導(dǎo)體），使空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱（電子半導(dǎo)體），使空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱 為為P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體（空穴半導(dǎo)體）。（空穴半導(dǎo)體）。 Negative Posi

8、tive +4+4 +5+4 多余電子 磷原子 N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 在硅或鍺晶體中摻入少量的五價(jià)元素磷（或銻），晶體在硅或鍺晶體中摻入少量的五價(jià)元素磷（或銻），晶體 點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，磷原子的最外層有點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，磷原子的最外層有五五 個(gè)價(jià)電子個(gè)價(jià)電子，其中四個(gè)與相鄰的半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵，必定，其中四個(gè)與相鄰的半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵，必定 多出一個(gè)電子，這個(gè)電子幾乎不受束縛，很容易被激發(fā)而成多出一個(gè)電子，這個(gè)電子幾乎不受束縛，很容易被激發(fā)而成 為自由電子，這樣磷原子就成了不能移動(dòng)的帶正電的離子。為自由電子，這樣磷原子就成了不能移動(dòng)的帶正電的離子。 +4+4

9、+3+4 空穴 硼原子 P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 在硅或鍺晶體中摻入少量的三價(jià)元素，如硼（或銦），在硅或鍺晶體中摻入少量的三價(jià)元素，如硼（或銦）， 晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，硼原子的最外層晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，硼原子的最外層 有三個(gè)價(jià)電子，與相鄰的半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵時(shí)，產(chǎn)生一有三個(gè)價(jià)電子，與相鄰的半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵時(shí)，產(chǎn)生一 個(gè)空穴。個(gè)空穴。 雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法 P型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N型半導(dǎo)體 15 PN 結(jié)的形成結(jié)的形成 在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造在

10、同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造P型半導(dǎo)型半導(dǎo) 體和體和N型半導(dǎo)體，經(jīng)過載流子的擴(kuò)散，在它們型半導(dǎo)體，經(jīng)過載流子的擴(kuò)散，在它們 的交界面處就形成了的交界面處就形成了PN結(jié)。結(jié)。 P型半導(dǎo)體 N型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 內(nèi)電場(chǎng)E 漂移運(yùn)動(dòng) 空間電荷區(qū) PN結(jié)處載流子的運(yùn)動(dòng) 擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電 荷區(qū)逐漸加寬，空間電 荷區(qū)變寬。 漂移運(yùn)動(dòng) P型半導(dǎo)體 N型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 內(nèi)電場(chǎng)E PN結(jié)處載流子的運(yùn)動(dòng) 內(nèi)電場(chǎng)越強(qiáng)，就

11、使漂 移運(yùn)動(dòng)越強(qiáng)，而漂移 使空間電荷區(qū)變薄。 漂移運(yùn)動(dòng) P型半導(dǎo)體 N型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 內(nèi)電場(chǎng)E PN結(jié)處載流子的運(yùn)動(dòng) 所以擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反 的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，相當(dāng) 于兩個(gè)區(qū)之間沒有電荷運(yùn)動(dòng)， 空間電荷區(qū)的厚度固定不變。 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 空間 電荷 區(qū) N型區(qū)P型區(qū) 電位U U0 PN結(jié)正向偏置結(jié)正向偏置 + + + + 內(nèi)電場(chǎng) 外電場(chǎng) 變薄 PN + _ 內(nèi)電場(chǎng)被削弱， 多子的擴(kuò)散加強(qiáng) 能夠形成較大的 擴(kuò)散電流

12、。 PN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦?21 PN結(jié)反向偏置結(jié)反向偏置 + + + + 內(nèi)電場(chǎng) 外電場(chǎng) 變厚 NP + _ 內(nèi)電場(chǎng)被加強(qiáng)， 多子的擴(kuò)散受抑 制。少子漂移加 強(qiáng)，但少子數(shù)量 有限，只能形成 較小的反向電流。 下面以硅二極管為例下面以硅二極管為例 D (1) (1) 導(dǎo)通條件及導(dǎo)通時(shí)的特點(diǎn)導(dǎo)通條件及導(dǎo)通時(shí)的特點(diǎn) ID(mA) VD VO 0.5 0 硅二極管伏安特性硅二極管伏安特性 D + - Vi 0.7 R 電路圖電路圖 半導(dǎo)體二極管的開關(guān)特性半導(dǎo)體二極管的開關(guān)特性 + - Vi 0.7 R VD 近似等近似等 效電路效電路 + - Vi 0.7 R K 簡(jiǎn)化等簡(jiǎn)化等 效電路效電

13、路 (2) (2) 截止條件及截止時(shí)的特點(diǎn)截止條件及截止時(shí)的特點(diǎn) D + - Vi0.5 R 電路圖電路圖 + - Vi ton 。 。 toff的大小與工作時(shí)三極管飽和導(dǎo)通的深度有關(guān)的大小與工作時(shí)三極管飽和導(dǎo)通的深度有關(guān), ,飽和飽和 程度越深程度越深, , toff 越長(zhǎng)越長(zhǎng), ,反之則越短。反之則越短。 半導(dǎo)體三極管圖片半導(dǎo)體三極管圖片 管管JFET 型場(chǎng)效應(yīng)管型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 雙極型三極管雙極型三極管 場(chǎng)效應(yīng)三極管場(chǎng)效應(yīng)三極管 噪聲噪聲較大較大較小較小 溫度特性溫度特性 受溫度影響較大受溫度影響較大 較小，可有零溫度系數(shù)點(diǎn)較小，可有零溫度系數(shù)點(diǎn) 輸入電阻輸入電阻 幾十到幾千歐姆幾

14、十到幾千歐姆 幾兆歐姆以上幾兆歐姆以上 靜電影響靜電影響 不受靜電影響不受靜電影響 易受靜電影響易受靜電影響 集成工藝集成工藝 不易大規(guī)模集成不易大規(guī)模集成 適宜大規(guī)模和超大規(guī)模集成適宜大規(guī)模和超大規(guī)模集成 N 基底基底 ：N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 PP 兩邊是兩邊是P區(qū)區(qū) G(柵極柵極) S源極源極 D漏極漏極 導(dǎo)電溝道導(dǎo)電溝道 N PP G(柵極柵極) S源極源極 D漏極漏極 N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 D G S D G S P NN G(柵極柵極) S源極源極 D漏極漏極 P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 D G S D G S 工作原理（以工作原理（以P溝道為例）溝道為例） UD

15、S=0V時(shí)時(shí) P G S D UDS UGS NNNN IDPN結(jié)反偏，結(jié)反偏，UGS 越大則耗盡區(qū)越越大則耗盡區(qū)越 寬，導(dǎo)電溝道越寬，導(dǎo)電溝道越 窄。窄。 P G S D UDS UGS NN ID UDS=0V時(shí)時(shí) NN UGS越大耗盡區(qū)越寬，越大耗盡區(qū)越寬， 溝道越窄，電阻越大。溝道越窄，電阻越大。 但當(dāng)?shù)?dāng)UGS較小時(shí)，耗盡較小時(shí)，耗盡 區(qū)寬度有限，存在導(dǎo)區(qū)寬度有限，存在導(dǎo) 電溝道。電溝道。DS間相當(dāng)于間相當(dāng)于 線性電阻。線性電阻。 P G S D UDS UGS NN UDS=0時(shí)時(shí) UGS達(dá)到一定值時(shí)達(dá)到一定值時(shí) （夾斷電壓夾斷電壓VP）,耗耗 盡區(qū)碰到一起，盡區(qū)碰到一起，DS 間

16、被夾斷，間被夾斷，這時(shí)，即這時(shí)，即 使使UDS 0V，漏極電漏極電 流流ID=0A。 ID P G S D UDS UGS UGS0、UGDVP時(shí)時(shí) 耗盡區(qū)的形狀耗盡區(qū)的形狀 NN 越靠近漏端，越靠近漏端，PN 結(jié)反壓越大結(jié)反壓越大 ID P G S D UDS UGS UGSVp且且UDS較大時(shí)較大時(shí)UGDVP 時(shí)耗盡區(qū)的形狀時(shí)耗盡區(qū)的形狀 NN 溝道中仍是電阻溝道中仍是電阻 特性，但是是非特性，但是是非 線性電阻。線性電阻。ID G S D UDS UGS UGSVp UGD=VP時(shí)時(shí) NN 漏端的溝道被夾斷，漏端的溝道被夾斷， 稱為稱為予夾斷。予夾斷。 UDS增大則被夾斷增大則被夾斷 區(qū)

17、向下延伸。區(qū)向下延伸。 ID G S D UDS UGS UGS 0 時(shí)，時(shí)，P P型襯底中的電子受到電場(chǎng)力的吸型襯底中的電子受到電場(chǎng)力的吸 引到達(dá)表層，填補(bǔ)空穴形成負(fù)離子的耗盡層；引到達(dá)表層，填補(bǔ)空穴形成負(fù)離子的耗盡層； N型導(dǎo)電溝道型導(dǎo)電溝道 EG P型硅襯底型硅襯底 N+N+ G S D + UGS ED + N型導(dǎo)電溝道型導(dǎo)電溝道 當(dāng)當(dāng)UGS UGS(th (th）后，場(chǎng) 后，場(chǎng) 效應(yīng)管才形成導(dǎo)電溝道，效應(yīng)管才形成導(dǎo)電溝道， 開始導(dǎo)通，開始導(dǎo)通，若漏若漏源之間源之間 加上一定的電壓加上一定的電壓UDS，則，則 有漏極電流有漏極電流ID產(chǎn)生。在產(chǎn)生。在 一定的一定的UDS下下漏極電流漏極

18、電流ID 的大小與柵源電壓的大小與柵源電壓UGS有有 關(guān)。所以，場(chǎng)效應(yīng)管是關(guān)。所以，場(chǎng)效應(yīng)管是 一種電壓控制電流的器一種電壓控制電流的器 件。件。 在一定的漏在一定的漏源電壓源電壓UDS下，使管子由不導(dǎo)通變下，使管子由不導(dǎo)通變 為導(dǎo)通的臨界柵源電壓稱為開啟電壓為導(dǎo)通的臨界柵源電壓稱為開啟電壓UGS(th th）。 。 NMOS管開關(guān)近管開關(guān)近 似直流等效電路似直流等效電路 VDD RD RDS D G S (幾百幾百) 導(dǎo)通狀態(tài)導(dǎo)通狀態(tài) VDD RD D G S 截止?fàn)顟B(tài)截止?fàn)顟B(tài) (3) (3) 開關(guān)時(shí)間開關(guān)時(shí)間 MOS管本身的開關(guān)時(shí)間很小管本身的開關(guān)時(shí)間很小. .組成開關(guān)電路時(shí)組成開關(guān)電路時(shí)

19、, ,由由 于管子間的于管子間的寄生電容寄生電容和和布線電容布線電容的存在的存在, ,加上加上MOS管管 的輸入、輸出阻抗較大的輸入、輸出阻抗較大, ,使輸入、輸出電路的使輸入、輸出電路的充放電充放電 時(shí)間常數(shù)時(shí)間常數(shù)增加增加, ,影響了開關(guān)時(shí)間。影響了開關(guān)時(shí)間。 2.2.12.2.1 二極管門電路二極管門電路 1. 1. 二極管與門二極管與門 ViL=0.2V PN結(jié)正向?qū)妷簽榻Y(jié)正向?qū)妷簽?.7V; 三極管電流放大倍數(shù)三極管電流放大倍數(shù)=20。 ( (一一) ) 輸入中有輸入中有低電平低電平 T1管發(fā)射結(jié)導(dǎo)通管發(fā)射結(jié)導(dǎo)通, ,T1管飽和。管飽和。 R4 R1 D1 F Vcc(5V)

20、 1.6k R2 4k 130 R3 1k D2 A B T1 T2 T4 T5 D3 0.2V 0.9V 1mA 0mA 0.3V 5V 3.6V 由于由于T2基極電壓僅為基極電壓僅為0.3V, , 故故T2、 T5均截止。均截止。 T T4 4、D D3 3導(dǎo)通導(dǎo)通, ,輸出約為輸出約為3.6V(5-3.6V(5- 0.7-0.7=3.6). 0.7-0.7=3.6). 輸出輸出高電平高電平1 1。 (2) (2) 工作原工作原 理理 ( (二二) ) 輸入均為輸入均為高電平高電平 T1管處于管處于倒置倒置工作狀態(tài)工作狀態(tài) ( (be結(jié)反偏結(jié)反偏, ,bc結(jié)正偏結(jié)正偏.);.); R4 R

21、1 D1 F Vcc(5V) 1.6k R2 4k 130 R3 1k D2 A B T1 T2 T4 T5 D3 3.4V 2.1V 0.7mA 0.78mA 1.4V 1V 0.1V 3.4V (40A) (40A) 2.5mA 0.7mA 0.7V 2.6mA T2管處于管處于飽和飽和狀態(tài)狀態(tài); ; T4管處于管處于截止截止?fàn)顟B(tài)狀態(tài); ; T5管處于管處于飽和飽和狀態(tài)狀態(tài); ; F輸出為輸出為“0 0”。 綜合上面兩種情況綜合上面兩種情況, ,該電路實(shí)現(xiàn)該電路實(shí)現(xiàn)與非與非功能。功能。F=ABF=AB 電壓傳輸特性是指電壓傳輸特性是指輸出電壓輸出電壓VO隨隨輸入電壓輸入電壓VI的變化的變化

22、 規(guī)律。規(guī)律。 VO=f(VI) 1. 1. 特性曲線分析特性曲線分析 V0(V) VI(V) 3 2 1 0 0.51 1.5 截止區(qū)截止區(qū), ,T5管截止管截止. . 線性區(qū)線性區(qū), ,T5管截止管截止, ,T4管管 處于放大區(qū)處于放大區(qū) ( (射極跟隨輸出射極跟隨輸出).). 轉(zhuǎn)折區(qū)轉(zhuǎn)折區(qū), ,T2、T5由放大由放大 進(jìn)入飽和進(jìn)入飽和, ,T4進(jìn)入截止進(jìn)入截止. . 飽和區(qū)飽和區(qū), ,T5管飽和管飽和. . VOH VOL VTH 2. 2. 主要參數(shù)主要參數(shù) (1)(1)輸出高電平輸出高電平VOH, , 低電平低電平VOL。 2.3.22.3.2 TTL與非門的與非門的電壓傳輸特性電壓

23、傳輸特性 (2) (2) 閾值電壓閾值電壓VTH: :轉(zhuǎn)折區(qū)中間點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓轉(zhuǎn)折區(qū)中間點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓, ,約約 為為1.4V1.4V。 (3) (3) 輸入端噪聲容限輸入端噪聲容限 VNH、VNL 1輸出輸出 0輸出輸出 1輸入輸入 0輸入輸入 VOHmin VIHmin VNH VILmax VOLmax VNL VOVI 11 VOVI 具有不同輸入、輸出具有不同輸入、輸出結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)的門電路的門電路 除與非門外除與非門外, ,TTL電路產(chǎn)品中還有各種功能的門電路產(chǎn)品中還有各種功能的門, , 如或非門、異或門等。如或非門、異或門等。 2.3.5 其他類型的其他類型的TTL門電路門電路 三態(tài)門三態(tài)門(Three-State Logic),(Three-State Logic),簡(jiǎn)稱簡(jiǎn)稱TSL門或三門或三 態(tài)門。三態(tài)門的輸出有三個(gè)狀態(tài)態(tài)門。三態(tài)門的輸出有三個(gè)狀態(tài), ,即即: : 0 0, ,1 1和和高阻高阻, , 在使用中在使用中, ,由控制端由控制端( (稱