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文檔簡(jiǎn)介

1、NARIFLZ系列可控硅整流裝置使用說明書V2.0國(guó)電自動(dòng)化研究院南瑞電氣控制公司目錄第一部分前 言2一、概述:2二、型號(hào)及適用范圍2三、使用條件2第二部分 設(shè)備原理3一、主回路原理3二、硅元件的保護(hù)3三、硅元件的參數(shù)選擇4四、硅元件的散熱 4五、并聯(lián)支路的均流措施 4六、輔助控制回路5第三部分設(shè)備安裝6一、柜體的安裝6二、交直流匯流銅排的安裝 6三、交直流電纜的安裝6四、有關(guān)注意事項(xiàng)6第四部分設(shè)備使用說明 7一、FLZ-250型可控硅整流裝置使用說明 7二、FLZ-500( 600)(/2)型可控硅整流裝置使用說明 7三、FLZ-1000( 10002000)型可控硅整流裝置使用說明 8第五

2、部分設(shè)備維護(hù)10一、檢修維護(hù)10、日常維護(hù)的注意事項(xiàng)10第一部分前言、概述:FLZ系列可控硅整流裝置是針對(duì)大中小型發(fā)電機(jī)組而分別設(shè)計(jì)的勵(lì)磁系統(tǒng)產(chǎn)品。FLZ系列可控硅裝置具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、適應(yīng)面廣、輸出功率大、維護(hù)量小的優(yōu)點(diǎn),在各類型發(fā)電機(jī)組勵(lì)磁系統(tǒng)中得 到廣泛的應(yīng)用。為了更加方便現(xiàn)場(chǎng)的維護(hù),我們力求將FLZ系列標(biāo)準(zhǔn)化,使其更趨于簡(jiǎn)潔,運(yùn)行更加可靠。.、型號(hào)及適用范圍FLZ-250 型:適用于三機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)及兩機(jī)一變勵(lì)磁系統(tǒng)。FLZ-500( 600)型:適用于較小容量的自并勵(lì)系統(tǒng)及相應(yīng)容量的勵(lì)磁系統(tǒng)。FLZ-500( 600)/2型:適用于較小容量的自并勵(lì)系統(tǒng)及相應(yīng)容量的勵(lì)磁系統(tǒng)。FLZ/M 型:適

3、用于較小容量的自并勵(lì)系統(tǒng)及相應(yīng)容量的勵(lì)磁系統(tǒng)。FLZ-1000 ( 10002000)型:適用于大容量的自并勵(lì)系統(tǒng)。三、使用條件1.周圍空氣溫度不咼于 +40 C,不低于0C。2.海拔高度不超過 2000米。3.使用場(chǎng)所:空氣清潔的室內(nèi)。4.設(shè)備安裝時(shí)與垂直面的傾斜度不超過5%5.設(shè)備應(yīng)安裝在無劇烈震動(dòng)和沖擊的地方,以及不足使電器兀件受到腐蝕的場(chǎng)所。6.用戶有特殊要求時(shí)可與制造廠協(xié)商解決。第二部分設(shè)備原理一、主回路原理可控硅整流柜的核心是三相可控硅整流橋。當(dāng)它工作時(shí),通過控制可控硅元件 SCRLSCR6的控制角a ,將有效值為U2的三相交流電壓整 流成不同的直流輸出電壓 比。對(duì)發(fā)電機(jī)而言,通過

4、改變勵(lì)磁電壓值 Ud,達(dá)到改變勵(lì)磁電流Id的目的。 針對(duì)理想的電感負(fù)載 Ro,其對(duì)應(yīng)關(guān)系為:Ud=1.35 x U2X cos a (0 w aV 180 )a)對(duì)于自并激勵(lì)磁系統(tǒng),U2對(duì)應(yīng)于勵(lì)磁變壓器付邊電壓,Ud對(duì)應(yīng)于發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子電壓,Id對(duì)應(yīng)于轉(zhuǎn)子電流。b)對(duì)于兩機(jī)系統(tǒng)或三機(jī)系統(tǒng),U2來自勵(lì)磁機(jī)或副勵(lì)磁機(jī)機(jī)端,Ud提供勵(lì)磁機(jī)的勵(lì)磁電壓,I d對(duì)應(yīng)于勵(lì)磁機(jī)勵(lì)磁電流。觸發(fā)角a的控制是通過勵(lì)磁調(diào)節(jié)器輸出與電壓U2有一定時(shí)序關(guān)系的觸發(fā)脈沖來實(shí)現(xiàn)的。觸發(fā)脈沖有寬脈沖、雙窄脈沖或脈沖陣列等形式,一般我們使用雙窄脈沖的形式,按照一定的規(guī)律控制 六只可控硅元件 SCR1SCR6,使它們按順序?qū)?,完成整?/p>

5、(0V a V 90 =或逆變(a 90)功能, 從而達(dá)到增加勵(lì)磁電流或減少勵(lì)磁電流的目的。二、硅元件的保護(hù)可控硅元件在使用中,會(huì)因?yàn)殡娏鬟^大或承受的反壓過大而損壞,所以要采取一定的措施來 加以保護(hù)。防止因?yàn)檫^電流而損壞硅元件,一般采用快速熔斷器,一般設(shè)計(jì)每一個(gè)可控硅元件橋臂 中都串聯(lián)一只快速熔斷器,這主要是防止回路中直流側(cè)有短路等情況后,電流急劇增加而損壞可控 硅元件,或者因?yàn)槟骋粋€(gè)硅元件損壞而造成短路引起事故。為了達(dá)到保護(hù)硅元件的目的,快熔選配 的熔斷所需熱容量一般要比可控硅元件過流損壞的熱容量小,同時(shí)又要保證整流回路能提供足夠的 勵(lì)磁電流。可控硅元件關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的關(guān)斷過電壓(又叫換相過電壓

6、)也需要加以保護(hù)??煽毓柙诔?受反向電壓關(guān)斷時(shí),由于電流的突變,會(huì)引起元件兩端產(chǎn)生過電壓,所以在回路中用阻容回路加以 吸收。在可控硅整流橋工作時(shí), 用示波器看電壓U2的波形,會(huì)發(fā)現(xiàn)許多尖峰過電壓, 當(dāng)U2值較高時(shí), 這些尖峰過電壓值可能會(huì)很高,這對(duì)元件的長(zhǎng)期使用會(huì)造成影響。這一部分的過電壓一般也采用阻 容回路加以吸收。如果交流側(cè)電壓U2還會(huì)遭受到諸如開關(guān)操作過電壓等情況,還可以增加非線性電對(duì)整流阻FR1FR3來加以吸收,從而有效地保護(hù)可控硅元件。當(dāng)然選擇適當(dāng)反壓值的可控硅元件,柜的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行起著至關(guān)重要的作用。三、硅元件的參數(shù)選擇可控硅元件有幾個(gè)重要的參數(shù),一個(gè)是平均通態(tài)電流It (av

7、),即首先根據(jù)總的勵(lì)磁電流值及并聯(lián)支路數(shù),確定每個(gè)整流柜所需提供的直流電流值,然后根據(jù)散熱效率推算出需要選用多大的平均通態(tài)電流It(av)。(適當(dāng)考慮一些裕度)硅元件另一個(gè)重要參數(shù)是反向可重復(fù)峰值電壓Vrrm,它主要是根據(jù)整流橋交流側(cè)陽極電壓U2的值,以及直流側(cè)轉(zhuǎn)子需要承受的耐壓值,核算出合適的Vrrm值,(適當(dāng)考慮一些裕度)。另外應(yīng)根據(jù)實(shí)際需要,選擇合適的電壓上升率du/dt及電流上升率di/dt等參數(shù)。四、硅元件的散熱可控硅元件有一個(gè)主要參數(shù)I t( AV)平均通態(tài)電流,是指理想散熱情況下可控硅元件允許長(zhǎng)期通過的電流值??煽毓柙艹惺芏啻蟮碾娏髦担艽蟪潭壬先Q于它的熱量能否及時(shí)散發(fā)出去

8、,也就是散熱器的散熱效率。常見的散熱分為自然冷卻和強(qiáng)迫冷卻,按強(qiáng)迫冷卻的介質(zhì)區(qū)分又有水冷和風(fēng)冷兩種方式,目前最常用的是強(qiáng)迫風(fēng)冷形式。按散熱器的材料,又有鋁散熱器、銅散熱器、熱管散熱器等。散熱器及冷卻方式的選擇最終是為了減少散熱器的熱阻,從而防止硅元件的結(jié)溫超過最大允許值。在目前條件下,500A及以下的硅元件,一般采用鋁型材散熱器(鋁的熱阻P =0.19 C /W),同時(shí)輔助強(qiáng)迫風(fēng)冷的散熱形式。對(duì)于 1000A以上的硅元件,我們一般采用銅散熱器(銅的熱阻P =0.10C /W),同時(shí)輔助強(qiáng)迫風(fēng)冷的散熱形式。在強(qiáng)迫風(fēng)冷的散熱情況下,風(fēng)速對(duì)散熱效率也有很大的影響,在低風(fēng)速的情況下,提高風(fēng)速能有效降低

9、散熱器的熱阻。當(dāng)風(fēng)速大于6米/秒以后,風(fēng)速的提高對(duì)熱阻的影響逐漸變緩,所以我們一般將風(fēng)速提高到6米/秒左右。當(dāng)然在強(qiáng)迫風(fēng)冷方式工作時(shí),有效地設(shè)計(jì)通風(fēng)風(fēng)道,也能有效地提高風(fēng)速。五、并聯(lián)支路的均流措施發(fā)電機(jī)單機(jī)容量不斷增大,相應(yīng)的勵(lì)磁電流也不斷提高,另外有時(shí)考慮到配置一定數(shù)量的備用整流柜,一般來講,都需要有24個(gè)并聯(lián)支路一起工作,這就有一個(gè)采取均流措施的問題。均流的好壞由均流系數(shù) K來衡量:KiIii =1m Imax式中:mZi =1h - -m條并聯(lián)支路電流的和I max- -并聯(lián)支路中的電流最大值我們一般通過以下幾項(xiàng)措施來保證均流系數(shù)Ki 0.85 :1) 根據(jù)硅元件的導(dǎo)通特性和正向?qū)妷?/p>

10、降Vt值進(jìn)行各支路元件的編排。2)在每個(gè)硅元件橋臂上串聯(lián)一只空心電抗器來改善均流。3 )采用計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)生觸發(fā)脈沖,保證各并聯(lián)支路的硅元件觸發(fā)一致性,另外采用高性能的脈沖變壓器,保證脈沖觸發(fā)前沿的一致性,從而達(dá)到均流的目的。六、輔助控制回路整流柜內(nèi)的輔助控制回路一般包括:風(fēng)機(jī)控制回路、測(cè)溫元件、風(fēng)壓低報(bào)警回路。在強(qiáng)迫風(fēng)冷的運(yùn)行方式下,風(fēng)機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)的可靠性至關(guān)重要,我們通??紤]雙路電源供電,兩路電源自動(dòng)切換, 當(dāng)一路電源消失時(shí),自動(dòng)切換到另一路電源工作,并有告警信號(hào)輸出。在三相風(fēng)機(jī)的電機(jī)控制回路 中,加設(shè)熱繼電器進(jìn)行保護(hù),防止缺相運(yùn)行而燒毀風(fēng)機(jī)。對(duì)于1000A以上的整流柜,我們還在風(fēng)道內(nèi)設(shè)置風(fēng)壓繼電

11、器,當(dāng)風(fēng)壓降低到某一值時(shí),風(fēng)壓繼電器動(dòng)作,報(bào)出“風(fēng)壓消失”故障。另外在可 控硅元件的上方,我們裝有一只會(huì)鉑熱電阻,并將接線引出至端子,供就地風(fēng)溫顯示或遠(yuǎn)方計(jì)算機(jī) 采集用。有的整流柜配備兩只風(fēng)機(jī),平時(shí)一臺(tái)工作,另一臺(tái)作為備用,也是為了保證可靠性。第三部分設(shè)備安裝一、柜體的安裝勵(lì)磁功率柜屏柜數(shù)量及尺寸均根據(jù)不同機(jī)組容量及用戶要求而確定,每塊屏上均有吊裝環(huán)。 現(xiàn)場(chǎng)安裝時(shí)應(yīng)注意按照國(guó)標(biāo)電氣二次盤柜配線及安裝規(guī)程執(zhí)行。設(shè)有地角螺絲用于固定及接地 使用,每塊屏柜均有明顯的接地標(biāo)志,也可按照實(shí)際情況更換,安裝時(shí)必須保證接地良好。二、交直流匯流銅排的安裝關(guān)于各可控硅整流裝置之間交直流匯流銅排的安裝,可參照出廠

12、資料中提供的交直流匯流 銅排布置圖進(jìn)行安裝,注意在螺絲緊固處應(yīng)牢固,不出現(xiàn)松動(dòng)現(xiàn)象。三、交直流電纜的安裝關(guān)于交直流電纜的安裝應(yīng)根據(jù)出廠資料中提供的勵(lì)磁系統(tǒng)圖并結(jié)合現(xiàn)場(chǎng)實(shí)際情況進(jìn)行接 線。四、有關(guān)注意事項(xiàng)因?yàn)榭煽毓枵餮b置是大功率裝置,所以安裝中務(wù)必使得大電流回路中的螺栓螺母堅(jiān)固且螺母 下應(yīng)有彈簧墊圈鎖緊。對(duì)于插件式可控硅單元,更換功率插件后把與之相連的堅(jiān)固螺栓堅(jiān)固即可,對(duì)于組件式可控硅 整流裝置在更換可控硅時(shí)務(wù)必做到以下幾點(diǎn):(1)要保證可控硅的兩個(gè)端面以及與之相接觸的兩個(gè)導(dǎo)電導(dǎo)熱面潔凈無灰塵、砂子、碳粉、鐵屑 等雜物。(2)要保證整個(gè)組件很好地對(duì)中,即三個(gè)可控硅,四個(gè)絕緣襯墊與散熱器處于同一

13、軸線。(3)堅(jiān)固時(shí)應(yīng)先緊四角的螺母,確保四個(gè)端面盡可能平行,四角用力要均勻,然后再緊中間的大 螺栓且要有足夠的壓緊力。裝上組件后同樣要確保所有與之相連的堅(jiān)固螺栓堅(jiān)固。第四部分設(shè)備使用說明-、FLZ-250型可控硅整流裝置使用說明1 . FLZ-250型可控硅整流裝置的特點(diǎn);1.1 采用雙橋并列運(yùn)行,最大輸出直流500A;1.2 交流側(cè)采用阻容吸收保護(hù);1.3 交流側(cè)采用快熔熔絲保護(hù);1.4 針對(duì)關(guān)斷過電壓采用硅管的阻容吸收保護(hù);1.5 直流輸出側(cè)采用壓敏電阻保護(hù)。2 . FLZ-250型可控硅整流裝置的使用2.1 開機(jī)操作2.1.1 合交流側(cè)三相陽極交流開關(guān);2.1.2 合風(fēng)機(jī)電源開關(guān)若風(fēng)機(jī)設(shè)

14、計(jì)為手動(dòng)控制則手動(dòng)啟動(dòng)風(fēng)機(jī);2.1.3 合直流側(cè)兩相直流輸出開關(guān)??煽毓枵餮b置即完成了開機(jī)操作。2.2停機(jī)操作2.2.1 停機(jī)組機(jī)端電壓下降至 0,分直流側(cè)兩相直流輸出開關(guān);2.2.2 分交流側(cè)三相陽極交流開關(guān);2.2.3 停止風(fēng)機(jī)運(yùn)行??煽毓枵餮b置即完成了停機(jī)操作。1、FLZ-500 (600) (/2 )型可控硅整流裝置使用說明1 . FLZ-500 (600) (/2 )型可控硅整流裝置特點(diǎn)1.1 FLZ-500為單橋可控硅整流裝置,最大輸出500A;FLZ-500/2為雙橋可控硅整流裝置,最大輸出1000A;FLZ-600 為單橋可控硅整流裝置,最大輸出600A;FLZ-600/2

15、為雙橋可控硅整流裝置,最大輸出1200A。1.2 針對(duì)操作過電壓,采用阻容吸收保護(hù);1.3 針對(duì)硅管的關(guān)斷過電壓,采用硅管的的阻容吸收保護(hù);1.4 可控硅冷卻采用風(fēng)冷方式,風(fēng)機(jī)為軸流風(fēng)機(jī)。2 . FLZ-500 (600) (/2 )型可控硅整流裝置使用2.1 開機(jī)操作2.1.1 合可控硅整流裝置風(fēng)機(jī)主備電源開關(guān)DK1, DK22.1.2 若風(fēng)機(jī)控制設(shè)計(jì)為手動(dòng)控制,則合DK3,風(fēng)機(jī)運(yùn)行;2.1.3 合交流側(cè)三相陽極交流開關(guān);2.1.4 合直流側(cè)兩相直流輸出開關(guān);2.1.5 合脈沖開關(guān)(針對(duì)/1型,脈沖開關(guān)為 DK4,針對(duì)/2型脈沖開關(guān)為 DK4, DK5)(針對(duì)于/2 型,需合阻容吸收控制梅蘭

16、開關(guān))??煽毓枵餮b置即完成了開機(jī)操作。2.2停機(jī)操作2.2.1 待機(jī)組機(jī)端電壓下降至 0,分脈沖開關(guān);2.2.2 分直流側(cè)兩相直流輸出開關(guān);2.2.3 分交流側(cè)三相陽極交流開關(guān);2.2.4 分DK1, DK2, DK3,風(fēng)機(jī)停止運(yùn)行。可控硅整流裝置即完成了停機(jī)操作。三、FLZ-1000( 10002000)型可控硅整流裝置使用說明1 . FLZ1000 (10002000)型可控硅整流裝置的特點(diǎn)1.仆LZ1000為單橋可控硅整流裝置,最大輸出1000A; FLZ1500, FLZ2000,結(jié)構(gòu)配置均相同,只有可控硅通態(tài)電流不同,機(jī)柜最大輸出電流不同;1.2 針對(duì)操作過電壓機(jī)柜采用阻容吸收保護(hù)

17、;1.3 針對(duì)硅管的關(guān)斷過電壓,采用硅管的阻容吸收保護(hù);1.4 可控硅冷卻采用風(fēng)冷形式,風(fēng)機(jī)設(shè)計(jì)分為大容量軸流風(fēng)機(jī)或雙風(fēng)機(jī)。2 . FLZ1000 (10002000)型可控硅整流裝置使用2.1 開機(jī)操作2.1.1 合可控硅整流裝置風(fēng)機(jī)主備電源梅蘭開關(guān)QM1 QM2若風(fēng)機(jī)控制設(shè)置在手動(dòng)控制,則將“風(fēng)機(jī)手動(dòng)、自動(dòng)”開關(guān)撥至手動(dòng),風(fēng)機(jī)應(yīng)運(yùn)轉(zhuǎn)正常;2.1.2 合QM3 24V電源開關(guān),裝置面板顯示燈亮;2.1.3 合交流側(cè)三相陽極交流開關(guān);2.1.4 合直流側(cè)兩相直流輸出開關(guān);2.1.5 合脈沖開關(guān) SA1。即完成了可控硅整流裝置的開機(jī)操作。2.2 停機(jī)操作2.2.1 待機(jī)組機(jī)端電壓下降至 0,分脈

18、沖開關(guān) SA1;222 分直流側(cè)兩相直流輸出開關(guān);223 分交流側(cè)三相陽極交流開關(guān);2.2.4 分QM1 QM2 QM3風(fēng)機(jī)停止運(yùn)轉(zhuǎn)。即完成了可控硅整流裝置的停機(jī)操作。第五部分設(shè)備維護(hù)一、檢修維護(hù)FLZ系列可控硅整流裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,運(yùn)行可靠,減少了運(yùn)行及檢修的維護(hù)量。針對(duì)電廠大修及 小修時(shí)間安排,F(xiàn)LZ系列可控硅整流裝置在檢修時(shí)需完成如下試驗(yàn):1 .風(fēng)機(jī)試驗(yàn)檢修時(shí)應(yīng)自動(dòng)或手動(dòng)啟動(dòng)風(fēng)機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn),檢測(cè)進(jìn)風(fēng)口及出風(fēng)口風(fēng)速是否滿足(可以與現(xiàn)場(chǎng)投運(yùn)時(shí)的數(shù)值進(jìn)行對(duì)比),風(fēng)機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)是否正常。2 .信號(hào)回路試驗(yàn)啟動(dòng)或停止風(fēng)機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn),觀察風(fēng)機(jī)狀態(tài)信號(hào)是否正確;人為模擬可控硅快熔熔斷,觀察快熔熔斷信號(hào)報(bào)出是否正確。3 散熱器灰塵清理大修時(shí)對(duì)可控硅散熱器內(nèi)灰塵應(yīng)進(jìn)行清理。4 模擬小電流試驗(yàn)通過小電流試驗(yàn),觀測(cè)可控硅導(dǎo)通波形,從而確定可控

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