2018專題復(fù)習(xí)選修三物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)部分無答案

1、物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)部分(共 10題)1、 【2018江蘇(物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì))】臭氧(Q)在Fe(H 2。)6】2+催化下能將煙氣中的SQ、NQ分別氧化為SO：和NO3 , NQ也可在其 他條件下被還原為 N2。(1) SO：中心原子軌道的雜化類型為 ； nq3的空間構(gòu)型為 (用文字描述)。(2) Fe2+基態(tài)核外電子排布式為 。(3) 與 Q分子互為等電子體的一種陰離子為 (填化學(xué)式)。(4) N2分子中b鍵與n鍵的數(shù)目比n ( b)： n (n) =。(5) Fe(H 2Q)62+與NQ反應(yīng)生成的Fe(NQ)(H 2。)2+中，NQ以N原子與Fe2+形成配位鍵。請在Fe(NQ)(H 2。廣結(jié)構(gòu)示意

2、圖的相應(yīng)位置補 填缺少的配體。2、【2018全國I 35 ( 15分)】Li是最輕的固體金屬，采用 Li作為負(fù)極材料的電池具有小而輕、能量密度大等優(yōu)良性能，得到廣泛應(yīng)用?；卮鹣铝袉栴}：(1) 下列Li原子電子排布圖表示的狀態(tài)中，能量最低和最高的分別為 、 (填標(biāo)號)。A.BC.D.(2) Li +與H具有相同的電子構(gòu)型，r(Li +)小于r(H-)，原因是。(3) LiAlH 4是有機合成中常用的還原劑，LiAlH 4中的陰離子空間構(gòu)型是 。中心原子的雜化形式為 ，LiAlH 4中，存在 (填標(biāo)號)。A.離子鍵B .b鍵 C .n鍵 D .氫鍵(4) Li 2。是離子晶體，其品格能可通過圖(a

3、)的born - Haber循環(huán)計算得到?？芍?，Li原子的第一電離能為 kJ mol-1，Q=Q鍵鍵能為kJ mol-1，Li 2。晶格能為kJ mol-1。(5) Li 2。具有反螢石結(jié)構(gòu)，晶胞如圖(b)所示。已知晶胞參數(shù)為nm，阿伏加德羅常數(shù)的值為 NA，則Li 2。的密度為g cm -3(列岀計算式)。3、【2018全國H 35.( 15分)】硫及其化合物有許多用途，相關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)如下表所示：H2SS8FeSSQS。I4S。熔點/ C-600 （分解）-沸點/ C-回答下列問題：(1) 基態(tài)Fe原子價層電子的電子排布圖(軌道表達(dá)式)為 ，基態(tài)S原子電子占據(jù)最高能級的電子云輪廓圖為 形

4、。(2) 根據(jù)價層電子對互斥理論，HS、SQ、SQ的氣態(tài)分子中，中心原子價層電子對數(shù)不同其他分子的是 。(3) 圖(a)為S8的結(jié)構(gòu)，其熔點和沸點要比二氧化硫的熔點和沸點高很多，主要原因為。(4) 氣態(tài)三氧化硫以單分子形式存在，其分子的立體構(gòu)型為 形，其中共價鍵的類型有 種；固體三氧化硫中存在如圖(b)所示的三聚分子，該分子中 S原子的雜化軌道類型為 。(5) FeS晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS相對式量為M阿伏加德羅常數(shù)的值為 2,其晶體密度的計算表達(dá)式為g cm-3；晶胞中Fe2+位于S2所形成的正八面體的體心，該正八面體的邊長為 nnr4、【2018全國山35 .(

5、15分)】鋅在工業(yè)中有重要作用，也是人體必需的微量元素。回答下列問題：(1) Zn原子核外電子排布式為 。(2) 黃銅是人類最早使用的合金之一，主要由 Zn和Cu組成。第一電離能I1 (Zn) I 1 (Cu)(填“大于”或“小于”)。原因是。(3) ZnF2具有較高的熔點(872 C)，其化學(xué)鍵類型是 ; ZnE不溶于有機溶劑而 ZnCL、ZnBm ZnI 2能夠溶于乙醇、乙醚等有機溶劑，原因是。(4) 中華本草等中醫(yī)典籍中，記載了爐甘石(ZnCQ)入藥，可用于治療皮膚炎癥或表面創(chuàng)傷。ZnCQ中，陰離子空間構(gòu)型為，C原子的雜化形式為 。(5) 金屬Zn晶體中的原子堆積方式如圖所示，這種堆積方

6、式稱為 。六棱柱底邊邊長為 a cm，高為c cm，阿伏加德羅常數(shù)的值為 NA, Zn的密度為g- cm3 (列出計算式)。5、【2017全國135.( 15分)】鉀和碘的相關(guān)化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用?；卮鹣铝袉栴}：(1) 元素K的焰色反應(yīng)呈紫紅色，其中紫色對應(yīng)的輻射波長為 nm (填標(biāo)號)。A.B. C .D.E.(2) 基態(tài)K原子中，核外電子占據(jù)最高能層的符號是 ，占據(jù)該能層電子的電子云輪廓圖形狀為 。K和Cr屬于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，但金屬K的熔點、沸點等都比金屬 Cr低，原因是 。(3) X射線衍射測定等發(fā)現(xiàn)，I 3AsF6中存在|3離子。|3離子的幾

7、何構(gòu)型為 ，中心原子的雜化形式為(4) KIO3晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料，具有鈣鈦礦型的立方結(jié)構(gòu)，邊長為a= nm,晶胞中K、I、O分別處于頂角、體心、面心位置，如圖所示。K與O間的最短距離為 nm與K緊鄰的O個數(shù)為。(5) 在KIO3晶胞結(jié)構(gòu)的另一種表示中，I處于各頂角位置，則 K處于位置，O處于位置。6、【2017全國II 35 .(15分)】我國科學(xué)家最近成功合成了世界上首個五氮陰離子鹽(N5)6(H3O)3(NH4)4CI (用R代表)。回答下列問題：( 1 )氮原子價層電子的軌道表達(dá)式(電子排布圖)為 。(2) 元素的基態(tài)氣態(tài)原子得到一個電子形成氣態(tài)負(fù)一價離子時所放出的能量

8、稱作第一電子親和能(E)。第二周期部分元素的E變化趨勢如圖(a)所示，其中除氮元素外，其他元素的E自左而右依次增大的原因是 ;氮元素的 E呈現(xiàn)異常的原因是(3) 經(jīng)X射線衍射測得化合物 R的晶體結(jié)構(gòu)，其局部結(jié)構(gòu)如圖(b)所示。 從結(jié)構(gòu)角度分析，R中兩種陽離子的相同之處為 ，不同之處為 。(填標(biāo)號)A.中心原子的雜化軌道類型B.中心原子的價層電子對數(shù)C.立體結(jié)構(gòu)D.共價鍵類型 R中陰離子N5中的鍵總數(shù)為個。分子中的大n鍵可用符號 m表示，其中m代表參與形成大n鍵的原子數(shù)，n代表參與形成大n鍵的電子數(shù)(如苯分子中的大n鍵可表示為 6)，則N5中的大n鍵應(yīng)表示為 。 圖(b )中虛線代表氫鍵，其表示

9、式為 (NH：)N-HCl、。(4) R的晶體密度為d g - cm-3,其立方晶胞參數(shù)為 a nm,晶胞中含有y個(N 5)6葉0)3小已)Q單元，該單元的相對質(zhì)量為 M則 y 的計算表達(dá)式為 。7、【2017全國山35 .( 15分)】研究發(fā)現(xiàn)，在 CO低壓合成甲醇反應(yīng)(CO+3H2=CHOH+H)中，Co氧化物負(fù)載的 Mn氧化物納米粒子催化劑具有高活性，顯示出良 好的應(yīng)用前景?；卮鹣铝袉栴}：(1) Co基態(tài)原子核外電子排布式為 。元素Mn與O中，第一電離能較大的是 ，基態(tài)原子核外未成對電子數(shù)較多的是 。(2) CO和CHOH分子中C原子的雜化形式分別為和。( 3 ) 在 CO2 低 壓

10、合 成 甲 醇 反 應(yīng) 所 涉 及 的 4 種 物 質(zhì) 中 ， 沸 點 從 高 到 低 的 順 序 為 ， 原 因 是9、【2016 全國 I 27. （15 分）37. （ 15 分）】鍺（Ge）是典型的半導(dǎo)體元素，在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉栴}：（1） 基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為Ar，有個未成對電子。（2） Ge與 C是同族元素，C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析，原因是（3）比較下列鍺鹵化物的熔點和沸點，分析其變化規(guī)律及原因 GeCbGeBr,GeL熔點/ C-26146沸點/ C186約400（4） 光催化還原CO制備CH反

11、應(yīng)中，帶狀納米 ZmGeO是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge O電負(fù)性由大至小的順序是 。（5） Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為 ，微粒之間存在的作用力是 。（6 ）晶胞有兩個基本要素： 原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置，下圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為（0,0,0 ） ； B為（，0,）; C為（，0）。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為 。 晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀，已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=pm，其密度為g- cm -3 （列出計算式即可）。10、【2016全國山37 .（15分）】砷化鎵（GaAS是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等

12、。回答下列問題：（1 ）寫出基態(tài) As原子的核外電子排布式 。（2）根據(jù)元素周期律，原子半徑 GaAs第一電離能 GaAs （填“大于”或“小于”）（3） AsCl3分子的立體構(gòu)型為 ，其中As的雜化軌道類型為 。（4） GaF3的熔點高于1000C，GaCb的熔點為C,其原因是 。（5） GaAs的熔點為1238C，密度為p g - cm-3,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為 ,Ga與As以鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為 Mia g mol-1和MAs g - mol-1，原子半徑分別為 g pm和r as pm,阿伏加德羅常數(shù)值為 NA，則GaAs晶胞中原子 的體積占晶胞體積的百分率為 。(4) 硝酸錳是制備上述反應(yīng)催化劑的原料，Mn(NO)2中的化學(xué)鍵除了 b鍵外，還存在 。(5) MgC具有NaCl型結(jié)構(gòu)(如圖)，其中陰離子采用面心立方最密堆積方式，X射線衍射實驗測得 MgO的晶胞參數(shù)為a= nm，則r (O* 1 2- 3)為nm MnO也屬于NaCl型結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)為 a = nm，則r(Mn2+)為nm8、【2017 江蘇 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 】鐵氮化合物(FexN)在磁記錄材料領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。某FexNy的制備需鐵、氮氣、丙酮和乙醇參與。(1)Fe3+基態(tài)核外電子排布式為。( 2)丙酮 () 分