電工學(xué)第一章習(xí)題

1、電工 、填空題: 1. PN結(jié)的單向?qū)щ娦灾傅氖?2.硅晶體管和鍺晶體管工作于放大狀態(tài)時(shí)，其發(fā)射結(jié)電壓UBe分別為_V和 V。 3.晶體二極管有兩個(gè)PN結(jié)，分別是 ,分三個(gè)區(qū)域 區(qū)、 狀態(tài); 其發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于反偏時(shí)，此三極管處于 狀態(tài)；當(dāng)發(fā)射結(jié)正偏、 集電結(jié)反偏時(shí)，三極管為 狀態(tài)。 區(qū)。 區(qū)和 4. 一個(gè)NPN三極管發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都處于正偏，則此三極管處于 5.物質(zhì)按導(dǎo)電能力強(qiáng)弱可分為 6.本征半導(dǎo)體摻入微量的三價(jià)元素形成的是 型半導(dǎo)體，其多子為 7.某晶體三極管三個(gè)電極的電位分別是：V1 = 2V, V2= 1.7V，V3=-2.5V，可判 斷該三極管管腳“ T為 _極，管腳“ 2”為

2、極，管腳“ 3”為 極，且屬于 材料_型三極管。 8.電阻始終是 元件。電容和電感是元件，它們不消耗電能。電容可以把電 能轉(zhuǎn)換成 .存儲(chǔ)和釋放；電感可以把電能轉(zhuǎn)換成 存儲(chǔ)和釋放。 9.當(dāng)晶體管處在放大狀態(tài)時(shí)，發(fā)射結(jié) ，集電結(jié) 。對(duì)于PNP型晶體 管來(lái)說(shuō)，集電極C基極B發(fā)射級(jí)E的電壓關(guān)系滿足 ，對(duì)于NPN型晶 體管來(lái)說(shuō)，集電極C、基極B、發(fā)射級(jí)E的電壓關(guān)系滿足_。 10.對(duì)于某一元件，關(guān)聯(lián)參考方向下，如果 PVO,貝U該元件（吸收或發(fā)出） （負(fù)載或電源）作用。 功率, （消耗或提供）電能，起 11.電路如圖所示，欲使電壓源輸出功率為零，則電 阻R為,所吸收功率為 12.電路一般由 和控制裝置四個(gè)

3、部分組成。 精選文庫(kù) 13電路中某點(diǎn)的電位與參考點(diǎn)的選擇 ,兩點(diǎn)間的電壓與參考點(diǎn)的選 14.電路通常有 三種狀態(tài)。 15.電路圖上標(biāo)示的電流、電壓方向稱為 ，假定某元件是負(fù)載時(shí)，該 元件兩端的電壓和通過(guò)元件的電流方向應(yīng)為 方向。 二、選擇題 16. 晶體管能實(shí)現(xiàn)放大的內(nèi)部結(jié)構(gòu)條件是( A. 兩個(gè)背靠背的PN結(jié) B. 空穴和電子都參與了導(dǎo)電 C. 有三個(gè)摻雜濃度不一樣的域 D. 發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度， 17. 已 電阻 (a) (b) (c) 知 R1 電 電 圖1所示 和 R2 壓源 流源 電壓源和 18. 在電感性負(fù)載兩端并聯(lián)一定值的電容， ()。 (A) 減少負(fù)載的工作電流 (

4、B) 減少負(fù)載的有功功率 (C) 減少負(fù)載的無(wú)功功率 (D) 減少線路的功率損耗 19. 關(guān)于電位下列說(shuō)法不正確的是( )。 并且基區(qū)很薄，集電結(jié)面積比發(fā)射結(jié)大 的 功 US =10 V， IS = 13 率由()供給。 以提高功率因素，下列說(shuō)法正確的是 A。 A參考點(diǎn)的電位為零，VX某點(diǎn)電位為正，說(shuō)明該點(diǎn)電位比參考點(diǎn)高； B參考點(diǎn)的電位為零，VX某點(diǎn)電位為負(fù)，說(shuō)明該點(diǎn)電位比參考點(diǎn)低。 C、選取不同的參考點(diǎn)，電路中各點(diǎn)的電位也將隨之改變； D電路中兩點(diǎn)間的電壓值是固定的，與零電位參考點(diǎn)的選取有關(guān)。 20. 圖中a、b間的等效電阻fi口占為：() 6ft 80 A) 2Q; B) 6Q; C)

5、14Q。 21. 電路如圖所示,US為獨(dú)立電壓源,若外電路不變,僅電阻R變化時(shí), 會(huì)引起 () A. 端電壓U的變化 B. 輸出電流I的變化 C. 電阻R支路電流的變化 D.上述三者同時(shí)變化 ）。 22. 電流源開路時(shí)，該電流源內(nèi)部（ A .有電流，有功率損耗 B .無(wú)電流，無(wú)功率損耗 C .有電流，無(wú)功率損耗 23. 穩(wěn)壓二極管工作在伏安特性的（） 死區(qū) B、 正向?qū)▍^(qū) C、 反向截止區(qū) 12 反向擊穿區(qū) 24.如圖一所示，電源 E1=6V E2=12V電阻R仁R2=R3=R4=R5那么電阻R3兩端 的電壓為（） A、6V B 、4.5V C 、4V D 、2V El -r Kl R 三、

6、簡(jiǎn)答題 25.如何判斷元件在電路中起負(fù)載作用還是電源作用。 26. 簡(jiǎn)述電壓源的特性。 27. 簡(jiǎn)述晶體管處于放大狀態(tài)時(shí)具有的電壓電流特性。 28. 試總結(jié)晶體三極管分別工作在放大、飽和、截止三種工作狀態(tài)時(shí)，三極管中 的兩個(gè)PN結(jié)所具有的特點(diǎn)。 四.判斷題 29. 理想電流源輸出恒定的電流, 其輸出端電壓由內(nèi)電阻決定。 30. 電壓是產(chǎn)生電流的根本原因。 因此電路中有電壓必有電流。 31. 絕緣體兩端的電壓無(wú)論再高, 都不可能通過(guò)電流。 32. 33. 二極管兩端加上正向電壓就一定會(huì)導(dǎo)通。 在P型半導(dǎo)體中，空穴是多數(shù)載流子，電子是少數(shù)載流子。 五、 計(jì)算題 34.應(yīng)用等效電源的變換 當(dāng)D截止時(shí)

7、，電阻為無(wú)窮大，相當(dāng)于斷路，因此 uo= 5V,即是說(shuō)，只要判斷 出D導(dǎo)通與否，就可以判斷出輸出電壓的波形。 要判斷D是否導(dǎo)通，可以以接地 為參考點(diǎn)（電位零點(diǎn)），判斷出D兩端電位的高低，從而得知是否導(dǎo)通。 37. 解：(a) Ube=1.7V- 1V=O.7VO, UBc=1.7V - 1.3V=O.4VO , NPN型硅管，工 作在飽和狀態(tài)。 （b） Ube=0.7V0, UB（=0.7V - 3V=-2.3V0，NPN型硅管，工作在放大狀態(tài)。 (c) UBe=0.5V-1.5V=-1V0 , UBc=0.5V - 6V=-5.5VO, NPN型硅管，工作在截止?fàn)?態(tài)。 (d) Ube=0.5V-1.5V=-1Vv0 , U bc=0.5V - 6V=-5.5V0 , NP牌硅管，工作在截止 狀態(tài)。 38. 解: Mto D ID II *忖詁岸化鬧.t-嚴(yán)比上禺足宜申* ?i 気下訊門丸（T昭片產(chǎn)吃違yO =；n中祈玩勺圖ti収EF可ft飛 id*