模擬電子技術(shù)習(xí)題集(一)

1、.第一章 常用半導(dǎo)體器件自 測(cè) 題 一、判斷下列說法是否正確，用“”和“”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。 （1）在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素，可將其改型為P型半導(dǎo)體。（ ） （2）因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負(fù)電。（ ） （3）PN結(jié)在無光照、無外加電壓時(shí)，結(jié)電流為零。（ ）（4）處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。 （ ） （5）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管外加的柵-源電壓應(yīng)使柵-源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其RGS大的特點(diǎn)。（ ） （6）若耗盡型N溝道MOS管的UGS大于零，則其輸入電阻會(huì)明顯變小。（ ）解：（1） （2） （3） （4） （5） （6） 二、選擇正確

2、答案填入空內(nèi)。 （1）PN結(jié)加正向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將 。 A. 變窄 B. 基本不變 C. 變寬 （2）設(shè)二極管的端電壓為U，則二極管的電流方程是 。 A. ISeU B. C. （3）穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在 。 A. 正向?qū)?B.反向截止 C.反向擊穿 （4）當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）UGS0V時(shí)，能夠工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管有 。 A. 結(jié)型管 B. 增強(qiáng)型MOS管 C. 耗盡型MOS管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、寫出圖T1.3所示各

3、電路的輸出電壓值，設(shè)二極管導(dǎo)通電壓UD0.7V。圖T1.3解：UO11.3V，UO20，UO31.3V，UO42V，UO51.3V，UO62V。四、已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值UZ6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin5mA。求圖T1.4所示電路中UO1和UO2各為多少伏。圖T1.4 解：UO16V，UO25V。 五、某晶體管的輸出特性曲線如圖T1.5所示，其集電極最大耗散功率PCM200mW，試畫出它的過損耗區(qū)。 圖T1.5 解圖T1.5 解：根據(jù)PCM200mW可得：UCE40V時(shí)IC5mA，UCE30V時(shí)IC6.67mA，UCE20V時(shí)IC10mA，UCE10V時(shí)IC20mA，將各點(diǎn)連接成曲線，即為臨界

4、過損耗線，如解圖T1.5所示。臨界過損耗線的左邊為過損耗區(qū)。 六、電路如圖T1.6所示，VCC15V，100，UBE0.7V。試問： （1）Rb50k時(shí)，uO？ （2）若T臨界飽和，則Rb？ 解：（1）Rb50k時(shí)，基極電流、集電極電流和管壓降分別為 A 所以輸出電壓UOUCE2V。 圖T1.6（2）設(shè)臨界飽和時(shí)UCESUBE0.7V，所以 七測(cè)得某放大電路中三個(gè)MOS管的三個(gè)電極的電位如表T1.7所示，它們的開啟電壓也在表中。試分析各管的工作狀態(tài)(截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)），并填入表內(nèi)。表T1.7管 號(hào)UGS（th）/VUS/VUG/VUD/V工作狀態(tài)T14513T243310T34605

5、解：因?yàn)槿还茏泳虚_啟電壓，所以它們均為增強(qiáng)型MOS管。根據(jù)表中所示各極電位可判斷出它們各自的工作狀態(tài)，如解表T1.7所示。解表T1.7管 號(hào)UGS（th）/VUS/VUG/VUD/V工作狀態(tài)T14513恒流區(qū)T243310截止區(qū)T34605可變電阻區(qū)習(xí) 題 1.1 選擇合適答案填入空內(nèi)。 （1）在本征半導(dǎo)體中加入 元素可形成N型半導(dǎo)體，加入 元素可形成P型半導(dǎo)體。 A. 五價(jià) B. 四價(jià) C. 三價(jià) （2）當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將 。 A. 增大 B. 不變 C. 減小 （3）工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)IB從12A增大到22A時(shí)，IC從1mA變?yōu)?mA，那么它的約為 。 A

6、. 83 B. 91 C. 100 （4）當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時(shí)，它的低頻跨導(dǎo)gm將 。 A.增大 B.不變 C.減小 解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A 1.2 能否將1.5V的干電池以正向接法接到二極管兩端？為什么？ 解：不能。因?yàn)槎O管的正向電流與其端電壓成指數(shù)關(guān)系，當(dāng)端電壓為1.5V時(shí)，管子會(huì)因電流過大而燒壞。 1.3 電路如圖P1.3所示，已知ui10sint(v)，試畫出ui與uO的波形。設(shè)二極管正向?qū)妷嚎珊雎圆挥?jì)。 圖P1.3 解圖P1.3 解：ui和uo的波形如解圖P1.3所示。 1.4 電路如圖P1.4所示，已知ui5sint (V

7、)，二極管導(dǎo)通電壓UD0.7V。試畫出ui與uO的波形，并標(biāo)出幅值。 圖P1.4 解圖P1.4 解：波形如解圖P1.4所示。 1.5 電路如圖P1.5（a）所示，其輸入電壓uI1和uI2的波形如圖（b）所示，二極管導(dǎo)通電壓UD0.7V。試畫出輸出電壓uO的波形，并標(biāo)出幅值。圖P1.5解：uO的波形如解圖P1.5所示。解圖P1.5 1.6 電路如圖P1.6所示，二極管導(dǎo)通電壓UD0.7V，常溫下UT26mV，電容C對(duì)交流信號(hào)可視為短路；ui為正弦波，有效值為10mV。 試問二極管中流過的交流電流有效值為多少？ 解：二極管的直流電流 ID（VUD）/R2.6mA其動(dòng)態(tài)電阻 rDUT/ID10故動(dòng)態(tài)

8、電流有效值 IdUi/rD1mA 圖P1.6 1.7 現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管，它們的穩(wěn)定電壓分別為6V和8V，正向?qū)妷簽?.7V。試問： （1）若將它們串聯(lián)相接，則可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？ （2）若將它們并聯(lián)相接，則又可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？ 解：（1）兩只穩(wěn)壓管串聯(lián)時(shí)可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四種穩(wěn)壓值。 （2）兩只穩(wěn)壓管并聯(lián)時(shí)可得0.7V和6V等兩種穩(wěn)壓值。 1.8 已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin5mA，最大功耗PZM150mW。試求圖P1.8所示電路中電阻R的取值范圍。 解：穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定電流 IZMPZM/UZ25mA電阻R的電流為IZM

9、IZmin，所以其取值范圍為 圖P1.8 1.9 已知圖P1.9所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ6V，最小穩(wěn)定電流IZmin5mA，最大穩(wěn)定電流IZmax25mA。 （1）分別計(jì)算UI為10V、15V、35V三種情況下輸出電壓UO的值； （2）若UI35V時(shí)負(fù)載開路，則會(huì)出現(xiàn)什么現(xiàn)象?為什么？解：（1）當(dāng)UI10V時(shí)，若UOUZ6V，則穩(wěn)壓管的電流為4mA，小于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管未擊穿。故 當(dāng)UI15V時(shí)，穩(wěn)壓管中的電流大于最 圖P1.9小穩(wěn)定電流IZmin，所以 UOUZ6V 同理，當(dāng)UI35V時(shí)，UOUZ6V。 （2）29mAIZM25mA，穩(wěn)壓管將因功耗過大而損壞。 1.10 在圖

10、P1.10所示電路中，發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓UD1.5V，正向電流在515mA時(shí)才能正常工作。試問： （1）開關(guān)S在什么位置時(shí)發(fā)光二極管才能發(fā)光？ （2）R的取值范圍是多少？ 解：（1）S閉合。（2）R的范圍為 圖P1.101.11 電路如圖P1.11（a）、（b）所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ3V，R的取值合適，uI的波形如圖（c）所示。試分別畫出uO1和uO2的波形。圖P1.11解：波形如解圖P1.11所示解圖P1.11 1.12 在溫度20時(shí)某晶體管的ICBO2A，試問溫度是60時(shí)ICBO？ 解：60時(shí)ICBO32A。 1.13 有兩只晶體管，一只的200，ICEO200A；另一只的100，IC

11、EO10A，其它參數(shù)大致相同。你認(rèn)為應(yīng)選用哪只管子？為什么？ 解：選用100、ICBO10A的管子，因其適中、ICEO較小，因而溫度穩(wěn)定性較另一只管子好。 1.14已知兩只晶體管的電流放大系數(shù)分別為50和100，現(xiàn)測(cè)得放大電路中這兩只管子兩個(gè)電極的電流如圖P1.14所示。分別求另一電極的電流，標(biāo)出其實(shí)際方向，并在圓圈中畫出管子。 圖P1.14解：答案如解圖P1.14所示。 解圖P1.14 1.15測(cè)得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖P1.15所示。在圓圈中畫出管子，并分別說明它們是硅管還是鍺管。圖P1.15 解：晶體管三個(gè)極分別為上、中、下管腳，答案如解表P1.15所示。解表P1.15管號(hào)T

12、1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe 1.16 電路如圖P1.16所示，晶體管導(dǎo)通時(shí)UBE0.7V，=50。試分析VBB為0V、1V、1.5V三種情況下T的工作狀態(tài)及輸出電壓uO的值。 解：（1）當(dāng)VBB0時(shí)，T截止，uO12V。 （2）當(dāng)VBB1V時(shí)，因?yàn)?A 所以T處于放大狀態(tài)。 （3）當(dāng)VBB3V時(shí)，因?yàn)?A 圖P1.16 所以T處于飽和狀態(tài)。 1.17 電路如圖P1.17所示，試問大于多少時(shí)晶體管飽和？ 解：取UCESUBE，若管子飽和，則 所以，時(shí)，管子飽和。 圖P1.171.18 電路如

13、圖P1.18所示，晶體管的50，|UBE|0.2V，飽和管壓降|UCES|0.1V；穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ5V，正向?qū)妷篣D0.5V。試問：當(dāng)uI0V時(shí)uO？當(dāng)uI5V時(shí)uO？ 解：當(dāng)uI0時(shí)，晶體管截止，穩(wěn)壓管擊穿，uOUZ5V。 當(dāng)uI5V時(shí)，晶體管飽和，uO0.1V。因?yàn)?圖P1.18 1.19 分別判斷圖P1.19所示各電路中晶體管是否有可能工作在放大狀態(tài)。圖P1.19解：（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T的發(fā)射結(jié)會(huì)因電流過大而損壞。 （e）可能 1.20 已知某結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的IDSS2mA，UGS（off）4V，試畫出它的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線，并近似畫出予夾斷

14、軌跡。 解：根據(jù)方程 逐點(diǎn)求出確定的uGS下的iD，可近似畫出轉(zhuǎn)移特性和輸出特性；在輸出特性中，將各條曲線上uGDUGS（off）的點(diǎn)連接起來，便為予夾斷線；如解圖P1.20所示。解圖P1.20 1.21 已知放大電路中一只N溝道場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)極、的電位分別為4V、8V、12V，管子工作在恒流區(qū)。試判斷它可能是哪種管子（結(jié)型管、MOS管、增強(qiáng)型、耗盡型），并說明 、與G、S、D的對(duì)應(yīng)關(guān)系。 解：管子可能是增強(qiáng)型管、耗盡型管和結(jié)型管，三個(gè)極、與G、S、D的對(duì)應(yīng)關(guān)系如解圖P1.21所示。解圖P1.21 1.22 已知場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線如圖P1.22所示，畫出它在恒流區(qū)的轉(zhuǎn)移特性曲線。 圖P1.2

15、2解：在場(chǎng)效應(yīng)管的恒流區(qū)作橫坐標(biāo)的垂線如解圖P1.22（a）所示，讀出其與各條曲線交點(diǎn)的縱坐標(biāo)值及UGS值，建立iDf（uGS）坐標(biāo)系，描點(diǎn)，連線，即可得到轉(zhuǎn)移特性曲線，如解圖P1.22（b）所示。 解圖P1.221.23 電路如圖1.23所示，T的輸出特性如圖P1.22所示，分析當(dāng)uI4V、8V、12V三種情況下場(chǎng)效應(yīng)管分別工作在什么區(qū)域。解：根據(jù)圖P1.22所示T的輸出特性可知，其開啟電壓為5V，根據(jù)圖P1.23所示電路可知所以u(píng)GSuI。當(dāng)uI4V時(shí)，uGS小于開啟電壓，故T截止。當(dāng)uI8V時(shí)，設(shè)T工作在恒流區(qū)，根據(jù) 輸出特性可知iD0.6mA，管壓降 uDSVDDiDRd10V因此，u

16、GDuGSuDS2V，小于開啟電壓， 圖P1.23說明假設(shè)成立，即T工作在恒流區(qū)。 當(dāng)uI12V時(shí)，由于VDD 12V，必然使T工作在可變電阻區(qū)。 1.24 分別判斷圖P1.24所示各電路中的場(chǎng)效應(yīng)管是否有可能工作在恒流區(qū)。圖P1.24解：（a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能第二章 基本放大電路自 測(cè) 題 一、在括號(hào)內(nèi)用“”或“”表明下列說法是否正確。 （1）只有電路既放大電流又放大電壓，才稱其有放大作用；（ ） （2）可以說任何放大電路都有功率放大作用；（ ） （3）放大電路中輸出的電流和電壓都是由有源元件提供的；（ ） （4）電路中各電量的交流成份是交流信號(hào)源提供的；（ ） （5

17、）放大電路必須加上合適的直流電源才能正常工作；（ ） （6）由于放大的對(duì)象是變化量，所以當(dāng)輸入信號(hào)為直流信號(hào)時(shí)，任何放大電路的輸出都毫無變化；（ ） （7）只要是共射放大電路，輸出電壓的底部失真都是飽和失真。（ ）解：（1） （2） （3） （4） （5） （6） （7）二、試分析圖T2.2所示各電路是否能夠放大正弦交流信號(hào)，簡(jiǎn)述理由。設(shè)圖中所有電容對(duì)交流信號(hào)均可視為短路。圖T2.2 解：（a）不能。因?yàn)檩斎胄盘?hào)被VBB短路。 （b）可能。 （c）不能。因?yàn)檩斎胄盘?hào)作用于基極與地之間，不能馱載在靜態(tài)電壓之上，必然失真。 （d）不能。晶體管將因發(fā)射結(jié)電壓過大而損壞。 （e）不能。因?yàn)檩斎胄盘?hào)被C

18、2短路。 （f）不能。因?yàn)檩敵鲂盘?hào)被VCC短路，恒為零。 （g）可能。 （h）不合理。因?yàn)镚-S間電壓將大于零。 （i）不能。因?yàn)門截止。 三、在圖T2.3所示電路中， 已知VCC12V，晶體管的b100，100k。填空：要求先填文字表達(dá)式后填得數(shù)。 （1）當(dāng)0V時(shí)，測(cè)得UBEQ0.7V，若要基極電流IBQ20A， 則 和RW之和Rb k；而若測(cè)得UCEQ6V，則Rc k。（2）若測(cè)得輸入電壓有效值=5mV時(shí)，輸出電壓有效值0.6V， 則電壓放大倍數(shù) 。若負(fù)載電阻RL值與RC相等 ，則帶上負(fù)載 圖T2.3 后輸出電壓有效值 V。 解：（1） 。（2） 。 四、已知圖T2.3所示電路中VCC12

19、V，RC3k，靜態(tài)管壓降UCEQ6V；并在輸出端加負(fù)載電阻RL，其阻值為3k。選擇一個(gè)合適的答案填入空內(nèi)。 （1）該電路的最大不失真輸出電壓有效值Uom ； A.2V B.3V C.6V （2）當(dāng)1mV時(shí)，若在不失真的條件下，減小RW，則輸出電壓的幅值將 ； A.減小 B.不變 C.增大 （3）在1mV時(shí)，將Rw調(diào)到輸出電壓最大且剛好不失真，若此時(shí)增大輸入電壓，則輸出電壓波形將 ； A.頂部失真 B.底部失真 C.為正弦波 （4）若發(fā)現(xiàn)電路出現(xiàn)飽和失真，則為消除失真，可將 。 A.RW減小 B.Rc減小 C.VCC減小解：（1）A （2）C （3）B （4）B 五、現(xiàn)有直接耦合基本放大電路如下

20、： A.共射電路 B.共集電路 C.共基電路 D.共源電路 E.共漏電路 它們的電路分別如圖2.2.1、2.5.1(a)、2.5.4(a)、2.7.2和2.7.9(a)所示；設(shè)圖中ReRb，且ICQ、IDQ均相等。 選擇正確答案填入空內(nèi)，只需填A(yù)、B、 （1）輸入電阻最小的電路是 ，最大的是 ； （2）輸出電阻最小的電路是 ； （3）有電壓放大作用的電路是 ； （4）有電流放大作用的電路是 ； （5）高頻特性最好的電路是 ； （6）輸入電壓與輸出電壓同相的電路是 ；反相的電路是 。解：（1）C，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C （6）B C E， A D 六、

21、未畫完的場(chǎng)效應(yīng)管放大電路如圖T2.6所示，試將合適的場(chǎng)效應(yīng)管接入電路，使之能夠正常放大。要求給出兩種方案。 解：根據(jù)電路接法，可分別采用耗盡型N溝道和P溝道MOS管，如解圖T2.6所示。 圖T2.6 解圖T2.6習(xí) 題2.1按要求填寫下表。電路名稱連接方式（e、c、b）性能比較（大、中、?。┕矘O輸入極輸出極R iR o其它共射電路共集電路共基電路 解：答案如表所示。電路名稱連接方式性能比較（大、中、?。┕捕溯斎攵溯敵龆薘 iR o其它共射電路ebc大大小大共集電路cbe小大大小共基電路bec大小小大頻帶寬 2.2分別改正圖P2.2所示各電路中的錯(cuò)誤，使它們有可能放大正弦波信號(hào)。要求保留電路

22、原來的共射接法和耦合方式。圖P2.2 解：（a）將VCC改為VCC 。 （b）在VCC 與基極之間加Rb。 （c）將VBB反接，且在輸入端串聯(lián)一個(gè)電阻。 （d）在VBB支路加Rb，在VCC與集電極之間加Rc。 2.3 畫出圖P2.3所示各電路的直流通路和交流通路。設(shè)所有電容對(duì)交流信號(hào)均可視為短路。圖P2.3解：將電容開路、變壓器線圈短路即為直流通路，圖略。圖P2.3所示各電路的交流通路如解圖P2.3所示；解圖P2.3 2.4 電路如圖P2.4（a）所示，圖（b）是晶體管的輸出特性，靜態(tài)時(shí)UBEQ0.7V。利用圖解法分別求出RL和RL3k時(shí)的靜態(tài)工作點(diǎn)和最大不失真輸出電壓Uom（有效值）。圖P2

23、.4 解：空載時(shí)：IBQ20A，ICQ2mA，UCEQ6V；最大不失真輸出電壓峰值約為5.3V，有效值約為3.75V。帶載時(shí)：IBQ20A，ICQ2mA，UCEQ3V；最大不失真輸出電壓峰值約為2.3V，有效值約為1.63V。如解圖P2.4所示。解圖P2.4 2.5在圖P2.5所示電路中，已知晶體管的b80，rbe1k，20mV；靜態(tài)時(shí)UBEQ0.7V，UCEQ4V，IBQ20A。判斷下列結(jié)論是否正確，凡對(duì)的在括號(hào)內(nèi)打“”，否則打“”。圖P2.5 （1）（ ） （2）（ ） （3）（ ） （4）（ ） （5）（ ） （6） （ ） （7）（ ） （8）（ ）（9）（ ） （10）（ ） （11

24、）20mV ( ) （12）60mV ( ) 解：（1） （2） （3） （4） （5） （6）（7） （8） （9） （10） （11） （12） 2.6 電路如圖P2.6所示，已知晶體管b50，在下列情況下，用直流電壓表測(cè)晶體管的集電極電位，應(yīng)分別為多少？設(shè)VCC12V，晶體管飽和管壓降UCES0.5V。 （1）正常情況 （2）Rb1短路 （3）Rb1開路 （4）Rb2開路 （5）RC短路圖P2.6解：設(shè)UBE0.7V。則（1） 基極靜態(tài)電流 （2）由于UBE0V，T截止，UC12V。（3）臨界飽和基極電流 實(shí)際基極電流 由于IBIBS，故T飽和，UCUCES0.5V。 （4）T截止，UC

25、12V。（5）由于集電極直接接直流電源，UCVCC12V2.7電路如圖P2.7所示，晶體管的b80，=100。分別計(jì)算RL和RL3k時(shí)的Q點(diǎn)、Ri 和Ro。圖P2.7解2.7 在空載和帶負(fù)載情況下，電路的靜態(tài)電流、rbe均相等，它們分別為 空載時(shí)，靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻分別為 RL5k時(shí)，靜態(tài)管壓降、電壓放大倍數(shù)分別為 2.8 在圖P2.7所示電路中，由于電路參數(shù)不同，在信號(hào)源電壓為正弦波時(shí)，測(cè)得輸出波形如圖P2.8（a）、（b）、（c）所示，試說明電路分別產(chǎn)生了什么失真，如何消除。圖P2.8 解：（a）飽和失真，增大Rb，減小Rc 。 （b）截止失真，減小Rb 。 （c

26、）同時(shí)出現(xiàn)飽和失真和截止失真，應(yīng)增大VCC。 2.9 若由PNP型管組成的共射電路中，輸出電壓波形如圖P2.8（a）、（b）、（c）所示，則分別產(chǎn)生了什么失真？解：（a）截止失真；（b）飽和失真；（c）同時(shí)出現(xiàn)飽和失真和截止失真。 2.10 已知圖P2.10所示電路中晶體管的b 100，rbe=1k。 （1）現(xiàn)已測(cè)得靜態(tài)管壓降UCEQ6V，估算Rb約為多少千歐； （2）若測(cè)得和的有效值分別為1mV和100mV，則負(fù)載電阻RL為多少千歐？圖P2.10 解：（1）求解Rb （2）求解RL： 2.11 在圖P2.10所示電路中，設(shè)靜態(tài)時(shí)ICQ2mA，晶體管飽和管壓降UCES0.6V。試問：當(dāng)負(fù)載電阻

27、RL和RL3k時(shí)電路的最大不失真輸出電壓各為多少伏？解：由于ICQ2mA，所以UCEQVCCICQRc6V?？蛰d時(shí)，輸入信號(hào)增大到一定幅值，電路首先出現(xiàn)飽和失真。故 時(shí)，當(dāng)輸入信號(hào)增大到一定幅值，電路首先出現(xiàn)截止失真。故 2.12在圖P2.10所示電路中，設(shè)某一參數(shù)變化時(shí)其余參數(shù)不變，在表中填入增大減小或基本不變。參數(shù)變化IBQUCEQRiRoRb增大Rc增大RL增大解：答案如解表P2.12所示。解表P2.12所示參數(shù)變化IBQUCEQRiRoRb增大Rc增大RL增大 2.13 電路如圖P2.13所示，晶體管的b100，=100。 （1）求電路的Q點(diǎn)、Ri和Ro； （2）若電容Ce開路，則將引

28、起電路的哪些動(dòng)態(tài)參數(shù)發(fā)生變化？如何變化？圖P2.13解：（1）靜態(tài)分析： 動(dòng)態(tài)分析： （2）Ri增大，Ri4.1k；減小，1.92。2.14 試求出圖P2.3（a）所示電路Q點(diǎn)、Ri和Ro 的表達(dá)式。解：Q點(diǎn)為 、Ri和Ro的表達(dá)式分別為 2.15 試求出圖P2.3（b）所示電路Q點(diǎn)、Ri和Ro的表達(dá)式。設(shè)靜態(tài)時(shí)R2中的電流遠(yuǎn)大于T的基極電流。解: Q點(diǎn)： 、Ri和Ro的表達(dá)式分別為 2.16 試求出圖P2.3（c）所示電路Q點(diǎn)、Ri和Ro的表達(dá)式。設(shè)靜態(tài)時(shí)R2中的電流遠(yuǎn)大于T2管的基極電流且R3中的電流遠(yuǎn)大于T1管的基極電流。 解：兩只晶體管的靜態(tài)電流、管壓降分析如下： 、Ri和Ro的表達(dá)式分析如下： 2.17 設(shè)圖P2.17所示電路所加輸入電壓為正弦波。試問： 圖P2.17 （1）=/? =/?（2）畫出輸入電壓和輸出電壓ui、uo1、uo2 的波形； 解：（1）因?yàn)橥ǔ?，所以電壓放大倍數(shù)分別應(yīng)為 （2） 兩個(gè)電壓放大倍數(shù)說明 uo1ui，uo2ui。波形如解圖P1.17所示。解圖P1.17 2.18 電路如圖P2.18所示，晶體管的b80，rbe=1k。 （1）求出Q點(diǎn)； （2）分別求出RL和RL3k時(shí)電路的和Ri； （3）求出Ro。圖P2.18解：（1）求解Q點(diǎn)： （2）求解輸入電阻和電壓放大倍