電鍍工藝純錫高溫變色主因研究報告PPT課件

純錫高溫變色主因分析,背景說明變色實驗結果總結變色表面物質分析變色可能原因分析純錫高溫變色真因高溫變色改善方法,報告內(nèi)容,背景說明,為符合RoHS環(huán)保規(guī)範，各業(yè)界均需將現(xiàn)今含鉛製程改採無鉛製程，對連接器端子電鍍來說純錫為目前最佳也最經(jīng)濟的替代方案。但由錫鉛改為純錫後，最明顯直接的改變就是SMT溫度由225提升為240甚至260，隨之而來的問題就是純錫在高溫時發(fā)生變色問題(黃色或藍紫色)。雖然目前並未有因變色而導致產(chǎn)品功能性異常的問題發(fā)生，但為確保產(chǎn)品品質、消除客戶疑慮，找出變色真因及改善方法實為當前重要課題，業(yè)界對變色的機制說法眾出紛紜，本報告旨在找出變色主因並確認改善方向。,變色實驗結果總結,綜合多次實驗結果匯整純錫高溫變色有以下特性：在airatmosphere下,變色隨著溫度高低(230260)或高溫時間長短而有不同程度的變化：由銀白顏色黃色藍紫色。Sn/Pb鍍層，純錫塊在高溫時也有這種變色情形。使用亮錫變色嚴重，而霧錫變色較輕微。使用半亮鎳為底鍍層易變色，而不鍍鎳底或使用磷鎳則不易變色，且IRreflow後亮錫外觀變暗(霧)，霧錫外觀變亮(並非變黃或藍紫色)。氮氣下(含氧量500ppm)過三次IRreflow不會變色(withoutpost-treatment)。鍍錫後再浸泡後保護劑或稀酸可改善變色，但三次reflow仍會變色(withoutinertatmosphere)。變色表面可被稀硫酸(約20%)洗去。固定ASD,錫厚度,變色程度。,Temp.orTime,硫酸浸洗,變色表面,變色表面物質分析,Auger分析(ObtainedfromPBL-PTRD,substrate:stainlesssteel),Augerdepthprofile(ObtainedfromRohm-Haas),對變色樣品進行不同深度的元素分析得知鍍層元素含有C,O,Sn,或Ni(當?shù)撞臑椴荤n鋼時)。C來源為鍍層共沈積的有機添加劑，O為氧化反應而來，Ni為底材擴散而來，因此推測造成變色的可能原因為：有機物析出表面氧化底層金屬擴散，形成Sn/Ni合金,Surface:C,O,Sn,Depth:11:O,Sn,Ni,Depth:22:O,Sn,Ni,Sn,O,C,高溫變色,表面氧化,底層金屬擴散,有機物析出,變色可能原因分析,推論機制：變色錫層表面元素分析結果發(fā)現(xiàn)表層含碳量較高，為錫層高溫熔化時，有機物自金屬晶界中釋放而浮出至表面，故碳元素多在鍍層表面。有機物析出為主因的矛盾點：若變色物質為有機物，則應可溶於有機溶劑，但實際使用醇類、正溴丙烷及DMSO皆無法洗去變色物質，僅可被稀硫酸洗去(稀硫酸不溶純錫)。不鍍鎳及磷鎳樣品或在氮氣下reflow皆不變色，若為有機物析出則不應如此(因為錫層仍會熔化)。於200長時間烘烤外觀仍會變?yōu)樗{紫色，但此時錫層未熔化，沒有有機物析出的問題。下圖為對不同變色程度樣品Auger分析的結果：不同變色程度,碳含量分布並無太大變化，顯示碳含量對變色影響不大。,變色可能原因分析有機物析出,C含量分布相近,(ObtainedfromRohm-Haas),輕微變色,嚴重變色,以上分析雖無法完成排除有機物的影響，但可確定並非變色主因。,高溫變色,表面氧化,底層金屬擴散,變色可能原因分析,反應機制：不同金屬之交界面常因擴散而生成界面合金(Intermetallics,IMC)，界面合金的生長速度與溫度、金屬特性及晶粒大小有關。銅錫合金成長速度相當快，而鎳與錫合金則較慢，IMC生長最終可至錫層耗盡。底層金屬擴散為主因的矛盾點：在固定鎳及錫電鍍條件且使用相同IRprofile時，生成鎳錫合金的速度及厚度應不會有太大差異，故鍍薄錫應該因錫鎳合金較易顯露至表面而變色，鍍厚錫則較不會變色，但實際結果卻相反(薄錫50minch輕微變色，厚錫500minch變色嚴重)。由於銅擴散速度較鎳快，故不鍍鎳應易生成較厚IMC致嚴重變色，此外鎳錫合金生長不受鎳膜厚影響，故增加鎳膜厚理應不會影響變色，但實際結果卻相反(不鍍鎳不變色，薄鎳20m變色較輕微，厚鎳200m變色嚴重)。合金生成理應不受外層環(huán)境影響，故在氮氣下或使用後保護劑仍該因有合金生長而變色，但與實驗結果相反。若僅為合金則為何可被稀硫酸洗去，卻無法為濃硝酸蝕去。若底材為不鏽鋼則已被證實底層鎳擴散有很大的影響(byPBL-PTRD)，而本實驗底材為銅。以上分析可得底層金屬擴散生成合金並非銅材鍍錫變色主因。,變色可能原因分析底層金屬擴散,高溫變色,表面氧化,變色可能原因分析,反應機制：純錫易生成氧化錫(SnO,SnO2)，隨著溫度及時間增加，氧化膜持續(xù)增厚，外觀顏色加深。氧化速率與溫度、氧濃度及錫晶粒大小(晶粒愈細反應愈快)有關，故在高溫熔融時氧化速率更是常溫的數(shù)倍。表面氧化證據(jù)：在氮氣下氧的濃度極低，有效阻止氧化反應發(fā)生，故不變色。氧化錫易溶於硫酸SnO(solid)+6H+3SO42-SnSO4(aqueous)+3H2O+2SO2(gas),因此變色表面可以稀硫酸洗掉使用後處理劑(磷酸鹽膜)或稀酸可在表面形成酸性保護膜，阻止氧與錫接觸。不同變色樣品分析可得兩者氧化程度不同(見下圖)，嚴重變色的氧化膜厚度較厚且相同厚度下(200)氧化程度較多。氧化程度(氧化錫厚度)造成顏色差異的原理,變色可能原因分析表面氧化,200,O25%,200,O3%,嚴重變色,輕微變色,Othickness1200,Othickness600,Reflow過程機制,變色可能原因分析表面氧化,錫膜厚影響：在IRreflow過程中最高氧化速率發(fā)生在錫熔融時，故若錫在其熔融態(tài)的時間愈長氧化(變色)愈嚴重，進一步可推論再結晶速率愈快氧化(變色)愈輕微，因此我們可以解釋：錫膜厚愈厚則表層錫處在熔融態(tài)的時間較薄錫長，故氧化嚴重。IMC影響：此外，IMC可提供誘發(fā)晶核生長的成核點(凹陷處)，故IMC粗糙度將影響再結晶的速率，如下圖所示。粗糙的IMC可加快再結晶速度，因此我們可以解釋：銅或磷鎳生成粗糙IMC，可有效引發(fā)錫晶核形成及熔融錫再結晶，因此減少錫在熔融態(tài)時間，故氧化輕微；MP200鎳生成平滑IMC，故氧化嚴重。最後由不變色樣品(不鍍鎳或鍍磷鎳)IRreflow後霧錫變亮、亮錫變暗(霧)，可知錫層高溫熔融後將再結晶成與原來晶粒大小不同的晶體。,錫晶核(晶種),高溫變色,表面氧化,純錫高溫變色主因,主因,最佳錫層結構：加大錫晶粒且錫晶體排列緊密可有效減緩氧化反應的速率，如下圖。加快再結晶速率：使用可生成粗糙IMC的底鍍層(如磷鎳)，有效加快再結晶速率，降低氧化程度。使用後保護劑：後保護劑可在表面形成酸性保護膜，加強表層抗氧化效果。Reflow環(huán)境：Reflow全程使用氮氣可防止氧化發(fā)生。,高溫變色改善方法,依現(xiàn)有條件，第1,2項需更改藥水系統(tǒng)；第3項後保護劑在三次reflow後仍會變色。,TheEndThankYou!,Tinplate,顏色變化：當光線從氧化膜的外表面和內(nèi)表面(空氣/氧化膜與氧