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射頻推挽場效應(yīng)晶體管振蕩器的高輸出功率圖片： 描述：這是一個標(biāo)準(zhǔn)的推拉力振蕩器的基礎(chǔ)上，功率MOSFET晶體管。 圖片： 描述： 圖片： 射頻推挽場效應(yīng)晶體管振蕩器的高輸出功率 隨著電路顯示在這里，您可以創(chuàng)造高頻率的電磁波非常高的輸出功率。 可能的應(yīng)用實驗，無線電力傳輸，射頻轉(zhuǎn)發(fā)器，特斯拉線圈等。依賴于線圈，電容器和冷卻的晶體管的輸出功率在20W的范圍和更可以得到。 在很短的距離，其他電子電路可能會受到干擾甚至摧毀。廣播 RFID技術(shù)，防盜，無線局域網(wǎng)，醫(yī)療器械（心臟起搏器！ ）可干擾大面積！ 從來沒有經(jīng)營這條賽道上沒有采取預(yù)防措施！ 這可能是非法操作在你的國家！組成部分的數(shù)值： 工作電壓為15V直流 如果您希望使用較小的工作電壓，則必須增加R2和R3的阻值。振蕩開始時壓降的R2響應(yīng)。 R3的達(dá)到了MOSFET的thresold電壓，約。 4 .至6V 場效應(yīng)管： IRF510 受體1 ，的R4 100,000 R2的， R3的27K C4,C5: 100u C1選擇您想要的頻率 C2 ，補體C3加州10 的C1 素D1 ， D2類15V Z型二極管 阿PushPull振蕩器需要一個線圈的中心抽頭。對于我的測試中我用12打開1毫米絕緣銅線，直徑約40毫米。 該中心抽頭連接到PAD1 頻率范圍從200kHz至10MHz時生成使用此線圈。 共振頻率的計算方法是（約） 重要的！ 電容器，特別是的C1應(yīng)低ESR ，不然他們將會升溫和被摧毀！ 發(fā)光二極管連接到一個小的接收

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