單晶硅生產(chǎn)制備方法大全.doc

單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法本發(fā)明的單晶硅晶片及單晶硅的制造方法，是屬于切克勞斯基法(CZ法)生長單晶硅晶片，其特征為：對全部晶片進(jìn)行熱氧化處理時(shí)，在環(huán)狀發(fā)生OSF的外側(cè)的N區(qū)域，不存在通過Cu淀積所檢測出的缺陷區(qū)域。由此，可以利用確實(shí)能提高氧化膜耐壓等電氣特性的CZ法，在穩(wěn)定的制造條件下，制造既不屬于富含空孔的V區(qū)域、OSF區(qū)域，也不屬于富含晶格間隙硅的I區(qū)域的硅單晶晶片。絕緣體上的單晶硅(SOI)材料的制造方法本發(fā)明公開了一種采用SIMOX技術(shù)制造SOI材料的方法。通過在傳統(tǒng)的注氧隔離制造工藝中引入離子注入非晶化處理，使得非晶化區(qū)域內(nèi)的各種原子在退火時(shí)產(chǎn)生很強(qiáng)的增強(qiáng)擴(kuò)散效應(yīng)，從而制造出頂部硅層中的穿通位錯(cuò)等晶體缺陷和二氧化硅埋層中的硅島和針孔等硅分凝產(chǎn)物得以消除的高品質(zhì)的SOI材料。本發(fā)明還公開了一種將離子注入非晶化處理應(yīng)用到采用注氮隔離或注入氮氧隔離技術(shù)中制造SOI材料的方法，使得氮化硅埋層或者氮氧化硅埋層是非晶層，頂部硅層是和氮化硅埋層或者氮氧化硅埋層的界面具有原子級陡峭的單晶硅層。分離單晶硅堝底料中石英的工藝本發(fā)明屬于半導(dǎo)體分離技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種分離單晶硅堝底料中石英的工藝，包括下列步驟：a.將堝底料破碎，得到顆粒狀的堝底料；b.用Si3N4涂料刷抹坩堝底部和內(nèi)壁，讓其自然干燥；c.把顆粒狀堝底料放置在坩堝內(nèi)；d.裝有顆粒狀堝底料的坩堝放入中頻感應(yīng)電爐，開啟電源使?fàn)t內(nèi)溫度升高至熔點(diǎn)溫度后100左右，保溫10-30分鐘，則顆粒狀堝底料在坩堝內(nèi)重熔；e.在加熱達(dá)到規(guī)定時(shí)間后，關(guān)掉電源，待自然冷卻后，可得到已分離的硅與石英；本發(fā)明提供的分離單晶硅堝底料中石英的工藝方法，通過將混含有石英的堝底料放置在中頻爐中高溫加熱熔融，利用硅的熔點(diǎn)低于石英熔點(diǎn)的特性，能夠方便地將石英顆粒與硅液分離開，因此，本發(fā)明具有工藝簡單、生產(chǎn)安全、能耗低、分離效果好等優(yōu)點(diǎn)。單晶硅襯底上可動微機(jī)械結(jié)構(gòu)單片集成的制作方法本發(fā)明公開了一種單晶硅襯底上可動微機(jī)械結(jié)構(gòu)單片集成的制作方法，它涉及微電子機(jī)械工藝加工技術(shù)領(lǐng)域中的微電子機(jī)械系統(tǒng)結(jié)構(gòu)器件的制造。它采用濃硼擴(kuò)散、光刻、深反應(yīng)離子刻蝕和選擇性濕法腐蝕技術(shù)工藝，實(shí)現(xiàn)可動懸空與固定微結(jié)構(gòu)都制作在同一單晶硅片上，達(dá)到可動微機(jī)械單片集成制作目的。本發(fā)明具有制造成本低廉，操作制造簡易，能單片集成和大規(guī)模集成等優(yōu)點(diǎn)，適合于光開關(guān)、諧振器、加速度計(jì)等多種具有可動微結(jié)構(gòu)器件的制作。直徑300mm及300mm以上的單晶硅晶片及其制造方法本發(fā)明涉及直徑300mm及300mm以上的單晶硅晶片，從表面到3微米以上的深度存在無COP的無缺陷層；及一種單晶硅的制造方法，通過CZ法摻雜氮拉制直徑300mm及300mm以上的單晶硅時(shí)，將拉晶速度設(shè)為Vmm/min，以GK/mm表示從硅的熔點(diǎn)至1400間的拉晶軸向的結(jié)晶內(nèi)溫度梯度平均值，將V/Gmm2/Kmin的值設(shè)為低于0.17以生長結(jié)晶；及一種單晶硅晶片的制造方法，對摻雜氮的直徑300mm及300mm以上的硅單晶硅晶片進(jìn)行熱處理，在惰性氣體或氫或它們的混合氣體的環(huán)境下，進(jìn)行1230以上、1小時(shí)以上的熱處理。由此，確立單晶硅拉晶條件及晶片的熱處理?xiàng)l件，用于拉制直徑300mm及300mm以上的單晶硅并加工成晶片，并對晶片進(jìn)行熱處理，獲得在表層的相當(dāng)深度具有無COP的無缺陷層的單晶硅晶片。抑制長的大直徑單晶硅生長條紋的直拉生長裝置在一種丘克拉斯基單晶硅生長裝置中，其在生長爐（）中通過提線（）上拉晶種（）來生長硅單晶（），一個(gè)磁環(huán)（）被安裝在硅單晶上，一個(gè)電磁體（）被固定于生長爐上以便上拉磁環(huán)。制備單晶硅片表面完整層的新途徑本發(fā)明屬于集成電路用半導(dǎo)體材料的制備技術(shù).發(fā)明人利用中子輻照氫氣氛下區(qū)熔單晶硅.經(jīng)切、磨、拋后,硅片實(shí)行兩次熱處理的方法,獲得單晶硅片由于體內(nèi)氫沉淀造成的表面完整層,為集成電路用硅材料提供了新的可能途徑.非線性磁場中單晶硅拉制方法及其裝置一種在磁場中拉制單晶的方法和單晶爐,該單晶爐的螺旋管分成內(nèi)徑大小不同的兩組,螺旋管的銜鐵做成爐壁的形狀,同時(shí)作為整個(gè)爐體的爐壁,并與爐體的上下端蓋和磁環(huán)形成全封閉結(jié)構(gòu),螺旋管由升降器支撐,可以相對坩堝做上下運(yùn)動,拉晶時(shí),坩堝位于由螺旋管所產(chǎn)生磁場的上端或下端具有喇叭形狀的非線性區(qū)域,以獲得對熔硅熱對流的盡可能大的抑制效果,全封閉結(jié)構(gòu)的爐壁兼作銜鐵,使得用較小的直流功率源獲得較大的磁場強(qiáng)度成為可能.摻金、摻鉑單晶硅互換熱敏電阻及其制作方法本發(fā)明提供一種摻金、摻鉑單晶硅互換熱敏電阻及其制作方法，屬于溫度敏感器技術(shù)領(lǐng)域。它主要采用在型單晶硅中摻入金、鉑兩種雜質(zhì)的方法，使電阻呈現(xiàn)負(fù)溫度特征，其值為，值的偏差分布小于，使用溫區(qū)為之間。由于該電阻元件的值適中，互換性能好，又易制作，成本低廉，不失為一種用于配制具有線性輸出的線性組件的理想元件。并可廣泛適用于醫(yī)療儀器、食品工業(yè)、家用電器等行業(yè)的測溫、控溫等實(shí)用技術(shù)領(lǐng)域。單晶硅的制造方法和設(shè)備按照本發(fā)明，用一個(gè)隔板環(huán)將放有熔化原料的坩堝的內(nèi)部隔開，從而使被提拉的單晶被包圍并且使熔化原料可以流動，顆粒狀硅加到隔板環(huán)的外側(cè)，從而使外側(cè)的熔化液體成為一個(gè)顆粒狀硅的可溶區(qū)域，以保持隔板環(huán)內(nèi)側(cè)的熔化液面幾乎保持恒定，并且用一塊保溫板復(fù)蓋隔板環(huán)及其外側(cè)的熔化液面，使隔板環(huán)外側(cè)的熔化液體溫度至少比其內(nèi)部的溫度高出，或更高些。一種單晶硅壓力傳感器制造方法及其結(jié)構(gòu)本發(fā)明涉及到單晶硅壓力傳感器的制造方法及其結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供了一種單晶硅壓力傳感器單面加工的新方法和單晶硅絕對壓力傳感器的盒式結(jié)構(gòu)。本發(fā)明具有制造工藝簡單、成品率高、成本低，與集成電路工藝兼容性好等優(yōu)點(diǎn)。$單晶硅生產(chǎn)裝置一種單晶硅生產(chǎn)裝置，包括一個(gè)置于石墨坩堝內(nèi)的石英坩堝、隔板和加熱器，隔板將石英坩堝中的熔融硅料分成兩部分，內(nèi)側(cè)是單晶硅生長部分，外側(cè)是材料熔化部分；加熱器用以使單晶硅生長部分中的熔融硅料保持在適于單晶硅生長的溫度下，并為熔化裝進(jìn)材料熔化部分的原材料提供熱量；隔板上開有一些小孔。$隔板的材料為不透明的石英玻璃。$向材料熔化部分加入原材料而從單晶硅生長部分拉出單晶硅。$熔融硅料通過隔板小孔由材料熔化部分流入晶體生長部分。制造單晶硅的設(shè)備在本發(fā)明的單晶硅制造設(shè)備中，有一熱輻射屏在單晶生長區(qū)上方，以屏蔽和調(diào)節(jié)來自單晶生長區(qū)中熔融硅表面的熱輻射，而降低坩堝溫度從而降低單晶中的氧濃度以減少熔融硅中的氧量。該熱輻射屏包括一用金屬板覆蓋的耐火纖維材料，一多層金屬薄板組合件或一電阻加熱元件。此外，坩堝內(nèi)部還被一加工成許多小孔在隔離部件隔開，或一石英管沿該隔離件的圓周方向延伸安裝在其內(nèi)側(cè)，使熔融硅從物料熔化區(qū)流暢地流向單晶生長區(qū)并從而提供有效的措施。單晶硅直徑測定法及其設(shè)備本發(fā)明涉及一種測定單晶硅直徑的方法和設(shè)備。在用法提拉單晶的一規(guī)定轉(zhuǎn)動周期的間隔內(nèi)，用光學(xué)裝置對熔融環(huán)的亮度分布進(jìn)行取樣，由此得出該提拉單晶的直徑測定值，再用低通濾波器處理該直徑測定值，以產(chǎn)生轉(zhuǎn)換成時(shí)序直徑數(shù)據(jù)的濾波器輸出值，然后求出濾波器輸出值的移動平均值，從而計(jì)算出直徑值。本發(fā)明涉及的設(shè)備包括能完成上述測定方法的光學(xué)裝置、一低通濾波器和計(jì)算裝置。單晶硅直徑控制法及其設(shè)備單晶硅直徑的一種控制方法，在單晶硅邊相對于坩堝轉(zhuǎn)動邊受提拉的單晶硅制造過程中，將光學(xué)裝置測出的提拉單晶的直徑測定值與要求直徑值進(jìn)行比較，以確定偏差，再對得出的偏差進(jìn)行不完全微分處理或史密斯法處理，以計(jì)算提拉速度，再將提拉速度加到晶體提拉設(shè)備的電動機(jī)控制器上，從而通過控制提拉速度控制提拉單晶的參數(shù)。為完成上述單晶硅直徑的一種控制方法的設(shè)備，包括輸入裝置、不完全微分計(jì)算裝置和輸出裝置。單晶硅生產(chǎn)設(shè)備一種單晶硅生產(chǎn)設(shè)備，用以按照坩堝旋轉(zhuǎn)的切克勞斯基法高速提拉大直徑單晶硅。該設(shè)計(jì)的特點(diǎn)在于，分隔件是坩堝式的，熔融硅表面上方分隔件的厚度不小于毫米，且不大于熔融硅表面下方分隔件厚度的，分隔件的底部部分緊固在坩堝底部部分上，且分隔件支撐在圓柱形石英件上。單晶硅生產(chǎn)設(shè)備一種按照坩堝不旋轉(zhuǎn)的切克勞斯基法高速提拉直徑大、組成穩(wěn)定的單晶硅的單晶硅生產(chǎn)設(shè)備。通過妥善維持單晶硅外周邊與分隔件內(nèi)側(cè)熔融硅自由表面的熱平衡，可以高速提拉大直徑單晶硅。必須滿足的條件如下：英寸，；毫米，度；及毫米，其中為單晶硅直徑，為保溫蓋圓柱形側(cè)面部分下端處的孔徑，為分隔件的直徑，為坩堝直徑，為熔融硅表面至部分的距離。單晶硅生產(chǎn)設(shè)備一種大直徑單晶硅生產(chǎn)設(shè)備，具有一旋轉(zhuǎn)式石英坩堝、一電阻式加熱器、一具有連通孔的石英分隔件、一保溫蓋等。$開在分隔件上的連通孔其橫截面的總面積，當(dāng)原料進(jìn)料速度在與克分子之間時(shí)在與平方毫米之間，當(dāng)原料進(jìn)料速度在至克分的范圍時(shí)不小于平方毫米，但不大于平方毫米，當(dāng)原料進(jìn)料速度在至克分的范圍時(shí)不小于平方毫米，但不大于平方毫米。制造單晶硅的裝置一種利用切克勞斯基單晶生長法的大直徑單晶制造裝置，在保溫罩上部設(shè)置適當(dāng)?shù)拈_口，防止氣體介質(zhì)產(chǎn)生不良影響。開口總面積大于保溫罩下端和硅熔液液面之間形成間隙的面積，保溫罩和熱屏蔽件用金屬板構(gòu)成。單晶硅上大面積(100)取向的金剛石膜的生長方法在單晶硅上大面積（）取向金剛石膜的生長方法，是將單晶硅襯底在金剛石粉中研磨產(chǎn)生劃痕，以2、4、為反應(yīng)氣體，采用微波制膜技術(shù)，控制系統(tǒng)壓力范圍，嚴(yán)格控制襯底溫度在范圍，并使襯底以轉(zhuǎn)分的轉(zhuǎn)速勻速轉(zhuǎn)動，可制備大面積均勻生長的（）取向的金剛石膜。本發(fā)明具有工藝簡單、設(shè)備少、對襯底的解理面要求寬松、生長速度快，生長面積大等特點(diǎn)，適于生產(chǎn)。單晶硅錠及其制造方法本發(fā)明涉及單晶硅錠及其制造方法。其底部側(cè)直胴部的特性與頂部側(cè)直胴部及中部側(cè)直胴部的特性相近似，高品位單晶硅的制品數(shù)率高，而且在直胴部整個(gè)長度上的品質(zhì)大致均勻。并可按同一形狀反復(fù)制造，在每批制品間，底部的形狀沒有偏差。這種效果是通過控制底部的直徑2使得直胴部側(cè)底部的外表面相對于直胴部的外表面連續(xù)具有度的傾斜角而獲得。提拉單晶硅的裝置一種提拉硅單晶裝置，包括裝置主體，其中配置坩堝且坩堝包括石英坩堝部件和坩堝保護(hù)部件，環(huán)繞坩堝外部配置加熱元件，在加熱元件外部配置保溫筒，和在保溫筒和裝置主體之間配置隔熱材料，其中由碳質(zhì)材料制造的保溫筒和或坩堝保護(hù)部件內(nèi)側(cè)至少上部區(qū)域用熱分解碳膜覆蓋。直拉生長單晶硅期間實(shí)時(shí)監(jiān)測和控制氧的一氧化硅探針一種接近實(shí)時(shí)定量化諸如直拉硅熔體的熔體硅池?fù)]發(fā)的和熔體上方氣氛中存在的一氧化硅的數(shù)量的方法。優(yōu)選的方法包括將從硅熔體上方氣氛提取的含有一氧化硅的氣體試樣與反應(yīng)劑反應(yīng)生成可檢測的反應(yīng)產(chǎn)物，測定所生成反應(yīng)產(chǎn)物的量，和將所測定反應(yīng)產(chǎn)物的量換算成氣氛中存在的一氧化硅量。一氧化硅的量化用于監(jiān)視和或控制硅熔體的氧量或從硅熔體正在提拉的單晶硅中的氧含量。還公開了一種一氧化硅探針和使用該探針監(jiān)視和或控制氧的一種系統(tǒng)。雙電極單晶硅電容加速度傳感器及其制造方法一種雙電極單晶硅電容加速度傳感器，包括一質(zhì)量塊，至少兩根彈性梁，若干細(xì)長片，由底部挖孔的硅外延層構(gòu)成，支撐彈性梁的臺座，上部由硅外延層構(gòu)成，下部由氧化層將其與襯底隔開，起電絕緣作用，細(xì)長片側(cè)面用來制作橫向可變電容器的活動電極，質(zhì)量塊和細(xì)長片的底面用來制作縱向可變電容器的活動電極，橫向可變電容器的固定電極由若干與襯底電絕緣但與襯底硬連接的細(xì)長片構(gòu)成，縱向可變電容器的固定電極由襯底面構(gòu)成。通過控制拉速分布制造單晶硅錠和晶片的方法及其產(chǎn)品一種硅錠按一拉晶速率分布下進(jìn)行，其拉速要足夠高以限制間隙凝聚，且還要足夠低以便將空位凝聚限定在晶錠軸向上的富含空位區(qū)上。將晶錠切割成許多半純晶片，每個(gè)晶片在中央具有富含空位區(qū)，包括空位凝聚，和在富含空位區(qū)與晶片邊緣之間的純度區(qū)，無空位凝聚和間隙凝聚。按照本發(fā)明的另一方面，晶錠可按一拉晶速率分布拉制硅錠，其拉速要足夠高以便防止間隙凝聚，且還要足夠低以便防止空位凝聚。因此，當(dāng)將該晶錠切割成晶片時(shí)，晶片為純硅晶片，可包含點(diǎn)缺陷，但無空位凝聚團(tuán)的間隙凝聚團(tuán)。單晶硅納米晶立方氮化硼薄膜類PN結(jié)及其制作方法本發(fā)明屬單晶硅納米晶立方氮化硼薄膜的類結(jié)及制作方法。單晶硅襯底加溫并加負(fù)偏壓，六角氮化硼作源加射頻功率，氬氣作工作氣體，在襯底上沉積c薄膜，二者間形成類結(jié)。再經(jīng)鍍鋁滲鋁形成歐姆接觸電極。本發(fā)明在形成機(jī)理、構(gòu)成結(jié)的晶體形態(tài)及制作方法上都不同于傳統(tǒng)結(jié)，但具有傳統(tǒng)結(jié)的電學(xué)特性，電容值增大倍，由于c能隙大于ev的寬禁帶，使類結(jié)具有耐高溫、抗輻射、大功率運(yùn)轉(zhuǎn)等優(yōu)良性能。低濃度鈣雜質(zhì)的石墨支撐容器及其在制造單晶硅中的應(yīng)用拉制單晶硅的方法和所用的石墨支撐容器。拉制單晶硅時(shí)，堿土金屬和堿金屬特別是鈣的濃度嚴(yán)重影響石英容器的不均勻反玻璃化。用低濃度鈣的石墨支撐容器，在拉單晶硅時(shí)可以使盛裝熔硅的透明石英容器不發(fā)生嚴(yán)重的不均勻反玻璃化，甚至在將支撐容器加熱到較高溫度時(shí)也具有以上效果，所述鈣濃度最好按重量計(jì)不超過約。減少透明石英容器的局部結(jié)晶度，可以減少喪失石英容器結(jié)構(gòu)完整性的可能性，從而提高硅晶體的質(zhì)量，增加零位錯(cuò)生長。單晶硅片抗機(jī)械力的提高本發(fā)明與單晶硅片的減薄方法相關(guān)，以便圓片最終厚度小于um。生長富空位單晶硅的熱屏蔽組件和方法在直接法拉晶機(jī)中采用熱屏蔽組件，用于有選擇地保護(hù)半導(dǎo)體材料的單晶錠料，以便控制錠料單晶結(jié)構(gòu)中聚集的缺陷類型和數(shù)據(jù)密度。熱屏蔽組件具有一個(gè)上熱屏蔽，該上熱屏蔽連接到一個(gè)下熱屏蔽上。上熱屏蔽和下熱屏蔽相互連接，并滑動式連接到一個(gè)中間熱屏蔽上。下熱屏蔽能夠向上伸入中間熱屏蔽，以便使位于拉晶機(jī)單晶生長室內(nèi)部的熱屏蔽組件的外形減至最小。然而，當(dāng)必須控制單晶錠料的形成時(shí)，下熱屏蔽可以從中間熱屏蔽延伸，并向下伸入拉晶機(jī)坩堝中，以便非?？拷釄逯腥刍陌雽?dǎo)體原材料的上表面。還公開了應(yīng)用熱屏蔽組件的方法。用于單晶硅生長的非Dash縮頸法制造單晶硅棒的非Dash縮頸法，該單晶硅棒按照直拉法拉晶。該方法其特征在于：在硅棒生長開始之前，讓一大直徑、無位錯(cuò)的籽晶進(jìn)行熱平衡，以避免形成由對單晶熱沖擊而產(chǎn)生的位錯(cuò)。該方法其特征還在于：采用電阻加熱器來熔化籽晶的下面末端，以便在它接觸熔體之前，形成一熔化的帽體。該方法生產(chǎn)出一種單晶硅棒，此種單晶硅棒具有大直徑的短縮頸，該大直徑的短縮頸是無位錯(cuò)的，并能在生長和隨后的處理期間，支承至少重約kg的硅棒。形成單晶硅層的方法和制造半導(dǎo)體器件的方法在其上形成臺階（）的作為籽晶的絕緣襯底（）上淀積單晶硅，形成硅外延層（）。在低溫甚至在其有相對低應(yīng)變點(diǎn)的大玻璃襯底上均勻生長硅外延層（），使它可能在其上制造大電流密度的高速半導(dǎo)體元件。熱退火后的低缺陷密度單晶硅一種具有中心軸、通常垂直于中心軸的正面和反面、正面與反面之間的中心平面、外圍邊沿、以及從中心軸延伸到外圍邊沿的半徑的單晶硅晶片。此晶片包含第一和第二軸對稱區(qū)。第一軸對稱區(qū)從外圍邊沿向內(nèi)徑向延伸，含有硅自填隙作為占優(yōu)勢的本征點(diǎn)缺陷，且基本上無聚集的填隙缺陷。第二軸對稱區(qū)以空位為占優(yōu)勢的本征點(diǎn)缺陷，它包含從正面向中心平面延伸的表面層和從表面層向中心平面延伸的本體層，其中存在于表面層中的聚集空位缺陷的數(shù)量密度低于本體層中的濃度。從低缺陷密度的單晶硅上制備硅絕緣體結(jié)構(gòu)本發(fā)明涉及一種硅絕緣體(SOI)結(jié)構(gòu)，它有一層低缺陷密度器件層，還可以有一具有較好吸附雜質(zhì)能力的基底硅片。該器件層包含一中央軸，一圓周邊緣，一個(gè)從中央軸延至圓周邊緣的半徑，以及一個(gè)第一軸對稱區(qū)，其中基本沒有堆積本征點(diǎn)缺陷。另外本發(fā)明還針對這樣一種SOI結(jié)構(gòu)，其有一片切氏單晶硅基底硅片，該基底硅片在經(jīng)受幾乎任意電子學(xué)器件制作過程都要采用的熱處理周期時(shí)，能夠形成一個(gè)理想的氧淀析物非均勻深度分布。標(biāo)定單晶硅晶圓晶向的方法一種涉及微機(jī)械和微電子領(lǐng)域的用于標(biāo)定單晶硅晶圓晶向的方法。通過一套精心設(shè)計(jì)的比對圖案和隨之而進(jìn)行的預(yù)刻蝕加工，將晶圓的晶向清晰地暴露出來，通過觀察不同的比對圖案所形成的刻蝕結(jié)果，可以將晶圓的晶向標(biāo)定誤差控制在0.1之內(nèi)，采用數(shù)字圖象處理技術(shù)對刻蝕結(jié)果作進(jìn)一步的處理，則該標(biāo)定精度還可以提高到0.05或者更高的水平。制備具有均勻熱過程的單晶硅的方法一種生產(chǎn)單晶硅錠的Czochralski法具有一均勻的熱過程。在該方法中，在晶錠的主體和尾錐生長的整個(gè)過程中使加到側(cè)面加熱器上的功率保持基本上恒定，而在主體的第二個(gè)一半和尾錐生長過程中逐漸增加加到底部加熱器上的功率。本方法能得到一種晶錠，使從該晶錠生產(chǎn)出的晶片具有較少超過約0.2微米的光點(diǎn)缺陷，同時(shí)具有改善的柵氧化層完整性。單晶硅片襯底的磁控濺射鐵膜合成二硫化鐵的制備方法本發(fā)明公開了一種單晶硅片襯底的磁控濺射鐵膜合成二硫化鐵的制備方法。采用位向分別為(100)及(111)的兩種單晶硅片為載膜襯底，通過磁控濺射沉積25150nm厚度的純鐵膜，再將純鐵膜和在硫化溫度下能產(chǎn)生80kPa壓力所需質(zhì)量的升華硫粉封裝于石英管中，抽真空后密封置于加熱爐中以3/min的升溫速率加熱至400500進(jìn)行熱硫化反應(yīng)1020h，以2/min的速率降溫至室溫。本發(fā)明簡化了直接濺射二硫化鐵時(shí)通入硫蒸氣或硫化氫的復(fù)雜過程，所合成的二硫化鐵薄膜具有較標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)計(jì)量成分，不出現(xiàn)過渡相；薄膜與襯底之間具有較高的附著力，不易產(chǎn)生局部剝落；可以為關(guān)于襯底晶體結(jié)構(gòu)和晶格參數(shù)對二硫化鐵晶體生長影響規(guī)律的研究提供實(shí)驗(yàn)樣品。單晶硅高效復(fù)合切割方法及其切割系統(tǒng)一種單晶硅高效復(fù)合切割方法，其特征將是將待切割的單晶硅棒裝夾于電火花線切割機(jī)床上，利用固結(jié)有金剛石磨料的金屬線作為切割線進(jìn)行電火花線切割，充分發(fā)揮電火花線切割加工速度快和固結(jié)磨料金屬線上的金剛石磨料切割效果好的優(yōu)點(diǎn)，達(dá)到快速高效實(shí)現(xiàn)對單晶硅棒進(jìn)行切割的目的，同時(shí)使被切割的單晶硅表面自然形成具有減反射效果的絨面結(jié)構(gòu)。本發(fā)明具有方法簡單，加工效率高，質(zhì)量好等一系列優(yōu)點(diǎn)。新型鋁背發(fā)射結(jié)N型單晶硅太陽電池本發(fā)明提供一種新型鋁背發(fā)射結(jié)N型單晶硅太陽電池；本發(fā)明的太陽電池結(jié)構(gòu)是，自上層至下層，依次是：(1)Ag銀金屬柵線正電極；(2)SiNx減反射層，厚度約為80nm；(3)正面N+磷擴(kuò)散層，厚度為0.30.5um；(4)N型單晶硅片，電阻率0.215.cm；(5)P+Al-Si合金層；(6)背面Al電極；(7)背面銀鋁主柵線電極。通過兩次絲網(wǎng)印刷鋁漿，兩次燒結(jié)，把鋁硅合金的燒結(jié)與背電極的燒結(jié)分開進(jìn)行，成功解決了背面全覆蓋鋁，使電極可焊性、牢固度問題無法解決的問題，使鋁背發(fā)射結(jié)N型單晶硅太陽電池規(guī)?；a(chǎn)可以實(shí)現(xiàn)。過渡金屬多重?fù)诫s負(fù)溫度系數(shù)單晶硅熱敏電阻本發(fā)明涉及一種過渡金屬多重?fù)诫s的負(fù)溫度系數(shù)單晶硅熱敏電阻，該熱敏電阻采用涂源高溫?cái)U(kuò)散方法，將過渡金屬元素錳和銅作為摻雜劑，摻入P型單晶硅中；利用錳和銅在P型單晶硅中的雜質(zhì)補(bǔ)償性質(zhì)，制備出珠狀高B值低阻值熱敏電阻，電學(xué)參數(shù)為50-1.2K，材料B值4100-4500K。單晶硅太陽能電池的制造方法及單晶硅太陽能電池本發(fā)明是一種單晶硅太陽能電池的制造方法，包含：將氫離子或稀有氣體離子注入單晶硅基板的工序；以該離子注入面作為貼合面，經(jīng)由透明粘結(jié)劑，粘結(jié)該單晶硅基板與該透明絕緣性基板的工序；固化該透明粘結(jié)劑的工序；對該離子注入層施予沖擊，機(jī)械性剝離該單晶硅基板，來形成單晶硅層的工序；在該單晶硅層的該剝離面?zhèn)?，形成多個(gè)第二導(dǎo)電型的擴(kuò)散區(qū)域，并作成在該單晶硅層的該剝離面，存在多個(gè)第一導(dǎo)電型區(qū)域和多個(gè)第二導(dǎo)電型區(qū)域的工序；在該單晶硅層的該多個(gè)第一導(dǎo)電型區(qū)域上，分別形成多個(gè)個(gè)別電極的工序；以及形成各個(gè)集電電極的工序。由此提供一種單晶硅太陽能電池，將薄膜的光變換層作成結(jié)晶性高的單晶硅層，可提供作為透視型太陽能電池。單晶硅太陽能電池的制造方法及單晶硅太陽能電池本發(fā)明是一種單晶硅太陽能電池的制造方法，包含：將氫離子或稀有氣體離子注入單晶硅基板的工序；對該單晶硅基板的離子注入面與透明絕緣性基板的表面之中的至少一方，進(jìn)行表面活化處理的工序；以該進(jìn)行表面活化處理后的面作為貼合面，來貼合該單晶硅基板的離子注入面與該透明絕緣性基板的工序；對該離子注入層施予沖擊，機(jī)械性剝離該單晶硅基板，來形成單晶硅層的工序；以及在該單晶硅層的該剝離面?zhèn)龋纬啥鄠€(gè)第二導(dǎo)電型的擴(kuò)散區(qū)域，并制成在該單晶硅層的該剝離面，存在多個(gè)第一導(dǎo)電型區(qū)域和多個(gè)第二導(dǎo)電型區(qū)域的工序。由此提供一種單晶硅太陽能電池，將薄膜的光變換層制成結(jié)晶性高的單晶硅層，可提供作為透視型太陽能電池。單晶硅太陽能電池的制造方法及單晶硅太陽能電池一種單晶硅太陽能電池的制造方法，包含：將氫離子或稀有氣體離子中的至少一種注入單晶硅基板的工序；以該離子注入面作為貼合面，經(jīng)由透明導(dǎo)電性粘結(jié)劑，粘結(jié)該單晶硅基板與該透明絕緣性基板的工序；固化該透明導(dǎo)電性粘結(jié)劑成為透明導(dǎo)電性膜，并貼合該單晶硅基板與該透明絕緣性基板的工序；對該離子注入層施予沖擊，機(jī)械性剝離該單晶硅基板，來形成單晶硅層的工序；以及在該單晶硅層形成pn結(jié)的工序。由此提供一種單晶硅太陽能電池，于硅太陽能電池中，為了有效活用其原料(硅)而將光變換層制成薄膜，且變換特性優(yōu)異，并且因光照射產(chǎn)生的劣化少，所以可使用作為住宅等的采光窗材料的透視型太陽能電池。單晶硅太陽能電池的制造方法及單晶硅太陽能電池一種單晶硅太陽能電池的制造方法，包含：將氫離子或稀有氣體離子注入單晶硅基板的工序；形成透明導(dǎo)電性膜于透明絕緣性基板的表面的工序；于該單晶硅基板的離子注入面及/或該透明絕緣性基板上的該透明導(dǎo)電性膜的表面，進(jìn)行表面活化處理的工序；貼合該單晶硅基板的離子注入面與該透明絕緣性基板上的該透明導(dǎo)電性膜表面的工序；對該離子注入層施予沖擊，機(jī)械性剝離該單晶硅基板，形成單晶硅層的工序；以及于該單晶硅層形成pn結(jié)的工序。由此，提供一種單晶硅太陽能電池，于硅太陽能電池中，為了有效活用其原料(硅)而將光變換層制成薄膜，且變換特性優(yōu)異，并且因光照射產(chǎn)生的劣化少，所以可使用作為住宅等的采光窗材料的透視型太陽能電池。超聲波清洗單晶硅片方法及其裝置一種清洗單晶硅片方法及其裝置，方法是將被洗研磨硅片水平狀放置在清洗槽底部上方柵欄狀的石英棒框架上，在確保清洗槽內(nèi)具有去離子水高度并不斷流動的條件下，利用設(shè)在清洗槽底部的超聲波振子進(jìn)行清洗，超聲波頻率為40KHz，每5分鐘將研磨硅片翻一個(gè)面，連續(xù)超洗至被超洗的研磨硅片表面沒有黑色污染物冒出止。裝置中擱置單晶硅片框架的底壁為柵欄狀的石英棒，整個(gè)框架由支撐腳支撐在清洗槽內(nèi)。本發(fā)明改豎超洗水平超洗后，解決了因硅片距離超聲波源不等、污染物易堆積在硅片表面下部而造成局部難以清洗干凈的問題，以及消除了用聚四氟材料制成的承載硅片的軟體花籃會吸附和阻擋超聲波源的傳遞，造成硅片表面局部區(qū)域清洗不干凈的現(xiàn)象。使用金屬污染及熱處理識別單晶硅中的晶體缺陷區(qū)的方法本發(fā)明是有關(guān)于一種使用金屬污染以及熱處理識別單晶硅的晶體缺陷區(qū)的方法。在此方法中，制備硅晶片或單晶硅錠切片形狀的樣品。用金屬以約11014到51016個(gè)原子/平方厘米的污染濃度污染樣品的至少一側(cè)。熱處理受污染的樣品。觀察熱處理過的樣品的受污染側(cè)或相反側(cè)來識別晶體缺陷區(qū)。在不使用另一檢查裝置的情況下，可準(zhǔn)確、容易且快速地分析晶體缺陷區(qū)，而與單晶硅中的氧濃度無關(guān)?？煞瓷涑錾虻碾姌O結(jié)構(gòu)以及單晶硅面板與顯示裝置一種電極結(jié)構(gòu)，包括一基板、一電極結(jié)構(gòu)層以及一色域反射層?；迳习ㄒ研纬傻囊浑娐?。電極結(jié)構(gòu)層位于基板上與該電路耦接。色域反射層位于電極結(jié)構(gòu)層上。當(dāng)一入射光入射于該色域反射層與該電極結(jié)構(gòu)層時(shí)，該色域反射層用以僅會反射特定的一光域。依照所述電極結(jié)構(gòu)，可以制造出反射式單晶硅面板，以及投射式顯示裝置。單晶硅的生長方法本發(fā)明涉及單晶硅的生長方法。在生長中的單晶硅側(cè)面部負(fù)荷有熱應(yīng)力的條件下通過卓克拉爾斯基法生長單晶硅。使生長單晶的氣氛氣體為惰性氣體和含氫原子物質(zhì)氣體的混合氣體。單晶硅薄膜及其組件的制備方法本發(fā)明涉及單晶硅薄膜的制備及其太陽能電池使用的單晶硅薄膜組件的形成方法。一種單晶硅薄膜制備方法，其主要特點(diǎn)包括有如下步驟：(1)基底拋光；(2)用靜電除塵槍對拋光后的基底清洗，速度為1-5s/cm2，并采用惰性氣體防止氧化；(3)單晶硅薄膜制備，將經(jīng)拋光清洗后的基底放入真空室體，采用直流脈沖磁控濺射制備單晶硅薄膜，靶材為99.99的高純硅塊體，濺射時(shí)功率密度為1-10W/cm2，靶和基底的距離為50-300mm，鍍膜時(shí)，真空室體的溫度為100-160，在工件和真空室體間加占空比為40-80的200-1000V的直流偏壓，磁場強(qiáng)度300500Gs；沉積厚度為0.5-5m。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是在低溫下進(jìn)行，不需二次退火熱處理，工藝過程簡單，便于硅膜工業(yè)化生產(chǎn)。單晶硅棒制造方法和單晶硅棒結(jié)構(gòu)一種制造單晶硅棒的方法可包括：在基底上形成絕緣層；在所述絕緣層中形成孔；選擇性地使硅在所述孔中生長；在所述孔和所述絕緣層上形成硅層；在所述硅層上沿不是關(guān)于所述孔的徑向的方向形成棒圖案；通過將激光束照射到所述硅層上熔化所述硅層并在對應(yīng)于所述孔的位置產(chǎn)生成核位置，使所述硅層結(jié)晶。根據(jù)所述方法，可形成沒有缺陷的單晶硅棒。提高單晶硅太陽能電池減反射膜質(zhì)量的方法一種PECVD沉積SiN薄膜工藝，是一種產(chǎn)品致密性好、均勻性好、附著性好的PECVD沉積SiN薄膜工藝。本發(fā)明經(jīng)過清潔單晶硅片、在PECVD設(shè)備真空室內(nèi)升溫至300400并保持穩(wěn)定時(shí)，給真空室沖入流量3500ml/min的NH3氣體至200Pa左右，并加高頻功率使其放電，進(jìn)行體鈍化，然后在反應(yīng)室內(nèi)通入流量245ml/min的SiH4氣體和2800ml/min的NH3氣體，并使反應(yīng)室真空保持在265Pa左右，并加高頻功率使其放電，進(jìn)行沉積，本發(fā)明可以制作出致密性好、均勻性好、附著性好的SiN薄膜，并可使薄膜厚度控制在600埃667埃之間，具有沉積溫度低，沉積效率高的優(yōu)點(diǎn)。改善半導(dǎo)體單晶硅研磨硅片平行度的方法及其裝置本發(fā)明屬于一種改善半導(dǎo)體單晶硅研磨硅片平行度的方法及其裝置，本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)被磨硅片因磨盤直徑因素引起的線速度變化，使被磨硅片外圓部分比中心部分磨去較多，導(dǎo)致被磨硅片中間厚而邊緣薄的塌邊現(xiàn)象，采用在研磨過程中，自始至終使被磨硅片的中部落在磨盤區(qū)域內(nèi)作公轉(zhuǎn)和自轉(zhuǎn)運(yùn)動，而使被磨硅片的邊緣側(cè)間隙式落在磨盤區(qū)域外作公轉(zhuǎn)和自轉(zhuǎn)運(yùn)動的技術(shù)方案，改善半導(dǎo)體單晶硅研磨硅片的平行度，達(dá)到了所磨硅片外圓部分和中心部分厚薄一致、平行度好的目的，利用該方法磨研硅片不但可以大大減少磨盤的修磨次數(shù)，還可以有效確保被磨硅片的平行度指標(biāo)達(dá)到所需要求。一種直拉法生長單晶硅用硅籽晶夾持器本實(shí)用新型公開了一種直拉法生長單晶硅用硅籽晶夾持器，所述的硅籽晶夾持器(13)上端為一與籽晶軸(12)連接的聯(lián)接件(13c)，其特征在于所述的硅籽晶夾持器(13)下端包括硅籽晶夾持器上部(13a)和硅籽晶夾持器下部(13b)，所述的硅籽晶夾持器上部(13a)與所述的硅籽晶夾持器下部(13b)之間為可拆卸聯(lián)接，所述的硅籽晶夾持器下部(13b)內(nèi)含一上大下小且上下貫通的空腔。硅籽晶夾持器能保證硅籽晶的安全使用，避免硅籽晶斷裂，大大延長籽晶的使用壽命，可以用于制備重量高達(dá)500Kg的硅晶體?？梢杂糜谥圃旒呻娐泛推渌娮釉陌雽?dǎo)體級硅單晶的制備，滿足半導(dǎo)體硅材料的發(fā)展需要。區(qū)熔單晶爐單晶硅棒夾持機(jī)構(gòu)一種區(qū)熔單晶爐拉制大直徑單晶硅棒的夾持機(jī)構(gòu)，由一個(gè)置于真空爐室內(nèi)，隨同下軸邊旋轉(zhuǎn)邊升降；內(nèi)腔可通循環(huán)冷卻水的夾持體，一個(gè)焊有撥叉并裝有三個(gè)支持塊的夾持環(huán)，與支持塊 位置對稱安裝的支持柱，三根斜插在夾持體孔內(nèi)的夾持棒等零部件組成，當(dāng)撥轉(zhuǎn)夾持環(huán)時(shí)，支持塊隨之轉(zhuǎn)動，脫離支持柱，三根夾持棒不再被卡而在重力作用下沿斜孔下滑，棒端同步接觸單晶硅棒，達(dá)到夾持目的。單晶硅太陽電池微電機(jī)風(fēng)扇涼帽一種單晶硅太陽電池微電機(jī)風(fēng)扇涼帽，它是在普通涼帽的頂部裝有單晶硅太陽電池板，在帽檐上開有窗口，窗口上裝有微電機(jī)風(fēng)扇，微電機(jī)與太陽電池聯(lián)接。在陽光照射下太陽電池產(chǎn)生電流，驅(qū)動電風(fēng)扇轉(zhuǎn)動，產(chǎn)生輕風(fēng)吹到臉部。單晶硅片各向異性腐蝕夾具一種電子器件制備中用于單晶硅片各向異性腐蝕的夾具。它包括兩塊膠合板和在這兩塊膠合板之間夾有的三塊橡膠塊、在膠合板和橡膠塊中心開有一貫穿整個(gè)膠合板和橡膠塊的通孔、一片玻璃片位于橡膠塊的一個(gè)夾層之間。本夾具通過將單晶硅片上制備有器件的一面密封在由玻璃片和單晶硅片形成的密閉空間內(nèi)，使其與腐蝕液隔離，可以實(shí)現(xiàn)在各向異性腐蝕過程中保護(hù)器件的目的。用于制備薄膜的單晶硅輻射式加熱器本實(shí)用新型涉及一種薄膜制備技術(shù)，特別是涉及一種薄膜制備中用加熱器制造技術(shù)領(lǐng)域。本實(shí)用新型為了制備均勻厚度的大面積雙面超導(dǎo)薄膜，從而提供一種由單晶硅加工成凹型的加熱板，它通過金屬夾板把電極固定在輻射屏蔽架子上構(gòu)成單晶硅輻射基片加熱器。該加熱器使用溫度達(dá)，恒溫區(qū)可達(dá)，它不僅可適于制備單面薄膜，而且適于制備雙面薄膜。單晶硅爐傳動軸用磁性液體密封裝置本實(shí)用新型介紹的單晶硅爐傳動軸用磁性液體密封裝置，包括上傳動密封構(gòu)件和下傳動密封構(gòu)件構(gòu)成，其特征在于所述傳動軸上設(shè)置著一個(gè)由傳動軸與輔助支架、螺母、或緊固螺栓、旋轉(zhuǎn)蓋、密封墊圈等組合成的可密封區(qū)間，在該區(qū)間段內(nèi)的傳動軸上交錯(cuò)迭置著若干片環(huán)狀極靴和環(huán)狀永磁體，其上下兩頂部各置一密封墊圈、在貼近傳動軸的極靴內(nèi)徑面上，開設(shè)有若干凹槽，在極靴的極齒與傳動軸微小間隙內(nèi)充填著磁性液體。單晶硅襯底雙面拋光片本實(shí)用新型公開的一種用于制造高性能的半導(dǎo)體器件和集成電路的單晶硅襯底雙面拋光片，其單晶硅襯底（）的雙面具有拋光層（）、（），且雙面的拋光層（）、（）同片總厚度變化。采用這種單晶硅襯底雙面拋光片制造的半導(dǎo)體器件和集成電路的電性能一致好、穩(wěn)定，因而可以用來生產(chǎn)高質(zhì)量的雙向閘管、放電管。單晶硅爐傳動軸用磁性流體密封裝置單晶硅爐傳動軸用磁性流體密封裝置，由晶轉(zhuǎn)軸系統(tǒng)與堝轉(zhuǎn)軸系統(tǒng)兩部分構(gòu)成，它們有傳動軸、軸承、外殼、O型密封圈、骨架油封和磁芯組件等零件，其特征在于所述的傳動軸上套置一個(gè)由導(dǎo)磁材料制作的導(dǎo)磁套，在導(dǎo)磁套外側(cè)設(shè)置著外殼，在所述的外殼與導(dǎo)磁套兩者的空腔上部設(shè)置著螺母、壓蓋與軸承等組件，在軸承下部由導(dǎo)磁套及外殼形成的空間內(nèi)設(shè)置著由極靴和永磁體、磁性液體組成的磁性組件，由該磁性組件組成與導(dǎo)磁套構(gòu)成的磁流體密封段。該密封裝置具有密封可靠、使用壽命長等優(yōu)點(diǎn)。低氧碳單晶硅復(fù)投料自卸機(jī)構(gòu)本實(shí)用新型屬于自卸機(jī)構(gòu)，特別是指一種低氧碳單晶硅復(fù)投料自卸機(jī)構(gòu)。它包括設(shè)置于料筒內(nèi)壁的筒狀襯板，在筒狀襯板的側(cè)壁下方活絡(luò)設(shè)置有由三角形或扇形擋板組成的圓錐狀或棱錐狀筒底，擋板的上部及中下部分別與筒狀襯板和搖桿下端活絡(luò)連接，拉桿垂直設(shè)置于料筒內(nèi)腔中，搖桿的上端與拉桿下端橫向設(shè)置的連桿活絡(luò)連接，料筒外壁設(shè)置有限位塊。本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)成本及電能消耗大、工人的勞動強(qiáng)度高等問題。本裝置結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，零部件選配得當(dāng)，除能充分滿足現(xiàn)有生產(chǎn)過程中的工藝條件要求外，可大幅度提高石英坩堝的利用率，降低生產(chǎn)過程中的電消耗和操作工人的勞動強(qiáng)度。一種單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽一種單晶硅太陽能電池絨面腐蝕槽，包括槽體、加熱管、支撐平板、硅片承載器，在支撐平板的左右兩端分別開有左缺口和右缺口，支撐平板架設(shè)在槽體內(nèi)，并與槽體底面形成一個(gè)空腔，所述加熱管安裝在槽體內(nèi)壁上，且位于左缺口或右缺口的上方，硅片承載器放置在支撐平板上。當(dāng)腐蝕槽加熱時(shí)，腐蝕液從加熱管的缺口垂直于承載器的方向流動，沿著支撐平板的缺口流到支撐平板下面的空腔中，再沿著靠近加熱管的缺口上升繼續(xù)加熱，如此不斷循環(huán)。這樣，整個(gè)硅片表面的受熱均勻，腐蝕液流動均勻，腐蝕速度均勻，絨面結(jié)構(gòu)一致。超聲波清洗單晶硅片裝置一種超聲波清洗單晶硅片裝置，清洗槽的槽壁上設(shè)有進(jìn)水口和出水口，槽底部下方設(shè)有超聲波振子，清洗槽槽內(nèi)設(shè)有一擱置單晶硅片的框架，框架底壁為柵欄狀的石英棒，石英棒形成的平面低于去離子水水平面，整個(gè)框架由支撐腳支撐在清洗槽內(nèi)。具體實(shí)施時(shí)，石英棒距離清洗槽的底壁為15厘米。清洗時(shí)，單晶硅片可以平置在石英棒上，將現(xiàn)有的豎超洗改成平超洗，消除了單晶硅片在豎超洗狀態(tài)下，污染物會殘留堆積在硅片表面，形成局部區(qū)域清洗不干凈，以及承載硅片的軟體花籃會吸附和阻擋掉超聲波源的傳遞，從而造成硅片表面局部區(qū)域清洗不干凈的現(xiàn)象，具有結(jié)構(gòu)更為簡單、用水量大大減少的優(yōu)點(diǎn)。一種鋅摻雜的負(fù)溫度系數(shù)單晶硅熱敏電阻本發(fā)明涉及一種鋅摻雜的負(fù)溫度系數(shù)單晶硅熱敏電阻，該熱敏電阻采用真空氣相擴(kuò)散方法，將鋅原子作為摻雜劑，摻入n型單晶硅中；利用鋅在n型單晶硅中的雜質(zhì)補(bǔ)償性質(zhì)，制備出珠狀高B值熱敏電阻器。該電阻器適用于溫度計(jì)(如體溫計(jì))使用的熱敏電阻必須是高B值的元件；集成電路板上表面貼片技術(shù)使用的熱敏元件要求采用高B值片式元件；電動機(jī)等設(shè)備中，需要抑制機(jī)器啟動時(shí)較強(qiáng)的浪涌電流，對設(shè)備進(jìn)行保護(hù)；在各類充電設(shè)備中，需要使用高B值的熱敏電阻抑制浪涌電流，延長電池的壽命。一種錳摻雜的負(fù)溫度系數(shù)單晶硅熱敏電阻本發(fā)明涉及一種錳摻雜的負(fù)溫度系數(shù)單晶硅熱敏電阻，該熱敏電阻通過金屬錳真空高溫?cái)U(kuò)散或硝酸錳涂層高溫?cái)U(kuò)散將錳摻入單晶硅中，錳原子形成深施主能級，硅單晶成為高度補(bǔ)償?shù)陌雽?dǎo)體材料。溫度升高，深能級俘獲的載流子躍遷至導(dǎo)帶，引起材料電阻率發(fā)生變化，從而呈現(xiàn)熱敏特性，改變擴(kuò)散溫度和時(shí)間，即可實(shí)現(xiàn)其材料常數(shù)B值和25標(biāo)稱電阻的改變。單晶硅的制造方法及單晶硅以及硅晶片本發(fā)明涉及一種利用不進(jìn)行達(dá)斯頸部法的柴可勞斯基法而進(jìn)行的單晶硅的制造方法，利用前端部的角度為28以下的前端尖或者去掉尖前端的形狀的晶種，在使上述晶種的前端部接觸硅熔液之前，使其停止在硅熔液的正上方并予以加溫，之后，使上述晶種的前端部接觸硅熔液，沉入硅熔液直至成為期望直徑為止，之后，轉(zhuǎn)為拉升而進(jìn)行單晶的拉升時(shí)，至少在使上述晶種的前端部接觸硅熔液而轉(zhuǎn)為拉升的期間，使硅熔液表面的溫度變動保持在5以內(nèi)。由此，在不使用達(dá)斯頸部法而利用柴可勞斯基法來育成單晶硅的方法中，可以提的單晶硅的育成，也可以育成固定直徑部直徑超過200mm的大直徑高重量的單晶硅。單晶硅晶片及外延片以及單晶硅的制造方法本發(fā)明提供一種由柴可拉斯基法進(jìn)行的單晶硅的制造方法，將生長速度控制在：在逐漸降低拉晶中的單晶硅的生長速度的情況下，通過OSF環(huán)衰減后殘留的Cu沉積所檢測出的缺陷區(qū)域衰減的邊界生長速度，及在進(jìn)一步逐漸降低生長速度的情況下，在進(jìn)行氧析出處理時(shí)，BMD密度表示為1107個(gè)/cm3以上及/或者晶片壽命表示為30sec以下的數(shù)值的高氧析出Nv區(qū)域衰減的邊界生長速度之間，以育成單晶體。由此，提供一種在由柴可拉斯基法制造單晶硅時(shí)，不屬于空位多的V區(qū)域、OSF區(qū)域、及晶格間硅多的I區(qū)域的任意其一，并且具有優(yōu)異的電特性及吸氣能力，可以確實(shí)提升器件成品率的單晶硅及外延片。單晶硅片表面制備巰基硅烷-稀土納米復(fù)合薄膜的方法一種單晶硅片表面制備巰基硅烷-稀土納米復(fù)合薄膜的方法，將表面經(jīng)過處理的單晶基片作為基底材料，在其表面采用自組裝方法制備巰基硅烷-稀土納米薄膜，首先將單晶硅片放入王水中，對單晶硅片進(jìn)行預(yù)處理，清洗、干燥后，浸入巰基硅烷溶液中，靜置8小時(shí)后取出，沖洗后用氮?dú)獯蹈芍糜谟上⊥粱衔?、乙醇、乙二胺四乙酸、氯化銨、尿素及硝酸組成的稀土自組裝溶液中進(jìn)行組裝，即獲得巰基硅烷-稀土自組裝納米薄膜。本發(fā)明工藝方法簡單，在單晶硅片表面制備的稀土自組裝薄膜有明顯減摩、耐磨作用。單晶硅片表面制備磺酸基硅烷-稀土納米復(fù)合薄膜的方法一種單晶硅片表面制備磺酸基硅烷-稀土納米復(fù)合薄膜的方法，將單晶硅片作為基底材料，在其表面采用自組裝方法制備磺酸基硅烷-稀土納米薄膜，首先將單晶硅片浸泡在王水中加熱56小時(shí)，在室溫中冷卻、沖洗干燥后浸入配制好的巰基硅烷溶液中，靜置68小時(shí)取出，沖洗后用氮?dú)獯蹈芍糜谙跛嶂蟹磻?yīng)，把端巰基原位氧化成磺酸基，再將表面附有磺酸基硅烷薄膜的基片置入由稀土化合物、乙醇、乙二胺四乙酸、氯化銨、尿素及硝酸組成的稀土自組裝溶液中進(jìn)行組裝，即獲得磺酸基硅烷-稀土自組裝納米薄膜。本發(fā)明工藝方法簡單，在單晶硅片表面制備的稀土自組裝薄膜有明顯減摩、耐磨作用。提拉單晶硅用石英玻璃坩堝和制造該坩堝的方法本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種石英玻璃坩堝，該坩堝在硅熔體的表面上振動的產(chǎn)生下降，不產(chǎn)生粗糙表面和方石英斑點(diǎn)，然而甚至在長期運(yùn)轉(zhuǎn)下也能夠穩(wěn)定并以高產(chǎn)率提拉單晶硅；提供制造該坩堝的方法也是一個(gè)目的。用于提拉單晶硅、包括具有底部和直殼部分與為其內(nèi)表面提供的內(nèi)層的坩堝基體的石英玻璃坩堝的特征在于，所述的內(nèi)層包括從最低端到至少0.25H高度的合成石英玻璃層；從至少0.5H延伸到0.8H的天然存在的石英玻璃層或天然存在的石英玻璃和合成石英玻璃的混合層；和內(nèi)層的其余部分，其選自合成石英玻璃層、天然存在的石英玻璃層以及天然和合成石英玻璃的混合石英玻璃層中的一層；其中，H表示從底部的最低端到殼部分的上端面的高度。本發(fā)明還提供一種制造上述石英玻璃坩堝的方法。涂覆有金屬電鍍層的單晶硅基片和垂直磁記錄介質(zhì)本發(fā)明提供一種單晶Si基片，在其上形成和Si單晶基片具有良好粘附性的一個(gè)或多個(gè)金屬膜，使得粘附性得到保證。更為具體的說，提供表面處理的基片，該基片包括具有1-100cm的體電阻系數(shù)的單晶Si基片，以及在單晶Si基片上的至少一個(gè)金屬電鍍層。面對單晶Si基片的該金屬電鍍層優(yōu)選地包括從由Ag、Co、Cu、Ni、Pd、Fe和Pt組成的組中選擇的至少一個(gè)金屬。另外，提供了包括涂覆有金屬電鍍層的單晶Si基片的垂直磁記錄介質(zhì)。直拉單晶硅用砷摻雜劑及其制造方法以及使用該摻雜劑的單晶硅的制造方法使用由砷與硅的混合燒結(jié)體構(gòu)成的、硅對砷的摩爾比為3555的砷摻雜劑，用直拉法直拉單晶硅。單晶硅及SOI基板、半導(dǎo)體裝置及其制造方法、顯示裝置本發(fā)明公開了一種單晶硅基板、SOI基板、半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置在絕緣基板上具有，包含由SiO2膜、多晶硅構(gòu)成的非單晶硅薄膜的MOS型的非單晶硅薄膜晶體管，具有單晶硅薄膜的MOS型的單晶硅薄膜晶體管，金屬配線。由此，形成非單晶硅薄膜和單晶硅薄膜設(shè)備，提供集成高性能系統(tǒng)的半導(dǎo)體裝置以及其制造方法，以及形成該半導(dǎo)體裝置的單晶硅薄膜設(shè)備的單晶硅基板。平板單晶硅表面的改性方法一種平板單晶硅表面的改性方法，由下列步驟組成：1.把4-羥基-2，2，6，6-四甲基哌啶-1-氧自由基(HTEMPO)和偶氮二異丁腈(AIBN)溶入苯乙烯和4-乙烯吡啶中，在95下加熱2小時(shí)，然后在1302，經(jīng)過5-48小時(shí)聚合后，-20中冷卻，終止反應(yīng)，經(jīng)沉淀法分離，得到含羥基的、窄分子量分布的苯乙烯和4-乙烯吡啶無規(guī)共聚物，2.將平板單晶硅用水超聲清洗30分鐘，然后，將其放入濃硫酸和30的過氧化氫組成的混合溶液，在90加熱2小時(shí)，清洗干燥，3.將所得的共聚物配制成DMF溶液，將其涂覆在所制得的平板單晶硅的表面，在真空烘箱中，在120加熱6122小時(shí)，使聚合物接枝到平板單晶硅的表面形成聚合物刷子層。本方法制成的聚合物刷子層分子量和厚度可控，且制作方法簡便。用于制備低鐵污染單晶硅的裝置和方法公開了一種用于生產(chǎn)具有降低了鐵污染的硅單晶的方法和裝置。所述裝置包含至少一個(gè)由石墨襯底和碳化硅保護(hù)層構(gòu)成的結(jié)構(gòu)元件，所述碳化硅保護(hù)層覆蓋暴露在生長室氣氛中的襯底表面。石墨襯底具有不高于約1.51012原子/cm3的鐵濃度，而碳化硅保護(hù)層具有不高于約1.01012原子/cm3的鐵濃度。用于控制空位為主的單晶硅熱過程的方法一種生產(chǎn)具有均勻的熱過程的單晶硅錠的直拉法。在所述方法中，在晶錠主體的較后面部分，及任選地在端錐生長期間，將供給到側(cè)面加熱器上的功率減少，而在同一部分生長期間將供給到底部加熱器的功率逐漸增加。本方法能使相當(dāng)大部分晶錠得到成品晶片，所述晶片具有較少的大于0.2微米的輕微點(diǎn)缺陷和改善了的柵氧化層完整性。一種直拉法生長單晶硅用硅籽晶夾持器本發(fā)明公開了一種直拉法生長單晶硅用硅籽晶夾持器，所述的硅籽晶夾持器(1 3)上端為一與籽晶軸(12)連接的聯(lián)接件(13c)，其特征在于所述的硅籽晶夾持器(13)下端包括硅籽晶夾持器上部(13a)和硅籽晶夾持器下部(13b)，所述的硅籽晶夾持器上部(13a)與所述的硅籽晶夾持器下部(13b)之間為可拆卸聯(lián)接，所述的硅籽晶夾持器下部(13b)內(nèi)含一上大下小且上下貫通的空腔。硅籽晶夾持器能保證硅籽晶的安全使用，避免硅籽晶斷裂，大大延長籽晶的使用壽命，可以用于制備重量高達(dá)500kg的硅晶體?？梢杂糜谥圃旒呻娐泛推渌娮釉陌雽?dǎo)體級硅單晶的制備，滿足半導(dǎo)體硅材料的發(fā)展需要。用于制備具有改善的柵氧化層完整性的單晶硅的方法一種單晶硅晶片，它包括一個(gè)前表面、一個(gè)后表面、一個(gè)連接前表面和后表面的側(cè)表面、一個(gè)垂直于前表面和后表面的中心軸及一個(gè)晶段，上述晶段圍繞中心軸軸向?qū)ΨQ，并且基本上是從前表面延伸到后表面，其中晶格空位是主要的本征點(diǎn)缺陷，所述晶段具有至少約為半徑的25的徑向?qū)挾?，并含有附聚的空位缺陷和殘留的晶格空位濃度，其?i)附聚的空位缺陷具有一小于約70nm的半徑和(ii)殘留的晶格空位本征點(diǎn)缺陷濃度低于當(dāng)晶片經(jīng)受氧析出熱處理時(shí)產(chǎn)生無控制的氧析出的閾值濃度。單晶硅太陽能電池的表面結(jié)構(gòu)及其制作方法本發(fā)明涉及一種單晶硅太陽能電池的表面結(jié)構(gòu)，它包括電池本體，其特征在于：在所述電池本體的表面間隔設(shè)置有倒金字塔，在所述倒金字塔之間的平面間隔上設(shè)置有由若干正金字塔組成的正金字塔區(qū)。這種電池表面的制作方法包括以下步驟：(1)在硅片表面生成厚度為10003000埃的氧化層；(2)在氧化硅的表面進(jìn)行光刻，形成所需的倒金字塔窗口；(3)對硅片進(jìn)行腐蝕，形成倒金字塔；(4)去除殘余氧化硅；(5)對硅片進(jìn)行腐蝕，在倒金字塔之間的平面上隨機(jī)形成正金字塔。本發(fā)明由于采用表面正金字塔和倒金字塔結(jié)合的方式，可以最低限度地降低太陽能電池表面的反射率，提高電池的短路電流，同時(shí)采用本發(fā)明方法，使用普通的光刻機(jī)就可以加工，促進(jìn)了倒金字塔的制作從實(shí)驗(yàn)室中走出，走向產(chǎn)業(yè)化。本發(fā)明可以廣泛用于單晶硅太陽能電池的生產(chǎn)中。硅片和生產(chǎn)單晶硅的方法本發(fā)明涉及一種使用Czochralski法生產(chǎn)單晶硅錠的方法，該方法可提供具有非常均勻的平面質(zhì)量的硅片，因而提高半導(dǎo)體裝置的產(chǎn)率。本發(fā)明建議一種用Czochralski法生產(chǎn)單晶硅錠的方法，其中，當(dāng)熔硅對流被分為一個(gè)核單