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文檔簡介

集成電路及微機械加工技術(shù) 半導體集成電路工藝基礎(chǔ) 清洗 張正元 提綱一 沾污類型二 解決方法三 清洗設(shè)備 沾污類型 沾污經(jīng)常會造成電路失效 沾污類型主要包括如下 顆粒金屬有機物自然氧化層靜電釋放 ESD 顆粒沾污 顆粒沾污 顆粒沾污 最小顆粒0 1微米 金屬沾污 來源 離子注入 各種器皿 管道 化學試劑 金屬沾污 途徑 通過金屬離子與硅片表面的氫離子交換而被束縛在硅片表面 被淀積到硅片表面 一粒食鹽 足以在5000片硅片上淀積每平方厘米1012個鈉離子 金屬沾污 有機沾污 自然氧化層沾污 ESD沾污 解決方法 解決方法 廠房 凈化間布局氣流原理空氣過濾溫度和濕度靜電釋放 從未受顆粒沾污的凈化間著手開始建 盡可能減少通過設(shè)備 器具 人員和凈化間供給引入的顆粒 持續(xù)監(jiān)控凈化間的顆粒 定期反饋信息和維護清潔 解決方法 解決方法 解決方法 解決方法 大于16M cm 解決方法 解決方法 解決方法 解決方法 解決方法 解決方法 清洗設(shè)備 清洗設(shè)備 清洗設(shè)備 清洗設(shè)備 作業(yè) 1 什么是半導體集成電路的沾污 有那幾類 2 什么是SC 1 SC 2 3 SC 1清洗的機理是什么 4 凈化間凈化等級是按級別來分的 100級凈化是只什么 5 某一NPN晶體管的發(fā)射極電流為8 6mA 如果0 9 的少量電子進入基區(qū)與空穴復(fù)合 泄漏電流為0 1 A 計算 1 基極電流 2 集電極電流 3 的精確值 4 忽略ICBO 的大約值 作業(yè) 6 試在特性曲線上指出三極管的三個工作區(qū) 放大區(qū) 截止區(qū) 飽和區(qū) 7 為什么說三極管放大作用的本質(zhì)是電流控制作用 如何用三極管的電流分配關(guān)系來說明它的控制作用 8 三極管發(fā)射極與集電極對調(diào)使用時 放大作用將如何 9 晶體管在ICBO 48nA和 0 992時 1 計算 和ICEO 2 當IB 30 A時 精確計算的集電極電流IC 3 計算集電極電流IC的近似值 作業(yè) 10 一個共發(fā)射極偏置電路 其結(jié)構(gòu)如左圖所示 晶體管的輸出特性曲線如右圖所示 1 求出偏置點 2 最大輸出幅度是多少 3 如果電阻采用方塊電阻為500 RB和RC在設(shè)計上最小寬度分別是多少 4 晶體管在設(shè)計中要考慮那些效應(yīng) 5

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