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GroupMeeting Dong MingFang April18 2008 Workinthelasttwoweeks Completed 1 Read 2 Read 3 Read 4 Downloaded 5 Conceiving 6 Workinthelasttwoweeks CompletedPPTfilefororalspeech Workinthelasttwoweeks Thesisdraftwrittenby Workinthelasttwoweeks ProcessesInformationStorage PECVD SiO2 Si3N4 SiCSputter Ti Au Pt Al Cr W PbLPCVD PolySi SiO2 Si3N4SiOxidation HO O2 H2O Membrane IonInjection As P B BF2 Diffusion P B Adjusting ICP Si Ti Al Cr Cu Cr Pt Ti Pt Au Pyrex SiO2RIE Si SiO2 Si3N4 SiO2 Solutions KOH BHF HF H3PO4 Etching Anode electrostatic Au Si hot Bonding Workinthelasttwoweeks ReferencesandPPTfiles Workinthelasttwoweeks SafetyandOperationHandbook Futureworkinthenextweek Workinthelastweek Workinthelastweek Workinthelastmonth Workinthelastmonth 實(shí)驗(yàn)相關(guān) 曝光顯影 電鍍 甩膠烘膠 正膠AZP4903 Workinthelastmonth 2008 4 22 用 2008 4 25 大概15um Workinthelasttwoweeks 電鍍 項(xiàng)目申請(qǐng) 申請(qǐng)的準(zhǔn)備 3 會(huì)議投稿 1 2 4 Workinthelasttwoweeks 稀釋HF溶液HF0 4mol L 腐蝕速率 室溫100nm s 32度時(shí)200nm s HF2 6mol LHNO32 2mol L32度時(shí)300nm s Ti濕法腐蝕 50 1 1H2O HF HNO320 1 1H2O HF H2O21 1 20HF H2O2 HNO3 Workinthelasttwoweeks I20 09mol LKI0 6mol L腐蝕速率 室溫8 15nm s Au濕法腐蝕 1 2 10I2 KI H2O25g 7g 100mlBr2 KI H2O1 2 3HF HAc HNO3 Workinthelasttwoweeks 國家基金對(duì)項(xiàng)目的要求越來越高 基礎(chǔ)性前瞻性戰(zhàn)略性 強(qiáng)調(diào)原創(chuàng)性 提高交叉項(xiàng)目的強(qiáng)度和比例 強(qiáng)調(diào)學(xué)科交叉 Workinthelasttwoweeks 研究實(shí)力 寫作技巧 創(chuàng)新思想 一新遮百丑基金有多種手段保護(hù)創(chuàng)新思想 以往的研究積累和研究水平 準(zhǔn)確 清晰 具體 可行的研究計(jì)劃 申請(qǐng)基金的三要素 Workinthelasttwoweeks 申請(qǐng)書的核心問題 創(chuàng)新性重要性實(shí)用性連續(xù)性可行性 科學(xué)選題 做什么 What 問題的提出為什么 Why 意義分析怎么做 How 技術(shù)路線 立項(xiàng)依據(jù) 工作積累實(shí)驗(yàn)條件人才梯隊(duì) 支持條件 Workinthelasttwoweeks 立項(xiàng)依據(jù) 闡述項(xiàng)目對(duì)社會(huì)或經(jīng)濟(jì)的意義 1 本項(xiàng)目國內(nèi)外進(jìn)展情況 2 提出本項(xiàng)目解決的目標(biāo) 3 強(qiáng)調(diào)項(xiàng)目的必要性和重要性 4 Workinthelasttwoweeks 研究目標(biāo) 1 研究內(nèi)容 2 擬解決的關(guān)鍵問題 3 充分反映特色和創(chuàng)新點(diǎn) 4 預(yù)期成果 5 研究方案 Workinthelasttwoweeks 支持條件 以往研究的積累 研究者的水平和專長 研究所需的設(shè)施和設(shè)備 合作研究 Workinthelasttwoweeks 題目 內(nèi)容摘要 主題詞 研究組組成 年度計(jì)劃及預(yù)期進(jìn)展 申請(qǐng)經(jīng)費(fèi)的額度和預(yù)算 專家和單位的推薦意見 1 2 3 4 5 其它內(nèi)容 Workinthelasttwomonths PECVD SiO2 Si3N4 SiCSputter Ti Au Pt Al Cr W PbLPCVD PolySi SiO2 Si3N4SiOxidation HO O2 H2O 薄膜工藝 IonInjection As P B BF2 Diffusion P B 調(diào)整參數(shù) ICP Si Ti Al Cr Cu Cr Pt Ti Pt Au Pyrex SiO2RIE Si SiO2 Si3N4 SiO2 Solutions KOH BHF HF H3PO4 刻蝕工藝 Anode electrostatic Au Si hot 鍵合工藝 微電子所工藝信息庫 Workinthelasttwomonths MEMS和IC的關(guān)鍵性差別 IC無可動(dòng)部件 而MEMS器件可以產(chǎn)生某種運(yùn)動(dòng) IC依靠其表面之下的各種效應(yīng)來工作 而MEMS基本上是靠表面效應(yīng)工作的器件 IC本質(zhì)上是平面化的 MEMS一般來說卻不是 Workinthelasttwomonths MEMS的優(yōu)勢(shì) 集成化 微型化 多功能 低成本 高性能 低功耗 Workinthelasttwomonths 組件層面 系統(tǒng)層面 元件層面 技術(shù)層面 Workinthelasttwomonths 加工技術(shù) 加工 技術(shù) 加工 技術(shù) Workinthelasttwomonths 懸空結(jié)構(gòu) 模片 溝 槽 單晶硅多晶硅鍵合技術(shù)微電子所四個(gè)體硅標(biāo)準(zhǔn)工藝 機(jī)械性能好幾何尺寸大浪費(fèi)硅材料與IC兼容不好 各向同性腐蝕 各向異性腐蝕 體微加工 Workinthelasttwomonths 表面微加工 兩層多晶硅表面微加工 北大微電子所 三層多晶硅表面微加工 BerkleySA中心 PolyMUMPs 五層多晶硅表面微加工 美國Sandia國家實(shí)驗(yàn)室 兩層MEMS結(jié)構(gòu) 一層是結(jié)構(gòu)材料 另一層為地面材料 多晶硅作為結(jié)構(gòu)層 淀積PSG作為犧牲層 氮化硅作為電隔離層 兩層主要的薄膜層 結(jié)構(gòu)層 多晶硅 犧牲層 二氧化硅 Workinthelasttwomonths LIGA技術(shù) LIGA技術(shù)準(zhǔn)LIGA技術(shù)SLIGA技術(shù) 電鍍 Galvanoformung 壓模 Abformung 光刻 Lithographie Workinthelasttwomonths 易于大批量生產(chǎn) 5 不適合制作多層結(jié)構(gòu) 6 LIGA技術(shù)特點(diǎn) Workinthelasttwomonths 硅 硅鍵合 1 靈活性和半導(dǎo)體工藝兼容性2 溫度在鍵合過程中起著關(guān)鍵的作用3 硅片表面的平整度和清潔度 硅 玻璃鍵合 1 兩靜電鍵合材料的熱膨脹系數(shù)近似匹配2 陽極的形狀影響鍵合效果3 表面狀況對(duì)鍵合力也有影響 金屬 玻璃鍵合 1 電壓 溫度和表面光潔度影響鍵合反應(yīng)2 離子擴(kuò)散陽極氧化影響鍵合3 鍵合界面處產(chǎn)生過渡層 鍵合技術(shù) 鍵合技術(shù)可以將表面加工和體加工有機(jī)地結(jié)合在一起 Workinthelasttwomonths 三維MEMS結(jié)構(gòu)加工中的材料 Workinthelasttwomonths 金屬 如Ti Al Cu Cr等 非金屬 二氧化硅 氮化硅 碳化硅和磷硅玻璃等 有機(jī)物和聚合物 如光刻膠 聚酰亞胺 PMMA SU 8等 犧牲層材料 Workinthelasttwomonths 前CMOS pre CMOS 混合CMOS intermediate CMOS 后CMOS post CMOS CMOS MEMS技術(shù) 將MEMS部分和CMOS電路做在同一塊襯底上 一種是在CMOS結(jié)構(gòu)層上面再淀積一層結(jié)構(gòu)層的微加工 另一種是直接以CMOS原有的結(jié)構(gòu)層作為MEMS結(jié)構(gòu)層的微加工 Workinthefuture 2 考慮 1 完成 3 制作 4 加工 Workinthelasttwoweeks Attend08MEMStraining 01 WriteSC JRPapplication 02 Write application 03 Designthe 04 Workinthelasttwoweeks WriteSC JRPapplication InputChineseandEnglishversion ContactwithVincentofNUS ThejointunitnotUniv butA STAR Cooperationfailed butbetrained Workinthelasttwoweeks Write ProposalTitle Complex 面向 Workinthelasttwoweeks Workinthelasttwoweeks The Develop Current Fabricate AimsandSignificance Workinthelasttwoweeks investigate study realize setup Workinthelasttwoweeks Applications Multiband Integration High R Workinthelasttwoweeks Novelty CurrentresearchMost ThisproposalInvestigate Workinthelasttwoweeks Methodology SSS Singlewafer Measure Step2 Step3 Step4 Optimize Simulate Silicon based Traditional Polymer Develop Integrate switches TestModifySetup