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碳、硅及其化合物(建議用時:40分鐘)(對應(yīng)考點集訓(xùn)第215頁)A級基礎(chǔ)達標(biāo)1多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài),是制造硅拋光片、太陽能電池及高純硅芯片的主要原料。已知第三代工業(yè)制取多晶硅流程如圖所示:下列說法錯誤的是()AY、Z分別為H2、Cl2B制取粗硅的過程中焦炭與石英會發(fā)生副反應(yīng)生成碳化硅,在該副反應(yīng)中,氧化劑與還原劑的物質(zhì)的量之比為11CSiHCl3極易水解,其完全水解的產(chǎn)物為H2SiO3、H2、HCl,據(jù)此推測SiHCl3中硅元素的化合價為4DY與SiHCl3制備多晶硅的反應(yīng)屬于置換反應(yīng)BB項中的反應(yīng)為3CSiO2SiC2CO,氧化劑與還原劑均為C,二者之比為12。2(2019廣州模擬)下列敘述中正確的是 ()A因為Na2CO3SiO2Na2SiO3CO2,所以硅酸的酸性比碳酸強B碳和硅都是A族的元素,所以二氧化碳和二氧化硅的物理性質(zhì)相似C二氧化硅既溶于氫氧化鈉溶液又溶于氫氟酸,所以二氧化硅是兩性氧化物D二氧化硅和二氧化碳都是酸性氧化物,但二氧化硅不能和水反應(yīng)生成硅酸DA項的反應(yīng)之所以能夠發(fā)生,是因為生成的產(chǎn)物中有氣體放出,平衡正向移動,促使反應(yīng)能夠順利進行,故不能通過此反應(yīng)判斷H2CO3與H2SiO3的酸性強弱,A錯誤;CO2和SiO2的物理性質(zhì)差異較大,B錯誤;SiO2與氫氟酸的反應(yīng)不屬于酸性氧化物與一般酸的反應(yīng),在此反應(yīng)中SiO2并沒有表現(xiàn)出堿性氧化物的性質(zhì),C錯誤。3下列說法正確的是()A向含K、Na、Br、SiO的溶液中通入CO2后仍能大量共存B合成纖維和光導(dǎo)纖維都是新型無機非金屬材料CNaHCO3溶液中含有Na2SiO3雜質(zhì),可通入少量CO2后過濾DSiO2中含Al2O3雜質(zhì),可加入足量稀鹽酸,然后過濾除去DA項, SiO與CO2、H2O反應(yīng)生成H2SiO3;B項,合成纖維為有機高分子材料;C項,通入少量CO2生成Na2CO3,引入新雜質(zhì);D項,Al2O3溶于鹽酸,而SiO2不溶于鹽酸。4化學(xué)家指出Si與NaOH溶液的反應(yīng),首先是Si與OH迅速反應(yīng),生成SiO,然后SiO迅速水解生成H4SiO4。下列有關(guān)說法正確的是()A原硅酸鈉(Na4SiO4)能迅速水解,溶液呈堿性,故Na4SiO4為弱電解質(zhì)B藍(lán)紫色的硅酸銅鋇(BaCuSi2O6)易溶于強酸和強堿C2HClNa2SiO3=H2SiO32NaCl,說明Cl的非金屬性強于SiD半導(dǎo)體工業(yè)所說的“從沙灘到用戶”是指將二氧化硅制成晶體硅DA項,Na4SiO4為鹽,為強電解質(zhì);B項,硅酸銅鋇不易溶于酸和堿;C項,該反應(yīng)只說明酸性HClH2SiO3,不能說明Cl的非金屬性強于Si。5下列除雜方法正確的是()ASiO2中含Al2O3雜質(zhì),可以加入足量NaOH溶液然后過濾除去BCO2中含有CO雜質(zhì),可以通入盛有CuO的玻璃管并加熱CCO2中含有HCl雜質(zhì),可以通過盛有Na2CO3溶液的洗氣瓶DNa2CO3溶液中含有Na2SiO3雜質(zhì),可以通入足量的CO2,然后過濾BA項,SiO2、Al2O3均與NaOH溶液反應(yīng);C項,Na2CO3溶液吸收CO2;D項,溶液變?yōu)镹aHCO3溶液。6下列說法中正確的是()A單質(zhì)氧化物酸或堿鹽,硅單質(zhì)可以按上述關(guān)系進行轉(zhuǎn)化B若a、b、c分別為Si、SiO2、H2SiO3,則可以通過一步反應(yīng)實現(xiàn)如圖所示的轉(zhuǎn)化關(guān)系:C二氧化碳和二氧化硅都可溶解在NaOH溶液中D青花瓷胎體的原料為高嶺土Al2Si2O5(OH)4,若以氧化物形式可表示為Al2O3SiO2H2OCA項,Si與O2反應(yīng)生成SiO2,SiO2不與H2O反應(yīng),“氧化物酸或堿”不能實現(xiàn),錯誤;B項,bc,ca均不能通過一步反應(yīng)實現(xiàn),錯誤;C項,二氧化碳和二氧化硅都屬于酸性氧化物,都能與NaOH溶液反應(yīng)生成鹽和水,正確;D項,硅酸鹽可以用鹽的形式或氧化物的形式表示,Al2Si2O5(OH)4可表示為Al2O32SiO22H2O,錯誤。B級能力提升7某礦石含碳酸鎂和石英,制備高純硅和硅膠的工藝流程如下:(1)“硅膠”常用作_,也可以用作_的載體。A的結(jié)構(gòu)式為_。(2)制備粗硅的方程式為_。(3)操作為_,操作為_。(4)操作,需要在氯化氫氣流中加熱脫水的原因是_。(5)溶液G用E酸化的化學(xué)方程式為_。答案(1)干燥劑催化劑O=C=O(2)SiO22CSi2CO(3)過濾蒸發(fā)濃縮、冷卻結(jié)晶(4)防止鎂離子水解(5)Na2SiO32HCl=2NaClH2SiO38二氯二氫硅(SiH2Cl2)常用于外延法工藝中重要的硅源。易燃、有毒,與水接觸易水解,沸點為8.2 。在銅催化作用下,HCl與硅在250260 反應(yīng)可以制得SiH2Cl2。ABCD(1)利用濃硫酸、濃鹽酸為原料,選用A裝置制取HCl,利用了濃硫酸的_性。(2)D裝置中生成二氯二氫硅的化學(xué)方程式為_。(3)按照氣體從左到右的方向,制取SiH2Cl2的裝置(h處用止水夾夾好)連接順序為a( )( )()()()( )()(填儀器接口的字母,其中裝置C用到2次)。(4)按從左到右的順序,前面裝置C中裝的藥品為_,后面裝置C的作用為_。(5)反應(yīng)除生成二氯二氫硅之外,還會生成H2和_、_等。(6)制取SiH2Cl2的新方法是:往硅粉中先通入Cl2,在300350 反應(yīng)生成SiCl4,然后再與HCl在250260 反應(yīng),可以大大提高產(chǎn)率。如果通入氣體順序相反,結(jié)果會_(用化學(xué)方程式表示)。解析(1)濃硫酸具有吸水性,可以使?jié)恹}酸揮發(fā)出HCl氣體。(3)SiH2Cl2與H2O接觸易水解,故D裝置(制SiH2Cl2)的前后應(yīng)有干燥裝置。答案(1

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