【深企投】2024功率半導(dǎo)體行業(yè)研究報告

功率半導(dǎo)體行業(yè)研究報告第三代功率半導(dǎo)體國產(chǎn)替代加速推進(jìn)深企投集團(tuán)深企投產(chǎn)業(yè)研究院I深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院 二、主要產(chǎn)品性能和應(yīng)用場景 三、行業(yè)經(jīng)營模式 四、行業(yè)市場規(guī)模 五、IGBT市場格局 六、第三代功率半導(dǎo)體市場格局 七、全球及中國功率半導(dǎo)體重點企業(yè) 深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院圖圖1功率半導(dǎo)體下游應(yīng)用領(lǐng)域 圖2功率半導(dǎo)體類別及在半導(dǎo)體中的范圍 圖3主要功率器件應(yīng)用場景 圖4IGBT等功率器件主要應(yīng)用范圍 圖52022年-2027年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模（億美元） 圖62022年全球功率器件各產(chǎn)品市場規(guī)模預(yù)測（億美元） 圖72016-2023年全球IGBT市場規(guī)模（億美元） 圖82020-2025年中國IGBT主要下游應(yīng)用市場份額（%） 圖102015-2021年IGBT國產(chǎn)化率（按產(chǎn)量 圖112021年全球IGBT分立器件市場格局 圖122021年全球IGBT模塊市場格局 圖132021年全球IPM模塊市場格局 圖142022-2026年全球GaN功率元件市場規(guī)模（億美元） 表1功率半導(dǎo)體類別（按集成度） 2表2功率半導(dǎo)體分類 3表3IGBT主要產(chǎn)品形式 6表4IGBT產(chǎn)品電壓等級及對應(yīng)下游領(lǐng)域 6表5SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈代表企業(yè) 表6國內(nèi)GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈代表企業(yè) 表72021年全球功率半導(dǎo)體主要企業(yè)營收 表8我國功率半導(dǎo)體重點企業(yè) 表92022年國內(nèi)重點廠商功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收 深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院功率半導(dǎo)體應(yīng)用涵蓋了電子產(chǎn)業(yè)鏈的各個領(lǐng)域，隨著新能源汽新能源等產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，功率半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)規(guī)模將逐步提升，IGBT、第三代功率半導(dǎo)體將是增長最快的領(lǐng)域。美歐日企業(yè)在全球功率半導(dǎo)體市場中占據(jù)主要地位，中國企業(yè)得益于下游應(yīng)用市場規(guī)模優(yōu)勢，在IGBT、第三代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的國產(chǎn)替代將加速推進(jìn)。有用電的地方就有功率半導(dǎo)體。功率半導(dǎo)體是半導(dǎo)體的重要組成部分，是電力電子設(shè)備中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，在電子電路中起到功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)、線路保護(hù)和整流等作用，主要用于改變電力電子設(shè)備中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等，廣泛應(yīng)用于移動通訊、消費電子、新能源汽車、軌道交通、工業(yè)控制、發(fā)電與配深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院圖1功率半導(dǎo)體下游應(yīng)用領(lǐng)域功率半導(dǎo)體按照集成度，可分為功率半導(dǎo)體分立器件、功率模塊和功率集成電路（功率IC）。一般將功率分立器件、功率模塊統(tǒng)稱為表1功率半導(dǎo)體類別（按集成度）類別概述件是半導(dǎo)體分立器件的分支，主要包括二極管、晶閘管、晶體管將多種功率器件和電路單元集成在一起的電路模塊，通常包括功率管、二極管、IGBT等多種元件，并配有散熱器、基板和封裝等部件。相比于單獨使用的功率器件，功率模塊具有更高的將功率器件及其驅(qū)動電路、保護(hù)電路、接口電路等外圍電路集深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院有體積小、重量輕、引出線和焊接點少、壽命長、可靠性高、性能好、成本低、便于大規(guī)模生產(chǎn)等優(yōu)點，應(yīng)用于各類電子產(chǎn)功率半導(dǎo)體在半導(dǎo)體中的范圍和類別如下圖所示。圖2功率半導(dǎo)體類別及在半導(dǎo)體中的范圍功率半導(dǎo)體還可按照控制類型、材料特性、驅(qū)動方式進(jìn)行分類，具體如下：表2功率半導(dǎo)體分類深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院分類形式產(chǎn)品類別通過判斷該功率半導(dǎo)體是否主動可控制其打制作材料要求擁有足夠大的禁帶寬度、化學(xué)狀態(tài)穩(wěn)定，隨著材料發(fā)展出現(xiàn)了三代半導(dǎo)體，具用于低壓、低頻、中功率集成電路，在光電半導(dǎo)體材料，主要用于微波器件、射頻等光材料，在功率電子、射頻通信等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用指該功率器件受何種動二、主要產(chǎn)品性能和應(yīng)用場景不同功率半導(dǎo)體產(chǎn)品性能不同，因此擁有不同的應(yīng)用場景。1）二極管：最常用的電子元件之一，結(jié)構(gòu)和原理簡單、工作可用于整流、檢波以及作為開關(guān)元件。按具體用途，二極管主要類型包括整流二極管、肖特基二極管（SBD）、快恢復(fù)二極管（FRD）和穩(wěn)壓二極管等，其中SBD適用于小功率場景，而FRD則適用于較大功率2）晶閘管：體積較小，可靠性高，能在高壓、大電流下進(jìn)行工作，在可控性上優(yōu)于二極管，缺點是電路結(jié)構(gòu)上必須設(shè)置關(guān)段電路，深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院使電路結(jié)構(gòu)變復(fù)雜、增加成本，開關(guān)頻率也不高，難以實現(xiàn)變流裝置的高頻化。按導(dǎo)通及控制方式的差別可分為雙向、逆導(dǎo)、門極關(guān)斷、BTG和溫控晶閘管等不同類型，被廣泛應(yīng)用于可控整理、交流調(diào)壓、變頻器和逆變器等電路中。最基礎(chǔ)的為SCR（可控硅）、其次常見的有GTO（門極可關(guān)斷晶閘管多用于高壓直流輸電和軌道交通領(lǐng)域。33）晶體管：晶體管是功率器件中市場份額最大的種類，根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域和制程的不同，晶體管又可以分為IGBT、MOSFET和雙極型晶體管等。—MOSFET：金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是單極型器件、屏蔽柵MOS等。具有雙向?qū)щ娞匦?，開關(guān)速度快、輸入阻力高、熱但電流處理能力相對較弱、耐壓低，適用于高頻率低功率場景（功率不超過10kW的電力電子裝置，電壓范圍600V以下廣泛運用于消費電子、通信、工業(yè)控制和汽車電子等領(lǐng)域?！狪GBT：絕緣柵雙極型晶體管，由MOSFET和BJT組合而成復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，既有MOSFET輸入阻抗高、驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快特性，又兼具BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，在高壓、大電流、高速等方面具有獨特優(yōu)勢，驅(qū)動功率小而飽和壓降低，可實現(xiàn)逆變、變頻功能。主要適用于中低頻率、高功率的工作環(huán)境，廣泛應(yīng)用于逆變器、變頻器和電源開關(guān)等領(lǐng)域，在低壓主要應(yīng)用于變頻白色家電、新能源汽車零部件等領(lǐng)域,在中壓常深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院用于工業(yè)控制、新能源汽車等領(lǐng)域，在高壓領(lǐng)域廣泛應(yīng)用于軌道交通、新能源發(fā)電和智能電網(wǎng)等重要領(lǐng)域，被稱為電力電子行業(yè)的“CPU”。按照封裝形式，IGBT產(chǎn)品可分為IGBT單管（IGBT分立器件）、IGBT表3IGBT主要產(chǎn)品形式產(chǎn)品介紹產(chǎn)品樣本分立式晶體管，應(yīng)用于小功率家用電器、分高度集成、緊湊的功率模塊，設(shè)計用于驅(qū)動從家用電器、風(fēng)扇、泵到通用驅(qū)動器等應(yīng)用表4IGBT產(chǎn)品電壓等級及對應(yīng)下游領(lǐng)域下游應(yīng)用領(lǐng)域—BJT：雙極型三極管，屬于電流型全控器件，通態(tài)壓降小、載流能力大，但驅(qū)動電流小，更適合低功率場景，在應(yīng)用頻率上低于深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院MOSFET，主要用于家電等領(lǐng)域。按照功率和工作頻率，主要功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域如下圖所示：圖3主要功率器件應(yīng)用場景圖4IGBT等功率器件主要應(yīng)用范圍深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院4）功率IC：功率IC可以分為AC/DC、DC/DC、電源管理IC、驅(qū)—AC/DC和DC/DC：AC是交流的英文縮寫，DC是直流的英文縮寫。AC/DC轉(zhuǎn)換就是通過整流電路，將交流電經(jīng)過整流、濾波，從而轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的直流電。DC/DC轉(zhuǎn)換器表示的是高壓（低壓）直流電源（DC）變換為低壓（高壓）直流電源（DC）。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。—電源管理IC（PMIC電源管理IC是在單一芯片內(nèi)包括了多種電源軌和電源管理功能的集成電路，能夠?qū)⒍喾N功能集成到單片芯片內(nèi)。PMIC常用于以電池作為電源的裝置，能夠為主系統(tǒng)提供管理電源的工作，從而提供更高的空間利用率和系統(tǒng)電源效率。PMIC常用通信設(shè)備、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，近年來應(yīng)用領(lǐng)域呈現(xiàn)出從消費電子向高端工業(yè)（工業(yè)電源）和汽車領(lǐng)域轉(zhuǎn)型的現(xiàn)象。三、行業(yè)經(jīng)營模式基礎(chǔ)功率器件的設(shè)計制造采用IDM模式。功率器件的設(shè)計制造模式，與數(shù)字IC、模擬IC行業(yè)主要使用的Fabless（無晶圓廠模式）有所區(qū)別。自臺積電開創(chuàng)晶圓代工（Foundry）模式以來，先進(jìn)晶圓制造的資本投入和規(guī)模效應(yīng)越發(fā)顯著，F(xiàn)abless與Foundry的產(chǎn)業(yè)鏈分工更加精細(xì)，IC設(shè)計則成為半導(dǎo)體行業(yè)占比最大的板塊，英偉達(dá)、高通、聯(lián)發(fā)科等成長為全球芯片巨頭。垂直整合的IDM模式則面臨先深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院進(jìn)工藝落后的問題，如英特爾應(yīng)對半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用市場的快速變化越模式，是IC設(shè)計公司的最佳選擇。與之相比，功率器件的技術(shù)變化相對緩慢，且產(chǎn)品使用周期長，比如IGBT功率器件的使用壽命可達(dá)等，產(chǎn)品已有數(shù)十年歷史，國際巨頭如英飛凌、意法半導(dǎo)體ST、德模式制造這類傳統(tǒng)功率器件。也有部分企業(yè)采用“IDM加委外代工混合模式”，即將部分低端制程產(chǎn)品委外專業(yè)代工廠加工。IGBT領(lǐng)域IDM及Fabless模式并存。隨著IGBT逐漸成為功率器件主流，IDM模式和Fabless模式均有企業(yè)使用。在Fabless模式下，IGBT廠商進(jìn)行分立器件和模塊設(shè)計，IGBT芯片和配套芯片則委托晶圓代工廠制造，再委外或者自主進(jìn)行模塊封測，國內(nèi)代表廠商如斯達(dá)揚杰科技等。對于占有下游應(yīng)用市場較大份額的企業(yè)集團(tuán)來說，使用垂直整合IDM模式，能夠?qū)崿F(xiàn)IGBT功率器件設(shè)計、制造、模塊與應(yīng)用方案的一體化和高效協(xié)調(diào)，國內(nèi)代表廠商如士蘭微（2021年IGBT時代電氣（服務(wù)于軌道交通領(lǐng)域）等，而華潤微電子則采用IDM+Foundry模式，同時提供代工服務(wù)。第三代半導(dǎo)體興起，IDM模式當(dāng)前更受重視。碳化硅、氮化鎵等深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院第三代半導(dǎo)體材料近年來進(jìn)入大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，制造關(guān)鍵難點在于上游襯底和外延片，向上游拓展有利于廠商把握行業(yè)主導(dǎo)權(quán)。同時，由于第三代半導(dǎo)體采用成熟制程工藝（多在100納米以上設(shè)備投資規(guī)模相對較小、可從數(shù)億元起步，以6英寸SiC芯片為例，每萬片/年產(chǎn)能對應(yīng)投資0.5-0.9億元，產(chǎn)能規(guī)模越大、單位產(chǎn)能投資越低。在新能源汽車、新能源等下游應(yīng)用高速成長階段，第三代半導(dǎo)體項目融資相對容易，疊加集成電路領(lǐng)域?qū)a(chǎn)替代的高度重視，主要第三代功率半導(dǎo)體廠商因此多數(shù)選擇IDM模式，且以往使用Fabless模式的廠商也紛紛轉(zhuǎn)型IDM模式，如斯達(dá)半導(dǎo)體新建年產(chǎn)6萬片6英寸SiC芯片項目，正式走向IDM模式。當(dāng)然，隨著一批設(shè)計企業(yè)紛紛融資建設(shè)產(chǎn)線，未來能否順利轉(zhuǎn)化為有效產(chǎn)能，是否會出現(xiàn)產(chǎn)能過剩進(jìn)入激烈的價格競爭，并使得輕資產(chǎn)的Fabless模式更具優(yōu)勢，也是值得關(guān)注的問題。四、行業(yè)市場規(guī)模根據(jù)Yole的預(yù)測數(shù)據(jù)，2022年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模約478億美元，其中功率IC市場規(guī)模達(dá)到262億美元，占功率半導(dǎo)體市場的54.8%；功率分立器件市場規(guī)模為144億美元，占比30.1%；功率模塊市場規(guī)模72億美元，占比15.1%。預(yù)計2027年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模增長至596億美元。深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院0圖52022年-2027年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模（億美元）分產(chǎn)品看，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，分立器件和功率模塊中占比最大的是MOSFET和IGBT模塊，2022年的市場規(guī)億美元。二極管和晶閘管合計市場規(guī)模約為37.8億美元，IGBT單管功率分立器件市場分別為1.3億美元和1.2億美元。按照Yole預(yù)測，SiC模塊在2021-2027年的復(fù)合年均增長率將高達(dá)36.1%，2027年SiC模塊的市場規(guī)模將達(dá)到47.6億美元。深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院MOSFET,83.5圖62022年全球功率器件各產(chǎn)品市場規(guī)模預(yù)測（億美元）中國是全球最大的功率半導(dǎo)體消費國。據(jù)英飛凌（全球功率器件領(lǐng)先企業(yè)）年報統(tǒng)計，2021財年英飛凌在中國地區(qū)銷售收入占其全部收入的37.9%，中國是其全球最大的銷售區(qū)域。根據(jù)Omdia統(tǒng)計，2021年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模占全球市場比重約為36.2%，預(yù)計未來比重還將進(jìn)一步提升。全球及中國IGBT市場規(guī)模迅速增長。據(jù)集微咨詢統(tǒng)計，2022年全球IGBT市場規(guī)模約達(dá)76億美元，同比增長19%。預(yù)計2023年全球IGBT市場規(guī)模有望以13%的增速增長，達(dá)86.2億美元，2022年中國IGBT市場總規(guī)模達(dá)321.9億元，預(yù)計2025年市場總規(guī)模有望達(dá)468.1億元，2022-2025年CAGR為13.3%。深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院_-_---0圖72016-2023年全球IGBT市場規(guī)模（億美元）新能源行業(yè)成為我國IGBT發(fā)展主要驅(qū)動力。IGBT廣泛應(yīng)用于新能源、汽車、工業(yè)、家電等領(lǐng)域，隨著近年來我國新能源車銷量以及風(fēng)電光伏裝機(jī)量快速增長，帶動IGBT領(lǐng)域迅速發(fā)展。2022年，中國車用IGBT的市場份額已經(jīng)超過工控，達(dá)到39.3%，成為IGBT下游第一大應(yīng)用，預(yù)計到2025年份額有望進(jìn)一步增長至接近50%。2022年中國新能源汽車IGBT市場規(guī)模達(dá)到126.5億元，在2025年有望增加到226.4億元，2022-2025年CAGR達(dá)21.4%。此外，2022年中國風(fēng)年CAGR達(dá)23.7%。深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院0圖82020-2025年中國IGBT主要下游應(yīng)用市場份額（%） 0圖92020-2025年中國IGBT主要下游應(yīng)用市場規(guī)模（億元）模塊制造工藝復(fù)雜度較高，我國IGBT行業(yè)國產(chǎn)化率較低，按照產(chǎn)量統(tǒng)計，2010年國內(nèi)產(chǎn)量占需求量的比重為10.%，至2021年提升至深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院國產(chǎn)化率提升至約30%-35%，隨著國產(chǎn)IGBT技術(shù)不斷進(jìn)步，國產(chǎn)替代明顯提速。0圖102015-2021年IGBT國產(chǎn)化率（按產(chǎn)量端口徑）海外龍頭占據(jù)主要份額。當(dāng)前英飛凌、富士電機(jī)、三菱電機(jī)等海外廠商在IGBT市場擁有明顯優(yōu)勢地位，根據(jù)英飛凌公告，2021年英飛凌在IGBT分立器件與IGBT模塊領(lǐng)域的全球市占率分別為28.9%和分立器件的全球市占率合計為53.3%，IGBT模塊的全球市占率合計為56.8%。國內(nèi)廠商中，僅有士蘭微和斯達(dá)半導(dǎo)分立器件和IGBT模塊中躋身第八和第六。深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院圖112021年全球IGBT分立器件市場格局圖122021年全球IGBT模塊市場格局深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院圖132021年全球IPM模塊市場格局國產(chǎn)廠商從中低壓向高壓領(lǐng)域逐步追趕。自20世紀(jì)80年代發(fā)展至今，IGBT經(jīng)歷了7代技術(shù)及工藝的升級，英飛凌作為IGBT龍頭，在2018年已經(jīng)迭代至第七代。目前國內(nèi)多數(shù)廠家已經(jīng)發(fā)展到等同英飛凌的第四代和第五代技術(shù)，而第四、五代IGBT也是目前車規(guī)IGBT應(yīng)用的主流技術(shù)。英飛凌、三菱電機(jī)、ABB等國外廠商基本覆蓋600V-6500V全系列電壓，在1700V以上中高壓領(lǐng)域具有絕對優(yōu)勢，英飛凌、賽米控、安森美在1700V以下具有優(yōu)勢。國內(nèi)廠商基本集中在中低壓領(lǐng)域，時代電氣和斯達(dá)半導(dǎo)已經(jīng)有高壓3300V及以上的產(chǎn)品應(yīng)用。近幾年，在新能源行業(yè)快速發(fā)展的大背景下，國內(nèi)廠商迎來歷史性發(fā)展機(jī)遇，中國廠商市占率有望在近幾年迎來快速提升。為應(yīng)對汽車半導(dǎo)體供應(yīng)鏈問題，車企加大布局車規(guī)級功率半導(dǎo)體。車載芯片種類多、型號多，是智能電動網(wǎng)聯(lián)趨勢的核心載體，功率半深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院導(dǎo)體在汽車電子中價值量高。根據(jù)英飛凌2021年財報顯示，國際上新能源汽車中IGBT的單車價值為330美元，約占整車總成本的5%以上，是電控系統(tǒng)里面成本占比最大的元器件。面對全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的風(fēng)險，以及車企在重要控制器自研的需要，整車廠和Tier1都在開始往半導(dǎo)體設(shè)計和制造領(lǐng)域下沉，主要聚焦重要、價值高的車規(guī)級芯片并進(jìn)行布局，通過投資或與芯片企業(yè)成立合資企業(yè)，進(jìn)入車規(guī)級功率半導(dǎo)體行業(yè)。IGBT和SiC則是整車廠投資的重點。六、第三代功率半導(dǎo)體市場格局金剛石、氮化鋁（AIN）等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)材料相比，第三代半導(dǎo)體材料更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高射等環(huán)境下被廣泛應(yīng)用。目前市場集中在碳化硅和氮化鎵兩個領(lǐng)域。（一）碳化硅功率半導(dǎo)體碳化硅SiC作為第三代半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、飽和電子漂移速率高、抗輻射性能強(qiáng)、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)點，碳化硅相比硅器件，在高功率、開關(guān)頻率和損耗等性能方面更加優(yōu)異，碳化硅器件已廣泛用于新能源汽車、光伏逆變器、工業(yè)電源、充電樁、智能電網(wǎng)及軌道交通等領(lǐng)域。碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（主要是肖特基勢壘二極管SBD等）、碳化硅晶體管（主要是碳化硅BJT、MOSFET等）以及碳化硅功率模塊等。碳化硅MOSFET深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院主要應(yīng)用于新能源汽車的中高端場景，如對續(xù)航、瞬間加速以及充電時間有著更高要求的中高端電動車。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2021年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模約為10.90億美元，2027年有望突破至62.97億美元。根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，2022年全球SiC功率器件市場規(guī)模將達(dá)16.09億美元，預(yù)計到2026年市場規(guī)模將達(dá)規(guī)模將達(dá)53.28億美元，2022-2026年CAGR達(dá)到35%附近。新能源汽車應(yīng)用主導(dǎo)碳化硅功率器件市場，2021年車用碳化硅功率器件占整個SiC功率器件市場的63%，預(yù)計2027年占比提升至79%。封測）三大環(huán)節(jié)。從工藝流程上看，首先由碳化硅粉末通過長晶形成晶碇，經(jīng)過切片、打磨、拋光得到碳化硅襯底；襯底經(jīng)過外延生長得到外延片；外延片經(jīng)過光刻、刻蝕、離子注入、沉積等步驟制造成器后道的設(shè)計、制造、封測環(huán)節(jié)僅占30%。因此，上游襯底、外延片廠商掌握著核心話語權(quán)，是國產(chǎn)化突破的關(guān)鍵。目前碳化硅器件市場龍頭以海外企業(yè)為主，國內(nèi)90%需求依賴進(jìn)口。我國部分頭部企業(yè)已有相應(yīng)技術(shù)積累，在半絕緣襯底、外延片、射頻器件和碳化硅器件均已量產(chǎn)并批量供貨。表5SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈代表企業(yè)SiC環(huán)節(jié)國內(nèi)頭部：天岳先進(jìn)（A股，濟(jì)南，絕緣型深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院其他：美國道康寧（陶氏化學(xué)關(guān)昭和電工，占據(jù)全球碳化硅導(dǎo)電其他：美國道康寧、日本羅姆國內(nèi)頭部：東莞天域半導(dǎo)體、瀚天天成（廈德國英飛凌、日本三菱電機(jī)、意體、士蘭微、華潤微電子、積塔半導(dǎo)體、北京燕東微、中科漢韻、比亞迪半導(dǎo)體、廣東（二）氮化鎵功率半導(dǎo)體氮化鎵具備寬禁帶、高頻率、低損耗、抗輻射強(qiáng)等優(yōu)勢，可以滿足各種應(yīng)用場景對高效率、低能耗、高性價比的要求，除了快充消費電子領(lǐng)域，當(dāng)前向數(shù)據(jù)中心、可再生能源、新能源汽車市場領(lǐng)域持續(xù)推進(jìn)。根據(jù)集邦咨詢報告，到2026年，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美元成長到13.3億美元，CAGR達(dá)到65%。50圖142022-2026年全球GaN功率元件市場規(guī)模（億美元）深企投產(chǎn)業(yè)研究院深企投產(chǎn)業(yè)研究院