核輻射測(cè)量知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋煙臺(tái)大學(xué)

核輻射測(cè)量知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋煙臺(tái)大學(xué)第一章單元測(cè)試

韌致輻射損失和把材料的原子序數(shù)成什么關(guān)系（）。

A:與原子序數(shù)平方呈反比B:與原子序數(shù)平方呈正比C:與原子序數(shù)呈正比D:與原子序數(shù)雖反比

答案:與原子序數(shù)平方呈正比—定能量的帶電粒子在它向所能穿透的物質(zhì)中走過(guò)的距離叫在該物質(zhì)中的（）。

A:平均路程B:最大射程C:最大路程D:平均射程

答案:最大射程伽馬射線(xiàn)通過(guò)物質(zhì)時(shí)，主要有三種作用過(guò)程（）。

A:光電效應(yīng)、電子對(duì)效應(yīng)、康普頓效應(yīng)B:泊松效應(yīng)、康普頓效應(yīng)、光電效應(yīng)C:光電效應(yīng)、泊松效應(yīng)、電子對(duì)效應(yīng)D:光電效應(yīng)、電子對(duì)效應(yīng)、泊松效應(yīng)

答案:光電效應(yīng)、電子對(duì)效應(yīng)、康普頓效應(yīng)電離損失對(duì)貝塔射線(xiàn)不重要。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)材料的密度越高，反散射越嚴(yán)重。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)康普頓散射形成的譜是連續(xù)譜。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)湮沒(méi)輻射的伽馬射線(xiàn)能量是0.511MEV。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第二章單元測(cè)試

英國(guó)的工業(yè)革命所進(jìn)行的時(shí)間是（）。

A:18世紀(jì)70年代到19世紀(jì)中期B:18世紀(jì)60年代到19世紀(jì)上半期C:18世紀(jì)30年代到18世紀(jì)末D:18世紀(jì)60年代到18世紀(jì)末

答案:18世紀(jì)60年代到19世紀(jì)上半期制約情緒的因素主要有（）。

A:情緒的生理基礎(chǔ)B:生理狀態(tài)C:外部事件D:認(rèn)知過(guò)程

答案:生理狀態(tài)；外部事件；認(rèn)知過(guò)程射線(xiàn)在氣體總電離產(chǎn)生的電子-離子對(duì)數(shù)，服從什么分布（）。

A:法諾分布B:高斯分布C:二項(xiàng)式分布D:泊松分布

答案:法諾分布?xì)怏w探測(cè)器中，一定能量的入射離子產(chǎn)生的電子離子對(duì)數(shù)和能量成什么比例（）。

A:無(wú)關(guān)B:正比C:反比

答案:正比下列不能工作于脈沖工作狀態(tài)的是（）。

A:G-M計(jì)數(shù)管B:屏柵電離室C:正比計(jì)數(shù)器D:電離室

答案:G-M計(jì)數(shù)管下列哪些儀器屬于氣體探測(cè)器（）。

A:電離室B:屏柵電離室C:正比計(jì)數(shù)器D:G-M計(jì)數(shù)管

答案:電離室；屏柵電離室；正比計(jì)數(shù)器；G-M計(jì)數(shù)管氣體吸附在氣體探測(cè)器中起到正面作用。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)當(dāng)一個(gè)電子達(dá)到極板時(shí)，流過(guò)外回路的電量時(shí)e。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)電子脈沖電離室輸出的電壓脈沖和生成位置無(wú)關(guān)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)圓柱形電離室是陽(yáng)極在內(nèi)陰極在外。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)分辨時(shí)間和時(shí)間分辨本領(lǐng)不是一個(gè)參數(shù)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)正比計(jì)數(shù)器一般用非均勻電場(chǎng)才可以實(shí)現(xiàn)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)正比計(jì)數(shù)器的輸出信號(hào)由正離子和電子共同做貢獻(xiàn)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)G-M計(jì)數(shù)管只能用來(lái)計(jì)數(shù)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第三章單元測(cè)試

下列哪個(gè)是光電轉(zhuǎn)化器件（）。

A:準(zhǔn)直器B:光電倍增C:閃爍體

答案:光電倍增閃爍體產(chǎn)生的光是（）。

A:磷光B:可見(jiàn)光C:紫外光D:熒光

答案:可見(jiàn)光；熒光閃爍體的發(fā)射光譜要和光電倍增管的接收光譜要匹配。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)光電倍增管工作時(shí)可以透光。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)閃爍體探測(cè)器輸出電壓和入射離子的能量成反比。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)閃爍體探測(cè)器的探測(cè)能量分辨率對(duì)不同能量的入射射線(xiàn)不同。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第四章單元測(cè)試

下列可以作為半導(dǎo)體探測(cè)器的敏感體積的是（）。

A:N型半導(dǎo)體B:P型半導(dǎo)體C:半導(dǎo)體D:P-N結(jié)

答案:P-N結(jié)高純鍺探測(cè)器屬于（）。

A:氣體探測(cè)器B:閃爍體探測(cè)器C:半導(dǎo)體探測(cè)器

答案:半導(dǎo)體探測(cè)器半導(dǎo)體探測(cè)器內(nèi)的信息載流子是電子離子對(duì)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)一般的半導(dǎo)體材料不可以直接用于形成探測(cè)器的敏感體積。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)外加電壓越高，P-N結(jié)越厚。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)外加電壓越高，耗盡層越厚。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第五章單元測(cè)試

核素的放射性衰變服從什么規(guī)律（）

A:雙曲遞減規(guī)律B:指數(shù)衰減規(guī)律C:隨機(jī)D:直線(xiàn)遞減規(guī)律

答案:指數(shù)衰減規(guī)律半導(dǎo)體探測(cè)器中，一定能量的入射粒子產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)數(shù)服從什么分布（）

A:泊松分布B:高斯分布C:二項(xiàng)式分布D:法諾分布

答案:法諾分布單位時(shí)間內(nèi)核的放射性核素的衰變概率可以用什么分布來(lái)描述（）

A:泊松分布B:法諾分布C:二項(xiàng)式分布D:高斯分布

答案:泊松分布；二項(xiàng)式分布；高斯分布泊松分布是對(duì)稱(chēng)分布。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)4π計(jì)數(shù)法無(wú)法減小散射、吸收和幾何位置的影響。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)延遲符合方法就是用來(lái)選擇非同時(shí)事件。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)全能峰就是光電峰（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)反應(yīng)堆中子源的能量比較單一。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第六章單元測(cè)試

用于判斷時(shí)間上同時(shí)事件的測(cè)量方法是（）

A:符合方法B:位置測(cè)量C:能譜測(cè)量D:活度測(cè)量

答案:符合方法下列影響活度的絕對(duì)測(cè)量的因素有（）

A:散射因素B:吸收因素C:幾何位置D:探測(cè)效率

答案:散射因素；吸收因素；幾何位置；探測(cè)效率符合測(cè)量方法是一種用符合電路判斷同時(shí)性事件的方法。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)進(jìn)行活度測(cè)量是要對(duì)儀器進(jìn)行效率刻度。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)進(jìn)行核素識(shí)別的能譜測(cè)量時(shí)要對(duì)一起進(jìn)行能量刻度。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第七章單元測(cè)試

中子探測(cè)