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…………○…………內…………○…………裝…………○…………內…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁,總=sectionpages22頁第=page11頁,總=sectionpages11頁2025年浙科版選修3化學上冊階段測試試卷221考試試卷考試范圍:全部知識點;考試時間:120分鐘學校:______姓名:______班級:______考號:______總分欄題號一二三四五六總分得分評卷人得分一、選擇題(共5題,共10分)1、下列有關原子結構與性質的說法正確的是()A.的基態(tài)原子的第一電離能依次遞增B.的基態(tài)電子排布式為C.有6種不同能量的電子D.化合物中S元素顯-2價,說明C元素比S元素的電負性弱2、由短周期前10號元素組成的物質T和X;有如圖所示的轉化。X不穩(wěn)定,易分解。下列有關說法正確的是。
A.T轉化為X的過程中,斷裂和形成的共價鍵類型相同B.等物質的量的T、X分子中含有π鍵的數(shù)目均為NAC.X分子中含有的σ鍵個數(shù)是T分子中含有的σ鍵個數(shù)的2倍D.T分子中只含有極性鍵,X分子中既含有極性鍵又含有非極性鍵3、下列描述中正確的是A.CS2為V形的極性分子B.ClO3-的空間構型為平面三角形C.SF6中S原子和氟原子均滿足最外層8電子穩(wěn)定結構D.SiF4和SO32-的中心原子均為sp3雜化,SiF4分子呈空間正四面體,SO32-呈三角錐形4、下列大小關系正確的是A.熔點:NaI>NaBrB.硬度:MgO>CaOC.晶格能:NaCl<NaBrD.熔沸點:CO2>NaCl5、下面的排序不正確的是()A.金屬Cu中Cu原子堆積方式為面心立方最密堆積,每個Cu原子的配位數(shù)均為12B.晶體的熔點:SiC>CCl4>P4>SO2C.酸性:HClO4>HClO3>HClOD.晶格能由大到?。篘aF>NaCl>NaBr>NaI評卷人得分二、多選題(共8題,共16分)6、在下列有關晶體的敘述中錯誤的是()A.分子晶體中,一定存在極性共價鍵B.原子晶體中,只存在共價鍵C.金屬晶體的熔沸點均很高D.稀有氣體的原子能形成分子晶體7、下列關于粒子結構的描述不正確的是A.H2S和NH3均是價電子總數(shù)為8的極性分子,且H2S分子的鍵角較大B.HS﹣和HCl均是含一個極性鍵的18電子微粒C.CH2Cl2和CCl4均是四面體構型的非極性分子D.1molD216O中含中子、質子、電子各10NA(NA代表阿伏加德羅常數(shù)的值)8、已知X、Y、Z、W、R是原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素,X是周期表中的原子半徑最小的元素,Y元素的最高正價與最低負價的絕對值相等,Z的核電荷數(shù)是Y的2倍,W的最外層電子數(shù)是其最內層電子數(shù)的3倍。下列說法不正確的是A.原子半徑:Z>W(wǎng)>RB.W、R對應的簡單氫化物的穩(wěn)定性前者大于后者C.W與X、W與Z形成的化合物的化學鍵類型完全相同D.電負性R>Y、X9、下列說法正確的是()A.抗壞血酸分子的結構為分子中碳原子的雜化方式為sp2和sp3B.氯化鋁在177.8℃時升華,因此AlCl3為分子晶體,是非電解質C.碳元素和硅元素同主族,因此CO2和SiO2互為等電子體D.一種磁性材料的單晶胞結構如圖所示。該晶胞中碳原子的原子坐標為()
10、下列說法正確的是A.HCl、HBr、HI的熔、沸點依次升高與分子間作用力大小有關B.H2O的熔、沸點高于H2S是由于H2O中共價鍵的鍵能比較大C.I2易溶于CCl4可以用相似相溶原理解釋D.氨氣極易溶于水是因為氨氣可與水形成氫鍵這種化學鍵11、下列說法正確的是A.LiAlH4中的陰離子的中心原子的雜化形式為sp3B.電子排布式(21Sc)1s22s22p63s23p63d3違反了能量最低原則C.CN-與N2的結構相似,CH3CN分子中σ鍵與π鍵數(shù)目之比為2∶1D.SO2、BF3、NCl3都含有極性鍵,都是極性分子12、膦(PH3)在常溫下是一種無色有大蒜臭味的有毒氣體,電石氣的雜質中常含之。它的分子是三角錐形。以下關于PH3的敘述中,正確的是()A.PH3是非極性分子B.PH3分子中有未成鍵的電子對C.PH3中的P-H鍵的極性比NH3中N-H鍵的極性弱D.PH3分子中的P-H鍵是非極性鍵13、CaC2晶體的晶胞結構與NaCl晶體的相似(如圖所示),但CaC2晶體中含有的啞鈴形C22-的存在,使晶胞沿一個方向拉長(該晶胞為長方體)。下列關于CaC2晶體的說法中正確的是()
A.1個Ca2+周圍距離最近且等距離的C22-數(shù)目為6B.6.4gCaC2晶體中含陰離子0.1molC.該晶體中存在離子鍵和共價鍵D.與每個Ca2+距離相等且最近的Ca2+共有12個評卷人得分三、填空題(共6題,共12分)14、如圖是s能級和p能級的原子軌道示意圖;試回答下列問題:
(1)若元素X的原子最外層電子排布式為原子中能量最高的是____________電子,其電子云在空間內有____________個互相垂直的伸展方向;元素X的名稱是____________,它的簡單氫化物的電子式是____________。
(2)若元素X的原子最外層電子排布式為那么X的元素符號為____________,原子的軌道表示式為____________。15、試用VSEPR理論判斷:_____________。物質孤對電子對數(shù)軌道雜化形式分子或離子的形狀SO3PO43-NCl3CS216、硼及其化合物的應用廣泛。試回答下列問題:
(1)基態(tài)原子的價電子軌道表示式為__________,其第一電離能比的__________(填“大”或“小”)。
(2)氨硼烷()被認為是最具潛力的新型儲氫材料之一,分子中存在配位鍵,提供孤電子對的原子是__________,寫出一種與氨硼烷互為等電子體的有機小分子:___________________(填化學式)。
(3)常溫常壓下硼酸()的晶體結構為層狀;其二維平面結構如圖所示。
①B原子的雜化方式為__________。從氫鍵的角度解釋硼酸在冷水中的溶解度小而加熱時溶解度增大:_________________。
②路易斯酸堿理論認為,任何可接受電子對的分子或離子叫路易斯酸,任何可給出電子對的分子或離子叫路易斯堿。從結構角度分析硼酸是路易斯酸:______________________________。17、N;P同屬于元素周期表的第VA族元素。
(1)基態(tài)磷原子的價電子排布圖是____________
(2)NCl3的VSEPR模型名稱是__________,中心原子雜化軌道類型是__________________。
(3)“笑氣”(N2O)是人類最早應用于醫(yī)療的麻醉劑之一。有關理論認為原子總數(shù)相同、價電子總數(shù)相同的粒子即等電子體具有相似的化學鍵特征,它們的許多性質是接近的。寫出N2O的一種有第二周期非金屬元素組成的等電子體分子_______________________。
(4)沸點比較:PH3___________NH3(填“>”、“=”、“<”),理由是____________。
(5)已知鍵能:H-H鍵能為436KJ·mol-1,N-H鍵能為391KJ·mol-1,N≡N鍵能為945.6kJ?mol-1.。則N2+3H22NH3,生成2molNH3時,共放熱_________KJ
(6)NH3極易溶于水,原因是_______________18、單質硼有無定形和晶體兩種;參考下表數(shù)據(jù)回答:
(1)晶體硼的晶體類型屬于____________________晶體,理由是_____________。
(2)已知晶體的結構單元是由硼原子組成的正二十面體(如圖),其中有20個等邊三角形的面和一定數(shù)目的頂角,每個頂角各有一個硼原子。通過觀察圖形及推算,得出此基本結構單元是由__________個硼原子構成的,其中B—B鍵的鍵角為____________,共含有___________個B—B鍵。
19、回答下列問題:
(l)離子化合物中陰陽離子半徑之比是決定晶體構型的重要因素之一;配位數(shù)與離子半徑之比存在如下關系:
若某化合物由+1價陽離子和-1價陰離子組成,陽離子的半徑為70pm,陰離子的半徑為140pm,分析以上信息,可以推導出該晶體結構,與常見的_______晶體(填寫化學式)陰陽離子的配位數(shù)相同。與陰(陽)離子配位的這幾個陽(陰)離子,在空間構成的立體形狀為_______。
(2)金剛石的晶胞為面心立方;另有四碳原子在晶胞內部,如圖。
則一個金剛石的晶胞中含有的碳原子數(shù)為_______,若金剛石晶胞的邊長為a,則其中C—C的鍵長為_______。評卷人得分四、計算題(共3題,共30分)20、SiC有兩種晶態(tài)變體:α—SiC和β—SiC。其中β—SiC為立方晶胞;結構與金剛石相似,晶胞參數(shù)為434pm。針對β—SiC回答下列問題:
⑴C的配位數(shù)為__________。
⑵C和Si的最短距離為___________pm。
⑶假設C的原子半徑為r,列式并計算金剛石晶體中原子的空間利用率_______。(π=3.14)21、金屬Zn晶體中的原子堆積方式如圖所示,這種堆積方式稱為____________。六棱柱底邊邊長為acm,高為ccm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,Zn的密度為________g·cm-3(列出計算式)。
22、通常情況下;氯化鈉;氯化銫、二氧化碳和二氧化硅的晶體結構分別如下圖所示。
(1)在NaCl的晶胞中,與Na+最近且等距的Na+有_____個,在NaCl的晶胞中有Na+_____個,Cl-____個。
(2)在CsCl的晶胞中,Cs+與Cl-通過_________結合在一起。
(3)1mol二氧化硅中有______mol硅氧鍵。
(4)設二氧化碳的晶胞密度為ag/cm3,寫出二氧化碳的晶胞參數(shù)的表達式為____nm(用含NA的代數(shù)式表示)評卷人得分五、結構與性質(共4題,共8分)23、【化學-選修3:物質結構與性質】
已知銅的配合物A(結構如下圖1)。請回答下列問題:
(l)Cu的簡化電子排布式為_____________。
(2)A所含三種元素C、N、O的第一電離能由大到小的順序為_________________。其中氮。
原子的雜化軌道類型為_____________________。
(3)配體氨基乙酸根(H2NCH2COO-)受熱分解可產(chǎn)生CO2和N2,N2中σ鍵和π鍵數(shù)目。
之比是_____________;N2O與CO2互為等電子體,且N2O分子中O只與一個N相連,則N2O
的電子式為____________________。
(4)在Cu催化下,甲醇可被氧化為甲醛(HCHO),甲醛分子中H-C=O的鍵角___________1200(選填“大于”、“等于”或“小于”),甲醛能與水形成氫鍵,請在圖2中表示出來___________。
(5)立方氮化硼(如圖3)與金剛石結構相似,是超硬材料。立方氮化硼晶體內B-N鍵數(shù)與硼原子數(shù)之比為__________;結構化學上用原子坐標參數(shù)表示晶胞內部各原子的相對位置,圖4立方氮化硼晶胞中,B原子的坐標參數(shù)分別有:B(0,0,0);B(1/2,0,1/2);B(1/2,1/2,0)等。則距離上述三個B原子最近且等距的N原子的坐標參數(shù)為_______________。24、含族的磷、砷()等元素的化合物在科學研究和工業(yè)生產(chǎn)中有許多重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
(1)下列狀態(tài)的磷中,電離最外層一個電子所需能量最小的是__________(填標號)。
A.B.C.D.
(2)常溫下是一種白色晶體,由兩種微粒構成。將其加熱至148℃熔化,形成一種能導電的熔體。已知兩種微粒分別與互為等電子體,則為________,其中心原子雜化軌道類型為________,為________。
(3)的分別為根據(jù)結構與性質的關系解釋遠大于的原因______________。
(4)的空間構型為_____________。
(5)砷化鎵屬于第三代半導體,它能直接將電能轉變?yōu)楣饽?,砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡?00倍,而耗能只有其10%。推廣砷化鎵等發(fā)光二極管()照明,是節(jié)能減排的有效舉措。已知砷化鎵的晶胞結構如圖所示,晶胞參數(shù)
①砷化鎵的化學式為__________,鎵原子的配位數(shù)為__________。
②砷化鎵的晶胞密度__________(列式并計算,精確到小數(shù)點后兩位),如圖是沿立方格子對角面取得的截圖,位置原子與位置原子的核間距x=________
25、半導體材料磷化硼(BP)可由BBr3和PBr3在高溫下合成。回答下列問題:
(1)基態(tài)P原子的價電子排布式為__________,同周期中第一電離能比P小的元素有______種。
(2)在水中的溶解度BBr3_______PBr3(填“>”或“<”),原因是_____________。
(3)一定溫度下PBr5能形成陰、陽離子個數(shù)比為1:1的導電熔體,經(jīng)測定其中P—Br鍵鍵長均相等。寫出該導電熔體中陽離子的電子式:_________,其中P原子的雜化軌道類型是_______。
(4)已知磷化硼晶體中P原子作A1型最密堆積,B原子填入四面體空隙中,相鄰P原子和B原子核間距為dcm,則該晶體中每個B原子周圍有_____個B原子與它距離最近,晶體密度為____g·cm-3(NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值),若某個P原子的坐標為(0,0,0),則晶胞中其余P原子的坐標為__________(寫出一個即可)。26、物質結構決定性質;新材料的不斷涌現(xiàn)有力地促進了社會進步,因此了解物質結構具有重要意義。試回答下列問題:
(1)基態(tài)鐵原子中未成對電子數(shù)為_________,在水溶液中常以Fe2+、Fe3+的形式存在,其中________更穩(wěn)定。
(2)OF2中氧元素的化合價為____,中心原子的雜化方式為___,OF2的分子極性比H2O的__________(選填“大”或“小”)。
(3)一種新型鋁離子電池中的電解質溶液由某種有機陽離子與AlCl4﹣、Al2Cl7﹣構成,AlCl4﹣的立體構型為_________,Al2Cl7﹣中的原子都是8電子結構,則Al2Cl7﹣的結構式為(配位鍵用“→”表示)__________。
(4)FeO晶體與NaCl晶體結構相似,要比較FeO與NaCl的晶格能大小,還需要知道的數(shù)據(jù)是___________;
(5)氮化鋁、氮化硼、氮化鎵晶體的結構與金剛石相似,它們晶體的熔點由高到低的順序是___________。
(6)NH3分子中∠HNH鍵角為106.7o,而配離子[Zn(NH3)6]2+中∠HNH鍵角為109.5o,配離子[Zn(NH3)6]2+中∠HNH鍵角變大的原因是_____。
(7)下圖是Fe3O4晶體的晶胞。
①晶胞中亞鐵離子處于氧離子圍成的______(選填“正方形”;“正四面體”或“正八面體”)空隙。
②晶胞中氧離子的堆積方式的名稱為________。
③若晶胞的體對角線長為anm,則Fe3O4晶體的密度為________g/cm3(阿伏加德羅常數(shù)用NA表示)。評卷人得分六、有機推斷題(共3題,共18分)27、短周期元素W;X、Y和Z的原子序數(shù)依次增大。金屬元素W是制備一種高效電池的重要材料;X原子的最外層電子數(shù)是內層電子數(shù)的2倍,元素Y是地殼中含量最豐富的金屬元素,Z原子的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的2倍。
(1)W元素的原子核外共有________種不同運動狀態(tài)的電子、_______種不同能量的電子。
(2)元素Z與元素X形成共價化合物XZ2是________(選填“極性”或“非極性”)分子,其電子式為________________。
(3)Y原子的最外層電子排布式為________________,Y元素最高價氧化物對應的水化物的電離方程式為________________________________________________。
(4)兩種非金屬元素中,非金屬性較強的元素是_______(寫元素符號),試寫出一個能說明這一事實的化學方程式______________________________。28、周期表中的五種元素A、B、D、E、F,原子序數(shù)依次增大,A的基態(tài)原子價層電子排布為nsnnpn;B的基態(tài)原子2p能級有3個單電子;D是一種富集在海水中的元素,含量位于海水中各元素的第三位;E2+的3d軌道中有10個電子;F位于第六周期;與Cu同族,其單質在金屬活動性順序表中排在末位。
(1)寫出E的基態(tài)原子的價層電子排布式___________。
(2)A、B形成的AB﹣常作為配位化合物中的配體,其A原子的雜化方式為________,AB﹣中含有的σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為________。
(3)FD3是一種褐紅色晶體,吸濕性極強,易溶于水和乙醇,無論是固態(tài)、還是氣態(tài),它都是以二聚體F2D6的形式存在,依據(jù)以上信息判斷FD3,晶體的結構屬于____晶體,寫出F2D6的結構式________。
(4)E、F均能與AB﹣形成配離子,已知E與AB﹣形成的配離子為正四面體形。F(+1價)與AB形成的配離子為直線形,工業(yè)上常用F和AB﹣形成的配離子與E反應來提取F單質,寫出E置換F的離子方程式_________________。
(5)F單質的晶體為面心立方最密堆積,若F的原子半徑為anm,F(xiàn)單質的摩爾的的質量為Mg/mol,阿伏加德羅常數(shù)為NA,求F單質的密度為______g/cm3。(用a、NA、M的代數(shù)式表示)29、原子序數(shù)依次增大的X;Y、Z、Q、E五種元素中;X元素原子核外有三種不同的能級且各個能級所填充的電子數(shù)相同,Z是地殼內含量(質量分數(shù))最高的元素,Q原子核外的M層中只有兩對成對電子,E元素原子序數(shù)為29。
用元素符號或化學式回答下列問題:
(1)Y在周期表中的位置為__________________。
(2)已知YZ2+與XO2互為等電子體,則1molYZ2+中含有π鍵數(shù)目為___________。
(3)X、Z與氫元素可形成化合物XH2Z,XH2Z分子中X的雜化方式為_________________。
(4)E原子的核外電子排布式為__________;E有可變價態(tài),它的某價態(tài)的離子與Z的陰離子形成晶體的晶胞如圖所示,該價態(tài)的化學式為____________。
(5)氧元素和鈉元素能夠形成化合物F,其晶胞結構如圖所示(立方體晶胞),晶體的密度為ρg··cm-3,列式計算晶胞的邊長為a=______________cm(要求列代數(shù)式)。參考答案一、選擇題(共5題,共10分)1、D【分析】【詳解】
A.同周期元素自左往右第一電離能呈增大趨勢,但是Mg的基態(tài)原子最外層為全滿狀態(tài),能量低不容易失去一個電子,Al的基態(tài)原子最外層電子以排布;容易失去一個電子形成穩(wěn)定結構,故基態(tài)原子的第一電離能Mg比Al高,故A錯誤;
B.對于Cr的3d軌道來說,5電子是半充滿狀態(tài),結構更穩(wěn)定,所以應采取的排布方式;故B錯誤;
C.的核外電子排布式為應有5種不同能量的電子;故C錯誤;
D.化合物中元素顯負價;說明其吸引電子的能力強,電負性強,即C元素比S元素的電負性弱,故D正確;
答案選D。2、A【分析】【分析】
由球棍模型可知,黑球為C,大白球為O,小白球為H,則T為HCHO,X不穩(wěn)定,易分解,則X為H2CO3;則Y為氧化劑,據(jù)此分析解答。
【詳解】
A.T轉化為X的過程中;斷裂的是C-H鍵,形成的是C-O鍵和O-H鍵,斷裂和形成的共價鍵類型相同,故A正確;
B.HCHO、H2CO3分子中都含有1個C=O,因此等物質的量的HCHO、H2CO3分子中含有π鍵的數(shù)目相等,但物質的量未定,故不一定為NA;故B錯誤;
C.X分子中含有的σ鍵個數(shù)為5;T分子中含有的σ鍵個數(shù)為3,不是2倍的關系,故C錯誤;
D.X為H2CO3;只含有極性鍵,故D錯誤;
故選A。3、D【分析】【分析】
【詳解】
A.CS2中C原子雜化方式是sp;無孤電子對,空間構型為直線形,結構對稱,所以是非極性分子,故A錯誤;
B.ClO3-中Cl原子的雜化軌道數(shù)是有1個孤電子對,空間構型為三角錐形,故B錯誤;
C.SF6中S原子價電子對數(shù)是6;S原子不滿足最外層8電子穩(wěn)定結構,故C錯誤;
D.SiF4和SO32-的中心原子均為sp3雜化,SiF4中Si原子無孤電子對,分子呈空間正四面體,SO32-中S原子有1個孤電子對;呈三角錐形,故D正確;
選D。4、B【分析】【詳解】
A.NaI、NaBr都形成離子晶體,由于離子半徑I->Br-,所以NaBr的晶格能大,熔點:NaI
B.由于離子半徑Mg2+2+;所以晶格能MgO>CaO,硬度MgO>CaO,B正確;
C.NaCl和NaBr都形成離子晶體,離子半徑Cl-
-,所以晶格能:NaCl>NaBr;C不正確;
D.CO2形成分子晶體,NaCl形成離子晶體,所以熔沸點:CO2
故選B。5、B【分析】【詳解】
A.在金屬晶體的最密堆積中;對于每個原子來說,在其周圍的原子有與之同一層上有六個原子和上一層的三個及下一層的三個,故每個原子周圍都有12個原子與之相連,對于銅原子也是如此,選項A不符合題意;
B.一般來說晶體的熔點:原子晶體>離子晶體>分子晶體,碳化硅為原子晶體,故熔點最高,白磷常溫下為固體,四氯化碳為液體,二氧化硫為氣體,則晶體的熔點SiC>P4>CCl4>SO2;選項B符合題意;
C.同一種元素的含氧酸,非羥基氧越多,酸性越強;HClO4、HClO3、HClO非羥基氧分別為3、2、0故酸性順序為:HClO4>HClO3>HClO;選項C不符合題意;
D、離子半徑F﹣<Cl﹣<Br﹣<I﹣,故離子鍵強度NaF>NaCl>NaBr>NaI,故晶格能NaF>NaCl>NaBr>NaI;選項D不符合題意;
答案選B。二、多選題(共8題,共16分)6、AC【分析】【分析】
A.分子晶體如果是單質中只存在非極性鍵;所以A錯;B.原子晶體中只存在共價鍵。
是正確的;故B正確;C.金屬晶體的熔沸點有高有低,如鎢的熔沸點很高,而金屬汞常溫下為液體,故C錯;D.稀有氣體的原子能形成分子晶體是正確的,故D正確。
【詳解】
所以本題的正確答案為:A.C。7、AC【分析】【詳解】
A、H2S和NH3均是價電子總數(shù)為8的極性分子,NH3的鍵角約為107°,而H2S的鍵角比H2O的?。?04.5°),接近90°,故H2S分子的鍵角較??;A錯誤;
B、HS﹣和HCl均是含一個極性鍵的18電子微粒;B正確;
C、CH2Cl2和CCl4均是四面體構型;前者是極性分子,后者是非極性分子,C錯誤;
D、1個D216O分子含10個質子,10個中子,10個電子,則1molD216O中含中子、質子、電子各10mol,即10NA;D正確;
故選AC。8、BC【分析】【分析】
已知X;Y、Z、W、R是原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素;X是周期表中原子半徑最小的元素,所以X是H;Y元素的最高正價與最低負價的絕對值相等,這說明Y是第ⅣA族元素;Z的核電荷數(shù)是Y的2倍,且是短周期元素,因此Y是C,Z是Mg;W的最外層電子數(shù)是其最內層電子數(shù)的3倍,且原子序數(shù)大于Mg的,因此W是第三周期的S;R的原子序數(shù)最大,所以R是Cl元素,據(jù)此解答。
【詳解】
根據(jù)以上分析可知X是H;Y是C,Z是Mg,W是S,R是Cl。
A.同周期自左向右原子半徑逐漸減??;則原子半徑:Z>W(wǎng)>R,故A正確;
B.W是S;R是Cl,非金屬性越強,其氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性越強,非金屬性:Cl>S,則對應的簡單氫化物的穩(wěn)定性前者小于后者,故B錯誤;
C.X是H,Z是Mg,W是S,H2S含有的化學鍵是極性共價鍵;MgS含有的化學鍵是離子鍵,因此W與X;W與Z形成的化合物的化學鍵類型完全不相同,故C錯誤;
D.X是H;Y是C,R是Cl,非金屬性越強,其電負性越強,三種元素中Cl的非金屬性最強,則電負性R>Y;X,故D正確;
答案選BC。9、AD【分析】【詳解】
A.根據(jù)抗壞血酸分子的結構可知,分子中以4個單鍵相連的碳原子采取sp3雜化,碳碳雙鍵和碳氧雙鍵中的碳原子采取sp2雜化;A選項正確;
B.氯化鋁在177.8℃時升華,熔沸點低,因此AlCl3為分子晶體,但AlCl3在水溶液中完全電離;屬于強電解質,B選項錯誤;
C.CO2是分子晶體,為直線形分子,而SiO2是原子晶體,沒有獨立的SiO2微粒;兩者結構不同,因此兩者不互為等電子體,C選項錯誤;
D.根據(jù)晶胞結構圖分析可知,C原子位于晶胞的體心,由幾何知識可知,該碳原子的坐標為();D選項正確;
答案選AD。
【點睛】
C選項為易錯點,解答時需理解:具有相同價電子數(shù)和相同原子數(shù)的分子或離子具有相同的結構特征,這一原理稱為等電子原理,滿足等電子原理的分子、離子或原子團稱為等電子體。10、AC【分析】【詳解】
A.HCl、HBr;HI均可形成分子晶體;其分子結構相似,相對分子質量越大則分子間作用力越大,所以熔、沸點依次升高與分子間作用力大小有關,故A正確;
B.氫鍵是比范德華力大的一種分子間作用力,水分子間可以形成氫鍵,H2S分子間不能形成氫鍵,因此H2O的熔、沸點高于H2S;與共價鍵的鍵能無關,故B錯誤;
C.碘分子為非極性分子,CCl4也為非極性分子;碘易溶于四氯化碳可以用相似相溶原理解釋,故C正確;
D.氫鍵不是化學鍵;故D錯誤;
故答案為AC。11、AB【分析】【詳解】
A.LiAlH4中的陰離子為Al中心Al原子有4條共價鍵,則雜化形式為sp3;A說法正確;
B.電子排布式(21Sc)1s22s22p63s23p63d14s2,其能量小于[Ar]3d3,排布穩(wěn)定,所以電子排布式1s22s22p63s23p63d3違反了能量最低原則;B說法正確;
C.氮氣分子間形成三對共價鍵,CN-與N2的結構相似,CH3CN分子中σ鍵與π鍵數(shù)目之比為5∶2;C說法錯誤;
D.SO2、NCl3都含有極性鍵,正負電荷重心不重合,都是極性分子,BF3含有極性鍵;正負電荷重心重合,屬于非極性分子,D說法錯誤;
答案為AB。12、BC【分析】【分析】
【詳解】
A.該分子為三角錐型結構;正負電荷重心不重合,所以為極性分子,A錯誤;
B.PH3分子中P原子最外層有5個電子;其中3個電子和3個H原子形成共用電子對,所以該物質中有1個未成鍵的孤對電子,B正確;
C.氮元素非金屬性強于磷元素,PH3中的P-H鍵的極性比NH3中N-H鍵的極性弱;C正確;
D.同種非金屬元素之間存在非極性鍵;不同非金屬元素之間存在極性鍵,所以P-H是極性鍵,D錯誤;
答案選BC。13、BC【分析】【詳解】
A.依據(jù)晶胞示意圖可以看出,晶胞的一個平面的長與寬不相等,再由圖中體心可知1個Ca2+周圍距離最近的C22-有4個;而不是6個,故A錯誤;
B.6.4克CaC2為0.1mol,CaC2晶體中含陰離子為C22-;則含陰離子0.1mol,故B正確;
C.該晶體中存在鈣離子和C22-間的離子鍵,C22-中存在C與C的共價鍵;故C正確;
D.晶胞的一個平面的長與寬不相等,與每個Ca2+距離相等且最近的Ca2+為4個;故D錯誤;
故選BC。
【點睛】
解答本題要注意區(qū)分該晶胞和氯化鈉晶胞的不同,該晶胞存在沿一個方向拉長的特點,為解答該題的關鍵和易錯點。三、填空題(共6題,共12分)14、略
【分析】【詳解】
(1)元素X的原子最外層電子排布式為則n=2,所以X為N元素,根據(jù)電子排布的能量最低原理,原子中能量最高的是2p電子;2p軌道上有三個未成對的電子,因而其電子云在空間內有3個互相垂直的伸展方向;元素X的名稱是氮;它的簡單氫化物為NH3,電子式為
(2)元素X的原子最外層電子排布式為則n=3,所以X為硫元素,那么X的元素符號為S;原子的軌道表示式為【解析】2p3氮S15、略
【分析】【分析】
SO3價層電子對數(shù)為PO43-價層電子對數(shù)為NCl3價層電子對數(shù)為CS2價層電子對數(shù)為
【詳解】
SO3價層電子對數(shù)為軌道雜化形式為sp2;VSEPR模型為平面三角形,由于孤對電子對數(shù)為0,分子構型為平面三角形;
PO43?價層電子對數(shù)為軌道雜化形式為sp3;VSEPR模型為四面體形,由于孤對電子對數(shù)為0,離子構型為正四面體形;
NCl3價層電子對數(shù)為軌道雜化形式為sp3;VSEPR模型為四面體形,由于孤對電子對數(shù)為1,分子構型為三角錐形;
CS2價層電子對數(shù)為軌道雜化形式為sp,VSEPR模型為直線形,由于孤對電子對數(shù)為0,分子構型為直線形;
故答案為:0、sp2、平面三角形;0、sp3、正四面體形;1、sp3、三角錐形;0、sp、直線形。【解析】。物質孤對電子對數(shù)軌道雜化形式分子或離子的形狀SO30sp2平面三角形PO43?0sp3正四面體NCl31sp3三角錐形CS20sp直線形16、略
【分析】【詳解】
(1)原子的核外電子排布式分別為原子的軌道處于全滿狀態(tài),所以的第一電離能比的小,原子的價電子軌道表示式為故答案為:小。
(2)形成配位鍵,必須有一方提供空軌道,另一方提供孤對電子,在氨硼烷中,原子可提供一對孤電子,原子有一個空軌道,與互為等電子體,故答案為:
(3)①由圖可知,硼酸中每個原子與原子形成3個鍵,即原子有3個成鍵軌道,且沒有孤電子對,故為雜化,溶質分子間形成的氫鍵不利于溶質的溶解,加熱時,硼酸的溶解度增大,可分析出,升溫時硼酸分子中的部分氫鍵被破壞,故答案為:雜化硼酸分子間通過氫鍵締合;加熱時,部分氫鍵被破壞。
②硼酸分子中,原子有一個空的軌道,可以接受電子對,根據(jù)路易斯酸堿理論可知,硼酸為路易斯酸,故答案為:硼酸分子中B原子有一個空軌道。
【點睛】
同周期,從左到右,第一電離能增大,但在短周期,第ⅡA族與第ⅢA族中:Be>B、Mg>Al,第ⅤA族與第ⅥA族中:N>O、P>S?!窘馕觥啃‰s化硼酸分子間通過氫鍵締合,加熱時,部分氫鍵被破壞硼酸分子中B原子有一個空軌道17、略
【分析】【分析】
【詳解】
試題分析:
(1)基態(tài)磷原子的價電子排布式為3s23p3,根據(jù)泡利原理和洪特規(guī)則可得價電子排布圖為
(2)根據(jù)價層電子對互斥理論,NCl3中氮原子含有的孤對電子對數(shù)是(5-1×3)÷2=1,N原子的價層電子對數(shù)為3+1=4,則NCl3的VSEPR模型名稱是四面體,中心原子雜化軌道屬于sp3雜化。
(3)根據(jù)等電子體的特點,原子總數(shù)相同、價電子總數(shù)相同的即為等電子體。N2O的原子個數(shù)為3個,價電子數(shù)為16。則由第二周期非金屬元素組成的等電子體分子為CO2。
(4)因NH3分子之間有氫鍵,沸點比PH3高。
(5)H-H鍵能為436KJ·mol-1,N-H鍵能為391KJ·mol-1,N≡N鍵能為945.6kJ?mol-1.。對于反應N2+3H22NH3的反應熱=反應物的總鍵能-生成物的總鍵能=945.6kJ?mol-1+436KJ·mol-1×3-391KJ·mol-1×6=-92.4KJ·mol-1,則生成2molNH3時;共放熱92.4KJ。
(6)NH3極易溶于水,是因為NH3和水都是極性分子,相似相溶;NH3和水分子之間有氫鍵;NH3和水要發(fā)生化學反應。
考點:考查價電子排布圖,價層電子對互斥理論,雜化,等電子體,相似相溶原理,氫鍵,鍵能等?!窘馕觥克拿嫘蝧p3雜化軌道CO2<NH3分子之間有氫鍵92.4NH3和水都是極性分子,相似相溶;NH3和水分子之間有氫鍵;NH3和水要發(fā)生化學反應18、略
【分析】【分析】
(1)根據(jù)表中數(shù)據(jù)判斷可知晶體硼熔沸點和硬度介于金剛石和晶體硅之間;判斷為原子晶體;
(2)在硼原子組成的正二十面體結構中,每5個面共用一個頂點,每個面擁有這個頂點的共20個等邊三角形;B-B鍵組成正三角形;每2個面共用一個B-B鍵,每個面擁有這個B-B鍵的據(jù)此答題。
【詳解】
(1)根據(jù)表中數(shù)據(jù)判斷可知晶體硼熔沸點和硬度介于金剛石和晶體硅之間,熔沸點、硬度都很大,可知晶體硼為原子晶體,
故答案為原子晶體;熔;沸點很高、硬度很大;
(2)在硼原子組成的正二十面體結構中,每5個面共用一個頂點,每個面擁有這個頂點的每個等邊三角形擁有的頂點為:×3=20個等邊三角形擁有的頂點為:×20=12;B-B鍵組成正三角形,則每個鍵角均為60°;每2個面共用一個B-B鍵,每個面擁有這個B-B鍵的每個等邊三角形占有的B-B鍵為:×3=20個等邊三角形擁有的B-B鍵為:×20=30。
【點睛】
明確頂點、棱、面心上每個原子被幾個晶胞占有是解本題關鍵。本題利用均攤法計算該晶胞中各種原子個數(shù),硼原子組成的正二十面體結構中,每5個面共用一個頂點,每個面擁有這個頂點的每個等邊三角形擁有的頂點為:×3=20個等邊三角形擁有的頂點為:×20=12?!窘馕觥竣?原子②.熔點高,硬度大,并且各數(shù)據(jù)均介于金剛石和晶體硅之間③.12④.60°⑤.3019、略
【分析】【分析】
【詳解】
略【解析】NaCl正八面體8四、計算題(共3題,共30分)20、略
【分析】【分析】
每個C周圍有4個硅,C和Si的最短距離為體對角線的四分之一,先計算金剛石晶胞中碳的個數(shù),再根據(jù)公式計算空間利用率。
【詳解】
⑴每個C周圍有4個硅,因此C的配位數(shù)為4;故答案為:4。⑵C和Si的最短距離為體對角線的四分之一,因此故答案為:188。⑶金剛石晶胞中有個碳,假設C的原子半徑為r,則金剛石晶胞參數(shù)為金剛石晶體中原子的空間利用率故答案為:34%?!窘馕觥?18834%21、略
【分析】【詳解】
題圖中原子的堆積方式為六方最密堆積。六棱柱底部正六邊形的面積=6×a2cm2,六棱柱的體積=6×a2ccm3,該晶胞中Zn原子個數(shù)為12×+2×+3=6,已知Zn的相對原子質量為65,阿伏伽德羅常數(shù)的值為NA,則Zn的密度ρ==g·cm-3?!窘馕觥苛阶蠲芏逊e(A3型)22、略
【分析】【分析】
(1)氯化鈉晶體中氯離子位于定點和面心;鈉離子位于邊和體心;
(2)陰;陽離子之間的靜電作用為離子鍵;
(3)二氧化硅是原子晶體;每個硅原子與4個氧原子形成硅氧鍵;
(4)晶胞中CO2分子數(shù)目為8+6=4,晶胞的質量為g,晶胞的體積為(anm)3=(a×10-7cm)3,晶胞的密度
【詳解】
(1)晶胞中位于體心的鈉離子和位于邊上Na+的短離最近,則最近且等距的Na+共有12個Na+;晶胞中Na+的個數(shù)為1+12=4,Na+的個數(shù)為8+6=4;
(2)在CsCl的晶胞中,Cs+與Cl-通過離子鍵結合在一起;
(3)二氧化硅是原子晶體;每個硅原子與4個氧原子形成硅氧鍵,則1mol二氧化硅中有4mol硅氧鍵;
(4)晶胞中CO2分子數(shù)目為8+6=4,晶胞的質量為g,晶胞的體積為(anm)3=(a×10-7cm)3,晶胞的密度則a=nm=nm。
【點睛】
均攤法確定立方晶胞中粒子數(shù)目的方法是:①頂點:每個頂點的原子被8個晶胞共有,所以晶胞對頂點原子只占份額;②棱:每條棱的原子被4個晶胞共有,所以晶胞對頂點原子只占份額;③面上:每個面的原子被2個晶胞共有,所以晶胞對頂點原子只占份額;④內部:內部原子不與其他晶胞分享,完全屬于該晶胞?!窘馕觥?244離子鍵4五、結構與性質(共4題,共8分)23、略
【分析】【詳解】
本題考查過渡元素Cu及其化合物的結構;電子排布、雜化軌道、晶體結構等物質結構的有關知識點。根據(jù)Cu的原子結構和電子排布規(guī)律、雜化軌道及分子構型的知識和晶體的類型以及晶包有關知識來解答此題。
(1)基態(tài)Cu原子核外有29個電子,外圍電子排布式為3d104s1,全充滿結構,穩(wěn)定。簡化電子排布式為[Ar]3d104S1
(2)同周期主族元素從左到右第一電離能呈增大趨勢,第ⅡA族和第ⅤA族元素反常,N原子外圍電子排布為2s22p3,為半充滿結構,較穩(wěn)定,N的電離能最大,C、N、O的第一電離能由大到小的順序為N>O>C。氮原子有4個雜化軌道,所以為SP3雜化。
(3)N2的結構式為N≡N,含1個σ鍵和2個π鍵,所以σ鍵和π鍵數(shù)目比為1:2,N2O與CO2互為等電子體,且N2O分子中O只與一個N相連,則N2O結構與CO2相似,所以其結構為N=N=O,電子式為
(4)甲醛分子中,碳原子為sp2雜化,分子成平面三角型,鍵角約120°,由于氧原子有孤電子對,對氫原子有排斥作用,所以OCH鍵角會稍大于120°,羰基氧有很強的電負性,與H2O中H有較強的靜電吸引力,而形成氫鍵。
(5)由圖可知,一個B原子與4個N原子形成4個B-N共價鍵,B-N鍵數(shù)與硼原子數(shù)之比為4:1,根據(jù)各個原子的相對位置可知,距離上述三個B原子最近且等距的N原子在x、y、z軸三個方向的1/4處,所以其坐標是()
點睛:本題最后一問,求原子的坐標參數(shù),學生缺乏想象力,較難理解,立方體的每個頂角原子的坐標均為(0,0,0,)從每個頂角引出3維坐標軸xyz,N原子位于每個軸的1/4處,即可判斷N的坐標?!窘馕觥縖Ar]3d104s1N>O>Csp3雜化1:2大于4:1(1/4,1/4,1/4)24、略
【分析】【分析】
(1)根據(jù)圖示判斷微粒的電離能狀態(tài);結合電離最外層的一個電子需要的能量:基態(tài)大于激發(fā)態(tài),第一電離能小于第二電離能小于第三電離能小于第四電離能分析判斷;
(2)PCl5是一種白色晶體,在恒容密閉容器中加熱可在148℃液化,形成一種能導電的熔體,說明生成自由移動的陰陽離子,一種正四面體形陽離子是PCl4+和一種正六面體形陰離子是PCl6-,即發(fā)生反應為:2PCl5=PCl4++PCl6-;
(3)根據(jù)磷酸的電離平衡常數(shù)進行解答;
(4)根據(jù)中心原子價層電子互斥理論分析判斷;
(5)①根據(jù)砷化鎵晶胞的結構圖,m位置Ga原子,n位置As原子,利用均攤法可知,晶胞中含有Ga原子數(shù)為8×+6×=4;含有As原子數(shù)為4,據(jù)此判斷其化學式,根據(jù)晶胞圖可知,鎵原子周圍距離最近的砷原子數(shù)為4,據(jù)此答題;
②晶胞的邊長為565pm,所以晶胞的體積為(565pm)3,根據(jù)ρ=計算密度,晶胞的邊長為565pm,所以晶胞的體對角線為×565pm,m位置Ga原子與n位置As原子之間的距離應為晶胞體對角線的據(jù)此計算。
【詳解】
(1)A.為磷原子的基態(tài)原子核外電子排布圖,失去最外層一個電子,為第一電離能;
B.為磷原子的基態(tài)原子失去兩個電子的核外電子排布圖;再失去最外層一個電子,為第三電離能;
C.為磷原子的基態(tài)原子失去一個電子的核外電子排布圖,再失去最外層一個電子,為第二電離能;
D.為磷原子的基態(tài)原子失去三個電子的核外電子排布圖;再失去最外層一個電子,為第四電離能;
結合電離最外層的一個電子需要的能量:基態(tài)大于激發(fā)態(tài);第一電離能小于第二電離能小于第三電離能小于第四電離能,故電離最外層一個電子所需能量最小的是A,答案選A。
(2)PCl5是一種白色晶體,在恒容密閉容器中加熱可在148℃液化,形成一種能導電的熔體,說明生成自由移動的陰陽離子,一種正四面體形陽離子是PCl4+和一種正六面體形陰離子是PCl6?,即發(fā)生反應為:2PCl5=PCl4++PCl6?,已知A.B兩種微粒分別與CCl4、SF6互為等電子體,則A為:PCl4+,PCl4+中P沒有孤電子對。含四個σ鍵,所以原子雜化方式是sp3,B為:PCl6?;
(3)相同條件下K越大,酸的電離程度越大,所以相同條件下,電離平衡常數(shù)越小,表示弱電解質的電離能力越弱,多元弱酸分步電離,電離程度依次減小,從H3PO4的Kl、K2、K3分別為7.6×10-3、6.3×10-8、4.4×10-13看出:磷酸第一步電離出氫離子后變?yōu)殛庪x子,生成的陰離子發(fā)生第二步電離時,第一步產(chǎn)生的氫離子對生成的陰離子的電離起抑制作用,使陰離子的第二步電離平衡逆向移動,導致難電離出帶正電荷的氫離子,因此Kl遠大于K2;
(4)的中心原子P的價層電子對數(shù)=4+=4,則P原子為sp3雜化;五個原子構成的微粒,空間構型為正四面體;
(5)①根據(jù)砷化鎵晶胞的結構圖,m位置Ga原子,n位置As原子,利用均攤法可知,晶胞中含有Ga原子數(shù)為8×+6×=4;含有As原子數(shù)為4,其化學式為GaAs,根據(jù)晶胞圖可知,鎵原子周圍距離最近的砷原子數(shù)為4,所以鎵原子的配位數(shù)為4;
②晶胞的邊長為565pm,所以晶胞的體積為(565pm)3,所以晶體的密度為g/cm3=5.34g/cm3,晶胞的邊長為565pm,所以晶胞的體對角線為×565pm,m位置Ga原子與n位置As原子之間的距離應為晶胞體對角線的所以Ga原子與As原子之間的距離為pm。【解析】第一步電離出的氫離子抑制了第二步的電離正四面體425、略
【分析】【詳解】
(1)P在第三周期,第VA族,基態(tài)P原子的價電子排布式為3s23p3,同周期中第一電離能比P小的元素有Na、Mg、Al、Si、S共5種。(2)在水中的溶解度BBr33,原因是BBr3為非極性分子而PBr3為極性分子。(3)導電熔體中陽離子的電子式:P形成4個δP-Br,所以其中P原子的雜化軌道類型是sp3。(4)磷化硼晶體中P原子作A1型最密堆積,B原子填入四面體空隙中,相鄰P原子和B原子核間距為dcm,晶胞的邊長為則該晶體中每個B原子周圍有12個B原子與它距離最近,該晶胞中磷原子個數(shù)是8×1/8+6×1/2=4,硼原子個數(shù)4,晶體密度為g·cm-3(NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值),若某個P原子的坐標為(0,0,0),則晶胞中其余P原子的坐標為(0)(寫出一個即可)。
點睛:難點(4)根據(jù)“磷化硼晶體中P原子作A1型最密堆積,B原子填入四面體空隙中,相鄰P原子和B原子核間距為dcm,”畫出晶胞圖,再求出晶胞的邊長為再求出密度?!窘馕觥?s23p35<BBr3為非極性分子而PBr3為極性分子sp312(0)26、略
【分析】【詳解】
試題分析:(1)根據(jù)電子排布式或軌道表示式進行判斷。(2)根據(jù)元素的非金屬性和電負性以及價層電子對互斥理論進行判斷。(3)根據(jù)價層電子對互斥理論進行判斷。(4)影響晶格能的因素有配位數(shù);離子半徑和離子電荷。(5)原子半徑越?。辉泳w中共價鍵的鍵長越短,則共價鍵越強,晶體的熔點越高。(6)根據(jù)價層電子對互斥理論進行解釋。(7)根據(jù)配位數(shù)判斷堆積方式,根據(jù)晶胞的質量和體積求晶體的密度。
(1)基態(tài)鐵原子的電子排布式為[Ar]3d64s2,根據(jù)洪特規(guī)則和泡利不相容原理,3d軌道的6個電子要占據(jù)其全部5個軌道,故其中未成對電子數(shù)為4。鐵在水溶液中常以Fe2+、Fe3+的形式存在,其中基態(tài)Fe3+電子排布式為[Ar]3d5;其3d軌道為較穩(wěn)定的半充滿狀態(tài),故其更穩(wěn)定。
(2)F是非金屬性最強的元素,其最外層有7個電子,故OF2中氧元素的化合價為+2,中心原子O的價層電子對數(shù)是4,故其雜化方式為sp3。OF2和H2O的分子空間構型相似,O與F之間的電負性的差值小于H和O的電負性差值,故OF2的分子極性比H2O的小。
(3)AlCl4﹣的中心原子的價層電子對數(shù)為4,故其立體構型為正四面體,Al2Cl7﹣中的原子都是8電子結構,則可知Al2Cl7﹣的Al原子各形成了一個配位鍵,其結構式為
(4)FeO晶體與NaCl晶體結構相似;影響晶格能大小的因素有配位數(shù);離子半徑和離子電荷,故要比較FeO與NaCl的晶格能大小,還需要知道的數(shù)據(jù)是離子半徑大??;
(5)氮化鋁;氮化硼、氮化鎵晶體的結構與金剛石相似;都是原子晶體,它們晶體的熔點由其共價鍵的鍵長決定,鍵長越短則共價鍵越強,其熔點越高,因為B、Al、Ga的原子半徑依次增大,故熔點由高到低的順序是氮化硼>氮化鋁>氮化鎵。
(6)NH3分子中∠HNH鍵角為106.7o,而配離子[Zn(NH3)6]2+中∠HNH鍵角為109.5o,由價層電子對互斥理論可知,配離子[Zn(NH3)6]2+中∠HNH鍵角變大的原因是:NH3分子中N原子的孤電子對進入Zn2+的空軌道形成配離子后;原孤電子對與N-H鍵的成鍵電子對間的排斥作用變?yōu)槌涉I電子對之間的排斥,排斥作用減弱。
(7)①由Fe3O4晶體的晶胞結構示意圖可知;晶胞中亞鐵離子處于氧離子圍成的正四面體空隙。
②晶胞中與每氧離子最近且等距的氧離子有12個;故其堆積方式為面心立方最密堆積。
③根據(jù)均攤法,由Fe3O4晶體的晶胞結構示意圖可以求出該晶胞中氧離子、鐵離子和亞鐵離子分別有4、2、1個,故每個晶胞中只有一個Fe3O4。晶胞的體對角線長為anm,則晶胞的邊長為故NA個晶胞的質量和體積分別是232g和則Fe3O4晶體的密度為g/cm3?!窘馕觥?Fe3++2sp3小正四面體離子半徑大小氮化硼>氮化鋁>氮化鎵NH3分子中N原子的孤電子對進入Zn2+的空軌道形成配離子后,原孤電子對與N-H鍵的成鍵電子對間的排斥作用變?yōu)槌涉I電子對之間的排斥,排斥作用減弱正四面體面心立方最密堆積六、有機推斷題(共3題,共18分)27、略
【分析】【分析】
X原子最外層電子數(shù)是內層電子數(shù)的2倍可知X為C;地殼中含量最豐富的金屬元素是Al(Y),Z最外層電子數(shù)是電子層數(shù)的2倍可知Z為S,由四種元素原子序數(shù)依次增大且W是制造高效電池的材料可知W為Li。
【詳解】
(1)同一個原子中沒有運動狀態(tài)完全相同的電子,Li原子序數(shù)為3,電子數(shù)也為3,所以W原子核外有3種不同運動狀態(tài)的電子,Li核外電子排布式為1s22s1;所以有兩種不同能量的電子,故答案為:3;2;
(2)CS2是結構對稱的共價化合物,屬于非極性分子,分子中含有兩個碳硫雙鍵,電子式為故答案為:非極性;
(3)Al的原子序數(shù)為13,最外層有3個電子,電子排布式為3s23p1;Al最高價氧化物對應水化物為氫氧化鋁,
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