薄膜物理薄膜物理講義教材

薄膜物理

ThinFilmPhysics材料物理與化學(xué)系DepartmentofMaterialsPhysicsandChemistry緒論薄膜的概念薄膜是薄的物體的總稱現(xiàn)在所說的薄膜是指固體材料，也就是說是固體薄膜薄膜的厚度標(biāo)準(zhǔn)：說法不太統(tǒng)一緒論薄膜技術(shù)已經(jīng)滲透到現(xiàn)代科技和國民經(jīng)濟的各個領(lǐng)域，如航空航天、醫(yī)藥、能源、交通、通信和信息等。另外，在器件的高速化、高集成化、小型化、輕量化方面，薄膜技術(shù)作出了重大的貢獻

薄膜基本制備技術(shù)

薄膜物理基礎(chǔ)薄膜制備設(shè)備往往涉及真空系統(tǒng)目前，人們所廣泛使用的很多表面分析設(shè)備都具有真空系統(tǒng)緒論薄膜的制備技術(shù)

氣相沉積法

溶液鍍膜法緒論氣相沉積法

物理氣相沉積法(PVD)化學(xué)氣相沉積法(CVD)真空蒸發(fā)鍍膜法濺射鍍膜法分子束外延鍍膜法激光蒸發(fā)鍍膜法離子鍍膜法離子束輔助沉積緒論APCVDLPCVDPECVDL-CVD溶液鍍膜法

電沉積法陽極氧化法溶膠-凝膠法LB膜的制備緒論薄膜物理基礎(chǔ)薄膜的形成過程薄膜的結(jié)構(gòu)與缺陷薄膜的性質(zhì)：電學(xué)、磁學(xué)、力學(xué)及半導(dǎo)體的性質(zhì)緒論緒論緒論緒論電學(xué)薄膜薄膜材料按其功能及應(yīng)用的領(lǐng)域可分：光學(xué)薄膜硬質(zhì)膜、耐蝕膜、潤滑膜有機分子薄膜裝飾膜緒論第一章緒論第二章真空技術(shù)基礎(chǔ)第三章薄膜的物理氣相沉積法9第四章薄膜的化學(xué)氣相沉積法3第五章溶液鍍膜法3第六章薄膜的形成與生長1第七章薄膜的結(jié)構(gòu)與缺陷1第八章薄膜分析1第九章薄膜的性質(zhì)1本課程主要學(xué)習(xí)的內(nèi)容與章節(jié)安排：11薄膜物理與技術(shù)楊邦朝電子科技大學(xué)出版社2薄膜材料制備原理、技術(shù)及應(yīng)用唐偉忠冶金工業(yè)出版社3薄膜材料與薄膜技術(shù)鄭偉濤化學(xué)工業(yè)出版社4薄膜技術(shù)與薄膜材料田民波清華大學(xué)出版社5新型電子薄膜材料陳光華化學(xué)工業(yè)出版社緒論參考教材第二章真空技術(shù)基礎(chǔ)第一節(jié)真空的基本知識第二節(jié)稀薄氣體的基本性質(zhì)第三節(jié)真空的獲得第四節(jié)真空的測量

物理氣相沉積法中的真空蒸發(fā)、濺射鍍膜和離子鍍等是基本的薄膜制備技術(shù)。它們均要求沉積薄膜的空間有一定的真空度。

真空技術(shù)基礎(chǔ)真空技術(shù)是薄膜制備的基礎(chǔ)

一、真空及其單位第一節(jié)真空的基本知識真空的概念？在給定的空間內(nèi)，氣體的壓強低于一個大氣壓的狀態(tài)，稱為真空真空是什么物質(zhì)都不存在嗎？真空的基本知識P：壓強（Pa）n：氣體分子密度（個/m3）V：體積（m3）m：氣體質(zhì)量（kg）M：氣體分子量（kg/mol）T：絕對溫度（K）k：玻爾茲曼常數(shù)（1.3810-23J/K）R：氣體普適常數(shù)（8.314J/K?mol）真空的基本知識n=7.2×1022P/T(個／m3)在標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下，任何氣體分子密度為３×1019個／cm3當(dāng)P=1.3×10-11Pa的真空度時T=293K則

n=4×103個／cm3

目前，即使采用最先進的真空制備手段所能達到的最低壓強下，每立方厘米的體積中仍然有幾百個氣體分子真空是相對的，絕對的真空是不存在的。通常所說的真空是一種相對的真空(NA：阿伏伽德羅常數(shù))真空的基本知識怎樣表示真空程度？真空度和壓強是兩個概念，不能混淆。壓強越低真空度越高，反之真空度越低壓強越高真空度壓強氣體分子密度：單位體積中氣體分子數(shù)氣體分子的平均自由程形成一個分子層所需的時間等真空的基本知識壓強的表示方法：國際單位：帕斯卡(Pascal)其它單位：托(Torr)毫米汞柱(mmHg)毫巴(bar)

大氣壓(atm)真空的基本知識１托(Torr)＝１毫米汞柱(mmHg)１大氣壓(atm)=760毫米汞柱(mmHg)=1.013×105帕斯卡(Pascal)單位帕/Pa托/Torr毫巴/mba標(biāo)準(zhǔn)大氣壓1Pa17.5×10-3

1×10-2

9.87×10-6

1Torr133.311.3331.316×10-3

1mba1000.7519.87×10-4

1atm1.013×1057601.013×103

1幾種壓強單位的換算關(guān)系真空的基本知識低真空：１×105～１×102

帕中真空：１×102～１×10-1

帕高真空：１×10-1～１×10-6

帕超高真空：＜１×10-6

帕二、真空區(qū)域的劃分低真空(１×105～１×102)帕：氣體空間的特性和大氣差不多，氣體分子數(shù)目多，并仍以熱運動為主，分子之間的碰撞十分頻繁，氣體分子的平均自由程很短。通常，在此真空區(qū)域內(nèi)，使用真空技術(shù)的目的是為了獲得壓力差，而不要求改變空間的性質(zhì)真空各區(qū)域的氣體分子運動性質(zhì)各不相同真空的基本知識中真空：氣體分子密度與大氣時有很大差別，氣體的帶電粒子在電場的作用下，會產(chǎn)生氣體導(dǎo)電現(xiàn)象。這時，氣體的流動也狀態(tài)逐漸從粘稠滯流狀態(tài)過渡到分子狀態(tài)，氣體分子的動力學(xué)性質(zhì)明顯，氣體的對流現(xiàn)象完全消失

高真空：氣體分子密度更加降低，容器中分子數(shù)很少。因此氣體分子在運動過程中相互間的碰撞很少，氣體分子的平均自由程已大于一般真空容器的限度。在高真空下蒸發(fā)的材料，粒子將按直線飛行。另外，容器空間的任何物體與殘余氣體分子的化學(xué)作用也十分微弱。這種狀態(tài)下，氣體的熱傳導(dǎo)和內(nèi)摩擦已變得與壓強無關(guān)超高真空：氣體分子間碰撞極少，氣體分子主要與器壁相碰撞緒論緒論真空的基本知識三、氣體與蒸氣臨界溫度：對于每種氣體都有一個特定的溫度，高于此溫度時，氣體無論如何壓縮都不會液化，這個溫度稱為該氣體的臨界溫度

溫度高于臨界溫度的氣態(tài)物質(zhì)稱為氣體溫度低于臨界溫度的氣態(tài)物質(zhì)稱為蒸氣但通常以室溫為標(biāo)準(zhǔn)來區(qū)分氣體和蒸氣

氣體與蒸氣的區(qū)分依賴于臨界溫度

真空的基本知識各種物質(zhì)的臨界溫度物質(zhì)臨界溫度(℃)物質(zhì)臨界溫度氮(N2)-267.8氬(Ar)-12.4氫(H2)-241.0氧(O2)-118.0氖(Ne)-228.0氪(Kr)-62.5空氣-140.0氙(Xe)14.7乙醚194.0二氧化碳(CO2)31.0氨(NH3)132.4鐵(Fe)3700.0酒精243.0甲烷(CH4)-82.5水(H2O)374.2氯(Cl2)144汞(Hg)1450.0一氧化碳(CO)-140.2可以看出，氮、氫、氬、氧和空氣等物質(zhì)的臨界溫度遠低于室溫，所以常溫下它們是氣體；水蒸氣、有機物質(zhì)和氣態(tài)金屬的臨界溫度遠高于室溫，所以常溫下它們是蒸氣

第二節(jié)

稀薄氣體的基本性質(zhì)Ideal-GasLaw

玻義爾定律蓋?呂薩克定律查理定律玻義爾定律：一定質(zhì)量的氣體，在恒定溫度下，氣體的壓強與體積的乘積為常數(shù)。

PV=C

或P1V1

=P2V2稀薄氣體的基本性質(zhì)蓋?呂薩克定律：一定質(zhì)量的氣體，在壓強一定時，氣體的體積與絕對溫度成正比。

V=CT

或V1/T1=V2/T2查理定律：一定質(zhì)量的氣體，如果保持體積不變，則氣體的壓強與絕對溫度成正比。

P=CT

或P1/T1=P2/T2

稀薄氣體的基本性質(zhì)一、氣體分子的運動速度及其分布氣體分子運動論認為：氣體的大量分子每時每刻都處于無規(guī)則的熱運動之中，其平均速度取決于氣體所具有的溫度；同時，在氣體分子之間以及氣體分子與容器壁之間，發(fā)生著不斷的碰撞過程，這種碰撞過程的結(jié)果之一是使氣體分子的速度服從一定的統(tǒng)計分布。氣體分子的運動速度υ服從麥克斯韋爾-玻耳茲曼(Maxwell-Boltzmann)分布：稀薄氣體的基本性質(zhì)M：氣體分子的相對原子質(zhì)量T：熱力學(xué)溫度R：氣體常數(shù)上式表明：氣體分子的速度分布只取決于分子的相對原子質(zhì)量M與氣體熱力學(xué)溫度T

的比值。稀薄氣體的基本性質(zhì)氣體分子的速度具有很大的分布空間。溫度越高、氣體分子的相對原子質(zhì)量越小，分子的平均運動速度越大

稀薄氣體的基本性質(zhì)不同種類氣體分子的平均運動速度也只與T/M的平方根成正比在常溫條件下，一般氣體分子的運動速度是很高的。比如在T=300K時，空氣分子的平均運動速度υa≈460m/s氣體分子的平均運動速度稀薄氣體的基本性質(zhì)最可幾速度——用于討論速度分布平均速度

——用于計算分子運動的平均距離均方根速度——用于計算分子的平均動能稀薄氣體的基本性質(zhì)二、氣體分子的平均自由程其統(tǒng)計平均值：

每個分子在連續(xù)兩次碰撞之間的路程稱為自由程

稱為平均自由程

平均自由程與分子密度n和分子直徑σ的平方成反比關(guān)系

平均自由程與壓強成反比，與溫度成正比

稀薄氣體的基本性質(zhì)若氣體種類和溫度一定的情況下在25℃的空氣情況下或稀薄氣體的基本性質(zhì)三、碰撞次數(shù)與余弦定律入射頻率：單位時間內(nèi)，在單位面積的器壁上發(fā)生碰撞的分子數(shù)，用v表示n：氣體分子的密度va：氣體分子的平均速度

上述公式稱為赫茲-克努森(Hertz-Knudsen)公式，它是描述氣體分子熱運動的重要公式

稀薄氣體的基本性質(zhì)單位時間碰撞單位固體表面分子數(shù)的另一表達式例如，對于20℃的空氣，則有v20=2.86×1018P

(個／cm2·s)

式中P的單位為帕(Pa)

M40，T293KP10-3Pa則有v20=2.4×1015P(個／cm2·s)

式中P的單位為帕(Pa)

稀薄氣體的基本性質(zhì)碰撞于固體表面的分子，它們飛離表面的方向與原入射方向無關(guān)，并按與表面法線方向所成角度θ的余弦進行分布。則一個分子在離開其表面時，處于立體角dω(與表面法線成θ角)中的幾率是：氣體分子從表面的反射－余弦定律式中1/π是歸一化條件，即位于2π立體角中的幾率為1而出現(xiàn)的稀薄氣體的基本性質(zhì)余弦定律的重要意義在于：(1)它揭示了固體表面對氣體分子作用的另一個方面，即將分子原有的方向性徹底“消除”，均按余弦定律散射(2)分子在固體表面要停留一定的時間，這是氣體分子能夠與固體進行能量交換和動量交換的先決條件，這一點有重要的實際意義第三節(jié)真空的獲得真空系統(tǒng)應(yīng)包括：待抽空的容器(真空室)獲得真空的設(shè)備(真空泵)

測量真空的器具(真空計)

必要的管道、閥門和其他附屬設(shè)備

判斷真空系統(tǒng)能否滿足鍍膜的兩個指標(biāo)：系統(tǒng)所能達到的最低壓強抽氣的速率

真空的獲得前級泵：能使壓力從一個大氣壓開始變小，進行排氣的泵常稱為“前級泵”次級泵：只能從較低壓力抽到更低壓力的真空泵稱為“次級泵”極限真空：任何一個真空系統(tǒng)，都不可能得到絕對真空，而是具有一定的壓強，稱為極限壓強或極限真空抽氣速率：指