【KS5U原創(chuàng)】新課標(biāo)2021年高二暑假化學(xué)作業(yè)(九)

新課標(biāo)2021年高二暑假化學(xué)作業(yè)（九）一選擇題(共7個(gè)小題)1.下列表示式錯(cuò)誤的是（）A．Na+的軌道表示式：B．Na+的結(jié)構(gòu)示意圖：C．Na的電子排布式：1s22s22p63s1D．Na的簡(jiǎn)化電子排布式：[Ne]3s12.下列組合不能形成配位鍵的是（）A．Ag+、NH3

B．H2O、H+

C．CO3+、CO

D．Ag+、H+3.用價(jià)層電子對(duì)互斥理論（VSEPR）可以猜想很多分子或離子的空間構(gòu)型，有時(shí)也能用來推想鍵角大小，下列推斷正確的是（）A．SO2、CS2、HI都是直線形的分子B．BF3鍵角為120°，SnBr2鍵角大于120°C．COCl2、BF3、SO3都是平面三角形的分子D．PCl3、NH3、PCl5都是三角錐形的分子4.具有下列電子層結(jié)構(gòu)的原子和離子，其對(duì)應(yīng)元素確定屬于同一周期的是(

)A．兩原子N層上都有1個(gè)s電子，一個(gè)原子有d電子，另一個(gè)原子無d電子B．最外層電子排布為2s22p6的原子和最外層電子排布為2s22p6的離子C．原子核外M層上的s、p能級(jí)都布滿電子，而d能級(jí)上沒有電子的兩種原子D．兩原子核外全部都是s電子5.下列各組物質(zhì)熔化或氣化時(shí)，所克服的微粒間的作用力屬同種類型的是A．SiO2和CaO的熔化

B．氧化鈉和鐵的熔化C．碘和干冰的氣化

D．晶體硅和晶體硫的熔化6.下列關(guān)于晶體的說法確定正確的是（）A．分子晶體中都存在共價(jià)鍵B．CaTiO3晶體中每個(gè)Ti4+和12個(gè)O2﹣相緊鄰C．SiO2晶體中每個(gè)硅原子與兩個(gè)氧原子以共價(jià)鍵相結(jié)合D．金屬晶體的熔點(diǎn)都比分子晶體的熔點(diǎn)高7.北京高校和中國(guó)科學(xué)院的化學(xué)工作者已成功研制出堿金屬與C60形成的球碳鹽K3C60，試驗(yàn)測(cè)知該物質(zhì)屬于離子晶體，有良好的超導(dǎo)性。下列關(guān)于K3C60的組成和結(jié)構(gòu)分析正確的是（▲）A．K3C60中既有離子鍵，又有共價(jià)鍵B．1molK3C60中含有的離子數(shù)目為63×6.02×1023C．通常條件下該晶體有良好的導(dǎo)電性D．該物質(zhì)的化學(xué)式可寫為KC20

二、填空題（本題共3道小題）8.A、B、C、D、代表4種元素，請(qǐng)完成下列問題（1）A元素的負(fù)一價(jià)離子的電子層結(jié)構(gòu)與氬相同，B元素的正一價(jià)離子的電子層結(jié)構(gòu)與氙相同，A、B形成的化合物的化學(xué)式為

．（2）C元素的正三價(jià)離子的3d軌道為半布滿狀態(tài)，C元素的符號(hào)為

．在同期表中位置

，其基態(tài)原子的價(jià)電子排布圖為

．（3）D元素基態(tài)原子的M層全布滿，N層沒有成對(duì)電子，只有1個(gè)未成對(duì)電子，其硫酸鹽逐滴加入氨水生成難溶物的離子方程式為

，連續(xù)添加氨水，難溶物溶解，得到深藍(lán)色溶液的離子方程為

，寫出陽離子的結(jié)構(gòu)式

．

9.鹵族元素包括F、Cl、Br等．（1）下面曲線表示鹵族元素某種性質(zhì)隨核電荷數(shù)的變化趨勢(shì)，正確的是

．（2）利用“鹵化硼法”可合成含B和N兩種元素的功能陶瓷，如圖為其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖，則每個(gè)晶胞中含有B原子的個(gè)數(shù)為，該功能陶瓷的化學(xué)式為

．（3）BCl3和NCl3中心原子的雜化方式分別為

和

．第一電離能介于B、N之間的其次周期元素有

種．（4）若BCl3與XYn通過B原子與X原子間的配位鍵結(jié)合形成協(xié)作物，則該協(xié)作物中供應(yīng)孤對(duì)電子的原子是

．10.[化學(xué)——選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]碳及其化合物廣泛存在于自然界中。回答下列問題：（1）處于確定空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子在原子核外毀滅的概率密度分布可用

形象化描述。在基態(tài)14C原子中，核外存在

對(duì)自旋相反的電子。（2）碳在形成化合物時(shí)，其鍵型以共價(jià)鍵為主，緣由是

。（3）CS2分子中，共價(jià)鍵的類型有

，C原子的雜化軌道類型是

，寫出兩個(gè)與CS2具有相同空間構(gòu)型和鍵合形式的分子或離子

。（4）CO能與金屬Fe形成Fe(CO)5，該化合物熔點(diǎn)為253K，沸點(diǎn)為376K，其固體屬于

晶體。（5）碳有多種同素異形體，其中石墨烯與金剛石的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示：石墨烯晶體

金剛石晶體①在石墨烯晶體中，每個(gè)C原子連接

個(gè)六元環(huán)，每個(gè)六元環(huán)占有

個(gè)C原子。②在金剛石晶體中，C原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán)，每個(gè)C原子連接

個(gè)六元環(huán)，六元環(huán)中最多有

個(gè)C原子在同一平面。

試卷答案1.A考點(diǎn)：原子核外電子排布；原子結(jié)構(gòu)示意圖．分析：鈉原子的電子排布式為1s22s22p63s1，或?qū)憺閇Ne]3s1，Na+的原子核內(nèi)有11個(gè)質(zhì)子，核外有10個(gè)電子，Na為金屬元素，易失去電子，所以其價(jià)電子排布式為：3s1，軌道表示式用箭頭“↑”或“↓”來區(qū)分自旋方向的不同電子，每個(gè)軌道最多容納2個(gè)電子且自旋方向相反，據(jù)此分析解答．解答：解：A．軌道表示式用一個(gè)方框或圓圈表示能級(jí)中的軌道，用箭頭“↑”或“↓”來區(qū)分自旋方向的不同電子，每個(gè)軌道最多容納2個(gè)電子，2個(gè)電子處于同一軌道內(nèi)，且自旋方向相反，所以Na+的軌道表示式：，故A錯(cuò)誤；B．Na+的原子核內(nèi)有11個(gè)質(zhì)子，核外有10個(gè)電子，結(jié)構(gòu)示意圖為，故B正確；C．鈉原子的電子排布式為1s22s22p63s1，或?qū)憺閇Ne]3s1，故C正確；D．鈉原子的簡(jiǎn)化電子排布式為[Ne]3s1，故D正確；故選A．點(diǎn)評(píng)：本題考查原子核外電子排布，為高考常見題型，難度不大，留意把握原子核外電子的排布規(guī)律，把握電子排布式和軌道式的書寫方法．2.D考點(diǎn)：協(xié)作物的成鍵狀況．分析：含有孤電子對(duì)和含有空軌道的原子之間能形成配位鍵，配位鍵屬于共價(jià)鍵，依據(jù)配位鍵形成的條件分析，一方要供應(yīng)空軌道，另一方供應(yīng)孤電子對(duì)，據(jù)此答題．解答：解：A．Ag+有空軌道，NH3中的氮原子上的孤電子對(duì)，可以形成配位鍵，故A錯(cuò)誤；B．水分子中的O原子含有孤電子對(duì)，H+有空軌道，所以能形成配位鍵，故B錯(cuò)誤；C．Co3+有空軌道，CO中的氧原子上的孤電子對(duì)，可以形成配位鍵，故C錯(cuò)誤；D．Ag+、H+兩種離子者沒有孤電子對(duì)，所以不能形成配位鍵，故D正確；故選D．點(diǎn)評(píng)：本題考查了配位鍵，明確配位鍵的形成條件是解本題關(guān)鍵，生疏常見微粒中是否含有孤電子對(duì)或空軌道，只要符合配位鍵的形成條件就能形成配位鍵，題目難度不大．3.C考點(diǎn)：推斷簡(jiǎn)潔分子或離子的構(gòu)型．專題：原子組成與結(jié)構(gòu)專題．分析：依據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論確定分子空間構(gòu)型，分子中孤電子對(duì)與成鍵電子對(duì)之間的排斥力大于成鍵電子對(duì)之間的排斥力，據(jù)此分析解答．解答：解：A．SO2中價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=2+×（6﹣2×1）=4且含有2個(gè)孤電子對(duì)，所以二氧化硫?yàn)閂型結(jié)構(gòu)，CS2、HI為直線形結(jié)構(gòu)，故A錯(cuò)誤；B．BF3中價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=3+×（3﹣3×1）=3，所以為平面三角形結(jié)構(gòu)；SnBr2中價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=2+×（4﹣2×1）=3且含有一個(gè)孤電子對(duì)，為V型結(jié)構(gòu)，孤電子對(duì)與成鍵電子對(duì)之間的排斥力大于成鍵電子對(duì)之間的排斥力，所以BF3鍵角為120°，SnBr2鍵角小于120°，故B錯(cuò)誤；C．COCl2、BF3、SO3中中心原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)都是3且不含孤電子對(duì)，所以這三種分子都是平面三角形結(jié)構(gòu)，故C正確；D．NH3、PCl3中價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=3+×（5﹣3×1）=4且含有一個(gè)孤電子對(duì)，所以NH3、PCl3為三角錐形結(jié)構(gòu)；PCl5中價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=5+×（5﹣5×1）=5且不含孤電子對(duì)，為三角雙錐結(jié)構(gòu)，故D錯(cuò)誤；故選C．點(diǎn)評(píng)：本題考查了分子空間構(gòu)型及鍵角，明確價(jià)層電子對(duì)互斥理論的作用是解本題關(guān)鍵，難點(diǎn)是計(jì)算孤電子對(duì)的方法，難度不大．4.A學(xué)問點(diǎn):原子結(jié)構(gòu)與元素周期律的關(guān)系

答案解析:A

解析：A、原子N層上都有1個(gè)s電子，原子無d電子為K原子，原子有d電子為1s22s22p63s23p63d54s1，是Cr原子，1s22s22p63s23p63d104s1，是Cu原子，都處于第四周期，正確；B、最外層電子排布為2s22p6的原子為氖原子，最外層電子排布為2s22p6的離子可能是陰離子也可能是陽離子如O2-、Na+等，錯(cuò)誤；

C、原子核外M層上的s、p軌道都布滿電子，而d軌道上沒有電子，符合條件的原子的核外電子排布式有1s22s22p63s23p6為氬原子，1s22s22p63s23p64s1為鉀原子，1s22s22p63s23p64s2為鈣原子，不愿定處于同一周期，錯(cuò)誤；D、兩原子的核外全部都是s電子，原子具有1s能級(jí)或具有1s、2s能級(jí)，不處于同一周期，如氫原子與鋰原子，錯(cuò)誤。思路點(diǎn)撥:本題考查了核外電子排布規(guī)律，難度中等，把握核外電子排布規(guī)律：①、每個(gè)軌道最多只能容納兩個(gè)電子，且自旋相反；②、能量最低原理：電子盡可能占據(jù)能量最低的軌道；③、能級(jí)相同的軌道只有被電子逐一自旋平行地占據(jù)后，才能容納其次個(gè)電子；另外等價(jià)軌道在全布滿、半布滿或全空的狀態(tài)是比較穩(wěn)定的。5.C略6.B考點(diǎn)：分子晶體；晶體的類型與物質(zhì)熔點(diǎn)、硬度、導(dǎo)電性等的關(guān)系；晶胞的計(jì)算；金剛石、二氧化硅等原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系．.專題：化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)．分析：A．稀有氣體都是單原子分子，屬于分子晶體；B．晶體結(jié)構(gòu)模型中每個(gè)Ti4+四周有3個(gè)O2﹣與之相鄰；C．每個(gè)硅原子與4個(gè)氧原子結(jié)合；D．金屬汞的熔點(diǎn)較低．解答：解：A．稀有氣體都是單原子分子，無共價(jià)鍵，故A錯(cuò)誤；B．在題目所給晶體結(jié)構(gòu)模型中每個(gè)Ti4+四周有3個(gè)O2﹣與之相鄰，用均攤法不難求得晶體中每個(gè)Ti4+離子四周共有：3×8×=12個(gè)O2﹣，故B正確；C．在SiO2的晶體中Si、O以單鍵相結(jié)合，因此每個(gè)硅原子與4個(gè)氧原子結(jié)合，故C錯(cuò)誤；D．金屬汞的熔點(diǎn)比I2、蔗糖等的熔點(diǎn)都低，故D錯(cuò)誤．故選B．點(diǎn)評(píng)：-本題考查分子晶體、晶胞計(jì)算、晶體類型與熔點(diǎn)的關(guān)系等，題目難度不大，留意金屬汞的熔點(diǎn)比I2、蔗糖等的熔點(diǎn)都低．7.A8.（1）CsCl；（2）Fe；第四周期，第ⅤⅢ族；3d64s2；（3）Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2↓+2NH4+；Cu（OH）2+4NH3=[Cu（NH3）4]2++2OH﹣；．考點(diǎn)：原子核外電子排布；協(xié)作物的成鍵狀況．分析：（1）依據(jù)離子的電子排布學(xué)問來確定元素，依據(jù)氯化銫晶體結(jié)構(gòu)打算的性質(zhì)來回答；（2）依據(jù)元素基態(tài)原子的核外電子排布學(xué)問來回答；（3）D元素基態(tài)原子的M層全布滿，N層沒有成對(duì)電子，只有1個(gè)未成對(duì)電子，則該元素的價(jià)電子排布式為3d104s1，即為銅，銅離子與氨水反應(yīng)生成氫氧化銅藍(lán)色沉淀，氨水過量，與氫氧化銅反應(yīng)生成[Cu（NH3）4]2+，得到深藍(lán)色的透亮?????溶液，據(jù)此分析解答．解答：解：（1）A元素的負(fù)一價(jià)離子的電子層結(jié)構(gòu)與氬相同，所以為Cl﹣，B元素的正一價(jià)離子的電子層結(jié)構(gòu)與氙相同，所以為Cs+，形成的化合物的化學(xué)式為CsCl，故答案為：CsCl；（2）C元素的正三價(jià)離子的3d軌道為半布滿，其基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2或[Ar]3d64s2，為Fe，其基態(tài)原子的價(jià)電子排布圖為3d64s2，在同期表中位置為第四周期，第ⅤⅢ族，故答案為：Fe；第四周期，第ⅤⅢ族；3d64s2；（3）D元素基態(tài)原子的M層全布滿，N層沒有成對(duì)電子，只有1個(gè)未成對(duì)電子，則該元素的價(jià)電子排布式為3d104s1，即為銅，則銅離子與氨水反應(yīng)生成氫氧化銅藍(lán)色沉淀，氨水過量，與氫氧化銅反應(yīng)生成[Cu（NH3）4]2+，得到深藍(lán)色的透亮?????溶液，涉及的離子方程式為：Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2↓+2NH4+、Cu（OH）2+4NH3=[Cu（NH3）4]2++2OH﹣，其中[Cu（NH3）4]2+的結(jié)構(gòu)為以銅離子為中心離子4個(gè)氨氣作為配體形成的協(xié)作物離子，即；故答案為：Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2↓+2NH4+；Cu（OH）2+4NH3=[Cu（NH3）4]2++2OH﹣；．點(diǎn)評(píng)：本題考查元素推斷題以及協(xié)作物離子的形成過程，題目難度中等，推斷元素的種類為該題的關(guān)鍵，留意相關(guān)學(xué)問的積累，把握原子結(jié)構(gòu)的相關(guān)規(guī)律．9.（1）a；（2）2；BN；（3）sp2；sp3；3

（4）X．解：（1）a．同一主族中，元素的電負(fù)性隨著原子序數(shù)的增大而減小，所以從氟到溴，其電負(fù)性漸漸減小，故正確；b．氟元素沒有正化合價(jià)，第VIIA族氯、溴元素的最高化合價(jià)數(shù)值等于其族序數(shù)，故錯(cuò)誤；c．第VIIA族元素氫化物的沸點(diǎn)隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增大而增大，但HF分子間能形成氫鍵，氫鍵屬于特殊的分子間作用力，強(qiáng)度大于分子間作用力，沸點(diǎn)最高，故錯(cuò)誤；d．由于鹵族元素的單質(zhì)均屬于分子晶體，隨相對(duì)分子質(zhì)量增大范德華力增大，因而沸點(diǎn)漸漸上升，故錯(cuò)誤；故選a；（2）B的原子半徑比N大，因而結(jié)構(gòu)示意圖中大球代表B原子，B原子個(gè)數(shù)=8×，N原子個(gè)數(shù)=1+=2，該晶胞中N原子和B原子個(gè)數(shù)之比=2：2=1：1，所以其化學(xué)式為BN，故答案為：2；BN；（3）BCl3中的B原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)是3且不含孤電子對(duì)，所以B原子屬于sp2雜化；NCl3中的N原子的價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)為4且含有一個(gè)孤電子對(duì)，所以N原子屬于sp3雜化；同一周期元素中，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢(shì)，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于相鄰元素，依據(jù)電離能的變化規(guī)律，半布滿的N原子和全布滿的Be原子第一電離能要比同周期原子序數(shù)大的原子高，故第一電離能介于B、N之間的其次周期元素有Be、C、O三種元素，故答案為：sp2；sp3；3

（4）BCl3是缺電子化合物，B原子的全部?jī)r(jià)電子已經(jīng)使用，因而供應(yīng)孤對(duì)電子的原子是X，故答案為：X．10.（1）電子云

2

（每空1分，共2分）（2）C有4個(gè)價(jià)電子且半徑較小，難以通過得或失電子達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)

（2分）（3）σ鍵和π鍵

sp

CO2、SCN－（或COS等）

（2分，1分，2分，共5分）（4）分子（2分）（5）①3

2

（每空1分，共