2024年滬科版選修3化學下冊階段測試試卷含答案

…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁，總=sectionpages22頁第=page11頁，總=sectionpages11頁2024年滬科版選修3化學下冊階段測試試卷含答案考試試卷考試范圍：全部知識點；考試時間：120分鐘學校：______姓名：______班級：______考號：______總分欄題號一二三四五六總分得分評卷人得分一、選擇題(共7題，共14分)1、構(gòu)造原理揭示的電子排布能級順序，實質(zhì)是各能級能量高低順序.若以E表示某能級的能量，下列能量大小順序中正確的是（）A.E(4f)＞E(4s)＞E(3d)B.E(3s)＞E(2s)＞E(1s)C.E(3s)＞E(3p)＞E(3d)D.E(5s)＞E(4s)＞E(4f)2、下列有關(guān)微粒性質(zhì)的排列順序正確的是A.離子半徑：O2->Na+>S2-B.第一電離能：O>N>CC.電負性：F>P>OD.基態(tài)原子中未成對電子數(shù)：Mn>Si>Cl3、下列狀態(tài)的鋁中，電離最外層的一個電子所需能量最小的是A.[Ne]B.C.D.4、下列分子或離子中鍵角由大到小排列的是（）

①BCl3?②NH3?③H2O④PCl4+?⑤HgCl2A.⑤④①②③B.⑤①④②③C.④①②⑤③D.③②④①⑤5、有四種不同堆積方式的金屬晶體的晶胞如圖所示，有關(guān)說法正確的是(假設(shè)金屬的摩爾質(zhì)量為Mg?mol－1，金屬原子半徑為rcm，用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)

A.金屬Mg采用②堆積方式B.①和③中原子的配位數(shù)分別為：8、12C.對于采用②堆積方式的金屬，實驗測得Wg該金屬的體積為Vcm3，則阿伏加德羅常數(shù)NA的表達式為D.④中空間利用率的表達式為：×100%6、下列有關(guān)晶體的敘述中正確的是（）A.冰熔化時水分子中共價鍵發(fā)生斷裂B.原子晶體中只存在共價鍵，一定不含有離子鍵C.金屬晶體的熔沸點均很高D.分子晶體中一定含有共價鍵7、下列物質(zhì)的熔點均按由高到低排列且原因是由于鍵能由大到小導致的是A.水、硫化氫B.碘化氫、溴化氫C.金剛石、晶體硅D.鈉、干冰評卷人得分二、多選題(共5題，共10分)8、下列說法中正確的是A.所有的電子在同一區(qū)域里運動B.能量高的電子在離核遠的區(qū)域運動，能量低的電子在離核近的區(qū)域運動C.處于最低能量的原子叫基態(tài)原子D.同一原子中，1s、2s、3s所能容納的電子數(shù)越來越多9、基態(tài)原子由原子核和繞核運動的電子組成,下列有關(guān)核外電子說法正確的是A.基態(tài)原子的核外電子填充的能層數(shù)與元素所在的周期數(shù)相等B.基態(tài)原子的核外電子填充的軌道總數(shù)一定大于或等于(m表示原子核外電子數(shù))C.基態(tài)原子的核外電子填充的能級總數(shù)為(n為原子的電子層數(shù))D.基態(tài)原子的核外電子運動都有順時針和逆時針兩種自旋狀態(tài)10、以為原料，采用電解法制備電源TMAH[化學式]是一種高效；綠色工藝技術(shù)。原理如圖；M、N是離子交換膜。下列說法錯誤的是。

A.a是電源正極B.M為陰離子交換膜C.中N原子均為雜化D.通過1mol電子時，電解池中可產(chǎn)生16.8L(STP)氣體11、短周期主族元素的原子序數(shù)依次增大，的最高正價與最低負價代數(shù)和為0，形成的化合物甲的結(jié)構(gòu)如圖所示，在同周期中原子半徑最小。下列說法正確的是（）

A.原子半徑大?。築.電負性大?。篊.形成的化合物為離子化合物D.化合物甲中陰離子的空間構(gòu)型為三角錐形12、肼(N2H4)為二元弱堿，在水中的電離方式與NH3相似。25℃時，水合肼(N2H4·H2O)的電離常數(shù)K1、K2依次為9.55×10-7、1.26×10-15。下列推測或敘述一定錯誤的是A.N2H4易溶于水和乙醇B.N2H4分子中所有原子處于同一平面C.N2H6Cl2溶液中：2c(N2H)+c(N2H)>c(Cl-)+c(OH-)D.25°C時，反應(yīng)H++N2H4?N2H的平衡常數(shù)K=9.55×107評卷人得分三、填空題(共6題，共12分)13、[化學—選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]

硅是重要的半導體材料；構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。請回答下列問題：

（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為_______，該能層具有的原子軌道數(shù)為________、電子數(shù)為___________。

（2）硅主要以硅酸鹽、___________等化合物的形式存在于地殼中。

（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以___________相結(jié)合，其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻__________個原子。

（4）單質(zhì)硅可通過甲硅烷（SiH4）分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4，該反應(yīng)的化學方程式為___________________________________。

（5）碳和硅的有關(guān)化學鍵鍵能如下所示，簡要分析和解釋下列有關(guān)事實：。化學鍵C—CC—HC—OSi—SiSi—HSi—O鍵能/(kJ?mol-1356413336226318452

①硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多，原因是______。

②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是___________________________。

（6）在硅酸鹽中，SiO4-4四面體（如下圖（a））通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖（b）為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為______，Si與O的原子數(shù)之比為_________，化學式為__________________。

14、根據(jù)下列5種元素的電離能數(shù)據(jù)（單位：kJ.mol-1）回答下列小題。

。元素符號。

I1

I2

I3

I4

Q

2080

4000

6100

9400

R

500

4600

6900

9500

S

740

1500

7700

10500

T

580

1800

2700

11600

V

420

3100

4400

5900

1.它們的氯化物的化學式，最可能正確的是______

A.QCl2B.RClC.SCl3D.TCl

2.利用表中的數(shù)據(jù)判斷，V元素最有可能是下列元素中的_____

A.HB.LiC.NaD.K15、Cu2O廣泛應(yīng)用于太陽能電池領(lǐng)域。以CuSO4、NaOH和抗壞血酸為原料，可制備Cu?O。

（1）抗壞血酸的分子結(jié)構(gòu)如圖1所示，分子中碳原子的軌道雜化類型為__________；推測抗壞血酸在水中的溶解性：____________（填“難溶于水”或“易溶于水”）。

（2）一個Cu2O晶胞（見圖2）中，Cu原子的數(shù)目為__________。16、按要求回答下列問題：

(1)C；Be、Cl、Fe等元素及其化合物有重要的應(yīng)用。

①查表得知，Be的電負性是1.5，Cl的電負性是3.0，則BeCl2應(yīng)為_______(填離子或共價)化合物。

(2)鎳元素基態(tài)原子的價電子排布式為_______；3d能級上的未成對電子數(shù)為______。

(3)科學發(fā)現(xiàn)，C和Ni、Mg元素的原子形成的晶體也具有超導性，其晶胞的結(jié)構(gòu)特點如圖，則該化合物的化學式為______，C、Ni、Mg三種元素中，電負性最大的是______。

17、非金屬元素雖然種類不多；但是在自然界中的豐度卻很大，請回答下列問題：

(1)BN(氮化硼，晶胞結(jié)構(gòu)如圖)和CO2中的化學鍵均為共價鍵，BN的熔點高且硬度大，CO2的晶體干冰卻松軟且極易升華。由此可以判斷：BN可能是______晶體，CO2可能是______晶體，BN晶體中B原子的雜化軌道類型為______，干冰中C原子的雜化軌道類型為______

(2)分子極性：OF2______H2O，鍵角：OF2______H2O(填“＞””或者“＜”)

(3)金剛石和石墨都是碳元素的單質(zhì)，但石墨晶體熔點比金剛石______，原因是______

(4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似，若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵，則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu)。在SiC結(jié)構(gòu)中，每個C原子周圍距離相等且最近的C原子數(shù)目為______，假設(shè)C-Si鍵長為acm，則晶胞密度為______g/cm3。

18、如圖所示分別為氯化鈉、氯化銫、氟化鈣的晶胞模型，請認真觀察后完成表格。___________

離子晶體晶體結(jié)構(gòu)粒子晶胞所含粒子數(shù)陰陽離子個數(shù)之比陰陽離子個數(shù)之比陰離子陽離子陰離子陽離子陰離子陽離子氯化鈉氯化銫氟化鈣評卷人得分四、有機推斷題(共2題，共12分)19、短周期元素W；X、Y和Z的原子序數(shù)依次增大。金屬元素W是制備一種高效電池的重要材料；X原子的最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的2倍，元素Y是地殼中含量最豐富的金屬元素，Z原子的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的2倍。

（1）W元素的原子核外共有________種不同運動狀態(tài)的電子、_______種不同能量的電子。

（2）元素Z與元素X形成共價化合物XZ2是________（選填“極性”或“非極性”）分子，其電子式為________________。

（3）Y原子的最外層電子排布式為________________，Y元素最高價氧化物對應(yīng)的水化物的電離方程式為________________________________________________。

（4）兩種非金屬元素中，非金屬性較強的元素是_______（寫元素符號），試寫出一個能說明這一事實的化學方程式______________________________。20、有A、B、D、E、F、G六種前四周期的元素，A是宇宙中最豐富的元素，B和D的原子都有1個未成對電子，B＋比D少一個電子層，D原子得一個電子填入3p軌道后，3p軌道全充滿；E原子的2p軌道中有3個未成對電子，F(xiàn)的最高化合價和最低化合價的代數(shù)和為4。R是由B、F兩元素形成的離子化合物，其中B＋與F2－離子數(shù)之比為2∶1。G位于周期表第6縱行且是六種元素中原子序數(shù)最大的。請回答下列問題：

(1)D元素的電負性_______F元素的電負性（填“＞”；“＜”或“＝”）。

(2)G的價電子排布圖_________________________________。

(3)B形成的晶體堆積方式為________，區(qū)分晶體和非晶體最可靠的科學方法是對固體進行_______實驗。

(4)D－的最外層共有______種不同運動狀態(tài)的電子,有___種能量不同的電子。F2D2廣泛用于橡膠工業(yè),各原子均滿足八電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),F2D2中F原子的雜化類型是___________,F2D2是______分子（填“極性”或“非極性”）。

(5)A與E形成的最簡單化合物分子空間構(gòu)型為_____，在水中溶解度很大。該分子是極性分子的原因是_____。

(6)R的晶胞如圖所示，設(shè)F2－半徑為r1cm，B＋半徑為r2cm。試計算R晶體的密度為______。（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示；寫表達式，不化簡）

評卷人得分五、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(共1題，共8分)21、在一定條件下，金屬相互化合形成的化合物稱為金屬互化物，如Cu9Al4、Cu5Zn8等。

(1)某金屬互化物具有自范性，原子在三維空間里呈周期性有序排列，該金屬互化物屬于________(填“晶體”或“非晶體”)。

(2)基態(tài)銅原子有________個未成對電子；Cu2＋的電子排布式為____________________；在CuSO4溶液中加入過量氨水，充分反應(yīng)后加入少量乙醇，析出一種深藍色晶體，該晶體的化學式為____________________，其所含化學鍵有____________________，乙醇分子中C原子的雜化軌道類型為________。

(3)銅能與類鹵素(SCN)2反應(yīng)生成Cu(SCN)2,1mol(SCN)2分子中含有σ鍵的數(shù)目為________。(SCN)2對應(yīng)的酸有硫氰酸(H—S—C≡N)、異硫氰酸(H—N===C===S)兩種。理論上前者沸點低于后者，其原因是______________________________________________________________________________________。

(4)ZnS的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，在ZnS晶胞中，S2－的配位數(shù)為_______________。

(5)銅與金形成的金屬互化物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其晶胞邊長為anm，該金屬互化物的密度為________g·cm－3(用含a、NA的代數(shù)式表示)。評卷人得分六、原理綜合題(共3題，共24分)22、碳是地球上組成生命的最基本的元素之一。根據(jù)要求回答下列問題:

（1）碳原子的價電子排布圖:_________，核外有_________種不同運動狀態(tài)的電子。

（2）碳可以形成多種有機化合物；下圖所示是一種嘌呤和一種吡啶的結(jié)構(gòu)，兩種分子中所有原子都在一個平面上。

①嘌呤中所有元素的電負性由大到小的順序__________。

②嘌呤中軌道之間的夾角∠1比∠2大，解釋原因_____________。

③吡啶結(jié)構(gòu)中N原子的雜化方式___________。

④分子中的大π鍵可以用符號表示，其中m代表參與形成大π鍵的原子數(shù)，n代表參與形成大π鍵的電子數(shù)(如苯分子中的大π鍵可表示為)。該嘌呤和吡啶中都含有大π鍵,請問該吡啶中的大π鍵表示為__________。

（3）碳可形成CO、CO2、H2CO3等多種無機化合物。

①在反應(yīng)CO轉(zhuǎn)化成CO2的過程中，下列說法正確的是______。

A.每個分子中孤對電子數(shù)不變B.分子極性變化。

C.原子間成鍵方式改變D.分子的熔沸點變大。

②干冰和冰是兩種常見的分子晶體，晶體中的空間利用率:干冰___冰。(填“>”、“<”或“=”)

③H2CO3與H3PO4均有1個非羥基氧，H3PO4為中強酸，H2CO3為弱酸的原因______。

（4）在2017年，中外科學家團隊共同合成了碳的一種新型同素異形體:T-碳。T-碳的結(jié)構(gòu)是:將立方金剛石中的每個碳原子用一個由4個碳原子組成的正四面體結(jié)構(gòu)單元取代，形成碳的一種新型三維立方晶體結(jié)構(gòu)，如下圖。已知T-碳晶胞參數(shù)為apm，阿伏伽德羅常數(shù)為NA，則T-碳的密度的表達式為______g/cm3。

23、在普通鋁中加入少量Cu和Mg后，形成一種稱為拉維斯相的MgCu2微小晶粒；其分散在Al中可使得鋁材的硬度增加；延展性減小，形成所謂“堅鋁”，是制造飛機的主要材料?；卮鹣铝袉栴}：

（1）下列狀態(tài)的鎂中，電離最外層一個電子所需能量最大的是____________(填標號)。

A．B．C．D．

（2）乙二胺(H2NCH2CH2NH2)是一種有機化合物，分子中氮、碳的雜化類型分別是__________、__________。乙二胺能與Mg2+、Cu2+等金屬離子形成穩(wěn)定環(huán)狀離子，其原因是__________，其中與乙二胺形成的化合物穩(wěn)定性相對較高的是__________(填“Mg2+”或“Cu2+”)。

（3）一些氧化物的熔點如下表所示：。氧化物Li2OMgOP4O6SO2熔點/°C1570280023.8?75.5

解釋表中氧化物之間熔點差異的原因__________。

（4）圖(a)是MgCu2的拉維斯結(jié)構(gòu)，Mg以金剛石方式堆積，八面體空隙和半數(shù)的四面體空隙中，填入以四面體方式排列的Cu。圖(b)是沿立方格子對角面取得的截圖?？梢?，Cu原子之間最短距離x=__________pm，Mg原子之間最短距離y=__________pm。設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則MgCu2的密度是__________g·cm?3(列出計算表達式)。

24、化學·選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)。

氟及其化合物用途非常廣泛，自然界中氟多以化合態(tài)形式存在,主要有螢石（CaF2）、冰晶石（Na3AlF6）等。回答下列問題:

（1）基態(tài)氟原子中有_________________種能量不同的電子。

（2）NF3是微電子工業(yè)中優(yōu)良的等離子刻蝕氣體。NF3與NH3的空間構(gòu)型相同,但是NH3（-33°C）的沸點比NF3（-129°C）的高，原因為_____________。

（3）氟硼酸（HBF4,屬于強酸）常用于替代濃硫酸作鉛蓄電池的電解質(zhì)溶液,可由HF和BF3合成，從化學鍵形成角度分析HF與BF3能化合的原因:________。

（4）液態(tài)[H2F]+中存在[H2F]+和[HF2]-,[HF2]-的結(jié)構(gòu)可表示為[F-HF]-,[H2F]+的VSEPR模型名稱為________形。NaHF2可用于制無水氟化氫和供雕刻玻璃、木材防腐等。常溫常壓下為白色固體,易溶于水,160°C分解。NaHF2中所含作用力的類型有______.（填字母）。

a離子鍵b共價鍵c配位鍵d氫鍵。

（5）CaF2是難溶化合物,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示:

①若原子坐標參數(shù)A處為（0,0,0）,B處為（C處為（1，1，1）,則D處為_____.

②每個Ca2+周圍距離最近的Ca2+共有_____個。

③已知:CaF2晶體密度為cg·cm-3,則晶胞中Ca2+與最近的F-之間的距離為____nm（設(shè)NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,用含c、NA的式子表示）。參考答案一、選擇題(共7題，共14分)1、B【分析】【詳解】

根據(jù)構(gòu)造原理可判斷，A不正確，應(yīng)該是E(4f)＞E(3d)＞E(4s)。C不正確，應(yīng)該是E(3s)＜E(3p)＜E(3d)。D也不正確，應(yīng)該是E(4f)＞E(5s)＞E(4s)。所以答案選B。2、D【分析】【詳解】

A、電子層數(shù)越多，半徑越多；電子層數(shù)相同時，半徑隨著原子序數(shù)的遞增而減小，因此離子半徑大小順序是：S2－>O2－>Na＋，故A錯誤；B、同周期從左向右第一電離能呈增大趨勢，但IIA>IIIA，VA>VIA，因此第一電離能大小順序是N>O>C，故B錯誤；C、同周期從左向右電負性增大，同主族從上到下電負性減小，F(xiàn)的電負性大于O，N的電負性大于P，O的電負性大于N，因此電負性大小順序是F>O>P，故C錯誤；D、Mn的價電子排布式為3d54s2，未成對電子數(shù)為5，Si的價電子排布式為3s23p2，未成對電子數(shù)為2，Cl的價電子排布式為3s23p7，未成對電子數(shù)為1，因此順序是F>Si>Cl；故D正確。

【點睛】

半徑大小比較：一看電子層數(shù)，一般電子層數(shù)越多，半徑增大，二看原子序數(shù)，電子層數(shù)相同，半徑隨著原子序數(shù)的遞增而減小，三看電子數(shù)，電子層數(shù)相同，原子序數(shù)相同，電子數(shù)越多，半徑越大。3、B【分析】【詳解】

A．[Ne]為基態(tài)Al3+；2p能級處于全充滿，較穩(wěn)定，電離最外層的一個電子為Al原子的第四電離能；

B．為Al原子的核外電子排布的激發(fā)態(tài)；

C．為基態(tài)Al原子失去兩個電子后的狀態(tài)；電離最外層的一個電子為Al原子的第三電離能；

D．為基態(tài)Al失去一個電子后的狀態(tài)；電離最外層的一個電子為Al原子的第二電離能；

電離最外層的一個電子所需要的能量：基態(tài)大于激發(fā)態(tài)；而第一電離能小于第二電離能小于第三電離能小于第四電離能，則電離最外層的一個電子所需能量最小的是B；綜上分析，答案選B。

【點睛】

明確核外電子的排布，電離能基本概念和大小規(guī)律是解本題的關(guān)鍵。4、B【分析】【分析】

根據(jù)題中分子或離子中鍵角由大到小可知；本題考查鍵角判斷，運用VSEPR理論分析。

【詳解】

根據(jù)VSEPR理論價電子對數(shù)為根據(jù)雜化軌道理論，中心B原子為雜化，鍵角為

根據(jù)VSEPR理論價電子對數(shù)為根據(jù)雜化軌道理論，中心N原子為雜化，理論上正四面體構(gòu)型鍵角為由于分子中孤電子對存在，孤電子對斥力大于鍵合電子對斥力，使鍵角

根據(jù)VSEPR理論價電子對數(shù)為根據(jù)雜化軌道理論，中心O原子為雜化，理論上正四面體構(gòu)型鍵角為由于分子中存在兩對孤電子對，且孤電子對斥力大于鍵合電子對斥力，且存在兩對孤電子對，使得鍵角比分子的鍵角還?。?/p>

根據(jù)VSEPR理論價電子對數(shù)為根據(jù)雜化軌道理論，中心P原子為雜化，鍵角為

根據(jù)VSEPR理論價電子對數(shù)為根據(jù)雜化軌道理論，中心Hg原子為sp雜化，鍵角為

綜上，鍵角由大到小的順序為

答案選B。5、D【分析】【分析】

金屬晶胞的堆積模型包括簡單立方堆積；體心立方堆積、六方最密堆積、面心立方最密堆積；然后根據(jù)每種堆積模型進行分析即可；

【詳解】

A；②為體心立方堆積；Mg、Zn、Ti為六方最密堆積，③為六方最密堆積，即金屬Mg采用③的堆積方式，故A錯誤；

B；①為簡單立方堆積；其配位數(shù)為6，③為六方最密堆積，其配位數(shù)為12，故B錯誤；

C、②為體心立方堆積，金屬原子半徑與正方體邊長的關(guān)系根據(jù)晶胞的模型，晶胞中含有金屬原子的個數(shù)為8×1/8＋1=2，因此該晶胞的質(zhì)量為=邊長與金屬半徑的關(guān)系是邊長=即晶胞的體積為cm3，即有推出阿伏加德羅常數(shù)為故C錯誤；

D、④為面心立方最密堆積，邊長與金屬原子半徑的關(guān)系是即cm，晶胞的體積為cm3，金屬原子位于頂點和面心，屬于晶胞的原子有8×1/8＋6×1/2=4，原子的體積為cm3，因此空間利用率的表達式為×100%；故D正確。

【點睛】

難點是空間利用率的計算和阿伏加德羅常數(shù)的計算，這類題的關(guān)鍵點，找出原子半徑與邊長的關(guān)系，即哪些原子是剛性接觸。6、B【分析】【詳解】

A；冰熔化時分子間作用力氫鍵被破壞；而不是化學鍵，故A錯誤；

B；原子晶體是原子之間通過共價鍵形成；一定不含離子鍵，只要含有離子鍵就屬于離子晶體，故B正確；

C；金屬晶體熔點有的很高；如鎢的熔點很高，達3000多攝氏度，有的很低，如汞常溫下是液體，故C錯誤；

D；稀有氣體分子是單原子分子；不存在化學鍵，稀有氣體原子能形成分子晶體，故D錯誤。

答案選B。

【點睛】

考查晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，注意晶體中不一定都含有化學鍵，晶體中含有陽離子不一定含有陰離子，如金屬晶體，但晶體中含有陰離子，則一定含有陽離子。7、C【分析】【分析】

一般情況下；不同類型的晶體，熔點：原子晶體＞離子晶體＞分子晶體；同種類型的晶體可根據(jù)影響晶體的因素分析。

【詳解】

A．水；硫化氫都屬于分子晶體；水分子間存在氫鍵，水的熔點高于硫化氫，與鍵能無關(guān)，故A不符合題意；

B．HI、HBr都屬于分子晶體，結(jié)構(gòu)相似的分子的相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，熔點越高，熔點HI＞HBr；與鍵能無關(guān)，故B不符合題意；

C．晶體硅、金剛石都屬于原子晶體，原子半徑CC—C，共價鍵鍵能C—C>Si—Si；則金剛石的熔點高于晶體硅，故C符合題意；

D．干冰屬于分子晶體；熔點低，影響因素是分子間作用力，不是鍵能，故D不符合題意；

故答案為C。二、多選題(共5題，共10分)8、BC【分析】【詳解】

A.電子在核外的排布是分層的；不同的電子在不同的能級運動，故A錯誤；

B.離核越遠的電子能量越大；離核越近的電子能量越小，故B正確；

C.處于最低能量的原子叫基態(tài)原子；故C正確；

D.s能層最多只能容納2個電子；與所在能層無關(guān)，故D錯誤；

故答案選BC。9、AB【分析】【詳解】

A.基態(tài)原子的核外電子填充的能層數(shù)等于電子層數(shù)；等于所在的周期數(shù)，故A正確；

B.由泡利（不相容）原理可知1個原子軌道里最多只能容納2個電子，若基態(tài)原子的核外電子填充的軌道總數(shù)為n，容納的核外電子數(shù)m最多為2n，則n大于或等于故B正確；

C.若n為原子的電子層數(shù)，基態(tài)原子的核外電子填充的能級總數(shù)為n2；故C錯誤；

D.依據(jù)洪特規(guī)則可知；當電子排布在同一能級的不同軌道（能量相同）時，總是優(yōu)先單獨占據(jù)一個軌道，而且自旋方向相同，則基態(tài)原子的核外電子運動不一定都有順時針和逆時針兩種自旋狀態(tài)，故D錯誤；

故選AB。10、CD【分析】【詳解】

A.(CH3)4N+移向右室，HCO3-移向左室；陰離子移向陽極，即a是電源正極，A正確；

B.HCO3-經(jīng)過M移向左室；M為陰離子交換膜，B正確；

C.中，(CH3)4N+的C、N原子均為雜化，但是，HCO3-中的C原子為雜化；C錯誤；

D.通過1mol電子時，陰極室H+放電，2H++2e-=H2↑產(chǎn)生H2為0.5mol，陽極室OH-放電，4OH--4e-=2H2O+O2↑，產(chǎn)生O2為0.25mol，同時，溶液中剩下的H+與HCO3-反應(yīng)還要產(chǎn)生二氧化碳；因此，產(chǎn)生的氣體大于0.75mol，體積大于16.8L(STP)氣體，D錯誤。

答案選CD。11、AC【分析】【分析】

短周期主族元素W；X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大；W的最高正價與最低負價代數(shù)和為0，則W為C或Si，根據(jù)W、X、Y形成的化合物甲的結(jié)構(gòu)示意圖，X為O，則W為C，Y為+1價的陽離子，為Na元素；Z在同周期中原子半徑最小，Z為Cl元素，據(jù)此分析解答。

【詳解】

根據(jù)上述分析；W為C元素，X為O元素，Y為Na元素，Z為Cl元素。

A．同一周期，從左到右，原子半徑逐漸減小，同一主族，從上到下，原子半徑逐漸增大，原子半徑大?。汗蔄正確；

B．元素的非金屬性越強；電負性越大，電負性大?。篨＞Z，故B錯誤；

C．X為O元素；Y為Na元素，為活潑的非金屬和金屬元素，形成的化合物為離子化合物，故C正確；

D．化合物甲中陰離子為CO32-；C原子的價層電子對數(shù)=3，沒有孤對電子，空間構(gòu)型為平面三角形，故D錯誤；

故選AC。12、BC【分析】【詳解】

A.N2H4是極性分子；且能與水分子和乙醇分子形成氫鍵，因此其易溶于水和乙醇，故A正確；

B.N2H4分子中N原子采用sp3雜化；為四面體結(jié)構(gòu)，因此所有原子不可能共平面，故B錯誤；

C.N2H6Cl2溶液中存在電荷守恒：2c(N2H)+c(N2H)+c(H+)=c(Cl-)+c(OH-)，則2c(N2H)+c(N2H)-)+c(OH-)；故C錯誤；

D.反應(yīng)H++N2H4?N2H的平衡常數(shù)K==故D正確；

故選：BC。三、填空題(共6題，共12分)13、略

【分析】【詳解】

（1）硅原子核外有14個電子，其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p2，對應(yīng)能層分別別為K、L、M，其中能量最高的是最外層M層，該能層有s、p、d三個能級，s能級有1個軌道，p能級有3個軌道，d能級有5個軌道，所以共有9個原子軌道，硅原子的M能層有4個電子（3s23p2）；

故答案為M；9；4；

（2）硅元素在自然界中主要以化合態(tài)（二氧化硅和硅酸鹽）形式存在；

故答案為二氧化硅。

（3）硅晶體和金剛石晶體類似都屬于原子晶體，硅原子之間以共價鍵結(jié)合．在金剛石晶體的晶胞中，每個面心有一個碳原子（晶體硅類似結(jié)構(gòu)），則面心位置貢獻的原子為6×=3個；

故答案為共價鍵；3；

（4）Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4、NH3和MgCl2，方程式為：Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2，故答案為Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2；

（5）①烷烴中的C-C鍵和C-H鍵大于硅烷中的Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能；所以硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能易斷裂，導致長鏈硅烷難以生成；

故答案為C-C鍵和C-H鍵較強；所形成的烷烴穩(wěn)定，而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低，易斷裂，導致長鏈硅烷難以生成；

②鍵能越大；物質(zhì)就越穩(wěn)定；C-H鍵的鍵能大于C-O鍵，故C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定，而Si-H鍵的鍵能遠小于Si-O鍵，所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向與形成穩(wěn)定性更強的Si-O鍵；

故答案：C-H鍵的鍵能大于C-O鍵；C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定．而Si-H鍵的鍵能卻遠小于Si-O鍵，所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強的Si-O鍵；

（6）硅酸鹽中的硅酸根（SiO44-）為正四面體結(jié)構(gòu)，所以中心原子Si原子采取了sp3雜化方式；

故答案為sp3；

根據(jù)圖（b）的一個結(jié)構(gòu)單元中含有1個硅、3個氧原子，化學式為SiO32-；

故答案為1：3；SiO32-。【解析】①.M②.9③.4④.二氧化硅⑤.共價鍵⑥.3⑦.Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2⑧.C—C鍵和C—H鍵較強，所形成的烷烴穩(wěn)定。而硅烷中Si—Si鍵和Si—H鍵的鍵能較低，易斷裂，導致長鏈硅烷難以生成⑨.C—H鍵的鍵能大于C—O鍵，C—H鍵比C—O鍵穩(wěn)定。而Si—H鍵的鍵能卻遠小于Si—O鍵，所以Si—H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強的Si—O鍵⑩.sp3?.1∶3?.SiO32-14、B:D【分析】【分析】

根據(jù)元素電離能知；Q元素第一電離能到第四電離能之間相差不大，且其第一電離能較大，所以Q是稀有氣體元素;

R第一電離能和第二電離能相差較大；則R為第IA族元素；

S元素第二電離能和第三電離能相差較大；則S為第IIA族元素；

T元素第三電離能和第四電離能相差較大；則T元素為第IIIA族元素；

V元素的第一電離能和第二電離能相差較大；V為第IA族元素，由此分析解答。

【詳解】

1．A．稀有氣體元素；不易形成化合物，A錯誤；

B．R為第IA族元素；在氯化物中的化合價是+1，B正確；

C．S為第IIA族元素；在氯化物中的化合價是+2，C錯誤；

D．T為第IIIA族元素；在氯化物中的化合價是+3價，D錯誤；

故答案為：B；

2．由上分析可知：R和V為第IA族元素，且R的第一電離能大于V的第一電離能，都有第四電離能，核外電子數(shù)應(yīng)該都超過4個，同一主族，從上到下，第一電離能逐漸減小，故V在Na和K中最有可能是K，D符合，故答案為：D。15、略

【分析】【詳解】

（1）根據(jù)抗壞血酸的分子結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)中有兩種碳原子，全形成單鍵的碳原子和雙鍵的碳原子，全形成單鍵的碳原子為sp3雜化，雙鍵的碳原子為sp2雜化；根據(jù)抗環(huán)血酸分子結(jié)構(gòu)；分子中含有4個－OH，能與水形成分子間氫鍵，因此抗壞血酸易溶于水；

（2）晶胞的計算：白球位于頂點和內(nèi)部，屬于該晶胞的個數(shù)為8×1/8+1=2，黑球全部位于晶胞內(nèi)部，屬于該晶胞的個數(shù)為4，化學式為Cu2O，因此白球為O原子，黑球為Cu原子，即Cu原子的數(shù)目為4?！窘馕觥竣?sp3、sp2②.易溶于水③.416、略

【分析】【詳解】

（1）Be的電負性是1.5，Cl的電負性是3.0，Cl與Be電負性差值為1.5，電負性差值大于1.7的化合物為離子化合物，小于1.7的化合物為共價化合物，則BeCl2應(yīng)為共價化合物；

（2）鎳是28號元素，按照能量最低原理，鎳元素基態(tài)原子的核外電子排布式為：[Ar]3d84s2，價電子排布式為3d84s2；3d能級上的未成對電子數(shù)為2；

（3）根據(jù)晶胞可知，C位于體心，C的個數(shù)為1，Ni位于6個面心，Ni的個數(shù)為6=3，Mg位于8個頂點，Mg的個數(shù)為8=1，則該化合物的化學式為MgCNi3，C、Ni、Mg三種元素中，Ni、Mg都是金屬元素，C為非金屬元素，電負性最大的是C?！窘馕觥竣?共價②.3d84s2③.2④.MgCNi3⑤.C17、略

【分析】【分析】

本題是對物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的考查；涉及晶體類型與性質(zhì)；雜化方式、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、晶胞計算等，側(cè)重考查學生分析解決問題的能力，分子極性大小及鍵角的大小判斷為易錯點、難點，（4）中關(guān)鍵是明確鍵長與晶胞棱長關(guān)系，需要學生具有一定的數(shù)學計算能力。

【詳解】

（1）BN由共價鍵形成的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，熔點高、硬度大，屬于原子晶體；而干冰松軟且極易升華，屬于分子晶體；BN晶體中B原子形成4個B-N鍵，雜化軌道數(shù)目為4，B原子采取sp3雜化，干冰中C原子形成2個σ鍵，沒有孤電子對，雜化軌道數(shù)目為2，C原子采取sp雜化，故答案為：原子；分子；sp3；sp；

（2）二者結(jié)構(gòu)相似；均為V形，F(xiàn)與O的電負性相對比較接近，H與O的電負性相差較大，水分子中共用電子對較大地偏向O，所以O(shè)-F鍵的極性較弱，所以整個分子的極性也較弱，水分子中成鍵電子對之間排斥更大，故水分子中鍵角也更大，故答案為：＜；＜；

（3）石墨層內(nèi)碳碳鍵的鍵長比金剛石要短；鍵能比金剛石大，故石墨晶體熔點比金剛石的高。故答案為：高；石墨層內(nèi)碳碳鍵的鍵長比金剛石要短，鍵能比金剛石大；

（4）晶胞中每個碳原子與4個Si原子形成正四面體，每個Si原子與周圍的4個C原子形成正四面體，晶胞中Si、C的相對位置相同，可以將白色球看作C、黑色球看作Si，互換后以頂點原子研究，與之最近的原子處于面心，每個頂點為8個晶胞共用，每個面心為2個晶胞共用，故每個C原子周圍距離相等且最近的C原子數(shù)目為頂點Si原子與四面體中心C原子連線處于晶胞體對角線上，且距離等于體對角線長度的而體對角線長度等于晶胞棱長的倍，假設(shè)C-Si鍵長為acm，則晶胞棱長=cm，晶胞中Si原子數(shù)目=C原子數(shù)目=4，晶胞質(zhì)量=g，晶胞密度=（g）÷（cm）3=g/cm3，故答案為：12；【解析】原子分子sp3sp＜＜高石墨層內(nèi)碳碳鍵的鍵長比金剛石要短，鍵能比金剛石大1218、略

【分析】【詳解】

（1）在NaCl晶胞中，晶體結(jié)構(gòu)粒子為：Na+、Cl-，由均難法：晶胞中Na+個數(shù)為：8×+6×=4，晶胞中Cl-個數(shù)為：12×+1=4；配位數(shù)是晶格中與某一原子相距最近的原子個數(shù)。每個鈉離子周圍有六個氯離子；每個氯離子周圍也有六個鈉離子，配位數(shù)均為6，陰陽離子個數(shù)之比：4:4=1:1；

（2）在CsCl晶胞中，晶體結(jié)構(gòu)粒子為：Cs+、Cl-，由均難法：晶胞中Cs+個數(shù)為：8×=1，晶胞中Cl-個數(shù)為：1；配位數(shù)是晶格中與某一原子相距最近的原子個數(shù)。每個Cs+離子周圍有8個氯離子，每個氯離子周圍也有8個Cs+離子；配位數(shù)均為8，陰陽離子個數(shù)之比：1:1；

（3）在CaF2晶胞中，晶體結(jié)構(gòu)粒子為：Ca2+、F-，F(xiàn)－填充在八個小立方體中心，8個四面體全被占據(jù)，由均難法：晶胞中Ca2+個數(shù)為：8×+6×=4，晶胞中F-個數(shù)為：8；配位數(shù)是晶格中與某一原子相距最近的原子個數(shù)。每個Ca2+離子周圍有8個F-離子，配位數(shù)為8，每個F-離子周圍也有4個Ca2+離子；配位數(shù)為4，陰陽離子個數(shù)之比：8:4=2:1；

故答案為：。離子晶體晶體結(jié)構(gòu)粒子晶胞所含粒子數(shù)陰陽離子個數(shù)之比陰陽離子個數(shù)之比陰離子陽離子陰離子陽離子陰離子陽離子氯化鈉Na+、Cl-44661:1氯化銫Cs+、Cl-11881:1氟化鈣Ca2+、F-48842:1【解析】。離子晶體晶體結(jié)構(gòu)粒子晶胞所含粒子數(shù)陰陽離子個數(shù)之比陰陽離子個數(shù)之比陰離子陽離子陰離子陽離子陰離子陽離子氯化鈉Na+、Cl-44661:1氯化銫Cs+、Cl-11881:1氟化鈣Ca2+、F-48842:1四、有機推斷題(共2題，共12分)19、略

【分析】【分析】

X原子最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的2倍可知X為C；地殼中含量最豐富的金屬元素是Al（Y），Z最外層電子數(shù)是電子層數(shù)的2倍可知Z為S，由四種元素原子序數(shù)依次增大且W是制造高效電池的材料可知W為Li。

【詳解】

（1）同一個原子中沒有運動狀態(tài)完全相同的電子，Li原子序數(shù)為3，電子數(shù)也為3，所以W原子核外有3種不同運動狀態(tài)的電子，Li核外電子排布式為1s22s1；所以有兩種不同能量的電子，故答案為：3；2；

（2）CS2是結(jié)構(gòu)對稱的共價化合物，屬于非極性分子，分子中含有兩個碳硫雙鍵，電子式為故答案為：非極性；

（3）Al的原子序數(shù)為13，最外層有3個電子，電子排布式為3s23p1；Al最高價氧化物對應(yīng)水化物為氫氧化鋁，氫氧化鋁為兩性氫氧化物，電離方程式為H2O+H++AlO2－Al(OH)3Al3++3OH－，故答案為：3s23p1；H2O+H++AlO2－Al(OH)3Al3++3OH－；

（4）元素的非金屬性越強，最高價氧化物對應(yīng)水化物的酸性越強，S、C對應(yīng)的最高價氧化物對應(yīng)水化物分別為H2SO4和H2CO3，硫酸是強酸，碳酸是弱酸，所以非金屬性S>C，可以用硫酸制取碳酸證明，反應(yīng)的化學方程式為H2SO4+Na2CO3=Na2SO4+H2O+CO2↑，故答案為：S；H2SO4+Na2CO3=Na2SO4+H2O+CO2↑?！窘馕觥?2非極性3s23p1H2O+H++AlO2－Al(OH)3Al3++3OH－SH2SO4+Na2CO3=Na2SO4+H2O+CO2↑20、略

【分析】【分析】

A是宇宙中最豐富的元素，說明A為H，D原子得一個電子填入3p軌道后，3p軌道全充滿，說明D為17號元素Cl,B和D的原子都有1個未成對電子，B＋比D少一個電子層，說明B為Na，E原子的2p軌道中有3個未成對電子，說明E為N，F(xiàn)的最高化合價和最低化合價的代數(shù)和為4，說明F為S，G位于周期表第6縱行且是六種元素中原子序數(shù)最大的，說明G為Cr，R是由B、F兩元素形成的離子化合物，其中B＋與F2－離子數(shù)之比為2∶1，則R為Na2S，綜上，A為H，B為Na，D為Cl，E為N，F(xiàn)為S，G為Cr；據(jù)此分析作答。

【詳解】

（1）根據(jù)元素周期律可知Cl的電負性大于S；

（2）Cr為24號元素，價電子排布圖為

（3）晶體鈉為體心立方堆積；區(qū)分晶體和非晶體最可靠的科學方法為對固體進行X-射線衍射實驗；

（4）根據(jù)核外電子排布規(guī)律可知，每個電子的運動狀態(tài)不同，Cl-最外層有8個電子，所以就有8種不同運動狀態(tài)的電子，最外層有兩個能級，每個能級上電子能量是相同的，所以最外層有2種能量不同的電子，在S2Cl2中要使個原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則分子存在一個S-S鍵和2個S-Cl鍵，S原子的價電子數(shù)為4，因此S原子以sp3方式雜化；S原子周圍有2對孤電子對，所以分子為極性分子；

（5）A與E形成的最簡單化合物為NH3，NH3分子中N原子周圍有3個共價鍵，一個孤電子對，因此分子空間構(gòu)型為三角錐形，由于在NH3中有孤電子對的存在；分子中正電中心和負電中心不重合，使分子的一部分呈正電性，另一部分呈負電性，所以分子顯極性；

（6）R為Na2S，在每個晶胞中含有Na+數(shù)為8，S2-為8×+6×=4，由R的晶胞可設(shè)S2-的半徑為r1cm，Na+半徑為r2cm，則晶胞的體對角線為4(r1+r2)cm，晶胞的邊長為(r1+r2)cm，晶體的密度==g/cm3=

【點睛】

本題的難點是晶胞密度的計算，只要掌握晶胞中粒子數(shù)與M、ρ(晶體密度，g·cm－3)之間的關(guān)系，難度即會降低。若1個晶胞中含有x個粒子，則1mol該晶胞中含有xmol粒子，其質(zhì)量為xMg；又1個晶胞的質(zhì)量為ρa3g(a3為晶胞的體積，單位為cm3)，則1mol晶胞的質(zhì)量為ρa3NAg，因此有xM＝ρa3NA。【解析】＞體心立方堆積X-射線衍射82sp3極性三角錐形分子中正電中心和負電中心不重合，使分子的一部分呈正電性，另一部分呈負電性五、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(共1題，共8分)21、略

【分析】【分析】

1）晶體中粒子在三維空間里呈周期性有序排列；有自范性，非晶體中原子排列相對無序，無自范性；

（2）銅元素的原子序數(shù)為29，位于周期表第四周期ⅠB族，核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1；CuSO4溶液與過量氨水反應(yīng)生成Cu（NH3）4SO4?H2O；Cu（NH3）4SO4?H2O晶體中含有離子鍵、極性共價鍵和配位鍵；CH3-CH2-OH分子中兩個C原子均為飽和碳原子；價層電子對數(shù)均為4；

（3）（SCN）2的結(jié)構(gòu)式為N≡C-S-S-C≡N；分子中有3個單鍵和2個碳氮三鍵；能形成分子間氫鍵的物質(zhì)熔沸點較高；

（4）ZnS的晶胞結(jié)構(gòu)可知，可以根據(jù)鋅離子的配位數(shù)判斷距離S2-最近的鋅離子有4個；

（5）由均攤法計算得到金屬互化物的化學式；再由質(zhì)量公式計算密度。

【詳解】

（1）晶體中粒子在三維空間里呈周期性有序排列；有自范性，非晶體中原子排列相對無序，無自范性，金屬互化物具有自范性，原子在三維空間里呈周期性有序排列，則金屬互化物屬于晶體，故答案為晶體；

（2）銅元素的原子序數(shù)為29，位于周期表第四周期ⅠB族，核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1，含有一個未成對電子，失去2個電子形成Cu2+，故Cu2+離子核外電子排布為1s22s22p63s23p63d9；在CuSO4溶液中加入過量氨水，CuSO4與過量氨水反應(yīng)生成Cu（NH3）4SO4?H2O，加入乙醇降低Cu（NH3）4SO4?H2O的溶解度，析出深藍色Cu（NH3）4SO4?H2O晶體，晶體中含有離子鍵、極性共價鍵和配位鍵；CH3-CH2-OH分子中兩個C原子均為飽和碳原子，價層電子對數(shù)均為4，均為sp3雜化。

（3）（SCN）2的結(jié)構(gòu)式為N≡C-S-S-C≡N，分子中有3個單鍵和2個碳氮三鍵，單鍵為σ鍵，三鍵含有1個σ鍵、2個π鍵，（SCN）2分子含有5個σ鍵，故1mol（SCN）2分子中含有σ鍵的數(shù)目為5NA；能形成分子間氫鍵的物質(zhì)熔沸點較高，異硫氰酸分子間可形成氫鍵，而硫氰酸不能形成分子間氫鍵，所以異硫氰酸熔沸點高于硫氰酸，故答案為5NA；異硫氰酸分子間可形成氫鍵；而硫氰酸不能；

（4）ZnS的晶胞結(jié)構(gòu)可知，距離Zn2＋最近的硫離子有4個，由硫化鋅的化學式可知，距離每個硫離子最近的鋅離子也有４個，即S2-的配位數(shù)為4；故答案為4；

（5）由晶胞結(jié)構(gòu)可知，Cu原子位于晶胞面心，數(shù)目為6×=3，Au原子為晶胞頂點，數(shù)目為8×=1，銅與金形成的金屬互化物的化學式為Cu3Au，晶胞體積V=（a×10-7）3cm3，則密度ρ===故答案為

【點睛】

本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，考查了晶體結(jié)構(gòu)、核外電子排布、配合物以及晶胞的計算等知識，注意核外電子排布規(guī)律，注意空間結(jié)構(gòu)的理解與應(yīng)用，把握均攤法計算、密度與質(zhì)量的關(guān)系為解答的關(guān)鍵。【解析】晶體11s22s22p63s23p63d9Cu（NH3）4SO4?H2O離子鍵、極性共價鍵和配位鍵sp3雜化、sp3雜化5NA異硫氰酸分子間可形成氫鍵，而硫氰酸不能4六、原理綜合題(共3題，共24分)22、略

【分析】【詳解】

(1)碳為6號元素，碳原子的價電子排布圖為核外有6種不同運動狀態(tài)的電子，故答案為6；

(2)①元素的非金屬性越強，電負性數(shù)值越大，嘌呤中所有元素的電負性由大到小的順序為N>C>H，故答案為N>C>H；

②孤電子對與鍵合電子對之間的斥力大于鍵合電子對之間的斥力；斥力越大，鍵角越大，因此嘌呤中軌道之間的夾角∠1比∠2大，故答案為孤電子對與鍵合電子對之間的斥力大于鍵合電子對之間的斥力，斥力大，鍵角大；

③吡啶結(jié)構(gòu)中N原子連接有3個原子，含有1個孤對電子，采用sp3雜化，故答案為sp3；

④分子中的大π鍵可以用符號表示，其中m代表參與形成大π鍵的原子數(shù)，n代表參與形成大π鍵的電子數(shù)。根據(jù)吡啶的結(jié)構(gòu)，其中的大π鍵由5個原子6個電子形成的，表示為故答案為

(3)①A.CO分子中碳和氧上各有1個孤對電子，CO2分子中碳和氧上各有2個孤對電子，故A錯誤；B.CO為極性分子，二氧化碳為非