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單晶硅各向異性刻蝕

與虛擬仿真實(shí)驗(yàn)學(xué)習(xí)目標(biāo)熟悉單晶硅各向異性刻蝕原理熟悉單晶硅各向異性刻蝕液成分熟悉虛擬仿真實(shí)驗(yàn)操作單晶硅單晶硅由金剛石結(jié)構(gòu)的立方晶胞有序重復(fù)組成，硅常用晶面上原子分布Si面密度:(100)2/a2(110)2.83/a2(111)2.3/a2晶面原子密度關(guān)系為（111）＞（110）＞（100）各向異性刻蝕原理在特定溶液中，晶面原子密度越大，刻蝕速率越低，形成各向異性刻蝕。logo材料表面（100）晶面，傾斜的側(cè)面(111)晶面，與水平面夾角54.7°晶面刻蝕速率約為(111)晶面刻蝕速率的100倍單晶硅各向異性刻蝕液添加標(biāo)題EDP（乙二胺+對(duì)苯二酚+水）添加標(biāo)題TMAH（四甲基氫氧化銨）添加標(biāo)題聯(lián)胺添加標(biāo)題氫氧化鈉添加標(biāo)題氫氧化鋰添加標(biāo)題氨水單晶硅各向異性刻蝕液氫氧化鉀????+????_x001A_??_x001B_?_x001B_+??_x001A_??_x001B_??_x001B_??→????(_x001A__x001A_????_x001B__x001B_??_x001B_+氧化硅掩模單晶硅（100）（100）晶面（111）晶面單晶硅各向異性刻蝕虛擬仿真實(shí)驗(yàn)雙擊選擇氫氧化鉀刻蝕液將刻蝕液倒入刻蝕槽中雙擊打開(kāi)刻蝕槽蓋子。將腐蝕槽放入刻蝕槽中蓋好刻蝕槽蓋子，調(diào)節(jié)刻蝕溫度并加熱加熱完成后，雙擊打開(kāi)刻蝕槽蓋子雙擊硅片花籃，將硅片花籃放入刻蝕槽中設(shè)置刻蝕時(shí)間并開(kāi)始計(jì)時(shí)刻蝕計(jì)時(shí)完成后，雙擊硅片花籃，將硅片花籃放入溢流沖水槽中進(jìn)行沖洗。

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