第四章-離子注入

離子注入技術(shù)是用一定能量的雜質(zhì)離子束轟擊要摻雜的材料（稱為靶，可以是晶體，也可以是非晶體），一部分雜質(zhì)離子會(huì)進(jìn)入靶內(nèi)，實(shí)現(xiàn)摻雜的目的。離子注入是集成電路制造中常用的一種摻雜工藝，尤其是淺結(jié)，主要是靠離子注入技術(shù)實(shí)現(xiàn)摻雜。第四章離子注入11952年，美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室就開(kāi)始研究用離子束轟擊技術(shù)來(lái)改善半導(dǎo)體的特性。1954年前后，shockley提出來(lái)用離子注入技術(shù)能夠制造半導(dǎo)體器件，并且預(yù)言采用這種方法可以制造薄基區(qū)的高頻晶體管。1955年，英國(guó)的W.D.Cussins發(fā)現(xiàn)硼離子轟擊鍺晶片時(shí)，可在n型材料上形成p型層。1960年，對(duì)離子射程的計(jì)算和測(cè)量、輻射損傷效應(yīng)以及溝道效應(yīng)等方面的重要研究己基本完成，離子注入技術(shù)開(kāi)始在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中得到廣泛應(yīng)用。1968年報(bào)道了采用離子注入技術(shù)制造的、具有突變型雜質(zhì)分布的變?nèi)荻O管以及鋁柵自對(duì)準(zhǔn)MOS晶體管。1972年以后對(duì)離子注入現(xiàn)象有了更深入的了解，目前離子注入技術(shù)已經(jīng)成為甚大規(guī)模集成電路制造中最主要的摻雜工藝。離子注入的發(fā)展歷史：2離子注入技術(shù)的主要特點(diǎn)：(1)注入的離子是通過(guò)質(zhì)量分析器選取出來(lái)的，被選取的離子純

度高，能量單一，從而保證了摻雜純度不受雜質(zhì)源純度的影響。另外，注入過(guò)程是在清潔、干燥的真空條件下進(jìn)行的，

各種污染降到最低水平。(2)可以精確控制注入到硅中的摻雜原子數(shù)目，注入劑量在

1011～1017／cm2的較寬范圍內(nèi)，同一平面內(nèi)的雜質(zhì)均勻性和重復(fù)性可精確控制在±1％內(nèi)。離子注入技術(shù)的這一優(yōu)點(diǎn)在

甚大規(guī)模集成電路制造中尤其重要。(3)離子注入時(shí)，襯底一般是保持在室溫或低于400℃，因此，

像二氧化硅、氮化硅、鋁和光刻膠等都可以用來(lái)作為選擇摻

雜的掩蔽膜，給予自對(duì)準(zhǔn)掩蔽技術(shù)更大的靈活性，這是熱擴(kuò)散方法根本做不到的，因?yàn)闊釘U(kuò)散方法的掩膜必須是能耐高

溫的材料。3(4)離子注入深度是隨離子能量的增加而增加，因此摻雜深度可

通過(guò)控制離子束能量高低來(lái)實(shí)現(xiàn)。另外，在注入過(guò)程中可精

確控制電荷量，從而可精確控制摻雜濃度，因此通過(guò)控制注

入離子的能量和劑量，以及采用多次注入相同或不同雜質(zhì)，可得到各種形式的雜質(zhì)分布，對(duì)于突變型的雜質(zhì)分布、淺結(jié)的制備，采用離子注入技術(shù)很容易實(shí)現(xiàn)。(5)離子注入是一個(gè)非平衡過(guò)程，不受雜質(zhì)在襯底材料中的固溶度限制，原則上對(duì)各種元素均可摻雜(但摻雜劑占據(jù)基質(zhì)格

點(diǎn)而變?yōu)榧せ铍s質(zhì)是有限的)，這就使摻雜工藝靈活多樣，適應(yīng)性強(qiáng)。根據(jù)需要可從幾十種元素中挑選合適的n型或p型

雜質(zhì)進(jìn)行摻雜。(6)離子注入時(shí)的襯底溫度較低，這樣就可以避免高溫?cái)U(kuò)散所引起的熱缺陷。4(7)由于注入的直進(jìn)性，注入雜質(zhì)是按掩膜的圖形近于垂直入射，這樣的摻雜方法，橫向效應(yīng)比熱擴(kuò)散小很多，這一特點(diǎn)有利于器件特征尺寸的縮小。(8)離子往往是通過(guò)Si表面上的薄膜(如SiO2)注入到硅中，因此硅表面上的薄膜起到了保護(hù)膜作用，防止了污染。(9)化合物半導(dǎo)體是二種或多種元素按一定組分構(gòu)成的，這種材料經(jīng)高溫處理時(shí)，組分可能發(fā)生變化。采用離子注入技術(shù)，基本上不存在上述問(wèn)題，因此容易實(shí)現(xiàn)對(duì)化合徹半導(dǎo)體的摻雜。54.1核碰撞和電子碰撞4.2

注入離子在無(wú)定形靶中的分布4.3

注入損傷4.4

熱退火目錄64.1核碰撞和電子碰撞注入離子在靶內(nèi)的分布理論（LSS理論）

1963年，林華德(Lindhard)，沙夫(Scharff)和希奧特(Schiott)首先確立：注入離子在靶內(nèi)的能量損失分為兩個(gè)彼此獨(dú)立的過(guò)程：①核碰撞(核阻止)②電子碰撞(電子阻止)總能量損失為它們的和。

7核碰撞：是注入離子與靶內(nèi)原子核之間的相互碰撞。因注入離子與靶原子的質(zhì)量一般為同一數(shù)量級(jí)，每次碰撞之后，注入離子都可能發(fā)生大角度的散射，并失去一定的能量。靶原子核也因碰撞而獲得能量，如果獲得的能量大于原子束縛能，就會(huì)離開(kāi)原來(lái)所在晶格進(jìn)入間隙，并留下一個(gè)空位，形成缺陷。8由于兩者的質(zhì)量相差非常大(104)，每次碰撞中，注入離子的能量損失很小，而且散射角度也非常小，也就是說(shuō)每次碰撞都不會(huì)改變注入離子的動(dòng)量，雖然經(jīng)過(guò)多次散射，注入離子運(yùn)動(dòng)方向基本不變。電子碰撞：是注入離子與靶內(nèi)自由電子以及束縛電子之間的碰撞，這種碰撞能瞬時(shí)地形成電子-空穴對(duì)。9一個(gè)注入離子在其運(yùn)動(dòng)路程上任一點(diǎn)x處的能量為E，則核阻止本領(lǐng)就定義為：

電子阻止本領(lǐng)定義為：根據(jù)LSS理論，單位距離上，由于核碰撞和電子碰撞，注入離子損失能量為：

注入離子在靶內(nèi)運(yùn)動(dòng)的總路程：核阻止本領(lǐng)和電子阻止本領(lǐng)104.1.1核阻止本領(lǐng)一、核阻止本領(lǐng)

可理解為能量為E的一個(gè)注入離子，在單位密度靶內(nèi)運(yùn)動(dòng)單位長(zhǎng)度時(shí)，損失給靶原子核的能量。把注入離子和靶原子看成是兩個(gè)不帶電的硬球，半徑分別為R1和R2。碰撞前：R1，M1，Vl，E0(動(dòng)能)

R2，M2碰撞后：R1，M1，Ul，E1，

1(散射角)

R2，M2，U2，E2，

2兩球之間的碰撞距離用碰撞參數(shù)p(指運(yùn)動(dòng)球經(jīng)過(guò)靜止球附近而不被散射情況下，兩球之間的最近距離)表示，只有在p≤(R1+R2)時(shí)才能發(fā)生碰撞和能量的轉(zhuǎn)移。11二次彈性碰撞12在p=0時(shí)，兩球?qū)l(fā)生正面碰撞，此時(shí)傳輸?shù)哪芰孔畲?，用TM表示：

不考慮電子屏蔽作用時(shí)，注入離子與靶原子之間的勢(shì)函數(shù)為庫(kù)侖勢(shì)：其中Z1和Z2分別為兩個(gè)粒子的原子序數(shù)，r為距離?？紤]電子屏蔽作用，注入離子與靶原子之間的勢(shì)函數(shù)用下面形式表示：

其中f(r/a)為電子屏蔽函數(shù)，a為屏蔽參數(shù)。13如果屏蔽函數(shù)為：

此時(shí)注入離子與靶原子核碰撞的能量損失率為常數(shù)，用S0n表示。如果采用托馬斯-費(fèi)米屏蔽函數(shù)（可得到更精確的結(jié)果），核阻止本領(lǐng)與離子能量的關(guān)系Sn(E)如圖所示：低能量時(shí)核阻止本領(lǐng)隨離子能量呈線性增加，在某個(gè)能量達(dá)到最大值；高能量時(shí)，因快速運(yùn)動(dòng)的離子沒(méi)有足夠的時(shí)間與靶原子進(jìn)行有效的能量交換，核阻止本領(lǐng)變小。二、核阻止本領(lǐng)與離子能量的關(guān)系14能量損失率與離子能量的關(guān)系托馬斯-費(fèi)米屏蔽函數(shù)15As,P,B在硅中的核阻止本領(lǐng)和電子阻止本領(lǐng)與能量的關(guān)系的計(jì)算值對(duì)硅靶來(lái)說(shuō)，注入離子不同，其核阻止本領(lǐng)達(dá)到最大的能量值是不同的。164.1.2電子阻止本領(lǐng)在LSS理論中，把固體中的電子看成為自由電子氣，電子阻止類似于黏滯氣體的阻力。在注入離子的常用能量范圍內(nèi)，電子阻止本領(lǐng)Se(E)同注入離子的速度成正比，即和注入離子能量的平方根成正比：其中V為注入離子的速度，系數(shù)ke與注入離子的原子序數(shù)、質(zhì)量、靶材料的原子序數(shù)和質(zhì)量有著微弱的關(guān)系。在粗略近似下，對(duì)于無(wú)定形硅靶來(lái)說(shuō)，ke為一常數(shù)。174.1.3射程的粗略估計(jì)根據(jù)LSS理論，得到核阻止本領(lǐng)和電子阻止本領(lǐng)曲線，如下圖所示，其中和

是無(wú)量綱的能量和射程參數(shù)。核碰撞能量損失“通用”曲線一組Se(E)直線，每一直線對(duì)應(yīng)于一個(gè)ke值18據(jù)上圖，注入離子的能量可分為三個(gè)區(qū)域：低能區(qū)：核阻止本領(lǐng)占主要地位，電子阻止可以被忽略。中能區(qū)：核阻止本領(lǐng)和電子阻止本領(lǐng)同等重要，必須同時(shí)考慮。高能區(qū)：電子阻止本領(lǐng)占主要地位，核阻止本領(lǐng)可以忽略。但這個(gè)區(qū)域的能量值，一般超出了工藝的實(shí)際應(yīng)用范圍。屬于核物理的研究課題。19核阻止本領(lǐng)與電子阻止本領(lǐng)比較1.一級(jí)近似核阻止本領(lǐng)S0n和入射離子能量E無(wú)關(guān)。電子阻止本領(lǐng)和注入離子的速度（能量的平方根）成正比。2.臨界能量如圖所示，在E=Ec處核阻止與電子阻止本領(lǐng)相等。203.射程估算如果注入離子能量比Ec大很多，則離子在靶內(nèi)主要以電子阻止形式損失能量，可按下式估算射程：如果注入離子的能量E<<Ec，離子在靶內(nèi)主要以核阻止形式損失能量，則得射程R的表達(dá)式為214.2注入離子在無(wú)定形靶中的分布

注入離子在靶內(nèi)分布是與注入方向有關(guān)系，一般來(lái)說(shuō)，離子束的注入方向與垂直靶表面方向的夾角比較小，假設(shè)離子束的注入方向是垂直靶表面的。任何一個(gè)注入離子，在靶內(nèi)所受到的碰撞是一個(gè)隨機(jī)過(guò)程。即使是能量相等的同種離子，在靶內(nèi)發(fā)生每次碰撞的偏轉(zhuǎn)角和損失能量、相鄰兩次碰撞之間的行程、離子在靶內(nèi)所運(yùn)動(dòng)的路程總長(zhǎng)度、以及總長(zhǎng)度在入射方向上的投影射程(注入深度)都是不相同的。如果注入的離子數(shù)量很小，它們?cè)诎袃?nèi)分布是很分散的，但是，如果注入大量的離子，那么這些離子在靶內(nèi)將按一定統(tǒng)計(jì)規(guī)律分布。224.2.1縱向分布n(x)：距離靶表面為x處的離子濃度(離子數(shù)/cm3)Nmax：峰值濃度,Rp：平均投影射程，離子注入深度的平均值ΔRp：Rp標(biāo)準(zhǔn)偏差Rp和R之間的一般關(guān)系式為：式中b是E和R的緩慢變化函數(shù)。二者的關(guān)系如下圖所示。一、注入離子在無(wú)定形靶內(nèi)的縱向濃度分布一級(jí)近似下，無(wú)定形靶內(nèi)的縱向濃度分布可用高斯函數(shù)表示：2324二、注入離子二維分布注入離子分布在Rp的兩邊，具體分布情況由

Rp決定，如下圖所示。

Rp與Rp的近似關(guān)系為：注入劑量：則有：則離子濃度可表示為：2526原因：高斯分布是在隨機(jī)注入條件下得到的粗略結(jié)果，那些碰撞

次數(shù)小于平均值的離子，可能停止在比Rp更遠(yuǎn)處；而碰撞次數(shù)大于平均值的離子可能停在表面與Rp之間；實(shí)際注入時(shí)還有更多影響離子分布的因素需考慮：B：峰值靠近表面一側(cè)的離子數(shù)量高于另一側(cè)（輕，大角度散射），不服從嚴(yán)格的高斯分布，出現(xiàn)明顯的不對(duì)稱性，如下圖所示；As：x>Rp一側(cè)有較多的離子分布（重，散射角小），同樣也偏離了理想的高斯分布。盡管如此，實(shí)踐中通常仍利用理想高斯分布來(lái)快速估算注入離子在非晶靶以及單晶靶材料中的分布。三、一級(jí)近似得到的高斯分布，在峰值附近與實(shí)際分布符合較好，距峰值較遠(yuǎn)時(shí)有一定偏離2728由圖可知，在能量一定的情況下，輕離子比重離子的射程要深。B，P，As在無(wú)定型硅和熱氧化SiO2中的投影射程和能量的關(guān)系如右圖所示。29投影射程的標(biāo)準(zhǔn)偏差ΔRp與能量關(guān)系的計(jì)算值如下圖所示304.2.2橫向分布橫向效應(yīng)：注入離子在垂直入射方向的平面內(nèi)的分布情況。離子束沿x方向入射，注入離子的空間分布函數(shù)f(x,y,z)：

其中ΔY扣ΔZ分別為在Y方向和Z方向上的標(biāo)準(zhǔn)偏差。

ΔY=ΔZ=ΔR┴，ΔR┴為橫向離散。31

在掩膜邊緣(即-a和+a處)的濃度是窗口中心處濃度的50％。而距離大于+a和小于-a各處的濃度按余誤差下降。通過(guò)一狹窄掩膜窗口注入的離子，掩膜窗口的寬度為2a，原點(diǎn)選在窗口的中心，y和z方向如下圖所示。32

(a)雜質(zhì)B、P通過(guò)lμ寬掩膜窗口注入到硅靶中的等濃度曲線(b)雜質(zhì)P以不同能量注入硅靶中的等濃度曲線橫向效應(yīng)與注入離子的種類和入射離子的能量有關(guān)33硼、磷和砷入射到無(wú)定形硅靶中時(shí)，ΔRp和ΔR┴與入射能量的關(guān)系。344.2.3溝道效應(yīng)溝道效應(yīng)：當(dāng)離子注入的方向與靶晶體的某個(gè)晶面平行時(shí)，將很少受到核碰撞，離子將沿溝道運(yùn)動(dòng)，注入深度很深。由于溝道效應(yīng)，使注入離子濃度的分布產(chǎn)生很長(zhǎng)的拖尾。硅晶體的原子構(gòu)型3536為了避免溝道效應(yīng)，可使晶體的主軸方向偏離注入方向，使之呈現(xiàn)無(wú)定形狀態(tài)，會(huì)發(fā)生大量碰撞。偏離的典型值為7°。硅晶體的原子構(gòu)型37384.2.4淺結(jié)的形成對(duì)于輕雜質(zhì)，形成淺結(jié)非常困難。降低注入離子能量：注入離子能量幾個(gè)keV但是在低能情況下，溝道效應(yīng)變得非常明顯。增大偏離角度。在低能注入時(shí)，離子束的穩(wěn)定性是一個(gè)問(wèn)題，由于空間電荷效應(yīng)，離子束發(fā)散。解決辦法是采用寬束流，降低束流密度。預(yù)先非晶化：注B前，先以重離子高劑量注入，使Si形成非晶表面層。使溝道效應(yīng)減小。完全非晶化層在退火后結(jié)晶質(zhì)量好。394.3注入損傷離子注入技術(shù)的最大優(yōu)點(diǎn)，就是可以精確地控制摻雜雜質(zhì)的數(shù)量及深度。但是，在離子注入的過(guò)程中，襯底的晶體結(jié)構(gòu)受到損傷是不可避免的。離子注入前后，襯底的晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生變化。40①如果傳遞的能量小于移位閾能Ed，被碰原子只是在平衡位置振動(dòng)，將獲得的能量以振動(dòng)能的形式傳遞給近鄰原子，表現(xiàn)為宏觀熱能。②如果傳遞的能量大于Ed而小于2Ed

，被碰原子成為移位原子，并留下一個(gè)空位。這個(gè)移位原子具有的能量小于Ed，不能使與它碰撞的原子移位。③如果靶原子獲得的能量大于2Ed

，被碰原子移位之后，還具有很高的能量，在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中，可以使與它碰撞的原子發(fā)生移位。這種不斷碰撞的現(xiàn)象稱為“級(jí)聯(lián)碰撞”。4.3.1級(jí)聯(lián)碰撞注入離子與靶內(nèi)原子碰撞，將能量傳遞給靶的過(guò)程稱為能量淀積過(guò)程。41級(jí)聯(lián)碰撞的結(jié)果會(huì)使大量的靶原子移位，產(chǎn)生大量的空位和間隙原子，形成損傷。當(dāng)級(jí)聯(lián)碰撞密度不太大時(shí)，只產(chǎn)生孤立的、分開(kāi)的點(diǎn)缺陷。如果級(jí)聯(lián)碰撞的密度很高時(shí)，缺陷區(qū)就會(huì)互相重疊，加重?fù)p傷程度，甚至使注入?yún)^(qū)域的晶體結(jié)構(gòu)完全受到破壞，變?yōu)榉蔷^(qū)。424.3.2簡(jiǎn)單晶格損傷如果注入的是輕離子，或者是小劑量的重離子，注入離子在靶中產(chǎn)生簡(jiǎn)單晶格損傷。如下圖所示，對(duì)于輕離子，開(kāi)始時(shí)能量損失主要由電子阻止引起，不產(chǎn)生移位原子。注入離子的能量隨注入深度的增加而減小，當(dāng)能量減小到小于交點(diǎn)Ec時(shí)，核阻止將起主導(dǎo)作用，幾乎所有的晶格損傷都產(chǎn)生于Ec點(diǎn)以后的運(yùn)動(dòng)中。大多數(shù)情況下，每個(gè)注入離子只有一小部分能量對(duì)產(chǎn)生間隙-空位缺陷有貢獻(xiàn)。對(duì)重離子來(lái)說(shuō)，主要是通過(guò)核碰撞損失能量，產(chǎn)生的損傷較大。在基片上的一些局部區(qū)域，即使只受到小劑量重原子的轟擊，也將遭受足夠的損傷，甚至變?yōu)榉蔷B(tài)層。43核阻止本領(lǐng)與電子阻止本領(lǐng)比較損傷區(qū)的分布444.3.3

非晶的形成注入離子的能量越高，產(chǎn)生移位原子數(shù)目就越多，就更容易形成非晶區(qū)。離子注入時(shí)的靶溫對(duì)晶格損傷情況也起著重要的影響，在其他條件相同的情況下，靶溫越高，損傷情況就越輕，這是因?yàn)樵陔x子注入同時(shí)，存在一個(gè)自退火過(guò)程。如下圖所示，隨著溫度升高形成非晶層的臨界劑量增大，這是因?yàn)闇囟仍礁撸酝嘶鹦?yīng)越顯著。如果單位時(shí)間通過(guò)單位面積注入的離子數(shù)(劑量率)越大，自退火效應(yīng)將下降，產(chǎn)生非晶區(qū)的臨界劑量也將減小。--影響注入損傷程度的因素注入損傷不僅與注入離子的能量、質(zhì)量有關(guān)，而且與離子的注入劑量以及靶溫和晶向等因素有關(guān)。45形成非晶層的臨界劑量與溫度的關(guān)系464.4熱退火注入離子所造成的晶格損傷，對(duì)材料的電學(xué)性質(zhì)將產(chǎn)生重要的影響。如載流子遷移率下降、少子的壽命減少等。另外，離子注入的摻雜機(jī)理與熱擴(kuò)散不同，在離子注入中，是把雜質(zhì)離子強(qiáng)行射入晶體內(nèi)，被射入的雜質(zhì)原子大多數(shù)都存在于晶格間隙位置，起不到施主或受主的作用。所以，采用離子注入技術(shù)進(jìn)行摻雜的硅片，必須消除晶格損傷，并使注入的雜質(zhì)進(jìn)入晶格位置以實(shí)現(xiàn)電激活。熱退火：在一定溫度下，將注有雜質(zhì)離子的硅片經(jīng)過(guò)適當(dāng)時(shí)間的熱處理，使硅片中的損傷部分或絕大部分消除，少子壽命和遷移率得到恢復(fù)，摻入的雜質(zhì)被激活，這樣的處理過(guò)程稱為熱退火。474.4.1硅材料的熱退火特性退火的溫度和時(shí)間，退火方式等都要根據(jù)實(shí)際情況而定。另外還要根據(jù)對(duì)電學(xué)參數(shù)恢復(fù)程度的要求選定退火條件，退火溫度的選擇還要考慮到欲退火硅片所允許的處理溫度。低劑量所造成的損傷，一般在較低溫度下退火就可以消除。當(dāng)劑量增加形成非晶區(qū)時(shí)，退火溫度增大。484.4.2硼的熱退火特性電激活比例:自由載流子數(shù)p和注入劑量Ns的比。

對(duì)于低劑量的情況，隨退火溫度上升，電激活比例增大。右圖顯示了能量為150keV的硼離子以三個(gè)不同劑量注入硅中的等時(shí)退火特性。49對(duì)于高劑量情況，可以把退火溫度分為三個(gè)區(qū)域：在區(qū)域I中，隨退火溫度上升，點(diǎn)缺陷的移動(dòng)能力增強(qiáng)，因此間隙硼和硅原子與空位的復(fù)合幾率增加，使點(diǎn)缺陷消失，替位硼的濃度上升，電激活比例增加，自由載流子濃度增大。當(dāng)退火溫度在500-600℃的范圍內(nèi)。點(diǎn)缺陷通過(guò)重新組合或結(jié)團(tuán)，降低其能量。因?yàn)榕鹪臃浅Ｐ。腿毕輬F(tuán)有很強(qiáng)的作用，很容易遷移或被結(jié)合到缺陷團(tuán)中，處于非激活位置，因而出現(xiàn)隨溫度的升高而替位硼的濃度下降的現(xiàn)象，也就是自由載流子濃度隨溫度上升而下降的現(xiàn)象（逆退火特性）。在區(qū)域Ⅲ中，硼的替位濃度以接近于5eV的激活能隨溫度上升而增加，這個(gè)激活能與升溫時(shí)Si自身空位的產(chǎn)生和移動(dòng)的能量一致。產(chǎn)生的空位向間隙硼處運(yùn)動(dòng)，因而間隙硼就可以進(jìn)入空位而處于替代位置，硼的電激活比例也隨溫度上升而增加。504.4.3磷的熱退火特性圖中虛線所表示的是損傷區(qū)還沒(méi)有變?yōu)榉蔷訒r(shí)的退火性質(zhì)，實(shí)線則表示非晶層的退火性質(zhì)。對(duì)于11015/cm2和51015/cm2時(shí)所形成的非晶層，退火溫度在600℃左右，低于劑量為1014左右沒(méi)有形成非晶層的退火溫度，這是因?yàn)閮煞N情況的退火機(jī)理不同。非晶層的退火效應(yīng)是與固相外延再生長(zhǎng)過(guò)程相聯(lián)系的，在再生長(zhǎng)過(guò)程中，V族原子實(shí)際上與硅原子是難以區(qū)分，被注入的V族原子磷在再結(jié)晶過(guò)程中與硅原子一樣，同時(shí)被結(jié)合到晶格位置上。51524.4.4熱退火過(guò)程中的擴(kuò)散效應(yīng)注入離子在靶內(nèi)的分布近似認(rèn)為是高斯型的。但是熱退火過(guò)程使高斯分布有明顯的展寬，偏離了注入時(shí)的分布，尤其是尾部出現(xiàn)了較