模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)練習(xí)題及答案

模擬電子技術(shù)根底練習(xí)題及答案

習(xí)題1

一、填空題

1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度那么與通度

有很大關(guān)系。

2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流狂漂移電流，耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí)，擴(kuò)放電流小于

漂移電流，耗盡層變寬。

3、在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子c

二.判斷題

1、由于P型半導(dǎo)體中含有大量空穴載流子，N型半導(dǎo)體中含有大量電子載流子，所以P型半導(dǎo)體帶正

電，N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。（x）

2、在N型半導(dǎo)體中，摻入高濃度三價(jià)元素雜質(zhì)，可以改為P型半導(dǎo)體。（V）

3、擴(kuò)散電流是由半導(dǎo)體的雜質(zhì)濃度引起的，即雜質(zhì)濃度大，擴(kuò)散電流大；雜質(zhì)濃度小，擴(kuò)散電流小。（x）

4.本征激發(fā)過程中，當(dāng)激發(fā)與復(fù)合處于動態(tài)平衡時(shí)，兩種作月相互抵消，激發(fā)與復(fù)合停止。（x）

5、PN結(jié)在無光照無外加電壓時(shí)，結(jié)電流為零。（V）

6、溫度升高時(shí)，PN結(jié)的反向飽和電流將減小。（x）

7、PN結(jié)加正向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將變寬。（x）

三.簡答題

1、PN結(jié)的伏安特性有何特點(diǎn)？

v

答：根據(jù)統(tǒng)計(jì)物理理論分析，PN結(jié)的伏安特性可用式lD=I「（e豆-1）表示。

式中，ID為流過PN結(jié)的電流；Is為PN結(jié)的反向飽和電流，是一個(gè)與環(huán)境溫度和材料等有關(guān)的參數(shù)，

單位與I的單位一致；V為外加電壓；VT=kT/q,為溫度的電壓當(dāng)量（其單位與V的單位一致），其中玻

爾茲曼常數(shù)A=L38xl（T"?//K,電子電量q=L60217731X10T9c（庫倫），那么”=,二（V），在

115942

v

T

常溫（T=300K）下,VT=25.875mV=26mVo當(dāng)外加正向電壓，即V為正值，且V比VT大幾倍時(shí),e'?1,

V

于是1=14豆，這時(shí)正向電流將隨著正向電壓的增加按指數(shù)規(guī)律增大，PN結(jié)為正向?qū)顟B(tài).外加反向

V

電壓，即V為負(fù)值，且|V|比V】大幾倍時(shí)，?1,于是這時(shí)PN結(jié)只流過很小的反向飽和

電流，且數(shù)值上根本不隨外加電玉而變，PN結(jié)呈反向截止?fàn)顟B(tài)。PN結(jié)的伏安特性也可用特性曲線表示，

如卜.圖.從式（L1.1）伏安特性方程的分析和圖特性曲線（實(shí)線局部）可見：PN結(jié)真有單向?qū)щ娦院头蔷€

性的伏安特性。

2、什么是PN結(jié)的反向擊?可特點(diǎn)?

答：“PN”結(jié)的反向擊務(wù)設(shè)計(jì)的擊穿電壓后，PN結(jié)發(fā)生擊

穿。

1/

PN結(jié)的擊穿主要有兩;V（BR）/，20℃：.在兩側(cè)雜質(zhì)濃度都較痛的PN結(jié)，

-I------

一般反向擊穿電壓小于4EE/二V

丁0Von恃衡量，Eg/q指PN結(jié)量于阱外加

電壓值，單位為伏特）的f,

是強(qiáng)電場把共價(jià)鍵中的電子拉出來

參與導(dǎo)電，使的少子濃度增加，反廬圖1.1.1PN伏安特性

雪崩擊穿主要發(fā)生在"PN〃結(jié)一側(cè)或兩側(cè)的雜質(zhì)濃度較低"PN"結(jié)，一般反向擊穿電壓高于6Eg/q的

"PN"結(jié)的擊穿模式為雪崩擊穿。擊穿機(jī)理就是強(qiáng)電場使載流子的運(yùn)動速度加快，動能增大，撞擊中型原

子時(shí)把外層電子撞擊出來，繼而產(chǎn)生連鎖反響，導(dǎo)致少數(shù)載流子濃度升高，反向電流劇增。

3、PN結(jié)電容是怎樣形成的？和普通電容相比有什么區(qū)別？

PN結(jié)電容由勢壘電容Cb和擴(kuò)散電容Cd組成。

勢壘電容&是由空間電荷區(qū)引起的?？臻g電荷區(qū)內(nèi)有不能移動的正負(fù)離子，各具有?定的電量。

當(dāng)外加反向電壓變大時(shí)，空間電荷區(qū)變寬，存儲的電荷量增加；當(dāng)外加反向電壓變小時(shí)，空間電荷區(qū)變

窄，存儲的電荷量減小，這樣就形成了電容效應(yīng)。“墊壘電容〃大小隨外加電壓改變而變化，是一種非線

性電容，而普通電容為線性電容。在實(shí)際應(yīng)用中，常用微變電容作為參數(shù)，變?nèi)荻O管就是勢壘電容隨

外加電壓變化比擬顯著的二極管。

擴(kuò)散電容Cd是載流子在擴(kuò)散過程中的積累

而引起的。PN結(jié)加正向電壓時(shí)，N區(qū)的電子向

P區(qū)擴(kuò)散，在P區(qū)形成一定的電子濃度（Np）分

布，PN結(jié)邊緣處濃度大，離結(jié)遠(yuǎn)的地方濃度小,

電子濃度按指數(shù)規(guī)律變化。當(dāng)正向電壓增加時(shí),

載流子積累增加了△Q;反之，那么減小,如下圖。

同理，在N區(qū)內(nèi)空穴濃度隨外加電壓變化而變

圖133P區(qū)中電r濃度的分布曲線及電荷的積累

化的關(guān)系與P區(qū)電子濃度的變化相同。因此，

外加電壓增加AV時(shí)所出現(xiàn)的正負(fù)電荷積累變化△、，可用擴(kuò)散電容q來模擬。Cd也是一種非線性的分

布電容。

綜上可知，勢壘電容和擴(kuò)散電容是同時(shí)存在的。PN結(jié)正偏時(shí)，擴(kuò)散電容遠(yuǎn)大于勢壘電容；PN結(jié)

反偏時(shí)，擴(kuò)散電容遠(yuǎn)小于勢壘電容。勢壘電容和擴(kuò)散電容的大小都與PN結(jié)面積成正比。與普通電容相

比，PN結(jié)電容是非線性的分布電容，而普通電容為線性電容。

習(xí)題2

客觀檢測題

一、填空題

1.半導(dǎo)體二極管當(dāng)正偏時(shí)，勢壘區(qū)變空，擴(kuò)散電流大壬漂移電流。

2.在常溫下，硅二極管的門限電壓約導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約0JV：錯(cuò)二

極管的門限電壓約O.IV,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約3v。

3'在常溫下，發(fā)光二極管的正向?qū)妷杭sL2~2V,高于硅二極管的門限電壓;考慮發(fā)光二極

管的發(fā)光光度和壽命，其工作電流一般控制在5~10mA。

4.利用硅PN結(jié)在某種摻雜條件下反向擊穿特性陡直的特點(diǎn)而制成的二極管，稱為普通(稔壓)二極管。

請寫出這種管子四種主要參數(shù)，分別是最大整流電流、反向擊穿電壓、反向電流和極間電容。

二、判斷題

1、二極管加正向電壓時(shí)，其正向電流是由(a)。

a.多數(shù)載流子擴(kuò)散形成b.多數(shù)載流子漂移形成

c.少數(shù)載流子漂移形成d.少數(shù)載流子擴(kuò)散形成

2、PN結(jié)反向偏置電壓的數(shù)值增大,但小于擊穿電壓，［c)。

a.其反向電流增大b.其反向電流減八

c.其反向電流根本不變d.其正向電流增大

3、穩(wěn)壓二極管是利用PN結(jié)的：d)o

a,單向?qū)щ娦詁.反偏截止特性

c.電容特性d.反向擊穿特性

4、二極管的反向飽和電流在20°C時(shí)是5nA,溫度每升高10℃,其反向飽和電流增大一倍，當(dāng)溫度為40℃

時(shí)，反向飽和電流值為(c)o

a.10^Ab.15HAc.20HAd.40HA

5,變?nèi)荻O管在電路中使用時(shí)，其PN結(jié)是(b)。

a.正向運(yùn)用b.反向運(yùn)用

三、問答題

1、溫度對二極管的正向特性影響小，對其反向特性影響大，這是為什么？

答：正向偏置時(shí)，正向電流是多子擴(kuò)散電流，溫度對多子濃度幾乎沒有影響，因此溫度對二極管的

正向特性影響小。但是反向偏置時(shí)，反向電流是少子漂移電流，溫度升高少數(shù)載流子數(shù)量將明顯增加,

反向電流急劇隨之增加，因此溫度對二極管的反向特性影響大.

2、能否將1.5V的干電池以正向接法接到二極管兩端？為什么？

答：根據(jù)二極管電流的方程式

將V=1.5V代入方程式可得：

故/=2.18xlOU（A）

雖然二極管的內(nèi)部體電阻、引線電阻及電池內(nèi)阻都能起限流作用，但過大的電流定會燒壞二極管或

是電池發(fā)熱失效，因此應(yīng)另外添加限流電阻。

3、有A、B兩個(gè)二極管。它們的反向飽和電流分別為5mA和0.244,在外加相同的正向電壓時(shí)的電流

分別為20mA和8mA,你認(rèn)為哪一個(gè)管的性能較好？

答：B好，因?yàn)锽的單向?qū)щ娦院?；?dāng)反向偏置時(shí)，反向泡和電流很小，二極管相當(dāng)于斷路，其反

向偏置電阻無窮大。

4、利用硅二極管較陡峭的正向特性，能否實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓？假設(shè)能，那么二極管應(yīng)如何偏置？

答：能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓，二極管應(yīng)該正向偏置，硅二極管的正偏導(dǎo)通電壓為0.7V；因此硅二極管的正向特

性，可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓，其穩(wěn)壓值為0.八

5、什么是齊納擊穿？擊穿后是否意味著PN結(jié)損壞？

答：齊納擊穿主要發(fā)生在兩側(cè)雜質(zhì)濃度都較高的PN結(jié)，其空間電荷區(qū)較窄，擊穿電壓較低（如5V

以下），一般反向擊穿電壓小于4Eg/q（Eg—PN結(jié)量子阱禁帶能量，用電子伏特衡量，Eg/q指PN結(jié)量子

阱外加電壓值，單位為伏特）的PN的擊穿模式就是齊納擊穿.擊穿機(jī)理就是強(qiáng)電場把共價(jià)鍵中的電子

拉出來參與導(dǎo)電，使的少子濃度增加，反向電流上升。

發(fā)生齊納擊穿需要的電場強(qiáng)度很大，只有在雜質(zhì)濃度特別大的PN結(jié)才能到達(dá)。擊穿后并不意味著

PN結(jié)損壞，當(dāng)加在穩(wěn)壓管上的反向電壓降低以后，管子仍然可以恢復(fù)原來的狀態(tài)。但是反向電流和反

向電壓的乘積超過PN結(jié)容許的耗散功率時(shí)，就可能由電擊穿變?yōu)闊釗舸斐捎谰眯缘钠茐?。電?/p>

穿PN結(jié)未被損壞，但是熱擊穿PN結(jié)將永久損壞。

主觀檢測題

試用電流方程式計(jì)算室溫下正向電壓為0.26V和反向電壓為IV時(shí)的二極管電流?！苍O(shè)（=10/ZA）

解:由公式〃=八（7"仃-1）=人（/'"小一1）

由于,VT=0.025V

正向偏置.VD=0.26V時(shí)

當(dāng)反向偏置匕）=一1，時(shí)

寫出題圖所示各電路的輸出電壓值，設(shè)二極管均為理想二極管。

解：％產(chǎn)2V（二極管正向?qū)ǎ?2=0（二極管反向截止），》O3=-2V（二極管正向?qū)ǎ?，VO4=2V

（二極管反向截止），1/O5-2V（二極管正向?qū)ǎ?，VO6--2V（二極管反向截止）。

---------------O

D"；

7V___

i極管正向?qū)ǎ?，Ug=2V

?。

D不

共測得三個(gè)數(shù)據(jù):

⑻（b）

4Kx85。和680Q,試判斷它們各是哪笨如出的。

解：萬用表測量電阻時(shí)，對應(yīng)的測量電路和伏安特性如下圖，實(shí)際上是將流過電表的電流換算為電

阻值，用指針的偏轉(zhuǎn)表示在表盤上。當(dāng)流過的電流大時(shí)，指示的電阻小。測量時(shí)，流過電表的電流由萬

用表的內(nèi)阻和二極管的等效直流電阻值和聯(lián)合決定。

通常萬用表歐姆檔的電池電壓為&=1.5V,KxlO。檔時(shí)，表頭指針的滿量程為1OOM（測量電阻

為0,流經(jīng)電阻R的電流為10mA）,萬用表的內(nèi)阻為Rno=15Oa；KxlOOQ檔時(shí)，萬用表的內(nèi)阻為

4KM）=10與“）=1500。（測量電阻為0,表頭滿量程時(shí)，流經(jīng)R的電流為1mA）；RxlAA檔時(shí)（測

量電阻為0,表頭滿量程時(shí)，流經(jīng)用的電流為0.1mA）,萬用表的內(nèi)阻為4nM）=100R“0=15M。；

由圖可得管子兩端的電壓V和電流I之間有如下關(guān)系：

9----------------------------------------------------?i

紅

黑

表

表

筆

筆

11恃性曲線的

412-

13

Z書表的讀數(shù)

V3V2ViEi

圖

為V2/I2。

用KxlAQ檔測量時(shí)，萬用表的直流負(fù)載線方程與二極管的特性曲線的交點(diǎn)為C,萬用表的讀數(shù)為

Vj/I3o

VVV

由圖中可以得出亍1

’1’2‘3

所以，850為萬用表RxlOQ檔測出的：68（X2為萬用表RxlOOQ檔測出的；4依）為萬用表

RxlAC檔測出的。

電路如題圖所示，Vi=6sinu）t（v）,試畫出巧與V。的波形，并標(biāo)出幅值。分別使用二極管理想模型和恒壓

降模型(Vo=0.7V)

O?在Vi

+管導(dǎo)通口勺輸出電壓波形如圖（a）、（b）所

D

/JS0

電路?:極管導(dǎo)通嗨九試畫H也與M的波形,并標(biāo)出幅值。

(_v/V

-Oo

題圖2.1.6

⑸理想?型'

E-%

3V.

甌

'o/V

0

L1Xb）恒在降模型

當(dāng)匕〈一3.7題圖2.L7極管〈導(dǎo)通,V。3.7

3

當(dāng)-3.7V<v.<3.7V時(shí),二極管Di、

現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管，它們的穩(wěn)定電壓分別為5V和8V,正向?qū)呢奥?U.7V。試問:

（1）假設(shè)將它們串聯(lián)相接，那么可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？

（2）假設(shè)將它們并聯(lián)相接，那么又可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？

解：（1）兩只穩(wěn)壓管串聯(lián)時(shí)可得1.4V、5.7V、8.7V和13V等四種穩(wěn)壓值。

（2）兩只穩(wěn)壓管并聯(lián)時(shí)可得0.7V、5V和8V等三種穩(wěn)壓值。

穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值"z=6V,穩(wěn)定電流的最小值/zmin=5mA.求題圖所示電路中hn和V02各為多少伏。

(2)當(dāng)M=10V時(shí)，假設(shè)U02="Z=6V,那么穩(wěn)壓管的電流為

/77=—~—=——-=0.002(A)=2mA<l7m,—5mA,

Z2R,2000、7Zm,n

小于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管未擊穿。故

2000

=——匕=.匕=5Va

°2%+&?2000+2000

電路如題圖(a)(b)所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓力=3V,R的取值適宜，％的波形如圖(c)所示。試分

別畫出V。1和1/02的波形。

=

v0v(-3V,當(dāng)

(a)

河十囪b加示的電路,穩(wěn)壓管Dz未擊

(7)/DZ=(v^—Vy)/R=?QmA>/2M=7SmA,穩(wěn)壓管將因功耗過大而損壞°

電路如題圖所示，設(shè)所有穩(wěn)壓管均為硅管［正向?qū)妷簽閂D=0.7V),且穩(wěn)定電壓Vz=8V,力=15sin3t

(V),試畫出voi和此2的波形。

3kQ3kC

O---------[=1-

+oCZZF-o

+RR

解：題圖a),反向擊穿，：當(dāng)

D也Dzv0=8V

D/爪Vo,%

匕<-VD=~由，VD,22s

當(dāng)-0.7卜是7o"吮。

j、(a)z―"題圖--㈤---

對應(yīng)題圖(a)電路的輸需電壓的波形如圖2.2.5(a)所示。

對于圖(b),當(dāng)匕.N匕+匕)=8.7VH寸，穩(wěn)壓管Dzi正向?qū)āzz反向擊穿，"o=8V；

當(dāng)匕〈一彩一匕)=一8?7,時(shí)，穩(wěn)壓管Dzi反向擊穿、Dzz正向?qū)?，v0=-8V；

當(dāng)一8.7丫=一%-匕)〈匕＜+吟+匕)=8.7丫時(shí)，穩(wěn)壓管Dzi和Dz2未擊穿，v°=k

對應(yīng)題圖(b)電路的輸出電壓的波形如圖2.2.5(b)所示。

在題圖所示電路中，發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓區(qū)）=1.5V,正向電流在5~15rnA時(shí)才能正常工作。試問:

（1）開關(guān)S在什么位置時(shí)發(fā)光二極管才能發(fā)光？

（2）R的取值范圍是多少？

解：（1）當(dāng)開關(guān)S閉合時(shí)發(fā)光二極管才能發(fā)光。

（2）為了讓二極管正常發(fā)光，L=5?15mA,

R的范圍為

可以計(jì)算得到R=233?700。

習(xí)題3題圖

客觀檢測題

一、填空題

1.三極管處在放大區(qū)時(shí)，其集曳結(jié)電壓小于零，發(fā)射結(jié)電壓大于零。

2.三:極管的發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度很高,而基區(qū)很薄。

3.在半導(dǎo)體中，溫度變化時(shí)少數(shù)載流子的數(shù)量變化較大，而生數(shù)載流子的數(shù)量變化較小。

4.三極管實(shí)現(xiàn)放大作用的內(nèi)部條件是：發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度要遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，同時(shí)基區(qū)厚度要很小;

外部條件是：發(fā)射結(jié)要正向偏置、集電結(jié)要反向偏置。

5.處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動形成的。

6.工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)Is從12M增大到22HA時(shí)，1c從1mA變?yōu)?mA,那么它的B約為

100

7.三極管的三個(gè)工作區(qū)域分別是飽和區(qū)、放大區(qū)和截止區(qū)。

8.雙極型三極管是指它內(nèi)部的參與導(dǎo)電載流子有兩種。

9.三極管工作在放大區(qū)時(shí)，它的發(fā)射結(jié)保持典偏置.，集電結(jié)保持反回偏置

10某放大電路在負(fù)載開路時(shí)的輸出電壓為SV,接入1?kO的負(fù)載電阻后，輸出電壓降為ZSV,這說明

放大電路的愉出電阻為12kQ。

11.為了使高內(nèi)阻信號源與低電阻負(fù)載能很好的配合，可以在「號源與低電阻負(fù)載間接入共集電極組態(tài)

的放大電路。

12.題圖所示的圖解，畫出了某單管共射放大電路中晶體管的輸出特性和直流、交流負(fù)載線。由此可以

得出：

（1）電源電壓6V:

（2）靜態(tài)集電極電流1mA:集電極電壓。不/=3V;

（3）集電極電阻3kQ；負(fù)載電阻a=3kQ；

（4）晶體管的電流放大系數(shù)月=*,進(jìn)一步計(jì)算可得電壓放大倍數(shù)取2OOC）；

（5）放大電路最大不失真輸出正弦電壓有效值約為1.06V；

（6）要使放大電路不失真，基極正弦電流的振幅度應(yīng)小于20HA。

13.穩(wěn)定靜態(tài)T.作點(diǎn)的常用方充

14.有兩個(gè)放大倍數(shù)相同，輸，

壓進(jìn)行放大。在負(fù)載開路的

15.三極管的交流等效輸入電F

16.共集電極放大電路的輸入E

17.放大電路必須加上適宜的工

18.共射極、共基極、共集電

056%(V)

題圖

19.共射極、共基極放大電路有電壓放大作用:

20.共射極、共集電極放大電路有電流放大作用：

21.射極輸出器的輸入電阻較大，輸出電阻較小。

22.射極輸出器的三個(gè)主要特點(diǎn)是輸出電壓與輸入電壓近似相同、輸入電阻大、輸出電阻小。

23.“小信號等效電路〃中的〃小信號〃是指“小信號等效電路"適合于微小的變化信號的分析，不適合靜態(tài)

工作點(diǎn)和電流電壓的總值的求解，不適合大信號的工作情況分析。

24.放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)由它的直流通路決定,而放大器的增益、輸入電阻、輸出電阻等由它的交流通

路決定。

25.圖解法適合于求靜態(tài)工作Q點(diǎn)；小、大信號工作情況分析,而小信號模型電路分析法那么適合于求

交變小信號的工作情況分析C

26.放大器的放大倍數(shù)反映放大器放大信號的能力;愉入電阻反映放大器索取信號源信號大小的能力;

而輸111電阻那么反映出放大器帶負(fù)載能力。

27.對放大器的分析存在靜態(tài)和動態(tài)兩種狀態(tài),靜態(tài)值在特性曲線上所對應(yīng)的點(diǎn)稱為_^兔。

28.在單級共射放大電路中，如果輸入為正弦波形，用示波器觀察V。和S的波形，那么V。和W的相位

關(guān)系為反相;當(dāng)為共集電極電路時(shí)，那么V。和M的相位關(guān)系為同相。

29.在由NPN管組成的單管共射放大電路中，當(dāng)Q點(diǎn)太高（太高或太低）時(shí)，將產(chǎn)生飽和失真，其輸出

電壓的波形被削掉波谷;當(dāng)Q點(diǎn)太低｛太高或太低）時(shí)，將產(chǎn)牛.截止失真，其輸出電壓的波形被削

一波峰。

30.單級共射放大電路產(chǎn)生截止失真的原因是放大器的動態(tài)工，‘乍軌跡進(jìn)入截止區(qū),產(chǎn)生飽和失真的原因

是放大器的動態(tài)工作軌跡進(jìn)入飽和區(qū)。

31.NPN三極管輸出電壓的底部失真都是她［失真。

32.PNP三極管輸出電壓的細(xì)部失真都是飽和失真。

33.多級放大器各級之間的耦合連接方式?般情況下有RC耦合,直接耦合,變壓器耦合。

34.BJT三極管放大電路有些發(fā)犯遛、共集電極、共基極三種組態(tài)。

35.不管何種組態(tài)的放大電路，作放大用的三極管都工作于其輸出特性曲線的放大區(qū)。因此，這種BJT

接入電路時(shí)，總要使它的發(fā)射結(jié)保持正J包偏置，它的集電結(jié)保持反向偏置。

36.某三極管處于放大狀態(tài)，三個(gè)電極A、B、C的電位分別為-9V、-6V和-6.2V,那么三極管的集電極是

一基極是工，發(fā)射極是一B。該三極管屬于上亞_型，由轉(zhuǎn)半導(dǎo)體材料制成。

37.電壓跟隨器指共集電極電路，其電壓的放大倍數(shù)為1；電流跟隨器指共基極電路，指電流的放大倍

數(shù)為1。

38.溫度對三極管的參數(shù)影響較大，當(dāng)溫度升高時(shí)，/圍。增加，￡增加，正向發(fā)射結(jié)電壓減小，^CM

減小。

39.當(dāng)溫度升高時(shí)，共發(fā)射極輸入特性曲線將左移,輸出特性曲線將上移,而且輸出特性曲線之間的間

隔將增大。

40.放大器產(chǎn)生非線性失真的原因是因極管或場效應(yīng)管工作在非放大區(qū)。

41.在題圖電路中，某一參數(shù)變化時(shí)，匕主。的變化情況S.增加，b,減小，c.不變，將答案填入相應(yīng)

的空格內(nèi)）。

11）此增加時(shí)，將增大。

（2）減小時(shí)，KWQ將增大。

⑶增加時(shí)，將減小。

14）&增加時(shí)，V”Q將不變。

15）夕減小時(shí)（換管子），V廠Q將增大。

題圖

16J環(huán)境溫度升高時(shí)，匕芯Q將遨小。

42.在題圖電路中，當(dāng)放大器處于放大狀態(tài)下調(diào)整電路參數(shù)，試分析電路狀態(tài)和性能的變化,（在相應(yīng)的

空格內(nèi)填"增大"、"減小〃或”根本不變〃。）

11）假設(shè)以阻值減小，那么靜態(tài)電流及將蛆，匕”將減小,電壓放大倍數(shù)將增大。

（2）假設(shè)換一個(gè)夕值較小的晶體管，那么靜態(tài)的幾將丕變，匕”將增大，電壓放大倍數(shù)|4|將減小。

⑶假設(shè)阻值增大，那么靜態(tài)電流〃將丕變，V”將減小，電壓放大倍數(shù)|A，|將增大。

43.放大器的頻率特性說明放大器對二二」一頻率特性的主要指標(biāo)是中頻電壓放大

倍數(shù),上限截止頻率和下限截止

叫號率失真的原因是放大器對不同頻率的

44.放大器的頻率特性包括幅頻響應(yīng)

信號放大倍數(shù)不同。

45.頻率響應(yīng)是指在輸入正弦信號的||+1匕/正弦信號的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)。

46.放大器有兩種不同性質(zhì)的失真，。RsI?i.n九

47.幅頻響應(yīng)的通帶和阻帶的界限頻

48.阻容耦合放大電路參加不同頻率益下降的原因是由于存在耦合電容和

旁路電容的影響;高頻區(qū)電壓增i-稔件內(nèi)部的極間電容的影響。

49.單級阻容耦合放大電路參加頻率人/,/〃平時(shí)圖1，P壓增益的幅值比中頻時(shí)下降了_XdB,

高、低頻輸出電壓與中頻時(shí)相比有附加相移，.利內(nèi)-4”和+45。。

50.在單級阻容耦合放大電路的波特圖中，幅頻響應(yīng)高頻區(qū)的斜率為-20dB/十倍頻,幅頻響應(yīng)低頻區(qū)的

斜率為-20dB/卜倍頻;附加相移為頻區(qū)的斜率為-4加/|?倍頻,附加相移低頻區(qū)的斜率為\4以上

倍頻。

51.一個(gè)單級放大器的下限頻率為力,=l（X）Hz,上限頻率為力,=30kHz,AVM=40dB,如果輸入

一個(gè)15sin（100Q00M）mV的正弦波信號，該輸入信號頻率為50kHz,該電路不會產(chǎn)生波形失

真O

52.多級放大電路與組成它的各個(gè)單級放大電路相比，其通頻帶變空，電壓增益增大,高頻區(qū)附加相移

增大。

二、判斷題

1.以下三極管均處于放大狀態(tài)，試識別其管腳、判斷其類型及材料，并簡要說明理由。

（1）3.2V,5V,3V；

解：銘NPN型BJT管VBE=0.2V所以為錯(cuò)管；5V為集電極，3.2V為基極，3V為發(fā)射極,

[2[-9V,-5V,-5.7V

解:硅PNP型BJT管；-9V為集電極，-5.7V為基極，-5V為發(fā)射極

⑶2V,2.7V,6V；

解：硅NPN型BJT管；6V為集電極，2.7V為基極，2V為發(fā)射極

⑷SV,1.2V,0.5V；

解：硅NPN型BJT管：5V為集電極，1.2V為基極，0.5V為發(fā)射極

（5）9V,8.3V,4V

解：硅PNP型BJT管9V為發(fā)射極，8.3V為基極，4V為集電極

（6）10V,9.3V,0V

解：硅PNP型BJT管，10V為發(fā)射極，9.3V為基極，0V為集電極

（7）5.6V,4.9V,12V；

解:硅NPN型BJT管，12V為集電極，5.6V為基極，4.9V為發(fā)射極，

（8）13V,12.8V,17V；

解：錯(cuò)NPN型BJT管，17V為集電極，13V為基極，12.8V為發(fā)射極，

（9）6.7V,6V,9V：

解：硅NPN型BJT管，9V為集電極，6.7V為基極，6V為發(fā)射極，

2.判斷三極管的工作狀態(tài)和三極管的類型。

1管：Vfl=-2V,V￡=-2,7V,VC=4V;

答：NPN管，工作在放大狀態(tài)。

2管：=6V,V￡=5.3V,VC=5.5V;

答：NPN管，工作在飽和狀態(tài)。

3管：VH=-lV,V,:=-0,3VfVc=7V;

答：NPN管，工作在截止?fàn)顟B(tài)。

3.題圖所列三極管中哪些?定處在放大區(qū)？

答：題圖而犯極管中，只確1(D)所示的脛稿處在放大區(qū)。93V

4.放大電路視障時(shí)，用萬用表測j點(diǎn)電位如題圖/=極管可能；是什么？

答3遍圖所4的三B、之間鎮(zhèn)部發(fā)野級可能燒苑7V

3VV

5.測得晶體管享.極的靜態(tài)工6tiA和3.6mA,S!?D管的6為①。

'C

+3.5V

①為60。②為61。確定。

6.只用萬用表判別晶體管3個(gè)②b極。

+4V

題圖

①e極②b極③c極

7.共發(fā)射極接法的晶體管，工作在放大狀態(tài)下，對直流而言其①。

①輸入具有近似的恒壓特性，而輸出具有恒流特性。

②輸入和輸出均具近似的恒流特性。

③輸入和輸出均具有近似的恒壓特性。

④輸入具有近似的恒流特性，而輸出具有恒壓特性。

8.共發(fā)射極接法的晶體管，當(dāng)基極與發(fā)射極間為開路、短路、接電阻R時(shí)的c,e間的擊穿電壓分別用

V(BR)CEOyVIBR)CES和V(BRiCER表小,那么它們之間的大小關(guān)系是⑵。

①VBR：CEO>VBR'CES>VBRCER。

②VBR：CES>V：BR：CER>V(B^：CEO。

③VBR：CER>V(BRCES>VCEO。

④VBRCES>ViBRCEO>VBRCER?

9.題圖所示電路中，用

直流電壓表測出VCE=0V,有

可能是因?yàn)镃或D。

ARb開路

B心短路

CRb過小

D。過大

10.測得電路中幾個(gè)三極管的各極對城，態(tài)。

題圖

-5V+2.4V

答：:,圖（C）為飽和,

圖（d）;

-0.2V+2^7V~

11.用萬玄些晶體管分別處于

哪種工作ov

3AD6A+6V

-18V。12V

（c）為放大,

3BX1A

+0.1V士阻％的問題,

-12.3V6-0.2V

(b)(c)

9+12V+6V

3CG21

3DK3A+5.3V

比，當(dāng)（增大

0V+5.3V

(e)(0

題圖308

+匕

Re

解：此題意在引各中的作用,從外表看,此被交流旁

C]

+

路了，對交流量無i:不影響人和R,,這是此題容易使我們

+RL0

認(rèn)（）i

產(chǎn)生錯(cuò)覺的地方。1流負(fù)反響，但它對放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)

的影響是很大的，既然影響到Q，朗掇耨到如進(jìn)而影響A,和％。

甲的說法是錯(cuò)誤的，原因：因c的旁路作用，所以《不產(chǎn)生交流負(fù)反響，所以甲的觀點(diǎn)前提就是

錯(cuò)的。

乙的說法是正確的。原因：6個(gè)―〃0（/匹）二＞“，TfJ；

丙的說法是錯(cuò)誤的，原因：正如解題分析中所說,盡管R,不產(chǎn)生負(fù)反響，但R,增大使減小,/兇

的減小必然引起|41減小和R,的增加。

主觀檢測題

把一個(gè)晶體管接到電路中進(jìn)行測量，當(dāng)測量〃=6〃A時(shí)，那么k=0.4〃M,當(dāng)測得

/8=18必時(shí)，/°=112〃M，問這個(gè)晶體管的，值是多少？用1/支。各是多少？

解：根據(jù)電流關(guān)系式：〃=6〃+(1+/〃6。，可得

0.4mA=px0.006mA+(1+P)ICBO⑴

1.12mA=px0.018niA+(l+p)ICBO(2)

將(1).(2)兩式聯(lián)立，解其聯(lián)立方程得：

進(jìn)而可得：

根據(jù)題圖所示晶體三極管3BX31A和輸出特性曲線，試求Q點(diǎn)處=3V,

在晶體管放大電路中，測得三個(gè)晶體管的各個(gè)電極的電位如題圖所示，試判斷各晶體管的類型(PNP管

還是NPN管，硅管還是楮管)，并區(qū)分e、b、C三個(gè)電極。

解：題aGOb極、③c極。題圖331

(b)所示的LJ巾1J。題圖3.3.1(c)所示的晶體

管為錯(cuò)PN①JQ)①/g'③①TPs③

在某放大?2V2.2V6V2.2V5.3、『6V-1.4V-1.2V-4V1.2/714，/,=0.03〃M,

(a)?(C)

/3=l.23/?i4,試判斷e、b、c三個(gè)電極，ifi凰禰雜的類型(NPN型還是PNP型)以及該晶體管的電流

放大系數(shù)萬。

h

解：題圖所示的晶體//?別為②b極、①c極、③e極，晶體管的直流電

流放大倍數(shù)為P=1.2/0.03=40。

共發(fā)射極電路如題圖所示，晶體管夕=50,人加=4/M,導(dǎo)通時(shí)力七二-0.2V,問當(dāng)開關(guān)分別接在A、

B、C三處時(shí)，晶體管處于何種工作狀態(tài)？集電極電流〃為多少？設(shè)二極管D具有理想特性。

解：題圖所示的電路,當(dāng)開關(guān)置于A位置時(shí)，lb=(2-0.2)/10=0.18mA1=12/(1x50)=0.24mA故

10kQ

工作在放大區(qū)，lc=lbx50：

當(dāng)開關(guān)置于B位置H

當(dāng)開關(guān)至于C位置口

.題圖電路中，分別畫出—一哪些不能？為什么？(圖

---題圖3.33----------

,rV((.-VK..VrrV12

由/」1——生Rb=-^=-=400kQo

"RbRhIB003

(2)如題圖(b)中加粗線所示。

V(C

⑶增大Rb的值，由IB="匕""V.

RbRh

==667Ar/2（最大取值）。

放大電路如題圖（a）所示，其晶體管輸出特性曲線題圖（b）圻示（不包含加粗線和細(xì)的輸出電壓波形

線），

跖=550AQ,4=3kC,&=3kHfVcc=24VfRel=0.2A/2,Rel=0.3kC,/3=100（各電容容抗

可忽略不計(jì)），VBE=0.7Vo

（1）計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)；

（2）分別作出交直流負(fù)載線，并標(biāo)出靜態(tài)工作點(diǎn)Q；

（3）假設(shè)基極電流分量"二20sin初（網(wǎng)）,畫出輸出電壓〃。的波形圖，并求其幅值匕

ftJOOuA

Wbl+R10

80MA

8-

}T

,它）=z：60uA

工_，工作2------20^A

（）

13J出輸出嗝〃"的次形圖如題圖?°3。unVt

分壓式偏置電路如題圖（a）君*電路中元件參數(shù)

&=15kC,Rb2=62AQ,R=3kQRf=3AQ,匕（=叫匕凡=\kQ晶體管的

夕=50,%.=200C,飽和壓降%ES=。?7匕勺=100/2.

⑴估算靜態(tài)工作點(diǎn)Q；

（2）求最大輸出電壓幅值匕加;

⑶計(jì)算放大器的Ay、Ri、R。和4s；

電壓幅度正

（4）VCE=K「M&+RI=4V

用示波器觀察題圖(d)電路中的集電極電壓波形時(shí)，如果出現(xiàn)題圖(b)所示的三種情況，試說明各是

明；?種失真？應(yīng)該調(diào)整哪些參數(shù)以及如何調(diào)整才能使這些失真分別得到改善？

俞出特性曲線如

辰