材料科學(xué)基礎(chǔ)（南方科技大學(xué)）知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋南方科技大學(xué)

材料科學(xué)基礎(chǔ)（南方科技大學(xué)）知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋南方科技大學(xué)緒論單元測(cè)試

下面關(guān)于材料基本類型的分類正確的是（）。

A:金屬材料、陶瓷材料和先進(jìn)材料

B:導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體材料和絕緣材料

C:電子材料、能源材料和生物材料

D:金屬材料、陶瓷材料和聚合物材料

答案:金屬材料、陶瓷材料和聚合物材料

材料科學(xué)與工程學(xué)科主要研究研究材料的成分和結(jié)構(gòu)、制備和加工、性質(zhì)、使用性能，以及它們之間關(guān)系。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第一章單元測(cè)試

“晶體結(jié)構(gòu)”屬于（）。

A:分子結(jié)構(gòu)

B:聚集態(tài)結(jié)構(gòu)

C:凝聚態(tài)結(jié)構(gòu)

答案:聚集態(tài)結(jié)構(gòu)

下列敘述錯(cuò)誤的是（）。

A:共價(jià)鍵既有方向性、又有飽和性

B:離子鍵沒(méi)有方向性、具有飽和性

C:離子鍵沒(méi)有方向性、沒(méi)有飽和性

答案:離子鍵沒(méi)有方向性、具有飽和性

下列按強(qiáng)度順序排列正確的是（）。

A:離子鍵＜?xì)滏I＞范德華力

B:離子鍵＞氫鍵＜范德華力

C:離子鍵＞氫鍵＞范德華力

答案:離子鍵＞氫鍵＞范德華力

金屬晶體不包括（）。

A:高延展性

B:具有光澤

C:高離子導(dǎo)電性

答案:高離子導(dǎo)電性

陶瓷材料中含有（）。

A:離子鍵

B:氫鍵

C:共價(jià)鍵

答案:離子鍵

；共價(jià)鍵

第二章單元測(cè)試

CsCl晶體結(jié)構(gòu)屬于（）點(diǎn)陣。

A:體心立方

B:面心立方

C:簡(jiǎn)單立方

答案:簡(jiǎn)單立方

立方晶體中只要(hkl)⊥[uvw]，二者指數(shù)必然相等。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)面心立方金屬的配位數(shù)為（）。

A:14

B:8

C:12

D:10

答案:12

玻璃中原子排列近程有序，遠(yuǎn)程無(wú)序。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)聚合物不能形成晶體結(jié)構(gòu)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第三章單元測(cè)試

在晶體中形成空位的同時(shí)又產(chǎn)生間隙原子，這樣的缺陷稱為（）。

A:線缺陷

B:層錯(cuò)

C:肖特基缺陷

D:弗蘭克爾缺陷

答案:弗蘭克爾缺陷

刃型位錯(cuò)的滑移方向與位錯(cuò)線之間的幾何關(guān)系是（）。

A:形成任意夾角

B:平行

C:垂直

D:形成特定夾角

答案:垂直

能進(jìn)行攀移的位錯(cuò)是（）。

A:刃型位錯(cuò)

B:所有類型的位錯(cuò)

C:混合位錯(cuò)

D:螺型位錯(cuò)

答案:刃型位錯(cuò)

對(duì)稱傾側(cè)晶界上有（）組位錯(cuò)。

A:3

B:1

C:2

D:4

答案:1

面心立方晶體中出現(xiàn)的孿晶面通常是（）。

A:{112}

B:{100}

C:{111}

D:{110}

答案:{111}

第四章單元測(cè)試

菲克第一定律描述了穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散的特征，即濃度不隨（）變化。

A:距離

B:時(shí)間

C:溫度

答案:時(shí)間

下述有關(guān)自擴(kuò)散的描述中正確的為（）。

A:自擴(kuò)散系數(shù)隨溫度升高而增加

B:自擴(kuò)散系數(shù)由濃度梯度引起

C:自擴(kuò)散又稱為化學(xué)擴(kuò)散

答案:自擴(kuò)散系數(shù)隨溫度升高而增加

A和A-B合金焊合后發(fā)生柯肯達(dá)爾效應(yīng)，測(cè)得界面向A試樣方向移動(dòng)，則（）。

A:組元A的擴(kuò)散速率大于B組元

B:組元B的擴(kuò)散速率大于A組元

C:兩組元A和B的擴(kuò)散速率相同

答案:組元A的擴(kuò)散速率大于B組元

在置換型固溶體中，原子擴(kuò)散的方式一般為（）。

A:空位機(jī)制

B:間隙機(jī)制

C:原子互換機(jī)制

答案:空位機(jī)制

原子擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力是（）。

A:組元的化學(xué)勢(shì)梯度

B:溫度梯度

C:組元的濃度梯度

答案:組元的化學(xué)勢(shì)梯度

第五章單元測(cè)試

低碳鋼的工程應(yīng)力-工程應(yīng)變曲線如圖所示，下面說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

A:在c→d階段，材料的工程應(yīng)力下降，相應(yīng)的真實(shí)應(yīng)力也不斷下降

B:點(diǎn)c對(duì)應(yīng)的應(yīng)力值為低碳鋼的抗拉強(qiáng)度

C:點(diǎn)a之后材料發(fā)生屈服

答案:在c→d階段，材料的工程應(yīng)力下降，相應(yīng)的真實(shí)應(yīng)力也不斷下降

有關(guān)材料的彈性，下面說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

A:低碳鋼的抗拉強(qiáng)度比鑄鐵高，因此其彈性模量也高于鑄鐵

B:晶體的彈性模量與其內(nèi)部的原子排列方式有關(guān)，是原子間鍵合強(qiáng)度的表征

C:單晶體材料的彈性模量具有各向異性

答案:低碳鋼的抗拉強(qiáng)度比鑄鐵高，因此其彈性模量也高于鑄鐵

FCC、BCC、HCP三種典型晶體結(jié)構(gòu)中，（）具有最少的滑移系，因此其塑性最差。

A:晶體結(jié)構(gòu)-BCC

B:晶體結(jié)構(gòu)-FCC

C:晶體結(jié)構(gòu)-HCP

答案:晶體結(jié)構(gòu)-HCP

孿生是一種不均勻切變，孿晶的兩部分晶體呈鏡面對(duì)稱的位向關(guān)系。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)影響材料再結(jié)晶溫度的因素包括（）。

A:溶質(zhì)原子

B:原始晶粒尺寸

C:材料的變形程度

D:第二相粒子

答案:溶質(zhì)原子

；原始晶粒尺寸

；材料的變形程度

；第二相粒子

第六章單元測(cè)試

固態(tài)條件下，若只考慮溫度對(duì)相平衡的影響，相律可表示為（）。

A:F=C-P+2

B:F=C-P+3

C:F=C-P+1

答案:F=C-P+1

均勻形核時(shí)，其體積自由能的下降只能彌補(bǔ)表面自由能升高的（）。

A:1/3

B:1/2

C:2/3

答案:2/3

均勻形核與非均勻形核的臨界晶核半徑的關(guān)系為（）。

A:大于

B:小于

C:等于

答案:等于

固-液界面為光滑界面時(shí)，主要的長(zhǎng)大方式包括（）。

A:垂直連續(xù)長(zhǎng)大

B:二維晶核長(zhǎng)大

C:螺形位錯(cuò)長(zhǎng)大

答案:二維晶核長(zhǎng)大

；螺形位錯(cuò)長(zhǎng)大

急冷凝固技術(shù)是制備以下哪種材料的重要方法（）。

A:非晶態(tài)材料

B:單晶材料

C:細(xì)晶粒材料

答案:非晶態(tài)材料

第七章單元測(cè)試

杠桿法則可以用于三相區(qū)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)共晶合金的非平衡凝固可產(chǎn)生（）。

A:都不是

B:離異共晶

C:非平衡共晶組織

D:偽共晶

答案:離異共晶

；非平衡共晶組織

；偽共晶

包晶成分點(diǎn)（42.4wt.%Ag）的Pt-Ag合金進(jìn)行包晶反應(yīng)時(shí)液相和α相的相對(duì)含量分別為（）。

A:42.7%

B:46.3%

C:53.7%

D:57.3%

答案:42.7%

；57.3%

下列反應(yīng)屬于包晶式轉(zhuǎn)變的是（）。

A:包晶轉(zhuǎn)變

B:合晶轉(zhuǎn)變

C:偏晶轉(zhuǎn)變

D:包析轉(zhuǎn)變

答案:包晶轉(zhuǎn)變

；合晶轉(zhuǎn)變

；包析轉(zhuǎn)變

共析鋼的室溫組織為（）。

A:珠光體

B:珠光體+二次滲碳體

C:萊氏體

D:珠光體+萊氏體

答案:珠光體

第八章單元測(cè)試

根據(jù)相律，三元合金相圖的最大自由度為（）。

A:2

B:3

C:1

D:4

答案:3

根據(jù)三元相圖的垂直截面圖，可（）。

A:分析材料的平衡凝固過(guò)程

B:用杠桿定律計(jì)算各相的相對(duì)量

C:分析相成分變化規(guī)律

答案:分析材料的平衡凝固過(guò)程

在三元共晶水平截面圖