


下載本文檔
版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
半導(dǎo)體制造技術(shù)知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋上海工程技術(shù)大學(xué)第一章單元測(cè)試
“摩爾定律”是()提出的?
A:1958年B:1960C:1965年D:1970年
答案:1965年第一個(gè)晶體管是()材料晶體管?
A:碳B:硅C:鍺
答案:鍺戈登摩爾是()科學(xué)家。
A:美國(guó)B:法國(guó)C:德國(guó)D:英國(guó)
答案:美國(guó)第一個(gè)集成電路在()被研制。
A:1965B:1958C:1955D:1960
答案:1958()被稱為中國(guó)“芯片之父”。1、
A:吳德馨B:鄧中翰C:許居衍D:沈緒榜
答案:鄧中翰
第二章單元測(cè)試
硅在地殼中的儲(chǔ)量為()。
A:第二B:第三C:第四D:第一
答案:第二脫氧后的沙子主要以()的形式。
A:二氧化硅B:碳化硅C:硅
答案:二氧化硅半導(dǎo)體級(jí)硅的純度()。
A:99.999999%B:99.9999999%C:99.999%D:99.99999%
答案:99.9999999%西門子工藝制備得到的硅為單晶硅。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)一片硅片只有一個(gè)定位邊。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)晶面指數(shù)(m1m2m3):m1、m2、m3分別為晶面在X、Y、Z軸上截距的倒數(shù)。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)
第三章單元測(cè)試
通過(guò)薄膜淀積方法生長(zhǎng)薄膜不消耗襯底的材料。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)熱氧化法在硅襯底上制備二氧化硅需要消耗硅襯底。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)二氧化硅可以與氫氟酸發(fā)生反應(yīng)。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)薄膜的密度越大,表明致密性越低。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)電阻率,表征導(dǎo)電能力的參數(shù),同一種物質(zhì)的電阻率在任何情況下都是不變的。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)
第四章單元測(cè)試
光刻本質(zhì)上是光刻膠的光化學(xué)反應(yīng)。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)一個(gè)透鏡的數(shù)值孔徑越大就能把更少的衍射光會(huì)聚到一點(diǎn)。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)使用正膠進(jìn)行光刻時(shí),晶片上所得到的圖形與掩膜版圖形相同。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)使用負(fù)膠進(jìn)行光刻時(shí),晶片上得到的圖形與掩膜版上的圖形相反。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)正性光刻膠經(jīng)過(guò)曝光后,可以溶解于顯影液。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)負(fù)性光刻膠經(jīng)過(guò)曝光后,可以溶解于顯影液。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)
第五章單元測(cè)試
刻蝕是用化學(xué)方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)濕法刻蝕是各向同性腐蝕。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)干法刻蝕有各向同性腐蝕,也有各向異性腐蝕。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)選擇比指在不同刻蝕條件下,刻蝕一種材料對(duì)另一種材料的刻蝕速率之比。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)同一晶體不同晶面的原子鍵密度不一樣,導(dǎo)致刻蝕速率不一樣。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)
第六章單元測(cè)試
雜質(zhì)摻雜只能改變半導(dǎo)體的類型,不能改變其電阻率。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)擴(kuò)散是一種人為現(xiàn)象,是微觀粒子熱運(yùn)動(dòng)的形式,結(jié)果使其濃度趨于均勻。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)菲克第一擴(kuò)散定律中的負(fù)號(hào)代表從高濃度向低濃度運(yùn)動(dòng)。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)半導(dǎo)體常用的摻雜方式有擴(kuò)散和離子注入。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)離子注入摻雜是物理過(guò)程。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)
第七章單元測(cè)試
選擇比指在同樣的條件下對(duì)兩種無(wú)圖形覆蓋材料拋光速率的比值。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)尖楔現(xiàn)象是鋁硅接觸時(shí),較多的鋁溶解到硅中形成尖刺的現(xiàn)象。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)雙大馬士革中采用CMP,銅需要被刻蝕。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)高溫回流:一般是在高溫下進(jìn)行,可適用于所有金屬層間介質(zhì)。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)肖特基接觸在某種條件下可以轉(zhuǎn)變?yōu)闅W姆接觸(高摻雜)。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)
第八章單元測(cè)試
物質(zhì)有三種形態(tài)。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)霜是有水汽直接在地面或近地面的物體上凝華形成的。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)半導(dǎo)體制造工藝中用的氣體可以隨便運(yùn)輸。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)工藝腔是指一個(gè)受控的常壓環(huán)境。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)等離子體是不導(dǎo)電的。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)
第九章單元測(cè)試
芯片測(cè)試完成時(shí),合格的芯片用墨水標(biāo)出。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)芯片成品率等于合格芯片數(shù)占總芯片數(shù)的百分比。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)半導(dǎo)體制造工藝中不同硅片之間測(cè)試數(shù)據(jù)差別過(guò)大是可以接受的。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)泊松模型
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 診斷試劑有限責(zé)任公司貨物銷售標(biāo)準(zhǔn)合同5篇
- 跨境電商運(yùn)營(yíng)崗位勞動(dòng)合同(中英文雙語(yǔ)版)
- 建筑安全施工合同管理考核試卷
- 中介地皮廠房合同范本
- 臨時(shí)工合同范本 廚師
- 三罐子加工合同范本
- 公路勞務(wù)施工合同范本
- 保安雙合同范本
- 買房委托中介合同范本
- 個(gè)人花木抵押合同范本
- 小學(xué)生分享ppt課件-景區(qū)介紹《牛首山》
- 小學(xué)生主題班會(huì) 弘揚(yáng)航天精神 課件 (27張PPT)
- 石膏幾何體結(jié)構(gòu)素描教案
- 一、二年級(jí)小學(xué)民族團(tuán)結(jié)教案
- 新生兒早期基本保健課件
- 采礦學(xué)課程設(shè)計(jì)硯北煤礦新井設(shè)計(jì)全套圖紙
- 大型儲(chǔ)罐計(jì)算書(shū)
- 檢體診斷-頭頸部檢查(診斷學(xué)課件)
- 煤礦提升機(jī)作業(yè)理論考試參考題庫(kù)(200題)
- 侯馬北車輛段2023年運(yùn)用機(jī)考復(fù)習(xí)題-曲沃作業(yè)場(chǎng)
- 手術(shù)室停電和突然停電應(yīng)急預(yù)案PPT演示課件
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論