模擬集成電路設(shè)計 課件 第7章 基準(zhǔn)電壓與電流

魏廷存1

第7章基準(zhǔn)電壓與電流

ReferenceVoltage&Current27.1基準(zhǔn)電壓的應(yīng)用場合7.2二極管型基準(zhǔn)源

7.2.1由CMOS工藝實現(xiàn)的等效二極管

7.2.2由Bipolar產(chǎn)生具有正、負(fù)溫度系數(shù)的電壓7.2.3帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路17.2.4帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路27.3基準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)電路7.4基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路（MOS管型基準(zhǔn)源）

第7章基準(zhǔn)電壓與電流3

7.1

基準(zhǔn)電壓的應(yīng)用場合性能特點：輸出直流電壓（無輸入信號，只有使能信號）輸出電壓與電源和工藝參數(shù)幾乎無關(guān)，與溫度的關(guān)系確定應(yīng)用場合：A/D和D/A變換電路中的基準(zhǔn)電壓單片集成電路中的基準(zhǔn)電壓，產(chǎn)生基準(zhǔn)電流（電流鏡）各種電路模塊所要求的特殊工作電壓，例如低壓數(shù)字電路，OSC模塊，工作點偏置電路模塊，驅(qū)動電壓（高壓）等。4基準(zhǔn)源的分類二極管型基準(zhǔn)源：采用了與普通CMOS工藝兼容的雙極型晶體管，它能夠產(chǎn)生更加精確的基準(zhǔn)電壓和電流；MOS管型基準(zhǔn)源：僅用CMOS器件和無源電阻實現(xiàn)的基準(zhǔn)源（包括基準(zhǔn)電壓源和電流源），它適合于在精度要求不高、成本較低的電路中使用。5

7.2

二極管型基準(zhǔn)源PNPBipolarBipolar的特點：特性參數(shù)重復(fù)性好（偏差小），并且能提供確定的正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)（VBE電壓）；由于CMOS工藝實現(xiàn)的二極管必須在反向偏置條件下使用，因此通常用Bipolar實現(xiàn)等效的二極管，可在正向偏置下使用，并且與普通CMOS工藝兼容。7.2.1CMOS工藝實現(xiàn)的等效二極管6

7.2

二極管型基準(zhǔn)源標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實現(xiàn)的pnpBipolar(VerticalBipolar)由于在CMOS工藝中，p型襯底通常接地，因此PNP晶體管比NPN晶體管更容易實現(xiàn)。7.2.1CMOS工藝實現(xiàn)的等效二極管7

7.2

二極管型基準(zhǔn)源標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實現(xiàn)的pnpBipolar(VerticalBipolar)7.2.1CMOS工藝實現(xiàn)的等效二極管87.2.2由Bipolar產(chǎn)生具有正、負(fù)溫度系數(shù)的電壓Eg/q—硅的帶隙電壓1.單個pn結(jié)二極管的正向電壓具有負(fù)溫度系數(shù)對于正向?qū)ǖ亩O管（pn結(jié)），電流ID與電壓VD之間的關(guān)系如下所示，其中VT=KT/q為熱電壓，IS為反向飽和電流（與溫度有關(guān)）。（假定ID不變）其中，α為比例系數(shù)，m為少數(shù)載流子遷移率的溫度指數(shù)，Eg≈1.1eV，為硅的帶隙能量，K為波爾茲曼常數(shù)（1.38×10-23J/K），T為熱力學(xué)溫度97.2.2由Bipolar產(chǎn)生具有正、負(fù)溫度系數(shù)的電壓

VD的溫度系數(shù)與VD本身的大小以及溫度有關(guān)。這里作了一階線性近似，為了提高帶隙基準(zhǔn)電壓源的精度，減小其溫度系數(shù)，需考慮高階效應(yīng)，例如指數(shù)曲率補(bǔ)償型帶隙基準(zhǔn)電壓源。1.單個pn結(jié)二極管的正向電壓具有負(fù)溫度系數(shù)

（假定ID不變）107.2.2由Bipolar產(chǎn)生具有正、負(fù)溫度系數(shù)的電壓2.二個流過不同電流的pn結(jié)電壓之差具有正溫度系數(shù)Q1與Q2完全相同，IS1=IS2=ISPNPPNP117.2.2由Bipolar產(chǎn)生具有正、負(fù)溫度系數(shù)的電壓3.二個不同尺寸的pn結(jié)電壓之差具有正溫度系數(shù)由n個相同的Q1并聯(lián)組成流過的電流相同12

7.2.3帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路1運(yùn)放的作用：強(qiáng)制Vx=Vy（當(dāng)增益A很大時）由n個相同的Q1并聯(lián)組成I1I2I1=I2=2μA13

7.2.3帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路1調(diào)節(jié)電阻R2的大小，可以得到各種溫度系數(shù)（正、負(fù)、零）的基準(zhǔn)電壓Vref，同時Vref的大小也相應(yīng)發(fā)生變化。在室溫條件下基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù):零溫度系數(shù)14

7.2.3帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路1在室溫條件下基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)：具體設(shè)計時，如何選擇n和R1、R2的大?。紤]到功耗和面積）？15

7.2.3帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路1Bandgapreference（帶隙基準(zhǔn)）的由來：VREF=VBE+(1+R1/R2)ln(n)

VT

如果令?VREF/?T=0，則(1+R1/R2)ln(n)VT=-[VBE-(4+m)VT-Eg/q]此時，VREF=VBE-[VBE-(4+m)VT-Eg/q]=Eg/q+(4+m)VT其中,Eg/q-硅的帶隙電壓，m–少數(shù)載流子遷移率的溫度指數(shù)，VT-熱電壓因此，當(dāng)溫度T→0時，VREF=Eg/q

（硅的帶隙電壓，即帶隙基準(zhǔn)的由來）16

7.2.3帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路1

調(diào)節(jié)電阻R2的大小，可以得到各種電壓幅度和溫度系數(shù)（正、負(fù)、零）的基準(zhǔn)電壓VrefVref溫度R2增大1.21VVREF=VBE+(1+R1/R2)ln(n)

VT17

7.2.4帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路2M1與M2對稱,W/L(M3)=m×W/L(M1/M2)運(yùn)放AMP使得Vx≈Vy，Q1=nQ2PTAT電流I1=I2=2μA18

7.2.4帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路2

調(diào)節(jié)M3管的寬長比(m的大小)

，可以得到各種電壓大小和溫度系數(shù)（正、負(fù)、零）的基準(zhǔn)電壓Vref具體設(shè)計時，如何選擇n、m和R1、R2的大小？（考慮到功耗和面積，通常選I1=I2=2μA）19

7.2.4帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路2

調(diào)節(jié)M3管的寬長比(m的大小)

，可以得到各種電壓大小和溫度系數(shù)（正、負(fù)、零）的基準(zhǔn)電壓Vref20

7.2.4帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路3PTAT電流I1=I2=2μA21

7.2.4帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路322

7.2.4帶隙基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路3啟動電路的工作原理：

剛上電時，電路中的所有電流均為0，M1、M2、M3工作在深度線性區(qū)，其Vds近似等于0，因此VA近似等于VDD，使得M5導(dǎo)通（線性區(qū)），將VB近似拉到0，從而使得PMOS管M8、M9以及M6和M7開始導(dǎo)通，電流I1、I2和I3增大，輸出電壓VREF上升，最終電路達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)。電路啟動完畢后，隨著VC上升，由于M4的W/L遠(yuǎn)大于M1~M3的W/L（工作在飽和區(qū)時M4的電流遠(yuǎn)大于M1~M3的電流），導(dǎo)致M4進(jìn)入線性區(qū)，即VDS(M4)<Veff(M4)，則M5的柵電壓將會降的足夠低，最終使M5截止。此時，電流I0很小，主要由M1~M3的W/L決定。M4的W/L遠(yuǎn)大于M1~M3的W/L23

影響輸出電壓Vref精度的因素1）運(yùn)放的offset電壓（Vos）2）運(yùn)放的開環(huán)增益A為有限值開環(huán)增益A高→VX≈VY

→輸出電壓Vref獨立于電源電壓VDD3）Vref的實際溫度特性：由pn結(jié)的電壓VD和電流ID隨溫度變化以及運(yùn)放失調(diào)電壓變化等引起24

7.3基準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)電路由于帶隙基準(zhǔn)電壓的典型值為1.2V，且?guī)ж?fù)載能力很弱，而實際電路中需要的基準(zhǔn)電壓/供電電壓千差萬別，為此需要基準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)電路或穩(wěn)壓電源，以產(chǎn)生電路或系統(tǒng)所需要的供電電壓。

基準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)電路/穩(wěn)壓電源電路的分類：同相輸入比例放大器（無帶負(fù)載能力）：運(yùn)放+反饋電阻線性穩(wěn)壓電源（LDO:LowDropoutRegulator）：驅(qū)動管+反饋電阻開關(guān)穩(wěn)壓電源（SWR:SwitchingRegulator）：開關(guān)+儲能元件DC-DC開關(guān)變換器（Inductor-basedSWR）：開關(guān)+電感電荷泵（Charge-pump，Capacitor-basedSWR）：開關(guān)+電容25

7.3基準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)電路基準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)電路/穩(wěn)壓電源電路的分類：同相輸入比例放大器線性穩(wěn)壓電源（LDO/LDR:LowDropoutRegulator）開關(guān)穩(wěn)壓電源（SWR:Switchingregulator）DC-DC開關(guān)變換器（Inductor-basedSWR）電荷泵（Charge-pump，Capacitor-basedSWR）26

7.3基準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)電路：同向輸入比例放大器帶隙基準(zhǔn)電壓如果所需基準(zhǔn)電壓大于帶隙基準(zhǔn)電壓（1.21V），但小于電源電壓VDD，則需要基準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)電路。由運(yùn)放實現(xiàn)的同相輸入比例放大器可以調(diào)節(jié)（放大）輸入電壓。但只具有電壓調(diào)節(jié)功能，由于運(yùn)放輸出端的驅(qū)動能力比較弱，不能驅(qū)動大負(fù)載。Vref<Vout<VDD27

7.3基準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)電路:LDO

LDO的輸出端具有較大尺寸的驅(qū)動管，以提高帶負(fù)載能力。LinearVoltageRegulator，LDO:LowDropoutRegulator。輸出驅(qū)動PMOS管：W尺寸大，正常負(fù)載時工作在飽和區(qū)?？蛰d時工作在亞閾值區(qū)。Vout↑→VF↑→

V1

↓→

V2

↑→

|Vgsp|↓→

|IR|↓Vout↓VFV1V2輸出電壓的穩(wěn)定過程：Vout<VDD輸出電壓的波動，主要由電源電壓VDD或負(fù)載電流Iout變化所引起。輸出端的瞬間大電流主要由Cout提供。假定輸出電流不變，Mp工作在飽和區(qū)MpEA：誤差放大器28

7.3基準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)電路:LDOLDO的輸出端具有較大尺寸的驅(qū)動管，以提高帶負(fù)載能力。LDO的優(yōu)點是：電路結(jié)構(gòu)簡單，靜態(tài)電流小，輸出電壓精度高（紋波?。?，瞬態(tài)響應(yīng)速度快，可實現(xiàn)片上集成。缺點是：轉(zhuǎn)換效率較低（尤其當(dāng)輸入-輸出電壓相差較大時），且只能實現(xiàn)降壓，不能實現(xiàn)升壓。

LDO消耗的功率主要是由輸出驅(qū)動管Mp引起的，P=VDS×IDS≈VDS×Iout，VDS電壓越小，LDO的功耗越小，其轉(zhuǎn)換效率越高。Mp的VDS電壓最小值約為0.2V（VDS電壓太小，Mp不能工作在飽和區(qū)，LDO失去穩(wěn)壓能力），因此，LDO也稱為低壓差線性穩(wěn)壓電源（LowDropoutRegulator）。LDO可用作芯片內(nèi)置電源或片外電源。通常用于給模擬電路和射頻電路供電（對電源精度要求高的場合）。29

7.3基準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)電路:LDOVFV1V2MpEA：誤差放大器LDO的穩(wěn)定性分析-穩(wěn)定性（相位裕度）是LDO的最關(guān)鍵指標(biāo)：LDO中有3個極點：分別在V1、V2和Vout處，P1=1/ro1C1，P2=1/ro2C2，Pout=1/roeqCL，其中C2是V2處的等效電容，主要由大尺寸輸出驅(qū)動管的寄生電容形成。通常應(yīng)將極點P1和P2置于單位增益頻率以外。另外，輸出電容的ESR與電容Cout也可以產(chǎn)生1個零點。30

7.3基準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)電路:LDO由于輸出驅(qū)動管的尺寸大、寄生電容Cgs也大，如果直接接到A1的輸出端（A1的輸出電阻大），將形成低頻極點。加入源極跟隨器后，由于源極跟隨器的輸出電阻小，V2處的極點變?yōu)楦哳l極點，可提高LDO的相位裕度。LDO的工程實用電路*IEEEJOURNALOFSOLID-STATECIRCUITS,VOL.42,NO.8,AUGUST2007

31

7.3基準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)電路:LDO采用耗盡型NMOS（Vth≈0）實現(xiàn)源極跟隨器，否則，如果采用普通NMOS，可能導(dǎo)致誤差放大器的有源負(fù)載管進(jìn)入線性區(qū)。LDO的工程實用電路Iout=200mA，片外電容=1uFVout=1.5VVDD=3.3V32屬于開關(guān)電容式電荷泵電路（電容式開關(guān)穩(wěn)壓電路）可產(chǎn)生高于輸入電壓的直流電壓（DC-DC變換）：Vout>VDD采用片內(nèi)可集成的Charge-pump電路形式（外接轉(zhuǎn)移電容）具有升壓/降壓/反向（形成負(fù)電壓）功能將輸入端的電荷通過轉(zhuǎn)移電容逐漸轉(zhuǎn)移到輸出端，達(dá)到升壓和能量輸送的目的帶負(fù)載能力較強(qiáng)，可提供數(shù)十mA級的輸出電流輸出電壓的精度較差（無反饋控制機(jī)制）

7.3基準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)電路:Charge-pump電荷泵（Charge-pump/Capacitor-basedSWR）的特點：33

7.3基準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)電路:Charge-pumpTFT-LCDDriverIC中的電源模塊:驅(qū)動電壓生成關(guān)系34Charge-pump的動作原理×2/×3/×4升壓電路4倍升壓過程（二相不交疊時鐘控制二組開關(guān)交替開閉）:1)充電周期:1→C21→1’，2→C22→2’，3→C23→3’，每個電容都接到Vin被充電2)電壓疊加周期:Vin→C21→C22→C23→Vout=4×Vin（開關(guān)4→4’→4’’→4’’’）3)由于模擬開關(guān)的導(dǎo)通電阻，升到終值電壓需要一定的時間（建立時間）。開關(guān)用CMOS開關(guān)實現(xiàn)35Charge-pump的動作原理動作原理（二相不交疊時鐘控制二組開關(guān)交替開閉）：1）充電期間：Vin→1→C11

→1'2）輸出電壓期間：2→C11

→2'→CL36Charge-pump的特性37Charge-pump的特性383.升壓效率1）電壓效率=（實際輸出電壓值/理想輸出電壓值）×100%2）功率效率（轉(zhuǎn)換效率）=（輸出功率值/輸入功率值）×100%Charge-pump的特性注意：升壓電路只能產(chǎn)生高于輸入電壓的輸出電壓（即電壓放大），但不能放大輸入功率，且升壓電路內(nèi)部有損耗，因此，功率效率恒小于100%。升壓電路的內(nèi)部損耗包括：開關(guān)導(dǎo)通電阻的損耗；開關(guān)寄生電容的充放電損耗。394.動作頻率Charge-pump的特性動作頻率增大，單位時間內(nèi)輸送到輸出端的能量增加，因此帶負(fù)載能力加強(qiáng)。同時，輸出電壓中的紋波將減小。動作頻率增大，CMOS開關(guān)的寄生電容的充放電平均電流增加，導(dǎo)致消耗電流增加，升壓效率降低。405.升壓電容（外接轉(zhuǎn)移電容）大小Charge-pump的特性升壓電容增大，使得電容中的儲能增加，因此，帶負(fù)載能力提高，而且輸出電壓中的紋波減小。但建立時間（升壓時間）變長。41

7.3基準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)電路:DC-DC開關(guān)變換器Buck型DC-DC開關(guān)變換器的模擬電壓控制方式（PWM）將EA的輸出Verr與OSC產(chǎn)生的具有固定頻率的鋸齒波信號進(jìn)行比較，輸出脈沖信號（PWM），該信號的占空比由Verr的大小決定。PWM信號通過驅(qū)動電路，驅(qū)動功率開關(guān)管的通斷，從而調(diào)節(jié)輸出電壓使其穩(wěn)定在基準(zhǔn)電壓值。42

7.3

基準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)電路:DC-DC開關(guān)變換器DC-DC開關(guān)變換器的優(yōu)點是：轉(zhuǎn)換效率高，帶負(fù)載能力強(qiáng)，可實現(xiàn)升壓、降壓和升壓-降壓。其缺點是：輸出電壓的紋波較大、EMI噪聲較大（原因在于開關(guān)式切換）。

主要應(yīng)用場合：1）給由電池供電的電子產(chǎn)品（IC）提供電源；2）給FPGA、CPU、DSP、ASIC

以及電子系統(tǒng)等消耗電流較大的IC或系統(tǒng)提供電源。通常設(shè)置DC-DC開關(guān)變換器的輸出電壓比LDO的輸出電壓高200~500mV，以克服因LDO的壓差過大所引起的LDO轉(zhuǎn)換效率降低的缺點。43工作點偏置電路：給OPAMP提供恒定的偏置電流對電容的恒流源充放電：在電容充放電型振蕩電路中，需要精確的電流源對電容進(jìn)行恒流源充放電。DAC電路中的基準(zhǔn)電流：在電流舵式DAC電路中，需要各種精確的二進(jìn)制加權(quán)電流源。

7.4

基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路（MOS管型基準(zhǔn)源）基準(zhǔn)電流的應(yīng)用場合44工作點偏置電路的作用：

由于偏置電流Ibias決定了OPAMP的增益等諸多特性，為了得到穩(wěn)定的OPAMP特性，希望偏置電流保持恒定，即要求Ibias不隨電源電壓、工藝參數(shù)以及溫度發(fā)生變化。工作點偏置電路除了要給OPAMP提供尾電流外，還要給電流源負(fù)載提供偏置電流。工作點偏置電路的結(jié)構(gòu)（見下頁）：

恒定的基準(zhǔn)電流源+

高精度電流鏡

7.4

基準(zhǔn)電流產(chǎn)生電路（MOS管型基準(zhǔn)源）45

工作點偏置電路的結(jié)構(gòu)基準(zhǔn)電流源IREF=1~2μA46

1.自偏置基準(zhǔn)電流電路（MOS管型基準(zhǔn)源）由于Vgs1=Vgs2+IREF×Rb如果忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)，且所有管子都工作在飽和區(qū)，則如果進(jìn)一步忽略體效應(yīng)（即假定VTH1=VTH2），則有:因此，M3與M4對稱，左右兩邊電流相等。K>1471.自偏置基準(zhǔn)電流電路（MOS管型基準(zhǔn)源）1）通過正反饋形成自偏置電路（K>1），產(chǎn)生確定的基準(zhǔn)電流。2）加入Rb的目的是為了能夠產(chǎn)生確定的基準(zhǔn)電流（若無Rb，電流不確定）3）如果忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)，所產(chǎn)生的基準(zhǔn)電流與電源電壓無關(guān)，但與工藝和溫度有關(guān)。4）為了消除溝道長度調(diào)制效應(yīng)的影響，所有管子的L尺寸盡可能選大一些（通常要求L>1um）。5）M2的體效應(yīng)（M1與M2的Vth不同）將導(dǎo)致基準(zhǔn)電流誤差。由于加入Rb后減小了M2的Vgs電壓，因此為了使兩條支路的電流相等，必須將M2的寬長比增大K倍。481.自偏置基準(zhǔn)電流電路（MOS管型基準(zhǔn)源）帶有啟動電路的自偏置基準(zhǔn)電流源

1）為了使自偏置電源電路正常工作，需要附加一個啟動電路使電路離開電流等于0的工作點。2）啟動電路只有在基準(zhǔn)源電路加電的瞬間起作用，而當(dāng)基準(zhǔn)源電路達(dá)到穩(wěn)定工作點時，啟動電路應(yīng)不影響電路的正常工作。啟動電路的工作原理：491.自偏置基準(zhǔn)電流電路（MOS管型基準(zhǔn)源）帶有啟動電路的自偏置基準(zhǔn)電流源

3）啟動電路的工作原理：

剛加電時，電路中的偏置電流為0，由于PMOS管Ms1以二極管方式連接（此時，ID(Ms1)=0，|VGSP(Ms1)|=|VTHP(Ms1)|），使NMOS管Ms3的柵極電壓接近VDD-|VTHP(Ms1)|，因此Ms3管導(dǎo)通（深度線性區(qū)）并將M3的柵-漏極短接，使得M3和M1構(gòu)成MOS分壓器，因而提供了從VDD經(jīng)過M3和M1到地的電流通路，使電路中的電流開始逐漸增加。隨著電流的增加，Ms2中也有電流產(chǎn)生，如果Ms2的寬長比較Ms1大的多（工作在飽和區(qū)時Ms2的電流遠(yuǎn)大于Ms1的電流），導(dǎo)致Ms2進(jìn)入線性區(qū)，即VDS(Ms2)<Veff(Ms2)，則Ms3的柵電壓將會降的足夠低，最終使Ms3截止，啟動過程結(jié)束，基準(zhǔn)源電路進(jìn)入正常工作狀態(tài)。基準(zhǔn)源啟動結(jié)束后，由于Ms2工作在線性區(qū)，MS1和MS2中的電流較?。ń咏?），啟動電路導(dǎo)致的額外功耗可以忽略不計。50

2.消除體效應(yīng)的自偏置基準(zhǔn)電流電路（a）在PMOS管的源極加入電阻（K1，K2>1）M1與M2對稱

為了保證M1工作在飽和區(qū)，IREF×Rb<VTHN（b）Iout=IREF/K251

3.工作點偏置電路實例（1）特點：1）由于采用共源共柵電流鏡，提高了基準(zhǔn)電流源的精度，使其輸出電流只取決于其尺寸比例，而幾乎與電源電壓、工藝參數(shù)和溫度的變化無關(guān)；2）電路(正反饋)穩(wěn)定工作的條件是：(W/L)15=K(W/L)13（K>1）；3）需要附加啟動電路（否則電路有可能穩(wěn)定在零電流狀態(tài)）；4）不適應(yīng)于低電源電壓供電。(W/L)15/(W/L)13=452

3.工作點偏置電路實例（2）特點：1）通過采用共源共柵結(jié)構(gòu)，顯著減小了溝道長度調(diào)制效應(yīng)的影響，并且在基準(zhǔn)電流的輸出端也使用了共源共柵結(jié)構(gòu)，以增大基準(zhǔn)電流源的輸出電阻

；2）電路(正反饋)穩(wěn)定工作的條件是：(W/L)2=K(W/L)1（K>1）；3）需要附加啟動電路（否則電路有可能穩(wěn)定在零電流狀態(tài)）；4）不適應(yīng)于低電源電壓供電。(W/L)2/(W/L)1>153

3.工作點偏置電路實例（3）Biasloop----twowide-swingc