現(xiàn)代電力電子技術(shù)（視頻課）知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋北方工業(yè)大學(xué)

現(xiàn)代電力電子技術(shù)（視頻課）知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋北方工業(yè)大學(xué)第一章單元測試

電力電子器件一般工作在線性區(qū)。（）

A:對B:錯

答案:錯

第二章單元測試

IGBT開關(guān)速度一般低于PowerMOSFET，導(dǎo)通管壓降低于GTR。（）

A:對B:錯

答案:錯以下器件中全控型器件有（）。

A:電力二極管B:GTOC:晶閘管D:BJT

答案:GTO；BJT晶閘管屬于（）。

A:半控型器件B:雙極性C:電流驅(qū)動D:全控器件

答案:半控型器件；雙極性；電流驅(qū)動IGBT具備以下特征中的（）

A:開關(guān)速度快B:驅(qū)動功率小C:載流能力大D:通態(tài)壓降小

答案:開關(guān)速度快；驅(qū)動功率?。惠d流能力大；通態(tài)壓降小多用于相對小功率場合的器件是（），___。

答案:晶體管，場效應(yīng)管

第三章單元測試

單相半波可控整流電路在阻感負(fù)載情況下的移相范圍是（0°~120°）。（）

A:對B:錯

答案:錯單相橋式全控整流電路在阻性負(fù)載情況下的整流電壓平均值是（）。（）

A:錯B:對

答案:對三相半波可控整流電路在阻性負(fù)載情況下的整流輸出電壓連續(xù)的臨界角度是（）。

A:90°B:60°C:30°D:45°

答案:30°同步信號為鋸齒波的觸發(fā)電路用于控制哪種電力電子器件？（）。

A:晶閘管B:電力MOSFETC:電力二極管D:IGBT

答案:晶閘管三相半波可控整流電路中晶閘管承受的最大反向電壓是（）。

A:B:C:D:

答案:在考慮變壓器漏感情況下，三相橋式全控整流電路同一時刻有（）個晶閘管導(dǎo)通，___。

答案:2個晶閘管導(dǎo)通。三相橋式全控整流電路交流側(cè)電流i2的諧波次數(shù)為（）,___。

答案:3,5,7,9,...(奇數(shù)次諧波)

第四章單元測試

全橋逆變電路的輸出電壓基波有效值為（0.5Ud）。（）

A:對B:錯

答案:錯三相電壓型逆變電路的輸出線電壓基波有效值為（0.78Ud）。（）

A:錯B:對

答案:對半橋逆變電路的輸出電壓幅值為（）。

A:B:C:D:

答案:同步信號為鋸齒波的觸發(fā)電路用于控制哪種電力電子器件（）。

A:電力MOSFETB:晶閘管C:IGBTD:電力二極管

答案:晶閘管三相半波可控整流電路中晶閘管承受的最大反向電壓是（）。

A:B:C:D:

答案:電流型逆變電路的負(fù)載要求是呈現(xiàn)（）。

A:沒有要求B:感性C:阻性D:容性

答案:容性應(yīng)用全控型電力電子器件的電力電子電路的換流方式稱為（），___。

答案:答案：器件換流三相電壓型逆變電路的輸出相電壓基波有效值為（），___。

答案:Ud/2，直流側(cè)電壓的一半

第五章單元測試

降壓斬波電路輸入輸出電壓關(guān)系為：。（）

A:錯B:對

答案:對升壓斬波電路輸入輸出電壓關(guān)系為：。（）

A:對B:錯

答案:錯選擇、升降壓斬波電路輸入輸出電壓關(guān)系為：（）。

A:B:C:D:

答案:全橋電路工作在電流連續(xù)模式情況下輸入輸出電壓關(guān)系為：（）。

A:B:C:D:

答案:電流可逆斬波電路接電動機(jī)負(fù)載可以工作在，___

答案:電壓可逆狀態(tài)橋式可逆斬波電路接電動機(jī)負(fù)載可以工作在，___

答案:0

第六章單元測試

單相交流調(diào)壓電路在阻感負(fù)載情況下的移相角小于φ時電路可以工作。（）

A:對B:錯

答案:對交流調(diào)壓電路采用相位控制。（）

A:對B:錯

答案:對選擇、交交變頻電路的頻率相較于電網(wǎng)頻率來說：（）。

A:都可以B:低C:高D:相等

答案:低單相交流調(diào)壓電路在阻性負(fù)載情況下的移相范圍：（）。

A:0°~60°B:0°~180°C:0°~120°D:0°~90°

答案:0°~180°單相半橋逆變電路輸出電壓的n次諧波電壓幅值為（），___。

答案:單相半橋逆變電路輸出電壓的n次諧波電壓幅值為（0），對于奇數(shù)次諧波。單相交流調(diào)壓電路在阻性負(fù)載情況下的移相范圍為（），___。

答案:0

第七章單元測試

單極性PWM控制是在調(diào)制波的半個周期內(nèi)，三角載波極性有正有負(fù)，所得的PWM波也有正有負(fù)。（）

A:錯B:對

答案:錯PWM整流電路控制方法中，引入交流電流反饋為直接電流控制。（）

A:對B:錯

答案:對PWM調(diào)制中的載波比為載波信號頻率f與調(diào)制信號頻率f之比。（）

A:對B:錯

答案:對關(guān)于單相橋式PWM逆變電路，下面說法正確的是（）。

A:在一個周期內(nèi)單極性調(diào)制時有三個電平，雙極性有兩個電平B:在一個周期內(nèi)單極性調(diào)制時有兩個電平，雙極性有一個電平C:在一個周期內(nèi)單極性調(diào)制時有一個電平，雙極性有兩個電平D:在一個周期內(nèi)單極性調(diào)制時有兩個電平，雙極性有三個電平

答案:在一個周期內(nèi)單極性調(diào)制時有三個電平，雙極性有兩個電平SPWM波形的特點是構(gòu)成脈沖序列的（）。

A:脈沖的幅度按正弦規(guī)律變化B:脈沖的周期按正弦規(guī)律變化C:脈沖的寬度按正弦規(guī)律變化D:脈沖的頻率按正弦規(guī)律變化

答案:脈沖的幅度按正弦規(guī)律變化PWM控制技術(shù)的重要理論基礎(chǔ)是（），___。

答案:0單極性PWM控制方式和雙極性PWM控制方式的主要區(qū)別是（）,___。

答案:0

第八章單元測試

電力電子電路中的緩沖電路不屬于保護(hù)電路。（）

A:對B:錯

答案:錯下列說法錯誤的是：（）。

A:關(guān)斷緩沖電路用于吸收器件的關(guān)斷過電壓和換相過電壓，抑制du/dtB:開通緩沖電路用于抑制器件開通時的電流過沖和di/dtC:饋能式緩沖電路也稱無損吸收電路D:緩沖電路不能夠降低開關(guān)損耗

答案:緩沖電路不能夠降低開關(guān)損耗下面哪個特點決定了PowerMOSFET驅(qū)動功率很小（）。

A:正向通態(tài)電陽B:存在二次擊穿問題C:場控器件D