材料測試技術及方法知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋山東理工大學

材料測試技術及方法知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋山東理工大學第一章單元測試

衍射線在空間的方位僅取決于晶胞的形狀與大小，而與晶胞中的原子位置無關。

A:對B:錯

答案:對有一倒易矢量為g*=2a*+2b*+c*。

A:210B:110C:220D:221

答案:221下列條件不屬于X射線發(fā)生衍射的必要條件。

A:厄瓦爾德圖解B:布拉格方程C:衍射矢量方程

D:勞埃方程+約束性方程

答案:布拉格方程根據晶帶軸理論，同一晶帶的各晶面與晶帶軸的關系為。

A:垂直B:平行C:角度不確定D:以60度相交

答案:平行M層電子回遷到K層后，多余的能量放出的特征X射線稱。

A:Kβ

B:KαC:KγD:Lα

答案:Kβ

有一體心立方晶體的晶格常數是0.286nm，用鐵靶Kα（λKα=0.194nm）照射該晶體能產生（）衍射線。

A:5

B:4

C:6D:3

答案:4

體心立方晶體（111）晶面族的多重性因素是。

A:6

B:12C:4

D:8

答案:8

利用XRD進行分析，下列說法不正確的是。

A:根據衍射峰的峰位進行定性分析B:θ越大，得到的點陣常數越精確

C:利用謝樂公式計算晶粒大小時晶粒尺寸一般<100nmD:衍射峰的峰強只與材料中該樣品的含量有關

答案:衍射峰的峰強只與材料中該樣品的含量有關用CuKα輻射（λ=0.154nm）照射Ag（面心立方）求其點陣常數，測得第一衍射峰位置38°，下列說法正確的是。

A:

α=β=γ=90°B:根據消光條件，Ag的第一衍射峰為（111）C:Ag的點陣常數為0.410nmD:根據條件可知，Ag的第一衍射峰對應的θ為19°

答案:

α=β=γ=90°；根據消光條件，Ag的第一衍射峰為（111）；Ag的點陣常數為0.410nm；根據條件可知，Ag的第一衍射峰對應的θ為19°已知Ni對CuKα和CuKβ輻射的質量吸收系數分別為49.03和290cm2/g，若將CuKα輻射的強度降低至入射時的70％需要使用多厚的Ni濾波片。

A:0.001cmB:0.008cm

C:0.008mm

D:0.001mm

答案:0.008mm

第二章單元測試

單晶衍射花樣中所有斑點對應的晶面屬于同一個晶帶。

A:錯B:對

答案:對SAED照片中多晶衍射環(huán)和粉末德拜衍射花樣一樣，隨著環(huán)直徑增大，衍射晶面指數也由低到高。

A:錯B:對

答案:對與X射線衍射相比，電子衍射束的強度較大，拍攝衍射花樣時間短。

A:對B:錯

答案:對電子衍射常作為透射電鏡的附件使用，請敘述觀察薄膜樣品的基本要求有（

）。

A:樣品相對于電子束必須有足夠的透明度

B:

在樣品制備過程中不允許表面產生氧化和腐蝕

C:薄膜樣品的組織結構必須和大塊樣品相同，在制備過程中，組織結構不變化

D:薄膜樣品應有一定強度和剛度，在制備、夾持和操作過程中不會引起變形和損壞

答案:樣品相對于電子束必須有足夠的透明度

；

在樣品制備過程中不允許表面產生氧化和腐蝕

；薄膜樣品的組織結構必須和大塊樣品相同，在制備過程中，組織結構不變化

；薄膜樣品應有一定強度和剛度，在制備、夾持和操作過程中不會引起變形和損壞電子衍射分析只適用于材料表層或薄膜樣品的結構分析。

A:對B:錯

答案:對計算晶面（111）和（100）的晶帶軸指數？

A:[211]B:[01-1]C:

[210]D:

[0-1-2]

答案:[01-1]有關電子衍射說法正確的是（）。

A:入射電子束、衍射電子束與產生衍射的晶面近乎平行。B:只關心衍射斑點的位置,不關心強度。C:只能觀察薄膜樣品的結構，不能與形貌觀察有機結合起來。D:只適用于材料表層或薄膜樣品的結構分析。

答案:入射電子束、衍射電子束與產生衍射的晶面近乎平行。；只關心衍射斑點的位置,不關心強度。；只適用于材料表層或薄膜樣品的結構分析。電子衍射花樣中，任一衍射斑點到透射斑點的距離可以近似看作對應倒易矢量的放大像，放到倍數為相機常數。

A:對B:錯

答案:對由于晶體的倒易點陣是三維點陣，如果電子束沿晶帶軸[uvw]的反向入射時，通過原點O的倒易平面只有一個，這個二維平面叫做零層倒易面。

A:錯B:對

答案:對電子衍射操作時采用薄晶樣品，可以使衍射晶面和透射電子顯微鏡入射電子束之間的夾角不精確符合布拉格條件仍能產生衍射。

A:錯B:對

答案:對

第三章單元測試

透射電子顯微鏡的成像信號來自于透射電子。

A:錯B:對

答案:對能譜儀通過接收元素的特征X射線進行成分分析，因此可以利用其確定材料中氫元素和鋰元素的含量。

A:錯B:對

答案:錯二次電子像的襯度是最典型的形貌襯度。

A:錯B:對

答案:對材料吸收電子和吸收光子不同，吸收電子時，入射電子停止運動，停留在材料內部。

A:對B:錯

答案:對

用背散射電子進行形貌分析時，其分辨率遠比二次電子像低。

A:對B:錯

答案:對用來顯示組織和細胞的內部超微結構像的電子為（

）

A:彈性散射電子B:入射電子

C:透射電子

D:二次電子

答案:透射電子

合金鋼薄膜中極小彌散顆粒（直徑遠小于500nm）的物相鑒定，可以選擇（

）。

A:差熱分析

B:透射電鏡

C:紫外可見吸收光譜

D:X射線衍射線分析

答案:透射電鏡

電子顯微鏡的分辨率要比光學顯微鏡的分辨率高，根本原因是（

）。

A:電子束的穿透力比可見光強B:電子束的波長可以很小C:

電子束很容易發(fā)生偏轉D:電子束可以聚焦成小到幾納米的束斑

答案:電子束的波長可以很小下列說法正確的是（）。

A:TEM要求樣品非常薄。SEM要求樣品具有良好導電性。B:TEM，接收透射電子，觀察樣品的形貌、結構、粒徑。C:SEM，可接收二次電子、背散射電子觀察形貌、成分。D:EDS，可作為透射電鏡和掃描電鏡的附件使用，分析樣品的成分。

答案:TEM要求樣品非常薄。SEM要求樣品具有良好導電性。；TEM，接收透射電子，觀察樣品的形貌、結構、粒徑。；SEM，可接收二次電子、背散射電子觀察形貌、成分。；EDS，可作為透射電鏡和掃描電鏡的附件使用，分析樣品的成分。在觀察斷口形貌的同時，分析斷口上粒狀夾雜物的化學成分，選擇什么儀器？

A:TEMB:SAEDC:XRDD:SEM（配有能譜分析）

答案:SEM（配有能譜分析）

第四章單元測試

在紫外可見吸收光譜中，吸光物質的性質決定吸光物質摩爾吸光系數。

A:錯B:對

答案:對振動過程偶極距不發(fā)生變化，則不會產生紅外吸收峰，是非紅外活性的。

A:對B:錯

答案:對可用來區(qū)別化合物紫外吸收譜帶中的π→π*躍遷和n→π*躍遷的是。

A:摩爾吸收系數B:基線高度C:最大吸收波長

D:半峰寬

答案:摩爾吸收系數雙光束分光光度計與單光束分光光度計相比，其突出優(yōu)點是（

）。

A:可以采用快速響應的檢測系統(tǒng)

B:可以抵消吸收池所帶來的誤差

C:可以擴大波長的應用范圍

D:可以抵消因光源的變化而產生的誤差

答案:可以抵消因光源的變化而產生的誤差紫外光譜是帶狀光譜的原因是由于（

）。

A:波長短B:紫外光能量大

C:電子能級差大

D:電子能級躍遷的同時伴隨有振動及轉動能級躍遷的原因

答案:電子能級躍遷的同時伴隨有振動及轉動能級躍遷的原因

符合朗伯特-比耳定律的有色溶液稀釋時，其最大吸收峰的波長位置（

）。

A:向短波方向移動

B:不移動，且吸光度值升高

C:向長波方向移動

D:不移動，且吸光度值降低

答案:不移動，且吸光度值降低紫外-可見光譜的產生是由外層價電子能級躍遷所致，其能級差的大小決定了（

）。

A:吸收峰的形狀

B:吸收峰的數目

C:吸收峰的強度

D:吸收峰的位置

答案:吸收峰的位置以下四種化合物，能同時產生B吸收帶、K吸收帶和R吸收帶的是（）

A:B:C:D:

答案:

A:環(huán)已烷

B:甲醇C:水D:氯仿

答案:水1.0mmol/L的重鉻酸鉀溶液在450nm波長處的吸光度分別為0.200，已知吸收池厚度為1.0cm，求重鉻酸鉀在450nm處的摩爾吸光系數（）

A:50L/molB:200L/molC:200L/(mol·cm)D:50L/(mol·cm)

答案:200L/(mol·cm)

第五章單元測試

形成氫鍵后O-H伸縮振動吸收峰峰強不變，峰形變寬。

A:對B:錯

答案:錯采用溴化鉀壓片法制樣時，一般在紅外燈下將樣品和溴化鉀在瑪瑙研缽中混勻。

A:錯B:對

答案:對某化合物在紫外光區(qū)204nm處有一弱吸收，在紅外光譜中有如下吸收峰：3300-2500cm-1（寬峰），1710cm-1，則該化合物可能是（

）。

A:酮

B:羧酸C:烯烴D:醛

答案:羧酸

H2S分子的基頻峰數有（

）個。

A:3

B:2

C:1D:4

答案:3

對以下3種分子式中C=C雙鍵的紅外吸收描述正確的是（）：(a)CH3-CH=CH2；(b)CH3-CH=CH-CH3(順式)；(c)CH3-CH=CH-CH3(反式)。

A:b最強B:a最強C:強度相等D:c最強

答案:a最強若O-H鍵的力常數為5.0N/cm，則該鍵的振動頻率是。

A:4.6*1013HzB:13.8*1013HzC:2.3*1013HzD:9.2*1013Hz

答案:9.2*1013Hz一含氧化合物的紅外光譜圖在3600～3200cm-1有吸收峰，下列化合物最可能的（)。

A:CH3-CO-CH3B:CH3-CHOC:CH3-O-CH2-CH3D:CH3-CHOH-CH3

答案:CH3-CHOH-CH3

A:（1）式和（2）式在～2200cm-1都有吸收B:（1）式在～3300cm-1有吸收而（2）式沒有C:（1）式在～2200cm-1有吸收D:（1）式和（2）式在～3300cm-1都有吸收，后者為雙峰

答案:（1）式在～2200cm-1有吸收H2O為非線性分子，具有3種振動形式，具有紅外活性；CO2為線性分子，具有4種振動形式，其中面內彎曲振動和面外彎曲振動振動對應吸收峰重合。

A:錯B:對

答案:對下列說法正確的是（）。

A:C6H12的不飽和度為1，說明存在1個不飽和鍵，或者環(huán)B:C8H8O的不飽和度為5C:C10H13NO的不飽和度為4，存在苯環(huán)D:不飽和度為4，說明可能存在1個苯環(huán)。

答案:C6H12的不飽和度為1，說明存在1個不飽和鍵，或者環(huán)；C8H8O的不飽和度為5；不飽和度為4，說明可能存在1個苯環(huán)。

第六章單元測試

熱分析技術不能測試的樣品是（

）。

A:液體

B:固體

C:氣體

D:薄膜

答案:氣體

DTA測試中，提高升溫速率會導致峰位置向（）方向遷移，峰形變尖銳，相鄰峰分辨率會（）。

A:低溫、降低

B:高溫、降低

C:高溫、提高D:低溫、提高

答案:高溫、降低

下列熱分析技術中，（）是對樣品池及參比池分別加熱的測試方法。

A:DSC

B:TMA

C:TGAD:DTA

答案:DSC

有熱效應時，DTA曲線的（）重復性比較好。

A:終止溫度TfB:峰值溫度Tp

C:起始溫度Ti

D:外推起始溫度Te

答案:外推起始溫度Te

以下關于TG曲線描述正確的是（

）。

A:其它選項都對B:橫坐標是溫度，縱坐標是質量分數

C:橫坐標是升溫速率，縱坐標是質量百分比

D:橫坐標是升溫速率，縱坐標是質量

答案:橫坐標是溫度，縱坐標是質量分數

下列哪些熱分析技術可以測定高聚物的玻璃化轉變溫度？（

）

A:TG

B:DSC

C:DTGD:DTA

答案:DSC

；DTA差熱分析中，參比物的要求是（

）。

A:用1520攝氏度煅燒的高純氧化鋁粉B:比熱和導熱性能與試樣接近C:在整個測溫范圍內無熱效應

D:無任何要求

答案:用1520攝氏度煅燒的高純氧化鋁粉；比熱和導熱性能與試樣接近；在整個測溫范圍內無熱效應

試樣的純度對DSC曲線影響較大，下列描述正確的是（

）。

A:雜質含量的增加會使峰型變窄

B:雜質含量的增加會使峰型變寬

C:雜質含量的增加會使轉變峰向高溫方向移動

D:雜質含量的增加會使轉變峰向低溫方向移動高溫方向移動

答案:雜質含量的增加會使峰型變寬

；雜質含量的增加會使轉變峰向