《表面等離子體光刻正入射照明掩模制造工藝規(guī)范》

ICS35.080

CCSC07

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CIXXX—2024

表面等離子體光刻正入射照明掩模制造

工藝規(guī)范

Manufacturingprocessspecificationforsurfaceplasma

photolithographynormalincidenceilluminationmask

（征求意見(jiàn)稿）

2024-XX-XX發(fā)布2024-XX-XX實(shí)施

中國(guó)國(guó)際科技促進(jìn)會(huì)發(fā)布

T/CIXXX—2024

目次

前言.................................................................................II

1范圍...............................................................................1

2規(guī)范性引用文件.....................................................................1

3術(shù)語(yǔ)和定義.........................................................................1

4縮略語(yǔ).............................................................................1

5工藝保障條件要求...................................................................1

6材料要求...........................................................................4

7安全要求...........................................................................4

8工藝要求...........................................................................5

I

T/CIXXX—2024

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定

起草。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。

本文件由天府興隆湖實(shí)驗(yàn)室提出。

本文件由中國(guó)國(guó)際科技促進(jìn)會(huì)歸口。

本文件起草單位：天府興隆湖實(shí)驗(yàn)室……

本文件主要起草人：……

II

T/CIXXX—2024

表面等離子體光刻正入射照明掩模制造工藝規(guī)范

1范圍

本文件規(guī)定了表面等離子體光刻正入射照明掩模制造的工藝保障條件要求、材料要求、安全要求、

工藝要求。

本文件適用于表面等離子體光刻正入射照明掩模的制造。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB8978污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)

GB/T19022測(cè)量管理體系測(cè)量過(guò)程和測(cè)量設(shè)備的要求

GB/T25915.1—2021潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第1部分：按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級(jí)

SJ/T10152集成電路主要工藝設(shè)備術(shù)語(yǔ)

SJ/T10584微電子學(xué)光掩蔽技術(shù)術(shù)語(yǔ)

3術(shù)語(yǔ)和定義

SJ/T10152、SJ/T10584界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。

4縮略語(yǔ)

CD：關(guān)鍵尺寸（CriticalDimension）

CD-SEM：特征尺寸測(cè)量用掃描電子顯微鏡（CriticalDimensionScanningElectronMicroscope）

CDU：臨界尺寸均勻性（CriticalDimensionUniformity）

FOV：視場(chǎng)（FieldOfView）

MAM：移動(dòng)測(cè)量（MoveAcquireMeasure）

PSM：相移掩模（PhaseShiftMask）

PV：峰谷值（PeaktoValley）

QDR：快速傾卸沖洗（QuickDumpRinse）

RMS：均方根值（RootMeanSquare）

RIE：反應(yīng)離子刻蝕（ReactionIonEtching）

SRAF：亞分辨率輔助圖形（Sub-ResolutionAssistFeature）

5工藝保障條件要求

人員要求

1

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工藝人員應(yīng)具備以下條件：

——熟練掌握掩模制造工藝基本技能，了解掩模制造工藝技術(shù)要求，并經(jīng)過(guò)專業(yè)崗位技術(shù)培訓(xùn)；

——熟悉操作規(guī)程、檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)；

——掌握相關(guān)半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)知識(shí)，能解決工藝過(guò)程中出現(xiàn)的一般問(wèn)題；

——視力等應(yīng)滿足工藝需求。

環(huán)境要求

環(huán)境要求如下：

——潔凈度應(yīng)符合表1規(guī)定；

表1潔凈度

工序名稱ISO等級(jí)數(shù)a

m≤100nm≥4

勻膠、曝光、顯影工步100nm＜m≤1m≥5

m＞1m≥6

沉積、干法刻蝕、濕法刻蝕≥6b

注：m為掩模尺寸。

a為GB/T25915.1—2021中4.3規(guī)定的ISO等級(jí)數(shù)。

b非黃光。

——溫度：22℃±2℃；

——濕度：40％～60％；

——潔凈間應(yīng)鋪設(shè)防靜電地板、操作臺(tái)為防靜電臺(tái)面并接地，臺(tái)面下安裝防靜電手環(huán)并接地；

——光刻應(yīng)在黃光區(qū)進(jìn)行，檢驗(yàn)工作區(qū)的光照度不應(yīng)低于1000lx；

——生產(chǎn)操作中使用的物品均應(yīng)有防靜電功能。

設(shè)備要求

5.3.1各工序所需的設(shè)備

各工序所需設(shè)備應(yīng)符合表2要求。

表2設(shè)備要求

名稱要求用途

掩模襯底清洗及濕法掩模襯底清洗及凸臺(tái)腐

清洗后顆粒數(shù)量≤30ea0.16m，腐蝕溫度控制精度≤±1℃

腐蝕設(shè)備蝕

離子源沉積能量范圍，最小值≤500eV，最大值≥1500eV；等離子體啟輝

閘板閥關(guān)閉電子快門激活，離子束5s內(nèi)穩(wěn)定；射頻正向（傳輸）功率：100

離子束濺射沉積設(shè)備吸收層沉積

W～600W；反射功率小于射頻前向功率的5％；片內(nèi)沉積均勻性：去邊6mm，

3％；批間沉積均勻性：去邊6mm，3％

勻膠均勻性＜1％（132mm×132mm）；勻膠顆粒：≤0.3m且不多于4顆；

熱板均勻性：升溫區(qū)＜1.5℃，恒溫區(qū)＜0.1℃（光掩模表面）；冷板均勻

掩模勻膠、熱板、

性：降溫區(qū)＜3℃，恒溫區(qū)＜0.2℃（光掩模表面）；微環(huán)境溫濕度控制：勻膠、烘烤、及顯影

顯影一體機(jī)

溫度控制精度±0.1℃，濕度控制精度±1％；顯影顆粒增加數(shù)量：＜0.5m

的不應(yīng)多于5顆，≥0.5m的允許有1顆

2

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表2設(shè)備要求（續(xù)）

名稱要求用途

電子束直寫設(shè)備

加速電壓50kV，特征尺寸均勻性≤3nm，圖形放置誤差≤5nm高位置精度圖形直寫

（變形束）

加速電壓：≥100kV；圖形發(fā)生器掃描頻率：≥100MHz；束流范圍：最小值

電子束直寫設(shè)備≤50pA；最大值≥100nA；束流漂移：束電流穩(wěn)定性≤±0.5％，束位置穩(wěn)

高分辨力圖形直寫

（高斯束）定性≤30nm/h；拼接精度：100m寫場(chǎng)下≤±12nm，1000m寫場(chǎng)下≤±30

nm；套刻精度：100m寫場(chǎng)下≤±15nm，1000m寫場(chǎng)下≤±30nm

全局CD均勻性：≤5nm（3），CD刻蝕偏差：≤12nm，孤立-密集圖形CD：

離子束刻蝕機(jī)掩模圖形刻蝕

≤8nm，選擇比：≥0.8:1（Cr:Resist），側(cè)壁陡直度：≥85°

等離子體刻蝕機(jī)全局CD均勻性：≤5nm（3），CD刻蝕偏差：≤12nm，孤立-密集圖形CD：

掩模圖形刻蝕

（金屬）≤8nm，選擇比：≥0.8:1（Cr:Resist），側(cè)壁陡直度：≥85°

靜態(tài)重復(fù)性＜0.15nm；短期重復(fù)性≤0.19nm；長(zhǎng)期重復(fù)性≤0.23nm；線性

放大倍率誤差（FOV1.5m～3.0m）≤0.3nm；X/Y偏差≤0.3nm。分辨力

掩模CD-SEM線寬及線寬均勻性檢測(cè)

≤1.5nm；MAM時(shí)間：≤5s。具有高定位精度的工件臺(tái)，工件臺(tái)定位精度：

≤±35nm

圖形放置誤差測(cè)量位置精準(zhǔn)重復(fù)性（短期）：≤3nm（3）；位置精準(zhǔn)重復(fù)性（長(zhǎng)期）：≤5

圖形放置誤差檢測(cè)

設(shè)備nm（3）；位置精準(zhǔn)（長(zhǎng)期）：≤5nm（3）單點(diǎn)測(cè)量時(shí)間：≤5s

最小顆粒檢測(cè)尺寸：≤12nm/pixel2nm，≤24nm/pixel4nm，≤36

nm/pixel6nm；檢測(cè)效率：0.1mm2/h/pixel2nm，0.2mm2/h/pixel4nm，0.6掩模圖形缺陷及顆粒污

掩模缺陷檢測(cè)設(shè)備

mm2/pixel6nm；顆粒識(shí)別可重復(fù)性精度：≥98.5％；二次電子分辨率：1.3染檢測(cè)

nm（1kV）、1.1nm（5kV）、0.9nm（30kV）

聚焦He離子束顯微鏡分辨率：0.5nm，加速電壓10kV～30kV，離子束流：0.1pA～100pA掩模圖形缺陷修復(fù)

清洗效率：＞95％；顆粒物殘留：PSM片＞0.5m的新增顆粒數(shù)為≤5顆，達(dá)

標(biāo)率≥90％，Binary片＞0.5m的新增顆粒數(shù)為≤10顆，達(dá)標(biāo)率≥90％。靜

電破壞：ESD為0；相位變化：平均＜-0.3°；透過(guò)率變化：平均＜0.03％；掩模圖形表面顆粒及污

掩模圖形清洗設(shè)備

CD均值&CDU變化＜0.6nm；SRAF：最小特征測(cè)試圖形（＞50nm）無(wú)損壞；離染物清洗

-2+-2

子殘留：PSM片：SO4殘留＜2ppb，NH4殘留＜10ppb；Binary片：SO4殘留＜

+

3ppb，NH4殘留＜20ppb

光學(xué)顯微鏡光學(xué)放大倍率50倍～1000倍觀察

橢偏儀滿足40nm～1000nm光刻膠厚度測(cè)試測(cè)試光刻膠厚度

5.3.2工藝設(shè)備驗(yàn)證

5.3.2.1工藝設(shè)備應(yīng)定期進(jìn)行狀態(tài)驗(yàn)證。驗(yàn)證或鑒定表明設(shè)備性能滿足工藝技術(shù)要求，即確認(rèn)設(shè)備技

術(shù)狀態(tài)正常，可以進(jìn)行正常使用。

5.3.2.2驗(yàn)證或鑒定表明性能不能滿足工藝技術(shù)要求的設(shè)備，需進(jìn)行維修。維修后需重新進(jìn)行技術(shù)狀

態(tài)驗(yàn)證。

5.3.2.3所有設(shè)備按有關(guān)規(guī)定進(jìn)行保養(yǎng)，保養(yǎng)后需重新進(jìn)行技術(shù)狀態(tài)驗(yàn)證。

5.3.3測(cè)量設(shè)備檢定/校準(zhǔn)

測(cè)量設(shè)備應(yīng)按GB/T19022的要求進(jìn)行校準(zhǔn)并標(biāo)識(shí)。對(duì)校準(zhǔn)過(guò)的設(shè)備應(yīng)有效控制，按規(guī)定使用和貯

存。

3

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6材料要求

掩模制造工藝材料應(yīng)符合表3要求。

表3材料要求

名稱要求用途

掩模襯底定制石英襯底，符合8.2要求加工對(duì)象載體

Cr靶材純度≥99.99％Cr吸收層沉積

按性質(zhì)：正膠、負(fù)膠；

光刻膠成型材料

按感光方式：電子束光刻膠、365nm（I線）感光光刻膠

增強(qiáng)光刻膠

六甲基二硅烷（HDMS）分析純以上純度

附著力

鄰二甲苯分析純以上純度顯影

能溶解電子束光刻膠，但不應(yīng)和Cr、Si等材料發(fā)生反

去膠液去殘膠

應(yīng)，電子純及以上純度

N-甲基吡咯烷酮（NMP）電子純及以上純度清洗

異丙醇（IPA）電子純及以上純度清洗

無(wú)水乙醇電子純及以上純度清洗

丙酮電子純及以上純度清洗

四甲基氫氧化銨（TMAH）濃度2.83％清洗

過(guò)氧化氫濃度30％～32％，電子純及以上純度清洗

硫酸電子純及以上純度清洗

去離子水電阻率≥18M·cm清洗

石英腐蝕溶液氫氟酸（HF）、氟化銨（NHF4）、去離子水的混合液腐蝕掩模襯底

邊膠去除劑（EBR）在勻膠過(guò)程中可完全去除掩模邊緣的電子束光刻膠去邊膠

清洗用工藝氣體

純度≥99.999％清洗

（氬氣、二氧化碳、氮?dú)狻⒀鯕猓?/p>

壓縮空氣純度≥99.999％設(shè)備動(dòng)力

沉積用工藝氣體

純度≥99.999％Si吸收層沉積

（硅烷、N2O、氨氣、氮?dú)?、氬氣、SF6）

干法刻蝕氣體刻蝕吸收層

純度≥99.999％

（氯氣、氬氣、氧氣、氮?dú)?、SF6、C4F8、氦氣）及去膠

7安全要求

人員安全

7.1.1工藝人員應(yīng)穿防靜電凈化服、防靜電潔凈鞋，佩戴一次性頭套、口罩和手套。

7.1.2工藝人員應(yīng)按設(shè)備操作規(guī)程進(jìn)行操作，設(shè)備在運(yùn)行中嚴(yán)禁身體任何部位進(jìn)入機(jī)器內(nèi)。

7.1.3曝光或測(cè)量光強(qiáng)時(shí)，工藝人員應(yīng)佩戴墨鏡，不直視紫外光區(qū)域。

7.1.4更換或傾倒化學(xué)品（如丙酮、乙醇、光刻膠、顯影液、強(qiáng)酸、強(qiáng)堿等）時(shí)，應(yīng)穿戴防護(hù)用品，

蓋好儲(chǔ)液容器蓋子，防止微漏。

7.1.5工作區(qū)應(yīng)有通風(fēng)排風(fēng)裝置保證通風(fēng)、送風(fēng)良好。

4

T/CIXXX—2024

7.1.6注意用水、用電安全。

7.1.7工藝人員應(yīng)定期體檢。

環(huán)境安全

7.2.1廢液、廢水應(yīng)經(jīng)處理，符合GB8978要求后排放。

7.2.2廢物應(yīng)交由具有環(huán)保資質(zhì)單位進(jìn)行處理。

7.2.3易揮發(fā)物質(zhì)應(yīng)密封保存。

設(shè)備安全

7.3.1氣瓶應(yīng)放在指定區(qū)域并固定、按氣瓶氣體本省使用要求做好防護(hù)。

7.3.2設(shè)備應(yīng)接地可靠、安全。

7.3.3設(shè)備應(yīng)配備緊急制動(dòng)按鈕。

7.3.4應(yīng)配備滅火設(shè)施和排風(fēng)設(shè)施。

產(chǎn)品安全

7.4.1人員進(jìn)入潔凈間應(yīng)穿防靜電凈化服，并進(jìn)行全身去靜電處理。

7.4.2人員工作時(shí)應(yīng)穿戴口罩、乳膠手套、橡膠袖套、頭套。

8工藝要求

工藝流程

掩模制造工藝流程見(jiàn)圖1。

圖1掩模制造工藝流程圖

掩模襯底

掩模襯底表面光潔度應(yīng)與加工前表面光潔度水平相當(dāng)，正面中心42mm×42mm應(yīng)符合以下要求：

5

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——低頻面形誤差PV：≤8nm；

——面形誤差RMS：≤0.8nm；

——任意5mm×5mm低頻面形誤差PV：≤5nm；

——任意5mm×5mm低頻面形誤差RMS：≤0.5nm；

——任意3mm×2.25mm中頻面形誤差Rq惡化率：≤50％；

——任意600m×450m中頻面形誤差Rq惡化率：≤50％；

——任意100m×75m中頻面形誤差Rq惡化率：≤50％；

——任意2m×2m高頻粗糙度Rq惡化率：≤50％。

清洗

清洗步驟如下：

a)采用QDR進(jìn)行粗清洗；

b)丙酮溶液超聲5min，再用流動(dòng)的去離子水沖洗，最后用氮?dú)獯蹈桑?/p>

c)配制SC3液（H2SO4：H2O2=3：1），加熱至120℃，采用SC3液煮洗20min，取出放入熱去離子

水中，去離子水沖洗；

d)利用IPA蒸汽進(jìn)行脫水干燥，120℃熱板烘10min，清洗后顆粒數(shù)量：≤30ea0.16m。

刻蝕阻擋層沉積

刻蝕阻擋層沉積步驟如下：

a)旋涂增粘劑AR300-80，轉(zhuǎn)速2000rpm，厚度約200nm，95℃熱板前烘2min，溫度均勻性控

制在±1℃；

b)冷卻至室溫后，旋涂AR-PC5000/41：轉(zhuǎn)速3000rpm，厚度約7m，95℃熱板前烘5min，溫

度均勻性控制在±1℃。

勻膠、前烘

旋涂AZ9260，轉(zhuǎn)速2000rpm，厚度約11μm，65℃熱板前烘5min，溫度均勻性控制在±1℃。

光刻、顯影

光刻、顯影步驟如下：

a)采用I線365nm汞燈光源，光強(qiáng)1mw/cm2，曝光20min；

b)曝光完成后將基片放入顯影液（AZ400K和水1：4稀釋）中顯影90s，先在去離子水中清洗，

再用流動(dòng)的去離子水沖洗，最后用氮?dú)獯蹈桑?/p>

c)顯影完成后采用100℃熱板堅(jiān)膜，時(shí)間20min。

阻擋層刻蝕

阻擋層刻蝕步驟如下：

a)采用AR300/74去膠液去除曝光區(qū)域的AR-PC5000/41光刻膠，去離子水沖洗基片，氮?dú)獯蹈?/p>

基片；

b)完成后采用100℃熱板堅(jiān)膜，時(shí)間20min。

去殘膠

-3

采用RIE刻蝕，功率15W，O2流量20sccm，腔壓1Pa，刻蝕時(shí)間10分鐘，本底真空度＜5×10Pa。

6

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臺(tái)階刻蝕

臺(tái)階刻蝕步驟如下：

a)溶液配比為HF：NHF4：去離子水=1：2：10，腐蝕溫度控制在25℃～26℃；

b)需要待溫度穩(wěn)定后在腐蝕溶液中放入石英掩模襯底；

c)腐蝕過(guò)程采用分段腐蝕，每次間隔30min±2min，從溶液中取出基片進(jìn)行清洗，清洗后再進(jìn)

行腐蝕工藝；

d)預(yù)估腐蝕深度達(dá)到要求后從溶液中取出襯底進(jìn)行清洗，將腐蝕溶液完全清洗干凈后用氮?dú)飧?/p>

燥。

檢測(cè)

臺(tái)階刻蝕應(yīng)符合以下要求：

——采用臺(tái)階儀測(cè)量多點(diǎn)腐蝕深度，并計(jì)算深度偏差，深度偏差≤0.1m；

——采用激光干涉儀測(cè)量凸臺(tái)面低頻面形，凸臺(tái)上表面面形變化增量≤1nm（低、中、高頻）；

——采用白光干涉儀測(cè)量凸臺(tái)面中頻面形，凸臺(tái)下表面中頻面形（200m）PV≤5nm；

——采用AFM測(cè)量凸臺(tái)面表面粗糙度，凸臺(tái)下表面表面粗糙度：≤0.6nm；

——表面光潔度：與加工前表面光潔度水平相當(dāng)。

阻擋層去除

阻擋層去除步驟如下：

a)采用AR300/74去膠液去除阻擋區(qū)域AR-PC5000/41光刻膠；

b)去離子水沖洗基片，氮?dú)獯蹈苫?/p>

c)采用RIE氧等離子刻蝕殘膠，功率5W，O2流量20sccm，腔壓1Pa，刻蝕時(shí)間10min。

清洗

清洗步驟如下：

a)采用NMP溶液浸泡，加熱至60℃超聲60min，去離子水沖洗，最后用氮?dú)獯蹈桑?/p>

b)同8.3。

異物檢測(cè)

對(duì)腐蝕后襯底表面的劃痕、凸起、凹陷等缺陷采用50倍～1000倍暗場(chǎng)顯微鏡逐片進(jìn)行檢測(cè)，表面

缺陷在范圍以內(nèi)為合格，不合格品返工或報(bào)廢。

清洗

同8.12。

吸收層沉積

吸收層沉積應(yīng)符合以下要求：

——沉積材料Cr，沉積厚度40nm，厚度均勻性±1nm，片內(nèi)沉積均勻性（去邊6mm，3％）；批

間沉積均勻性（去邊6mm，3％）；

——吸收層表面粗糙度≤0.8nm（10m×10m）。

7

T/CIXXX—2024

應(yīng)力檢測(cè)

8.16.1采用應(yīng)力檢測(cè)儀測(cè)試吸收層沉積前襯底的表面曲率，吸收層沉積后，通過(guò)應(yīng)力檢測(cè)儀原位測(cè)試

沉積吸收層后的表面曲率，按式（1）計(jì)算應(yīng)力值。

??2

=???·······································································(1)

6??

式中：

2

Ms——雙軸模量，單位為牛頓/平方米（N/m）；

hs——襯底厚度，單位為微米（m）；

hf——薄膜厚度，單位為微米（m）；

K——前后兩次測(cè)試曲率的變化量。

8.16.2吸收層應(yīng)力不大于±200MPa。

8.16.3應(yīng)力變化不大于±50MPa。

應(yīng)力補(bǔ)償

可通過(guò)應(yīng)力補(bǔ)償?shù)姆绞綄⒈∧さ膽?yīng)力進(jìn)行人為的調(diào)控：

——通過(guò)在吸收層沉積過(guò)程中添加300℃；

——對(duì)生長(zhǎng)好的Cr薄膜進(jìn)行Ar等離子體表面處理，功率：70W；處理時(shí)間：10min，可將薄膜應(yīng)

力調(diào)控至200MPa以內(nèi)；

——應(yīng)力變化≤±50MPa。

異物檢測(cè)

使用50倍～1000倍暗場(chǎng)顯微鏡對(duì)腐蝕后的襯底表面的顆粒、凸起缺陷等進(jìn)行檢測(cè)；針孔缺陷不應(yīng)

大于30nm（10mm×10mm）。

勻膠

勻膠步驟如下：

a)旋涂電子束膠AR-P6200.04，轉(zhuǎn)速2000rpm～4000rpm，厚度60nm～100nm（根據(jù)直寫最小

特征尺寸確定）；

b)旋涂導(dǎo)電膠AR-PC5090.02：轉(zhuǎn)速1500rpm～4000rpm，厚度40nm～80nm；

c)勻膠均勻性＜1％（132mm×132mm）；

d)勻膠顆粒：≤0.3m的不多于4顆，＞0.3m的不允許有。

前烘

8.20.1電子束膠前烘溫度150℃，導(dǎo)電膠前烘溫度90℃；熱板均勻性：升溫區(qū)＜1.5℃，恒溫區(qū)＜

0.1℃（光掩模表面）。

8.20.2冷板均勻性：降溫區(qū)＜3℃，恒溫區(qū)＜0.2℃（光掩模表面）。

圖形直寫

圖形直寫應(yīng)符合以下要求：

——石英掩模襯底放入直寫機(jī)臺(tái)后，在機(jī)臺(tái)內(nèi)部穩(wěn)定6h以上。

——直寫過(guò)程中溫度恒定在22℃±0.5℃，溫度波動(dòng)不大于±0.05℃，無(wú)外界磁場(chǎng)及振動(dòng)干擾。

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T/CIXXX—2024

——根據(jù)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)要求和電子束光刻膠要求選擇相應(yīng)的曝光劑量，曝光劑量為280C/cm2～380

C/cm2。

顯影

顯影應(yīng)符合以下要求：

——微環(huán)境溫濕度控制：溫度控制精度0℃～22℃、±0.1℃，濕度控制精度50％±1％；

——顯影時(shí)間為50s～90s，顯影后氮?dú)獯蹈伞?/p>

——顯影顆粒增加數(shù)量：＜0.5m的不應(yīng)多于5顆，≥0.5m的允許有1顆。

CD-SEM檢測(cè)

8.23.1對(duì)掩模圖形的CD進(jìn)行測(cè)量，掩模圖形最小圖形尺寸：≤30nm；最小OPC尺寸≤20nm。

8.23.2掩模圖形CDU≤±4％。

8.23.3掩模圖形線條邊緣粗糙度＜2nm。

異物檢測(cè)

同8.13。

離子束刻蝕

8.25.1調(diào)整離子束刻蝕機(jī)參數(shù)：功率、刻蝕角度、樣品臺(tái)冷卻溫度、樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速、刻蝕時(shí)間。

8.25.2離子束刻蝕要求如下：

——圖形陡直度：≥85°；

——刻蝕深度誤差：≤5％；

——刻蝕選擇比：≥0.8：1（Cr：膠）。

去膠

去膠應(yīng)符合以下要求：

——采用氧等離子體去除殘余電子束光刻膠；

——采用RIE刻蝕，功率5W，O2流量20sccm，腔壓1Pa，刻蝕時(shí)間10min；

——本底真空度＜5×10-3Pa。

清洗

清洗步驟如下：

a)采用QDR進(jìn)行粗清洗；

b)丙酮溶液超聲5min，再用流動(dòng)的去離子水沖洗，最后用氮?dú)獯蹈桑?/p>

c)配制SC3液（