2025年1月浙江省普通高校招生選考科目考試物理仿真模擬卷03（參考答案）

2025年1月浙江省普通高校招生選考科目考試物理仿真模擬卷03（參考答案）第Ⅰ卷一、選擇題Ⅰ(本題共13小題,每小題3分,共39分。每小題列出的四個備選項(xiàng)中只有一個是符合題目要求的,不選、多選、錯選均不得分)12345678910ACCBCBCDCA111213CDD二、選擇題Ⅱ(本題共2小題,每小題3分,共6分。每小題列出的四個備選項(xiàng)中至少有一個是符合題目要求的。全部選對的得3分,選對但不全的得2分,有選錯的得0分)12ADBD第Ⅱ卷三、實(shí)驗(yàn)題：本題共1小題，共14分。16-Ⅰ．(1)BC（1分）(2)AC（1分）(3)B（1分）(4)29（1分）16-Ⅱ．(1)額定電壓（1分）(2)帶正電（1分）向右（1分）(3)0.2s內(nèi)電容器的放電電量（1分）（2分）(4)（1分）16-Ⅲ．AD（3分）四、計(jì)算題：本題共4小題，8分+11分+11分+11分共41分。解答應(yīng)寫出必要的文字說明、方程式和重要演算步驟。只寫出最后答案的不能得分。有數(shù)值計(jì)算的題，答案中必須明確寫出數(shù)值和單位。17．解：（1）根據(jù)題意可知，氣體體積不變，氣體為等容變化，根據(jù)查理定律可得（2分）解得（2分）（2）根據(jù)熱力學(xué)第一定律有（1分）由于氣體的體積不變，所以（1分）解得（2分）18．解：（1）物體從A到B做平拋運(yùn)動，豎直方向有（1分）代入數(shù)據(jù)解得當(dāng)物塊運(yùn)動至B點(diǎn)時，恰好沿切線方向進(jìn)入，則有（1分）代入數(shù)據(jù)解得（1分）（2）小球運(yùn)動到圓形軌道Ⅱ最低點(diǎn)C的速度為，根據(jù)動能定理（1分）代入數(shù)據(jù)解得若小球剛好能通過軌道Ⅱ的最高點(diǎn)，小球過最高點(diǎn)的最小速度為（1分）根據(jù)動能定理（1分）代入數(shù)據(jù)解得若小球不能通過軌道Ⅱ的圓心等高處，根據(jù)動能定理（1分）代入數(shù)據(jù)解得要使小球不脫離豎直光滑圓形軌道Ⅱ，需滿足或（1分）（3）若，小球能過軌道Ⅱ的最高點(diǎn)，并從軌道Ⅱ滑出進(jìn)入圓形管道Ⅲ，假設(shè)小球未從管道Ⅲ滑出，根據(jù)動量定理（1分）則有（1分）代入數(shù)據(jù)解得可知，假設(shè)成立。（1分）19．解：（1）粒子在速度選擇器中受電場力和洛倫茲力平衡，則解得（1分）在靜電分析器中解得（1分）（2）根據(jù)（1分）可得當(dāng)時（1分）當(dāng)時（1分）粒子在圓形磁場中運(yùn)動的軌跡如圖，由幾何關(guān)系可知，半徑為r1時粒子從磁場中射出打到硅片上的P點(diǎn)，其中（1分）則半徑為r2時粒子從磁場中射出打到硅片上的Q點(diǎn)，其中（1分）則由幾何關(guān)系可知硅片上有離子打到的最高點(diǎn)到最低點(diǎn)的距離（1分）（3）若離子經(jīng)圓形磁場區(qū)域偏轉(zhuǎn)后垂直打在硅片上M點(diǎn)，可知粒子運(yùn)動的軌道半徑為R2，粒子從進(jìn)入磁場到打到硅片上運(yùn)動的時間（1分）在圓形磁場區(qū)域再加上垂直紙面向里的大小也為E的勻強(qiáng)電場，則粒子還有垂直紙面向里的勻加速運(yùn)動，則加速度（1分）則MN距離（1分）20．解：（1）當(dāng)線圈通電后在磁場中受到安培力作用，結(jié)合題意，安培力方向應(yīng)該向上，所以由左手定則可以判斷，電流應(yīng)從端流入；每匝線圈在磁場中受安培力的有效長度為（1分）由平衡條件得（1分）將代入上式可得（1分）（2）設(shè)備用線圈在距離極中心處磁感應(yīng)強(qiáng)度為，有（1分）由（1分）可得（1分）與線圈半徑無關(guān)，故測量值不變。（3）①沒放重物時，彈簧的壓縮量，最終靜止時，彈簧的壓