集成電路封裝的設(shè)計(jì)陶瓷封裝外殼芯片低熔點(diǎn)玻璃陶瓷蓋板-Read-2022年學(xué)習(xí)資料

第五章-微電子封裝技術(shù)一、集成電路封裝的設(shè)計(jì)-芯片-陶瓷蓋板-低熔點(diǎn)玻璃-封裝外殼的設(shè)計(jì)-陶瓷封裝外殼-金屬化布線-封接的設(shè)計(jì)-電膠-引線和引線架的設(shè)計(jì)二、集成電路封裝的設(shè)計(jì)-芯片-陶瓷蓋板-低熔點(diǎn)玻璃-封裝外殼的設(shè)計(jì)-陶瓷封裝外殼-封接的設(shè)計(jì)-引線和引線架設(shè)計(jì)1、封裝外殼的設(shè)計(jì)-集成電路外殼是構(gòu)成集成電路整體的一個(gè)主要組成部分。-它不僅僅對(duì)集成電路芯片起著一個(gè)單純機(jī)械保護(hù)和芯片電-極向外過渡連接的作用，而且對(duì)集成電路芯片的各種-功能參數(shù)的正確實(shí)現(xiàn)和電路使用場(chǎng)所要求的環(huán)條件，以及-體現(xiàn)電路特點(diǎn)，都起著根本的保證作用。封裝外殼的設(shè)計(jì)要求-電性能-芯片-熱性能-參數(shù)，阻抗-尺寸引線數(shù)-熱阻結(jié)混-艷緣電阻-焊點(diǎn)位置-功托-封裝求-底部狀況-散熱方式-外殼設(shè)計(jì)-使肘場(chǎng)蛀-總排都局，按封形式。-材料-環(huán)境氣醫(yī)要求-結(jié)構(gòu)尺砂，材料選，-合金-工作祖度-特殊條件-參教計(jì)算，技術(shù)要求-剩瓷玻摔-要料-制造-組裝-工藝裝求-成本-粘片方式-制難點(diǎn)饞合方式-封蓋種類-圖？-1外克設(shè)計(jì)與各因素的關(guān)系外殼設(shè)計(jì)的主要原則-外殼設(shè)計(jì)是一項(xiàng)綜合性工作，需要對(duì)總體布局、結(jié)構(gòu)尺寸-材料選擇以及制造工藝和成本等方面進(jìn)分折選定出一個(gè)最佳-方案。-外殼設(shè)計(jì)最主要考慮的問題-電性能、熱性能和使用場(chǎng)所，-電設(shè)計(jì)和熱設(shè)計(jì)1外殼的電性能設(shè)計(jì)原則-對(duì)任一集成電路的封裝外殼都要求具有一定的電性能，-以保證相互匹配而不致對(duì)整個(gè)集成電的性能產(chǎn)生失誤或失-隊(duì)其中又以超高頻外殼更為突出。-①分布電容和電感-當(dāng)集成電路處在超高頻狀態(tài)下工作時(shí)，由外殼金屬體-所形成的分布電容和分布電感常會(huì)起不必要的反饋和自激，-從而使集成電路的功率增益下降、損耗增加，以在一般情-況下，都希望外殼的分布電容與分布電感愈小愈好。②特性阻抗-在超高頻范圍內(nèi)工作的集成電路，當(dāng)傳輸線中有信號(hào)傳遞-時(shí)，如在中途因阻抗不匹配就會(huì)引起信號(hào)反射損，使傳輸-的信號(hào)減弱。因此，要求外殼能保證電路有恒定特性阻抗值-國(guó)內(nèi)一般使用50Ω或75Ω的傳輸線。-③電屏蔽-在放大電路中，當(dāng)使用金屬外殼時(shí)，由于屏蔽作用使-金屬外殼相當(dāng)于一只矩形波導(dǎo)，在這波導(dǎo)中，放大電路的-級(jí)元器件都對(duì)它起電磁場(chǎng)的激勵(lì)作用，其中以末級(jí)元器-件的激勵(lì)最強(qiáng)，這樣因屏蔽外殼的耦合，很容易引起寄生-反饋為了消防這些影響，應(yīng)將外殼做得長(zhǎng)一點(diǎn)。④引線電阻-集成電路封裝外殼的引線電阻決定于所用的材料和引-線的幾何形狀。在陶瓷外殼中，引線電阻又與陶瓷金化-材料和圖形尺寸有關(guān)。若引線電阻過大，則會(huì)使電路增加-一個(gè)不必要的電壓降，從而使整個(gè)電路的功耗增大，并且影響了電路的性能。⑤絕緣電阻-集成電路封裝外殼的絕緣電阻，通常是兩相鄰的引線間或任一-線與金屬底座間的電阻值。這個(gè)數(shù)值的大小僅與引線間的距離和外-殼結(jié)構(gòu)有關(guān)，也與絕緣體的絕緣性能與環(huán)境條件有關(guān)。-外殼絕緣電阻的降低將會(huì)導(dǎo)致電極問的電流增大，-使整個(gè)集成-電路的性能下降或變壞，這對(duì)MOS集成電路則更為突出。-絕緣電阻可分為體積電阻和表面阻.前者的性能好壞決定于本-身內(nèi)在的物質(zhì)結(jié)構(gòu).而后者則與所處環(huán)境條件及材料表面狀態(tài)有關(guān)，-特別是水分、潮氣材料表面電阻影響甚大。因此在進(jìn)行封裝外殼設(shè)-計(jì)時(shí)，要注意結(jié)構(gòu)安排的合理性，并考慮到材料加工后的表面狀態(tài)，-盡量選用一些表面抗電強(qiáng)度和絕緣電阻高的材料。光電外殼-在實(shí)際應(yīng)用中具有光電轉(zhuǎn)換性能的集成電路已經(jīng)為數(shù)不-少，數(shù)字電路中的可改寫只讀存儲(chǔ)器EPRO則是其最好-的一個(gè)例子。但是要使集成電路能夠具備這樣的功能，就必-須要有一個(gè)類似窗戶一樣的結(jié)構(gòu)，使各種不同的光能透射-進(jìn)去，這樣才能達(dá)到光電轉(zhuǎn)換的目的。為此這類集成電路的-封裝外殼需具有特殊的“光窗”結(jié)構(gòu)形式。-這類具光窗的集成電路封裝外殼，我們稱它為光電外-殼，光窗的結(jié)構(gòu)和所用的材料是設(shè)計(jì)光電外殼時(shí)應(yīng)考慮的主-要問題。-先要搞清楚需要透過什么樣波長(zhǎng)的光，如紅外光、紫-外光或可見光；其次是透光的強(qiáng)度；最后還要考慮外殼對(duì)其-他不要的光如何進(jìn)行掩蔽，這樣才能根據(jù)已知的條件來進(jìn)-行設(shè)計(jì)光電外完。2外殼的熱性能設(shè)計(jì)原則-隨著集成電路的組裝密度不斷增大，將導(dǎo)致功率密度也-相應(yīng)的提高，集成電路單位體積發(fā)熱也有所增加。在外殼-結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上如果不能及時(shí)地將芯片內(nèi)所產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去-設(shè)法抑制集成電路的溫升，必然對(duì)集電路的可靠性產(chǎn)生極-為嚴(yán)重的影響。為此，封裝外殼的熱設(shè)計(jì)是一個(gè)至關(guān)重要的-課題。-在進(jìn)行封裝外殼的熱設(shè)計(jì)時(shí)需要估計(jì)集成電路芯片-由于電功率的熱效應(yīng)所產(chǎn)生的熱量如何通過外殼散發(fā)到周-圍環(huán)境中去。散熱問題-封裝樹脂-IC芯片-內(nèi)引線-基板-氧化鋁、氮化硅、氧化鈹-改善底座和散熱板的接觸狀態(tài)-加大散熱板面積-改變散熱材料，將散熱板的熱阻降低。2、引線和引線架的設(shè)計(jì)-引線和引線框架是構(gòu)成集成電路封裝外殼的主要組成零-件。它的作用就是通過引線能夠把電芯片的各個(gè)功能瑞與-外部連接起來。由于集成電路的封裝外殼的種類甚多，結(jié)構(gòu)-形成也不一樣，因此其引線的圖形尺和使用材料也都各有-特點(diǎn)，在集成電路使用過程中，由于線加工和材料使用不-當(dāng)而造成封裝外殼的引線斷裂和脫焊等例為數(shù)不少，因而-如何提高引線質(zhì)量、改進(jìn)制造技術(shù)和開發(fā)一些新型引線是很-重要的。引線的結(jié)構(gòu)尺寸是根據(jù)封裝外殼整體要求來設(shè)計(jì)的。-如金屬圓形外殼，其引線是直接封接在電真空玻璃中，為-了便于內(nèi)引線鍵合，上端焊接點(diǎn)要求平整、光潔，甚至-要求打平以增加焊接面積。因此這種引線都是圓形的，是-用金屬絲材棒材加工而成的。-對(duì)于各類扁平式和雙列式外殼，其引線有的是封接在-電真空玻璃中；有的是釬焊在陶瓷基體的側(cè)面底面，-因此這種引線都是矩形的，是用金屬帶材或板材沖壓而成-的。這種引線除了要保證兩引線間具有一定的距離外而-且在使用時(shí)要按一定的規(guī)格進(jìn)行排列和不致松散，所以要-設(shè)計(jì)成引線框架形式。這樣在集成電路組裝中它既能起到整齊排列的作用，也能達(dá)到保護(hù)引線的目的（在老化測(cè)試-前，剪去多余的連條部分，就成為我們所需要的引線。圖6-1中。-打華面積-線框架邊掘-中間引，-引線識(shí)別標(biāo)記-據(jù)-圖」-行-型-引線分商處-引線專鉤-線扇-腔長(zhǎng)度-外引線-名義進(jìn)行長(zhǎng)度-圖61陶瓷熔封雙列外殼引線框架術(shù)語3、封接設(shè)計(jì)-封接材料根據(jù)低溫封接的特定要求，封接材料必須具備以下幾個(gè)條件：-①封接材料的軟化溫度要低，應(yīng)保證能在足夠低的溫度條下進(jìn)-行封接，以免封接溫度過高而導(dǎo)致芯片上金屬連線球化或引線框架-變形變壞；同時(shí)在封接溫度下封接材料的粘度在1一200Pas范-圍之間，使封接材料既充分而又不過份地在封接面上流動(dòng)：-②封接材料的線膨脹系數(shù)應(yīng)能和被的陶瓷、金屬相匹配，從而-保證封接件具有一定的封接強(qiáng)度和經(jīng)受得住諸如溫度、氣候和機(jī)械-等一系列的環(huán)境考驗(yàn)。果和被焊材料的線膨脹系數(shù)相差甚遠(yuǎn)，則-在封接后封接材料中殘存應(yīng)力將使封接材料遭到破壞，從而使封接-強(qiáng)度大大低和無法保證封接體的氣密性；-③當(dāng)金屬用封接材料封接時(shí)，要求封接材料對(duì)金屬有良好的浸潤(rùn)-性，同時(shí)，為獲得牢的封接強(qiáng)度，要求封接材料能夠擴(kuò)散到金屬-表面的氧化層中去；-④在與水、空氣或其他介質(zhì)相接觸時(shí)，封接材料應(yīng)仍有良好-的化學(xué)穩(wěn)定性和絕緣性能，-⑤在封接過程中，不能由封接材料中產(chǎn)生有害物質(zhì)，使之揮發(fā)-或?yàn)R落在電路芯片其他部位上，從而導(dǎo)致集成電路性能變壞或完-全失效。1常用的封接材料-低熔玻璃-低熔玻璃系指軟化溫度不高于500℃的一類粉狀玻璃材-料。由于它易與金屬、陶瓷等料粘接且本身不透氣，當(dāng)形-成密封腔體后可獲得較高的氣密性。同時(shí)又具有不燃性和良-好耐熱性能，電性能也比較優(yōu)，因此它作為一種無機(jī)焊料，-廣泛地被應(yīng)用在真空和電子產(chǎn)品中。在集成電路封裝領(lǐng)域它-也是很好的低溫密封材料和接材料。封接合金材料-封接合金材料主要是用來與相應(yīng)的陶瓷、玻璃或塑料進(jìn)-行封接的，其具體要求是：-①一定溫度范圍內(nèi)封接合金材料的線膨脹系數(shù)必需與相應(yīng)-的封接體基本一致，以達(dá)到良好的匹配；-②要具有良好的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能能耐腐蝕、其加工性-能要好，可以制成絲、管、帶、棒等幾何形狀，抗氧化和具有-好的塑性。并且它們的沖裁成型性表面平整性等都能達(dá)到所-需的要求；-③封接合金材料在使用時(shí)，。-應(yīng)沒有金相組織的轉(zhuǎn)變，不會(huì)因-相變而帶來線脹系數(shù)的急劇變化，因?yàn)檫@將造成封接材料的-內(nèi)應(yīng)力增加，使之產(chǎn)生炸裂等現(xiàn)象而導(dǎo)致漏氣；-④材料中非金屬雜質(zhì)、害元素和氣體的含量應(yīng)當(dāng)在真空中-或氫氣保護(hù)下進(jìn)行退火時(shí)，能夠很好的脫碳、脫氣；-⑤在性能滿足要求的前提下價(jià)要盡可能低廉。4、封裝技術(shù)的計(jì)算機(jī)模擬分析-隨著半導(dǎo)休器件工作頻率的不斷提高、集成電路集成度-與速度的迅速增加，一個(gè)封裝殼內(nèi)所能容納的芯片數(shù)目及-其功率也相應(yīng)地急劇增加。-①芯片溫度的升高將會(huì)降低器件的可靠性而溫度的急劇-變化會(huì)在器件各部分產(chǎn)生熱應(yīng)力，從而有可能引起芯片、-襯底和鍵合點(diǎn)的碎裂或脫落。-②在高速、高頻或緊密組裝的電路統(tǒng)設(shè)計(jì)中，金屬化-布線的電容和電感對(duì)電路性能的影響也是不能忽視的。-所以耍實(shí)現(xiàn)高可靠、高密度和高性能的封裝在進(jìn)行封-裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí)，在處理好由器件溫升而引起的熱阻、由分布-電容和分布電感而引起的器件高頻性能變壞和速降低等一-系列問題時(shí)，可利用計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)這一有力的手段，以取-得較好的設(shè)計(jì)效果。一個(gè)較完善的封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)必須在幾個(gè)重要的封裝設(shè)計(jì)-因素中，譬如熱阻、芯片熱阻、鍵合點(diǎn)壽命、熱應(yīng)力、熱變-形接觸電阻和電性能等方面，彼此取得較好的平衡。-換句話說，一個(gè)較完善的封裝結(jié)構(gòu)實(shí)際上就是將這個(gè)器-件的電性能環(huán)境、壽命、機(jī)械和熱性能等通過封裝材料和-特殊的工藝方法，以特定的結(jié)構(gòu)形式體現(xiàn)出來。-以前對(duì)于封裝結(jié)構(gòu)的考都是通過一些樣品的試制和試-驗(yàn)來獲得的，但是隨著產(chǎn)品更新周期的縮短，采用計(jì)算機(jī)輔-助設(shè)計(jì)則可贏得時(shí)間而使封設(shè)計(jì)工作加速。-比如半導(dǎo)體器件熱強(qiáng)度設(shè)計(jì)系統(tǒng)HISETS軟件-熱分析與散熱設(shè)計(jì)技術(shù)-布線、實(shí)裝形態(tài)與電信號(hào)輸特性分析-應(yīng)力分析三、集成電路封裝工藝流程硅錠-硅片-切成-經(jīng)2030工藝步驟-封裝-切成芯片-回回回-00-一-?-測(cè)試-形成帶芯片的硅片-成品測(cè)-可回風(fēng)-提供給客戶1.-劃片和分片〔工北文件號(hào)-難片-蒼片-《材料尋》-2-芯片分選《工藝文件馬-7焊料《材料號(hào)-3.-芯片封檢驗(yàn)〔拉啦義件號(hào)-7外瓏（材料號(hào)）-4.-裝片《工藝文件號(hào)-中-V內(nèi)引毀-〔材料號(hào)-5,-內(nèi)引線鍵合（下文件昂）-遼牌料（林料號(hào)）-6.-口封前質(zhì)量槍臉〔松驗(yàn)文作易-V上蓋-〔材料母-7.-封蓋《工藝文體號(hào)-↓7氳氣（材料號(hào)）-蛀檢-《工藝文排昂-V筑碳化合物（材料停）-9-粗檢附（工藝文纖號(hào)-￥-10.-切邊（工文件號(hào)-11.-○封后質(zhì)駐檢驗(yàn)〔控險(xiǎn)文件號(hào)-12.-高溫帶存《工藝文件號(hào)-13.-溫度沖擊〔工藝文并號(hào)1、劃片-劃片就是把已制有電路圖形的集成電路圓片切割分離成-具有單個(gè)圖形（單元功能）的芯片，常用的方法有金刀劃片、-砂輪劃片和激光劃片等幾種：金剛刀劃片質(zhì)量不夠好，也-不便于自動(dòng)化生產(chǎn)，但設(shè)備簡(jiǎn)單便宜，目前已很少用；-激光劃片屬于新技術(shù)范躊，正在推廣試用階段。目前使用-最多的是砂輪劃片，質(zhì)量和生產(chǎn)效率都能滿足一般集成-路制作的要求。一半切-Uu"■-90%護(hù)斷-A只只戶只口Pョ-成穿切斷-塑料喜膜-圖7+2-砂輪劃片鑰割深度示意圖2、繃片和分片-繃片：經(jīng)劃片后仍粘貼在塑料薄膜上的圓片，如需要分離成-單元功能芯片而又不許脫離塑料薄膜時(shí)，可采用繃片機(jī)進(jìn)-行繃片，即把粘貼在薄膜上的圓片連同框架一起放在繃片機(jī)-人用一個(gè)圓環(huán)頂住塑料薄膜，并用力把它開，粘在其上的-圓片也就隨之從劃片槽處分裂成分離的芯片。這樣就可將已-經(jīng)分離的但仍與塑料曲膜保持粘連的芯片連同框架一起送-入自動(dòng)裝片機(jī)上進(jìn)行芯片裝片?，F(xiàn)在裝片機(jī)通常附帶有繃片-機(jī)構(gòu)。-分片：當(dāng)需人工裝片時(shí)，則需要行手工分片，即把已經(jīng)經(jīng)-過劃片的圓片倒扣在絲絨布上，背面墊上一張濾紙，再用有-機(jī)玻璃棒在其上面進(jìn)行搟壓，則片由于受到了壓應(yīng)力而沿-著劃片槽被分裂成分離的芯片。然后仔細(xì)地把圓片連同絨布-和濾紙一齊反轉(zhuǎn)過來，揭去絨布芯片就正面朝上地排列在-濾紙上，這時(shí)便可用真空氣鑷子將單個(gè)芯片取出，并存放在-芯片分居盤中備用。3、芯片裝片-把集成電路芯片核接到外殼底座（如多層陶瓷封裝）-或引線框架（如塑料封裝）上的指定位置，為絲狀線的-連接提供條件的工藝，稱之為裝片。由于裝片內(nèi)涵多種-工序，所以從工藝角度習(xí)慣上又稱為粘片、燒結(jié)、芯片-合和裝架。根據(jù)目前各種封裝結(jié)構(gòu)和技術(shù)要求，裝片-的方法可歸納為導(dǎo)電膠粘接法、銀漿或低溫玻璃燒結(jié)法-和低熔點(diǎn)金的焊接法等幾種，可根據(jù)產(chǎn)品的具體要求-加以選擇。4、引線鍵合-最早的辦法是采用拉絲焊、合金焊和點(diǎn)焊。直到1964年-集成電路才開始采用熱壓焊和超聲焊。-集電路的芯片與封裝外殼的連接方式，目前可分為有-引線控合結(jié)構(gòu)和無引線鍵合結(jié)構(gòu)兩大類。有引線鍍合結(jié)構(gòu)就-是我們常所說的絲焊法，即用金絲或鋁絲實(shí)行金一金-鍵合，金一鋁銀鍵合或鋁一鋁鍵合。由于它們都是在一定壓-力下進(jìn)行的接，所以又稱鍵合為壓焊。5、密封-密封技術(shù)就是指在集成電路制作過程中經(jīng)過組裝和檢-驗(yàn)合格后對(duì)其實(shí)行最后封蓋，以保證所封閉的空腔中能-有滿意的氣密性，并且用質(zhì)譜儀或放射性氣體檢漏裝置來-進(jìn)行測(cè)定，判斷其漏氣速率是否達(dá)到了預(yù)定的指標(biāo)。通常-是以金屬、玻璃和陶瓷為主進(jìn)行密封，并稱它們?yōu)闅饷?性封裝；而塑料封襲則稱非氣密性封裝。塑料封裝DIP工藝-成本較低-封裝樹脂-1C芯片-導(dǎo)線絲-鋁膜-引線架-外引線-塑料基板-導(dǎo)電粘膠6、塑料封裝技術(shù)-塑料封裝生產(chǎn)的特點(diǎn)，就是在集成電路的生產(chǎn)過程中，-通過組裝可以一次加工完畢，而不需由外殼產(chǎn)廠進(jìn)行配套-因而其工作量可大為降低，適合于大批量的自動(dòng)化生產(chǎn)，已-成為集成電路的主要封裝形式之一。1-塑料封裝成型方法-塑料封裝的成型方法有滴涂法、浸漬涂敷法、填充-法、澆鑄法和遞模成型法。應(yīng)根據(jù)封裝的對(duì)、可靠性-水平和生產(chǎn)批量的不同選用合適的成型方法。①滴涂成型法-用滴管把液體樹脂滴涂到鍵合后的芯片上，經(jīng)加熱-后固化成型，又稱軟封裝。-5-3-6-圖7·清法成型-】一書酯2一片13一金絲，4一印制戰(zhàn)，5一管腿：6一底座。滴涂法工藝操作簡(jiǎn)單，成本低，不需要專用的封裝設(shè)備-和模具，適用于多品種小批量生產(chǎn)，但封裝的可靠性差，-封裝形尺寸不一致，不適合大批量生產(chǎn)，其工藝流程是-外殼或印村板-芯片-滴·涂-加熱同化-成品-混合攪光-液體樹-都加劑②浸漬涂敷法成型-把元、器件待封裝部位浸漬到樹脂溶液中，使樹脂包-封在其表面，經(jīng)加熱固化成型。-個(gè)-圖4--浸漬涂激法成型-1一元件，2一液體樹肱，3一容器。浸漬涂敷法工藝操作筒單，成本低，不需要專用的封裝設(shè)-備和模具，但封裝的可籌性差，封裝外形不一致，表面浸-漬樹脂量不易均勻，其工藝流程是-引線-芯片-引線鏈合-陵波染敷-加熱固化一-成品-混合攪拌-液體樹脂-添加劑③填充法成型-把元器件待封裝部位放入外殼（塑料或金屬殼）內(nèi)，再用液-體樹脂填平經(jīng)加熱固化成-好-圖4-9】填苑法戚型-1一液體樹胎，2一元器件：3一塑封外殼。填充法工藝操作簡(jiǎn)單，成本低，防潮性能好，適合選用不-同材料的外殼，但生產(chǎn)效率較低，樹脂量不易控制.且可-靠差，其工藝流程是-引線-外壺-芯片-裝片一→引線鍵合-→填充塑料→枷熱同化→-成品-抿合攪拌-液體樹脂-:加劑④澆鑄法成型-把元器件待封裝部位放入鑄模內(nèi)，用液體樹脂灌滿，-經(jīng)加熱固化成型-圖4-10-1一液體樹靜，2一元器件」3一模具。澆鑄法成型工藝操作簡(jiǎn)單，成本低，封裝外形尺寸一-致，防潮性能較好，但封接后不易脫模，生產(chǎn)效率-低.可靠性也，其工藝流程是-引線-芯片裝片-引線鍵合'一>澆轉(zhuǎn)成一→加熱白化-成品-混合攪拌-液體轄脂-拆加劑⑤遞模成型-塑料包封機(jī)上油缸壓力，通過注塑桿和包封模的注塑-頭、傳送到被預(yù)熱的模塑料上，使模塑料經(jīng)澆道、澆緩-促的擠入型腔，并充滿整個(gè)腔體，把芯片包封起來。此方-法稱為遞模成型法-6-圖4一1]遞模成型-1*模，一上?！?一加料腔4一注塑頭15一模塑料-6一說道，7一澆口多8一型腔，9一排氣孔。遞模成型工藝操作簡(jiǎn)單，勞動(dòng)強(qiáng)度低，封裝后外形一致性-好，成品率高，且耐濕性能好，適合大批量工業(yè)化生產(chǎn)，但-次性投資多，占用生產(chǎn)場(chǎng)地大，當(dāng)更換封裝品種時(shí)，需要-更換專用的包封模具和輔助工具。遞模成型法是集成電路的-要封裝形式，其工藝流程是-引線推紹-模翹料-打餅-高須預(yù)熱：-包封棋-芯-片-一→遞模成型：-去2封裝塑料的設(shè)計(jì)原則-好的散熱性-熱膨脹系數(shù)應(yīng)進(jìn)可能與硅芯片一致，減小熱應(yīng)力-盡可能低的介電常數(shù)，減小信號(hào)遲-盡可能高的電阻率，增強(qiáng)絕緣性3-塑封材料-塑料封裝所用的有機(jī)材料是熱固性塑料，以高分子化-合物合成的樹脂為基體，加入團(tuán)化刑、反應(yīng)促進(jìn)劑催化劑-填充劑、阻然劑、脫模劑和著色劑等組成。-常用的幾種樹脂特性-環(huán)氧樹脂-這是一種熱固性樹脂，固化后具良好的粘接性、電絕-線性、耐化學(xué)腐蝕性和機(jī)械強(qiáng)度，收縮率小，外形幾何尺寸穩(wěn)-定性好，并具有較高的耐熱性能10一200℃。環(huán)氧樹脂的缺-點(diǎn)是不適合在高溫下工作，高頻性能和耐濕性能較差。環(huán)氧樹-脂的封裝方式比較廣